「type pattern」を含む例文一覧(2287)

＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 45 46 次へ＞
  • To provide a positive type photosensitive composition used for fine pattern formation such as a semiconductor production, etc. and having higher sensitivity than those of conventional ones and improved with pattern collapse, a polymer compound used for the positive type photosensitive composition, a method for producing the polymer compound and a method for forming the pattern by using the positive type photosensitive composition.
    半導体製造等の微細なパターン形成に用いられる、従来品よりも、高感度で、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • By exposing a part of the upper layer conducting pattern, a chip- mounting part 25 of a bump connection type is formed.
    上層導電パターンの一部を露出してバンプ接続方式のチップ実装部（２３）が形成される。 - 特許庁
  • The pattern counter control part 74 reads the expanded sequence program from the FIFO-type memory 60 at a high speed.
    パターンカウンタ制御部７４は、ＦＩＦＯ型メモリ６０から高速で展開シーケンスプログラムを読み出す。 - 特許庁
  • To provide a lamination type fine processing apparatus for transfering precisely a pattern, and a lamination unit used therein.
    精密なパターン転写を行う微細加工装置及びこれに用いる積層ユニットを提供すること - 特許庁
  • A pachinko game machine 10 is provided with a large-sized decorative member 21 and a liquid crystal type pattern display device 41.
    パチンコ機１０は、大型装飾部材２１及び液晶式図柄表示装置４１を備えている。 - 特許庁
  • To form a pattern having excellent adhesion property of a chemically amplifying type resist on a silicon nitride film in a short time.
    密着性の優れたパターンを化学増幅型レジストでシリコン窒化膜上に短時間で形成する。 - 特許庁
  • To provide a method for managing a pattern object file in a module type test system of an open architecture.
    オープンアーキテクチャのモジュール式試験システム内のパターンオブジェクトファイルを管理するための方法を提供する。 - 特許庁
  • Consequently, it is possible for the reflection type photomask to compensate for light reflected by the pitch of the pattern.
    これにより、反射型フォトマスクは、パターンのピッチによって反射する光を補償することができる。 - 特許庁
  • POSITIVE CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION OF RESIST PATTERN AND PRODUCTION OF ELECTRONIC DEVICE
    ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造法及び電子装置の製造法 - 特許庁
  • To improve the NFP(Near Field Pattern) characteristics of a broad stripe type semiconductor laser.
    ブロードストライプ型半導体レーザのＮＦＰ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）特性を向上させる。 - 特許庁
  • FLUORINE-CONTAINING COMPOUND, FLUORINE-CONTAINING POLYMER, NEGATIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME
    含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
  • CONDUCTIVE FILM PATTERN FORMING METHOD, WIRING BOARD, ELECTRONIC DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND NONCONTACT TYPE CARD MEDIUM
    導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体 - 特許庁
  • Phonemes matching the pattern are selected from a use adaptation type sound source 14 and connected.
    パターンに適合する音素が用途対応型音源１４から選択され、選択した音素が接続される。 - 特許庁
  • To provide a polyimde precursor developable with an aqueous alkali solution and having negative type pattern forming ability.
    アルカリ水溶液にて現像が可能なネガ型パターン形成能を有するポリイミド前駆体を提供する。 - 特許庁
  • A myocardium ischemia reperfusion model is prepared by using a wild type mouse for analyzing the appearance pattern of the MK.
    野生型マウスを用いて心筋虚血再灌流モデルを作成し、ＭＫの発現パターンを解析する。 - 特許庁
  • By using the resist pattern 21 as a mask, P-type impurity (e.g., boron (B)) ions are implanted.
    その後、そのレジストパターン２１をマスクとして用いて、ｐ型不純物（例えば、ボロン（Ｂ））のイオン注入を行う。 - 特許庁
  • To provide a projector type headlamp capable of improving distant-place visibility of high-beam light distribution pattern.
