「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 97 98 99 100 101 102 103 104 105 .... 221 222 次へ＞- The rigid floor set 52 of the upper layer is supported by a floor structure 2 of the indoor space 1 via base isolation supports 70 and 80, and the column horizontally displaceably penetrates through the floor structure 2, and suspends the rigid floor set 51 of the lower layer by the lower layer space 6.
上層の剛性床組(52)は免震支承(70,80)を介して室内空間(1)の床構造体(2)に支持され、支柱は、床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、下層の剛性床組(51) を下層空間(6)に懸吊する。 - 特許庁 - The surface of a base layer 16 for the formation of magnetic pole layers 15 (upper magnetic pole layer and lower magnetic pole layer) of a thin film magnetic head has different surface levels by alternately forming projections 17 and recesses 18 parallel to a sliding face 19 for a magnetic medium.
薄膜磁気ヘッドの磁極層１５（上部磁極層，下部磁極層）を形成する際の下地層１６の表面に、記録媒体摺動面１９と平行に凸部１７，凹部１８を交互に形成した段差を設ける。 - 特許庁 - To provide an intermediate layer material composition for a three- layer resist process soluble in an organic solvent, excellent in storage stability and free of a problem in trailing shape and line edge roughness in patterning of an upper layer resist and to provide a pattern forming method using the composition.
有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない３層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Then the layers are slowly suctioned in the order of the resin layer 7c, and the particle density changing layer 7b to place the upper face of the particle density changing layer 7b at a position slightly higher than a notch 5b and the frame member 5 is cut of from the notch 5b.
ここで、バッキング材７の樹脂層７ｃ、粒子密度変化層７ｂの順に静かに吸引し、切欠部５ｂよりやや高い位置に粒子密度変化層７ｂの上面を位置させ、枠部材５を切欠部５ｂから切断する。 - 特許庁 - A part of the n-type nitride semiconductor layer 2, the active layer 3, a p-type nitride semiconductor layer 4, a part of a side of a p-electrode 5, and an upper side of the p-electrode 5 to a part of the level difference A, are covered by a protection insulating film 6.
この段差Ａの部分まで、保護絶縁膜６によりｎ型窒化物半導体層２の一部、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４、ｐ電極５の側面とｐ電極５の上側一部にかけて覆われている。 - 特許庁 - The fluorescent material layer can be made with a laminated structure of the lower layer of a first fluorescent material having particle diameters of 3 to 15 μm and of the upper layer of a second fluorescent material having particle diameters smaller than those of the first fluorescent material (preferably 1/2 or less).
蛍光体層を、３〜１５μｍの粒径を有する第１の蛍光体の下層と、第１の蛍光体より粒径の小さい（好ましくは１／２以下）第２の蛍光体の上層との積層構造とすることができる。 - 特許庁 - An extended part 86b is formed in an upper layer part 86 to be bulged to the outside more than a side edge part 86a or the side edge part 81b of a base part 81, and a coil insulating layer (insulating layer) 57 is present below the extended part 86b.
上層部８６には、側縁部８６ａか基底部８１の側縁部８１ｂよりも外側に張りだしている延出部８６ｂが形成され、コイル絶縁層（絶縁層）５７が、延出部８６ｂの下にも存在している。 - 特許庁 - In the optical probe head 1, the optical waveguide consisting of the lower clad layer 2, the core layer 3 and the upper clad layer 4 is formed on the substrate 6, and the substrate 6 is removed after one end surface of the optical waveguide is diagonally cut to form the mirror surface 5.
この光プローブヘッド１は、基板６上に、下部クラッド層２，コア層３，上部クラッド層４からなる光導波路を形成し、その一端面を斜めにカットしてミラー面５とした後、基板６は取り除かれる。 - 特許庁 - A hollow pipe provided with holes in multistage is disposed at an ink supply section to the body in an ink tank such that ink flows into the pipe from the entire region of upper layer, intermediate layer and lower layer in the ink tank thus making the ink density uniform.
