「total etching」を含む例文一覧(32)
- A total etching time required for each selection-wet etching is determined (S1, S2).
各選択ウエットエッチングに必要な総エッチング時間を決定する（Ｓ１，Ｓ２）。 - 特許庁 - When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.
半導体層にマスク１６を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、２回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さｄは両方のエッチングの深さｄ_１、ｄ_２さを合計した値とする。 - 特許庁 - In addition, the multiple waists 26 and 30 can be obtained by forming a change in gas mixing ratio in an etching chamber or a change in total gas pressure in the etching chamber.
その代わりに多重ウエストは、エッチングチャンバ内における種々のガスの比又はチャンバ内における全ガス圧力のいずれかの変化によって達成される。 - 特許庁 - In the optical waveguide 2, total reflection mirrors 5 and 6 formed by dry etching are provided.
光導波路２中にはドライエッチングによって形成された全反射鏡５及び６が設けられる。 - 特許庁 - The etching solution is composed of (1) 99 wt.% or more tripropylene glycol monomethyl ether for the total etching solution, (2) 0.4 wt.% or less water for the total etching solution, (3) hydrogen fluoride, and (4) one or two of amine selected from a group composed of hydroxylamine and ammonia.
（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、（３）フッ化水素、及び（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミンからなるエッチング液。 - 特許庁 - In the management method of the etching liquid, film thickness of the transparent conductive film 3 of the color filter or the dummy substrate is continuously measured to calculate accumulated total film thickness; and when the accumulated total film thickness reaches a predetermined accumulated total film thickness (1), the etching liquid is supplemented or exchanged.
カラーフィルタ又はダミー基板の透明導電膜３の膜厚を連続測定して累計膜厚を算出し、累計膜厚が、予め設定された累計膜厚（１）に達した時点で、エッチング液を補充、或いは更新するエッチング液の管理方法。 - 特許庁 - In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer.
この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。 - 特許庁 - In addition, the total film thickness of the cap layer 108 and the clad layer 107 is changed according to the variation of the etching quantity.
また、エッチング量の多寡に応じてキャップ層１０８およびクラッド層１０７との合計膜厚を変化させる。 - 特許庁 - In the method, the machining allowance for one tank is 16 μm or less for the total front and rear sides of silicon wafer, and the etching grade is 0.3 μm per second or less for the total front and rear sides of silicon wafer.
この方法では、１槽当たりの取り代をシリコンウェーハの表裏面合計で１６μｍ以下とし、エッチングレートをシリコンウェーハの表裏面合計で０．３μｍ／秒以下とする。 - 特許庁 - A plurality of works are continuously subjected to etching treatment using an etching liquid comprising ferric ions (Fe^3+) and ferrous ions (Fe^2+), and in which the ratio of the ferric ions (Fe^3+) occupied in the total quantity of both the iron ions at the time of first etching treatment is ≤60 mol%.
エッチング液として、３価の鉄イオン(Ｆｅ^3+)と２価の鉄イオン(Ｆｅ^2+)とを含有すると共に、初回のエッチング処理時における、両鉄イオンの総量に占める、３価の鉄イオン(Ｆｅ^3+)の割合が６０モル％以下である液を用いて、連続的に複数の被処理物をエッチング処理する。 - 特許庁 - When the total gas exhaust amount reaches a reference level, the exhaust amount monitoring means 8 delivers an exhaust amount reaching signal 20 to the dry etching system 102.
排出量監視手段８は、このガス総排出量が基準値に到達したとき排出量到達信号２０をドライエッチング装置１０２に出力する。 - 特許庁 - A metal mask of which a window (region A) of 60% of the total area is opened is tightly attached onto a substrate 31 and the etching is performed by applying ion beam.
基板３１上に全体面積の６０％（領域Ａ）の窓の開いた金属マスクを密着させイオンビームを照射することによりエッチングを行った。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.
シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁 - In this case, the density of the methanol gas is set so as to be 5-20% with respect to the total gas flow rate, and mixed gas plasma including methane gas trifluoride and methanol gas and helium gas is used for the dry etching.