    ハイビーム用配光パターンの遠方視認性を改善することができるプロジェクタ型ヘッドランプを提供する。 - 特許庁
  • In the New Property Pattern dialog, enter geoPoints in the Name field and HashMap in the Type field, and then click OK.
    「新規プロパティーパターン」ダイアログで、「名前」フィールドに「geoPoints」、「型」フィールドに「HashMap」と入力して、「了解」をクリックします。 - NetBeans
  • To uniformly form a fine stripe-shaped pattern in a vertical alignment division type liquid crystal display.
    垂直配向分割型液晶表示装置において、微細なストライプ状パターンを均一に形成する。 - 特許庁
  • To easily decide a quantity of buffer films projected from the bottom of the absorption pattern of a reflection type mask.
    反射型マスクの吸収パターンの底部から突出したバッファ膜の多寡を簡易に判定する。 - 特許庁
  • The reflection type mask (R) having a pattern domain (Ra) in which a reflection pattern is formed includes additionally a non-pattern domain (Rb) for reflecting or scattering incident light in a direction different from the reflecting direction of the pattern domain (Ra).
    反射パターンが設けられたパターン領域（Ｒａ）を有する反射型マスク（Ｒ）であって、入射した光をパターン領域（Ｒａ）が反射する反射方向とは異なる方向に反射又は散乱させる非パターン領域（Ｒｂ）を有する。 - 特許庁
  • A table for determining a losing variation pattern type is used to determine the variation pattern, and the table is configured such that a common determination value is assigned to the type of variation patterns including a variation pattern with the super ready-to-win status, regardless of the total number of saved prize balls.
    また、変動パターンを決定する際に用いるはずれ用変動パターン種別判定テーブルは、スーパーリーチを伴う変動パターンを含む変動パターン種別に対しては、合算保留記憶数にかかわらず、共通の判定値が割り当てられている。 - 特許庁
  • A character pattern is extracted from image data read from a document or a slip or the like and the handwritten character and the type character are discriminated in a handwritten/type discrimination part 2.
    文書又は帳票等から読み取られた画像データから文字パターンが抽出され、手書き／活字判別部２で手書き文字、活字の判別が行われる。 - 特許庁
  • To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition excellent in various characteristics such as resolving power, margin for exposure, edge roughness of a pattern and density dependence.
    解像力、露光マージン、パターンのエッジラフネス、疎密依存性の諸特性に優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁
  • A stripe pattern formed of a metal film 3 is formed on a semiconductor film 2 where a p-type or n-type impurity is introduced onto a substrate 1.
    基板１の上にｐ型又はｎ型の不純物を導入した半導体膜２の上に金属膜３からなる縞状のパターンを形成する。 - 特許庁
  • The n-type gallium nitride layer can have a second surface-unevenness structure 300a of a given pattern formed on a surface in contact with the n-type electrode 106.
    前記ｎ型窒化ガリウム層は前記ｎ型電極１０６と接する側の面に所定形状の第２表面凹凸構造３００ａを形成してもよい。 - 特許庁
  • To provide a reflection type exposing method capable of securing the quality of a pattern transferred to a wafer while mitigating allowable specifications of a reflection type mask varying in size error.
    寸法誤差が変化する反射型マスクの許容仕様を緩和しつつ、ウエハに転写したパターンの品質を確保できる反射型露光方法を提供する。 - 特許庁
  • To easily obtain higher resolution of an exposure pattern with an inexpensive proximity exposure type aligner without using an expensive projection exposure type aligner.
    高価な投影露光方式の露光機を使用せずに安価な近接露光方式の露光機を使用して露光パターンの高解像度化を容易に実現する。 - 特許庁
  • To provide an optical sheet for direct type backlight units, which solves the problems of direct type backlight units that moire and parts without a pattern are to be eliminated, allows little visual recognition of unevenness of the surface and is capable of radiating light uniformly without moire and leaked light.
    直下型バックライトユニットはモアレを解消し、パターンが無い部位を消失させることで漏れ光を低減させることが求められている。 - 特許庁
  • To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power and ensuring reduced development defects and improved rectangularity of a pattern.