インクタンク内の本体へのインク供給部に他段に孔を設けた中空パイプを設置し、各孔から、インクタンクの上層、中層、下層の全域より、パイプ内にインクが流入するように構成しインク濃度の均一化を計る。 - 特許庁 - The height size H5 of the coil insulating layer building up from above the lower magnetic pole layer 11 is made smaller than heretofore, by which the front end of the upper core layer formed at a track width Tw may be formed with high accuracy.
本発明では、下部磁極層１１上から盛り上がるコイル絶縁層の高さ寸法Ｈ５を従来に比べて小さくでき、よってトラック幅Ｔｗで形成される上部コア層の先端部を、高精度に形成できる。 - 特許庁 - A large number of recessed faces 33b on the upper face 33a of the covered layer 33 function as concave lenses so that radiation distribution characteristics of light emitted from a light emission layer 27 via the covered layer 33 becomes superior.
この際、被覆層３３の上面３３ａに凹レンズとして機能する多数の凹面３３ｂが形成されているので、発光層２７から被覆層３３を経て射出される光の放射分布特性が良好なものとなる。 - 特許庁 - The diode comprises a first conductive type second semiconductor layer extending in a vertical direction to a substrate, and a second conductive type third semiconductor layer extending in a vertical direction to the substrate in contact with an upper surface of the second semiconductor layer.
ダイオードは、基板に対して垂直方向に延びる第１導電型の第２半導体層と、第２半導体層の上面に接して基板に対して垂直方向に延びる第２導電型の第３半導体層とを備える。 - 特許庁 - A mixture of an isocyanate component and a polyol component is jetted on the lower layer to form an upper polyurethane elastomer layer 13 of 100-700% elongation and 60-400 kg/mm2 tensile strength, and a multi-layer polyurethane waterproof material.
この下層上にイソシアネート成分とポリオール成分との混和物を噴射して伸び１００〜７００％、引張強度６０〜４００ｋｇ／ｍｍ^2のウレタンエラストマーの上層１３を形成して、複層のウレタン防水材１２とする。 - 特許庁 - In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is ≥10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is ≥35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is ≥10 and ≤30 nm.
ここで、下部Ｔｉ層３の厚さＡは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、中間金属層４の厚さＢは、３５ｎｍ以上、６５ｎｍ以下であり、上部Ｔｉ層５の厚さＣは、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。 - 特許庁 - This can achieve a structure in which no void occurs in a second conductive layer 8 when a second gate insulation film 7 or the second conductive layer 8 is formed on the upper part 6b of the gate of the first conductive layer 6.
このため、第１の導電層６のゲート上部６ｂの上に第２のゲート絶縁膜７や第２の導電層８が形成されたときに第２の導電層８内にボイドを発生させることなく構成することができる。 - 特許庁 - The upper DBR miller layer 16 is formed by laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer alternately and has a pair of trenches 25, 25 formed so as to pinch a region opposed to the light emitting region 13A.
上部ＤＢＲミラー層１６は、低屈折率層および高屈折率層を交互に積層して形成されると共に、発光領域１３Ａとの対向領域を間にして設けられた一対のトレンチ２５，２５を有する。 - 特許庁 - Thus, a conductor circuit 72 for connecting the via-hole 50 of the lower layer to the via-hole of the upper layer can be placed, at a position directly above the via-hole 50 which has been a dead space in a prior art, resulting in a high-density multi-layer printed wiring board.
このため、従来技術ではデッドスペースになっていた、該下層バイアホール５０の直上位置に上層バイアホールへの接続用の導体回路７２を配置できるため、多層プリント配線板の高密度化が可能となる。 - 特許庁 - The catalyst for exhaust gas cleaning, generating hydrogen by decreasing the concentration of carbon monoxide, is prepared by covering a carbon monoxide shift catalyst layer with an upper layer consisting of a catalyst layer having an oxidation capacity capable of decreasing oxygen concentration.