具体的には、メタノールガスは、総ガス流量に対し５〜２０％の濃度であり、ドライエッチングは、三弗化メタンガスとメタノールガスとヘリウムガスとの混合ガスプラズマを用いる。 - 特許庁 - The etching device for etching the film on a semiconductor wafer 1 includes a first region where a first wafer 1 with a first resist 18 formed on a patterned film 17 is placed in an etching chamber 101, and a second region where a second wafer 31 formed with a second resist 33 for adjusting a resist occupation ratio of the upper surface of wafer against a total area within the etching chamber 101 is placed.
半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 - 特許庁 - To provide a technique capable of reducing the four processes of a key open photo process, a key open etching process, a photoresist removing process, and a subsequent cleaning process; and reducing a TAT (Total Around Time) and a manufacturing cost by skipping a conventionally used key open process.
従来用いられていたキーオープン工程を省略することによりキーオープンフォト工程、キーオープンエッチング工程、感光膜除去工程及び後続洗浄工程の４段階を縮小することができ、ＴＡＴ（Total Around Time）及び製造原価を低減させる技術を示す。 - 特許庁 - To provide a low-cost wafer-level packaging technique for MEMS devices, that reduces the total etching time of the sacrificial material layer and provides a reinforced protective cap structure for the MEMS device.
犠牲材料層の全エッチング時間を減らし、ＭＥＭＳデバイス用の強化保護キャップ構造を提供するＭＥＭＳデバイス用の低コストウェハレベルパッケージング技術を提供する。 - 特許庁 - Then, after an element separating groove 104 is formed on the substrate 101, the silicon nitride film 103 is subjected to isotropic etching by the total thickness of the silicon oxide film 102 and a sacrificial oxide film.
そして、シリコン基板１０１に素子分離用の溝１０４を形成した後、シリコン窒化膜１０３を、シリコン酸化膜１０２及び犠牲酸化膜の合計の厚さ分だけ等方エッチングする。 - 特許庁 - This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.
エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁 - Again, a metal mask 6 of which a window (region B) of 40% of the total area is opened is tightly attached onto a substrate 31 and the etching is performed by applying ion beam at an angle different from the angle above mentioned.
再び、基板３１の上に、回折格子表面の面積の４０％（領域Ｂ）の窓の開いた金属マスク６を密着させ、先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、エッチングを行った。 - 特許庁 - An etching mask film 3 is formed on an upper surface of the light-shielding film 2 and is made of a material containing a transition metal, silicon, and at least one of nitrogen and oxygen, and the content ratio of the transition metal to a total of the transition metal and the silicon in the etching mask film 3 is less than 9%.
遮光膜２の上面には、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜３が設けられ、該エッチングマスク膜３中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が９％未満である。 - 特許庁 - By displaying the measurement result of pattern shape by divided signal waveforms (bottom width of the final shape 703, resist bottom width by exposure 704, the amount of etching shift 705, and etching tilt angle component706), users can easily comprehend how much of which component changes in the total changes.
特に、パターン形状の計測結果を、分割された信号波形ごとに表示（最終形状のボトム幅７０３、露光による、レジストボトム幅７０４、エッチングシフト量７０５、エッチング傾斜角成分７０６）することで、形状全体の変動のうち、どの成分がどのように変動したのかを容易に確認できるようにする。 - 特許庁 - In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F.
プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 - 特許庁 - To conduct elementary analysis in a sample electrode surface and in a site deeper than the surface without carrying out etching, in analysis using total reflection photoelectron spectroscopy.
エッチングを行うことなく、全反射光電子分光法を用いた分析で、試料極表面とそれより深いところの元素分析を行うことができる試料分析方法および試料分析装置を提供すること。 - 特許庁 - When the ununiformity of etching quantity on a surface to be etched is B, the ununiformity of total film thickness of the cap layer 108 and the clad layer 107 is D, and the average film thickness of the marker layer 200 to the average value of the total film thickness is N; the relationships of 2B>D>0 and N>|(B-D)| are satisfied.