    高感度で高解像力を有し、現像欠陥およびパターンの矩形性が改善された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
  • Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.
    次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁
  • DIAMINE CONTAINING IMIDO GROUP, POLYIMIDE PRECURSOR CONTAINING THE IMIDE GROUP, POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN CONTAINING THE PRECURSOR, MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE TYPE PATTERN, AND ELECTRONIC PARTS
    イミド基含有ジアミン、該イミド基含有ポリイミド前駆体、該前駆体を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型パターンの製造方法及び電子部品 - 特許庁
  • Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.
    次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁
  • This grain type resin molded article 1 is obtained by developing a natural grain type pattern on the surface of a molded article produced by an injection molding or blow molding.
    石目調樹脂成形品１は、射出成形またはブロー成形により成形した表面に天然石目調の模様を顕出させたものである。 - 特許庁
  • Phosphorus is ion-implanted in an n-type well forming region 30 and in a positioning pattern forming region 40 on a substrate 1 to form n-type wells 6a and 6b.
    基板１のｎ型ウェル形成領域３０と位置合わせパターン形成領域４０に燐をイオン注入してｎ型ウェル６ａ、６ｂを形成する。 - 特許庁
  • Boron is ion-implanted in a p-type well forming region 20 and the positioning pattern forming region 40 to form p-type wells 8a and 8b.
    基板１のｐ型ウェル形成領域２０と位置合わせパターン形成領域４０に硼素をイオン注入してｐ型ウェル８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁
  • To use a layout pattern for bulk type semiconductor device in an SOI type semiconductor device by converting it with minimum necessary alteration.
    バルク型半導体装置に用いられていたレイアウトパターンを必要最小限の変更でＳＯＩ型半導体装置のレイアウトパターンに変換して用いる。 - 特許庁
  • To provide a rotary disk type road surface marking plate to be used attached to a vehicle type road surface drawing device for drawing a pattern on a surface of a road, which can provide an easy-to-see drawn pattern and is improved in a fixing property.
    道路の路面に描画するための車両型路面描画装置に取付けて使用する回転式円板型の路面けがき板において、描画が見やすく、定着性のよい路面けがき板を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a reflection-type exposure mask to give high contrast inspection images upon pattern inspection, and to give high contrast exposure images upon pattern transfer, making it possible to achieve highly reliable reflection-type masks.
    パターン検査の際には高コントラストの検査像が得られ、パターン転写の際には高コントラストの露光像が得られ、信頼性の高い反射型マスクを実現できる反射型露光マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a first type pachinko machine allowing a player to visually check a pattern variable display by a special pattern display device and to check entrance of a game ball into a first type starting hole.
    特別図柄表示装置による図柄の変動表示を遊技者が視認可能であると共に、第１種始動口に遊技球が入賞したことを遊技者が確認可能な第１種パチンコ機を提供する。 - 特許庁
  • To provide an alkaline development type photosensitive resin composition that enables the formation of a pattern with good resolution upon development with an aqueous alkaline solution without adding a dissolution inhibitor and a method for forming a pattern using the alkaline development type photosensitive resin composition.
    溶解阻害剤を添加することなく、アルカリ水溶液現像によって解像度の良好なパターンを形成することを可能にするアルカリ現像型感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁
  • The electric field type pattern antenna of an IC tag layer 2 is a patch antenna 7 consisting of a metal conductor layer, and the magnetic field type pattern antenna is a slot antenna 8 consisting of a slot which is provided in the center of the patch antenna 7.
    ＩＣタグ層２の電界型パターンアンテナは、金属導体層で構成されるパッチアンテナ部７であり、磁界型パターンアンテナは、パッチアンテナ部７の中央部に設けられたスロットで構成されるスロットアンテナ部８である。 - 特許庁
  • To provide a positive-type resist composition which has superior lithographic characteristics and forms a roughness-reduced resist pattern, a resist pattern-forming method using the positive-type resist composition, and a high-molecular compound which can be utilized as a base material component for the positive-type resist composition.