酸素濃度の低減可能な酸化性能を有する触媒層を、一酸化炭素シフト触媒層の上層として被覆することにより一酸化炭素濃度を低減して水素を生成する構成を有する排気ガス浄化用触媒。 - 特許庁 - A diffusion prevention layer for principally protecting a lower layer out of power wiring metal is composed such that the upper surface and at least a part of the side face is coated with a metal layer for principally supplying power.
電力配線金属のうち、主として下層を保護するための拡散防止層は、その上面および少なくとも側面の一部が、主として電力を供給するための金属層によって被覆されるように構成する。 - 特許庁 - The piezoelectric element 34 is installed on a board 52 having a vibrating plate 52A, and a common electrode 46 as an underlayer electrode layer, the piezoelectric body 48, and a signal electrode 50 as an upper layer electrode layer are stacked in this order.
圧電体素子３４は、振動板５２Ａを有する基板５２上に設けられており、下層電極層としての共通電極４６、圧電体４８、及び上層電極層としての信号電極５０がこの順で積層されている。 - 特許庁 - The common upper layer electrode 36 and common lower layer electrode 37 each are formed of comb-shaped electrodes consisting of base electrodes 42, 44 and a plurality of branch electrodes 43, 45 extending from the base electrodes to each piezoelectric layer 31.
共通上電極３６及び共通下電極３７をそれぞれ、基電極４２，４４とこれらの基電極から各圧電体層３１に延設された複数の枝電極４３，４５とからなる櫛歯状電極によって構成する。 - 特許庁 - A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.
ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁 - The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.
下層抵抗体７は上層抵抗体１１に対して自己整合的に１層のノンドープポリシリコン膜５に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体１１により画定されている。 - 特許庁 - In the surface structure 10, an intermediate layer 10b is superposed on a lower layer 10a, which is a bundle of continuous filaments, an upper layer 10a is superposed thereon, and the continuous filaments of the respective layers are partially fused by a joining wire to be formed into a sheet.
表面構造体１０は、連続フィラメントの束である下層１０ａの上に中層１０ｂがその上に上層１０ａが重ねられて、各層の連続フィラメントが接合線で部分的に融着されてシート化されている。 - 特許庁 - Subsequently, the solder is embedded to form a solder layer 8 to the aperture 5a where the close contact film 7 is provided under the condition that the solder layer 8 overflows to the upper part of the front surface of the resist mask 5 and the reflow process is conducted to the solder layer 8.
続いて、密着膜７が設けられた開口部５ａに、レジストマスク５の表面よりも上方にはみ出す状態で、はんだを埋め込んではんだ層８を形成するとともに、はんだ層８のリフロー処理を行う。 - 特許庁 - Setting input is performed through the display switch instruction button to switch positions of the upper layer setting screen and the lower layer setting screen which are displayed in the indicator 10 and the whole lower layer setting screen is displayed.
表示切替指示ボタンを介して設定入力を行うことによって、表示部１０に表示されている上層設定画面と下層設定画面との位置を入れ替えて下層設定画面全体が表示されるようになっている。 - 特許庁 - In the floor structure, a heating layer 2 for heating a floor is provided on the upper or lower part of or inside of a layer (a heat storage layer 5) of a heat storage material which has hysteresis property with a melting temperature zone higher than a coagulating temperature zone.
本発明の床構造は、凝固する温度帯域に比べて融解する温度帯域が高いヒステリシス特性を備えた蓄熱材の層（蓄熱層５）の上、下又は内部に床暖房の発熱層２が設けられている。 - 特許庁 - A lowest layer laminating sheet is arranged so that a criteria pin may be inserted in a perforation 24a of the lowest layer laminating sheet 41 and may be contacted and the face for forming a conducting film of a laminating sheet is set to contact the upper face of the lowest layer so as to contact the top face of a lower dummy sheet.