エッチング量の被エッチング面における不均一性をＢ、キャップ層１０８およびクラッド層１０７との合計膜厚の不均一性をＤ、合計膜厚の平均値に対するマーカー層２００の平均膜厚の膜厚比をＮとして、２Ｂ＞Ｄ＞０およびＮ＞｜(Ｂ−Ｄ)｜の関係式を満足させる。 - 特許庁 - The surface of the crystalline semiconductor film whereon the catalytic metal element is segregated is removed by etching, and this reduces the total content of the catalytic metal element in the film for lowering the catalytic metal element concentration level in the film.
触媒金属元素が偏析した結晶質半導体表面部をエッチングして除去することにより、膜中の触媒金属元素の総含有量が低減し、膜中触媒金属元素濃度が低減することができる。 - 特許庁 - A wiring pattern 2 for measuring dimension is that of a total length W formed at the outer peripheral part of a semiconductor chip 1, when the internal wiring pattern of the semiconductor chip is formed by patterning and etching with PR.
寸法測定用の配線パターン２は、半導体チップの内部配線パターンを形成する際、ＰＲによるパターニング及びエッチングによって、半導体チップ１の外周部に形成された全長Ｗの配線パターン２である。 - 特許庁 - During the simultaneous etching of the both gates in a semiconductor device wherein an N-type polysilicon gate and a P-type polysilicon gate are arranged, the area of undoped silicon gates which are dummy electrodes is arranged to be larger than the total area of the N-type and P-type doped polysilicon gates, so that the undoped polysilicon is dominant over the doped polysilicon during dry etching for the polysilicon gates.
Ｎ型ポリシリコンゲートとＰ型ポリシリコンゲートが配置されたデバイスにおいて、両ゲートを同時にエッチングする場合に、ダミー電極であるノンドープポリシリコンゲートの面積をＮ型及びＰ型のドープポリシリコンゲートの全面積よりも多くするように配置して、ドープポリシリコンよりもノンドープのポリシリコンが支配的になるようにして、ポリシリコンゲートをドライエッチングするようにした。 - 特許庁 - Under conditions where a maximum etched amount does not exceed the total value of the minimum film thickness of a sacrificial oxide film and the film thickness of the monocrystal semiconductor layer, wet drying is performed after dry etching, whereby the sacrificial oxide film can completely be removed.
最大エッチング量が犠牲酸化膜の最小膜厚と単結晶半導体層の膜厚との合計値を超えない条件下で、ドライエッチングの後にウエットエッチングを行うことにより、犠牲酸化膜を過不足なく完全に除去できる。 - 特許庁 - This mixed gas is made so that the flow rate of the chlorine gas is not less than 60% and not more than 80%, the flow rate of the argon gas is not less than 5% and not more than 20%, and the flow rate of the nitrogen gas is not less than 5% and not more than 20%, to the flow rate of the total etching gas.
この混合ガスは、総エッチングガス流量に対して、塩素ガスの流量比を６０％以上８０％以下とし、アルゴンガスの流量比を５％以上２０％以下とし、窒素ガスの流量比を５％以上２０％以下とする。 - 特許庁 - At least one layer of conductive film is formed on an insulating surface, a resist pattern is formed thereon, and then the conductive film having the resist pattern is etched to form a metallized wiring having a tapering angle αcontrolled depending on the bias power density, ICP power density, temperature of a lower electrode, pressure, total flow rate of etching gas, and the ratio of oxygen or chlorine in the etching gas.
本発明は、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成することを特徴としている。 - 特許庁 - A composition for etching silver or the silver alloy includes, by wt.%, 0.01-10% copper ion, 0.01-10% nitric acid, 10-69% phosphoric acid, 30-50% of a carboxylic acid with respect to the total composition, and the balance water.
銀又は銀合金のエッチングにおいて、組成物全体に対し、銅イオンを０．０１〜１０重量％、硝酸を０．０１〜１０重量％、燐酸を１０〜６９重量％、カルボン酸を３０〜５０重量％含有し、残部は水である銀又は銀合金エッチング用組成物を用いる。 - 特許庁
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