    良好なリソグラフィー特性で、ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、およびポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる高分子化合物を提供する。 - 特許庁
  • After satisfaction of the latency conditions by occurrence of a probability variable jackpot B or a minor jackpot, a variation pattern is decided by a losing variation pattern type determination table C differing from losing variation pattern type determination tables A, B selected before satisfaction of the latency conditions, and a probability of determination of a super ready-to-win condition having high reliability as a variation pattern is increased in the losing variation pattern type determination table C.
    確変大当りＢまたは小当りの発生により潜伏条件が成立した後は、該潜伏条件が成立する前に選択されるはずれ用変動パターン種別判定テーブルＡ，Ｂとは異なるはずれ用変動パターン種別判定テーブルＣを用いて変動パターンを決定するとともに、はずれ用変動パターン種別判定テーブルＣにおいては、変動パターンとして信頼度が高いスーパーリーチが決定される確率が高まる。 - 特許庁
  • After satisfaction of the latency conditions by occurrence of a probability variable jackpot B or a minor jackpot, a variation pattern is decided by a losing variation pattern type determination table C differing from losing variation pattern type determination tables A, B selected before satisfaction of the latency conditions, and a probability of determination of a super ready-to-win condition having high reliability as a variation pattern is increased in the losing variation pattern type determination table C.
    確変大当りＢまたは小当りの発生により潜伏条件が成立した後は、該潜伏条件が成立する前に選択されるはずれ用変動パターン種別判定テーブルＡ，Ｂとは異なるはずれ用変動パターン種別判定テーブルＣを用いて変動パターンを決定するとともに、はずれ用変動パターン種別判定テーブルＣにおいては、変動パターンとして信頼度が高いスーパーリーチが決定される確率が高まるようにした。 - 特許庁
  • Since the film thickness of the titanium silicide film pattern 126a directly above the n+ type region 116ab is different from that directly above the p+ type region 116ba, a missing part 128 is easy to occur at the titanium silicide film pattern 126A, directly above the joint part between the n+ type region 116ab and the p+ type region 116ba.
    ｎ^+ 型領域１１６ａｂ直上，ｐ^+ 型領域１１６ｂａ直上でのチタン・シリサイド膜パターン１２６Ａの膜厚が相違することから、ｎ^+ 型領域１１６ａｂとｐ^+ 型領域１１６ｂａとの接合部直上において、チタン・シリサイド膜パターン１２６Ａに欠落部１２８が発生し易くなる。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing an exposure mask and an exposure method for performing pattern exposure with a high precision and a high resolution for a more versatile pattern with respect to pattern exposure using a Levenson-type phase shift mask.
    レベンソン型位相シフトマスクを用いたパターン露光において、より多用なパターンについて高精度かつ高解像度でパターン露光を行うことが可能な露光マスクの作製方法および露光方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a pattern formation method which is excellent in sensitivity, capability of reducing development defects, and pattern shape in negative pattern formation with a developer containing an organic solvent, and to provide a chemical amplification type resist composition and resist film.
    有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁
  • The socket type coaxial connector 200 is surface mounted on the ground pattern 104 at a position in close proximity to the protrusion (feeding point) 102a of the antenna element pattern 102 while straddling the end of the strip line 103 and the ground pattern 104.
    ソケット型同軸コネクタ２００は、グランドパターン１０４のうち、アンテナエレメントパターン１０２の突部（給電点）１０２ａに極く近い位置に、ストリップ線路１０３の端とグランドパターン１０４とに跨って、表面実装してある。 - 特許庁
  • The star type pattern 202 is constituted of two or more dot-shaped patterns, and the dot-shaped patterns include a first dot-shaped pattern group and a second dot-shaped pattern group having different central wavelengths of reflection.
    星型パターン２０２は、複数のドット状のパターンにより構成されており、これらドット状のパターンは、反射する中心波長が異なる第１のドット状のパターン群と、第２のドット状のパターン群とを含んでいる。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 45 46 次へ＞

例文データの著作権について