基準ピンが最下層積層用シート４１の貫通孔２４ａを挿通し且つ最下層積層用シートの導体膜形成面が下部ダミーシートの上面に接するように、最下層積層用シートを配置する。 - 特許庁 - In the second step, the solder layer 53 constituted of tape-like solder is piled up on upper/lower surfaces 52b of the collective conductor 52, and heated from the outside of the solder layer 53, and thus, the collective conductor 52 and the solder layer 53 are integrated.
第２の工程では、テープ状はんだからなるはんだ層５３を、集合導体５２の上下面５２ｂに積層させて、はんだ層５３の外側から加熱することで、集合導体５２とはんだ層５３とを一体化する。 - 特許庁 - Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity.
遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。 - 特許庁 - In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.
さらに、本発明は、ＬＤＤ領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 33 or an upper layer wiring (conducting film) on the lower layer wiring 16a is not eliminated before the flattened film 37 is formed, so that the flattened film 37 on the lower layer wiring 16a is formed relatively thin.
また、下層配線１６ａ上の層間絶縁膜３３又は上層配線（導電膜）を平坦化膜３７の形成前には除去しないことで下層配線１６ａ上の平坦化膜３７を相対的に薄く形成する。 - 特許庁 - One layer absorbing the light is decomposed by being irradiated with the light of the wavelength of λ either absorbed by the lower crystal layer 31 or the upper crystal layer 32 and then the wafer is cut into two portions at the neighbouhood of the boundary surfaces of both layers.
下部結晶層３１と上部結晶層３２のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを２つの部分に切り離す。 - 特許庁 - The second wiring layer is located in an upper layer of the first wiring layer, and is disposed in a second wiring direction different from the first wiring direction with a plurality of power supply feed lines of a second potential being paired adjacent to each other.
第２の配線層は、第１の配線層の上層に位置し、複数の第２の電位の電源電圧供給線が隣接して組となり第１の配線方向とは異なる第２の配線方向で配置されている。 - 特許庁 - Lower part 14D of the soil improvement body is embedded in an impermeable layer 16 which is in the lower layer of the contaminated soil 12, and a head part 14U is formed higher than an upper surface 12U of the contaminated soil 12.
地盤改良体１４の下部１４Ｄは、汚染土１２の下層にある遮水層１６に根入れされ、頭部１４Ｕは汚染土１２の上面１２Ｕより高く形成されている。 - 特許庁 - A gate opening is so provided at the upper portion of the recess 3 as to penetrate a first inter-layer insulating film 4a, a gate electrode film 5 and a second inter-layer insulating film 4b which are laminated.
凹部３上には、積層された第１の層間絶縁膜４ａ、ゲート電極膜５、及び第２の層間絶縁膜４ｂを貫通するようにゲート開口部が設けられる。 - 特許庁 - The content of Bi, Cu, Ag or Zn is set to be 0.1-15 wt.% and the total thickness of the plated layer 2 of the Sn-alloy and the upper plated layer 3 is designed to be 0.5-20 μm.
Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの濃度は０．１〜１５重量％に設定され、Ｓｎ合金メッキ層２と上層メッキ３の合計厚みは０．５〜２０μｍに設計されている。 - 特許庁 - In the side 1e of the device body 1B, the end surface 43E1 of the lower conductor layer 43 and the end surface 73E1 of the upper conductor layer 73 are electrically and physically connected.
デバイス本体１Ｂの側面１ｅにおいて、下部導体層４３の端面４３Ｅ１と上部導体層７３の端面７３Ｅ１は、電気的且つ物理的に接続されている。 - 特許庁 - The resistor layer 12 and the upper surface electrode layer 14 are inspected at a moment in time when they are formed, and if any one of them is recognized visually at the cut 100a, they are rejected.
そして、抵抗層１２と上面電極層１４を形成した時点で検査を行い、切欠部１００ａにおける少なくともいずれかが視認される場合には、不合格とする。 - 特許庁 - Colmnar spacers 18 consisting of a transparent positive resist hardened by ultraviolet rays are formed on an alignment layer 5 of a lower glass substrate 1 and under an alignment layer 16 of an upper glass substrate 11.
下ガラス基板１の配向膜５上および上ガラス基板１１の配向膜１６下には紫外線硬化型の透明なポジ型レジストからなる柱状のスペーサ１８が形成されている。 - 特許庁 - Thus, the step of filling the space T2 set between the upper shield layer 27 and the first metal layer 28 is carried out more easily and properly compared with the conventional case.
これによって従来に比べて上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内の埋め込み工程を容易に且つ適切に行うことが可能になる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which a contact plug has a bottom in anchor structure without reference to the width of upper-layer wiring to reduce the connection resistance with lower-layer wiring, and to provide a method of manufacturing the same.
上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - While ejecting by an overflow the contaminations 91 gathered at an upper layer portion of the reservoir tub 13, the wash water is attracted from a lower layer portion of the reservoir tub 13 for circulation.
貯留槽１３の上層部に集まった汚染物９１をオーバーフローによって排出するとともに、貯留槽１３の下層部から洗浄水を吸引して循環させる。 - 特許庁 - To obtain a further natural image display by dissolving the unnaturalness at a boundary part at the time of superposing an image of an upper layer and an image of a lower layer and displaying them as one image.
上層の画像と下層の画像を重ね合わせて１つの画像として表示する際に、境界部分の不自然さを解消して、より自然な画像表示を可能とする。 - 特許庁 - The upper body used is formed by sewing outer layer parts at least halved into a front and a back and sewing an inner sole to the lower end edge of the connected outer layer parts.
前記アッパー体には、少なくとも前後に２分割された外皮パーツの縫合によって形成し当該結合した外皮パーツの下端縁に中底を縫着したものを使用する。 - 特許庁 - On the other hand, in the state an electric field lower than the threshold value is applied to the liquid crystal layer 18, it is scattered by the liquid crystal layer 18 and is made to exit to the outside via the upper substrate 12.
一方、液晶層１８にしきい値未満の電界が印加された状態では、液晶層１８により散乱され、上基板１２を介して外部に出射される。 - 特許庁 - An end part of feeding ream Lf divided by an index sheet and positioned in an upper most part of a ream crest L is lifted, and a lower layer of ream Lr is pressed by a pressing nozzle part 25b of a lower layer of ream pressing device 25 of an auxiliary feeding device 20.
主給送装置30の保持アーム34を後退させると共に、揺動させて、先端部に設けられた吊り下げノズル部38を給紙リームＬf に下側に位置させる。 - 特許庁 - On the flexible printed circuit 20 on the upper layer, throughholes 2 are formed in locations corresponding to the locations where the terminal section 11 of connection terminals 10 on the flexible printed circuit in the lower layer can penetrate.
上層のＦＰＣ２０には、下層のＦＰＣ２０の接続端子１０の端子部１１が貫通するための貫通孔２が対応する箇所にそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - Alternatively, such a constitution that the optical phase compensation member to cancel birefringence of the polarizing plate supporting member is disposed between a supporting member of an upper side polarizing plate of the liquid crystal layer side and the liquid crystal layer is adopted.
又は、上側偏光板の液晶層側支持基材と液晶層間に、偏光板支持基材の複屈折性を打ち消す光学位相補償部材を配置する構成を採る。 - 特許庁 - A connecting section between the wall type structure section 60 of the upper layer story and the frame structure section 70 of the lower layer story is formed of a reversed beam structure consisting of a beam section 20 and a floor section 10.
また、上層階の壁式構造部６０と下層階のラーメン構造部７０との間の接続部は、梁部２０と床部１０とからなる逆梁構造で形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
