「upper- layer」を含む例文一覧(11093)

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  • Subsequently, a cathode active material layer whose lower surface conforms to the unevenness and whose upper surface is substantially flat is formed by applying the application liquid by the knife coat method (a step S105).
    次いで、ナイフコート法により塗布液を塗布することで、下面が凹凸に追従し上面が略平坦な正極活物質層を形成する(ステップS105)。 - 特許庁
  • Besides, in the upper DBR layer 5, the proton injection region 14 cylindrically surrounds a part 10a facing the center of the current constriction region 6a.
    更に、上部DBR層5において電流狭窄領域6aの中央部に対向する部分10aをプロトン注入領域14が筒状に包囲している。 - 特許庁
  • A mask 5 having the thickness of 2.2 μm is formed on a part of the upper surface of a sample layer 4 formed on the while surface of a comparatively large rectangular parallelepiped-shaped glass substrate 1.
    比較的大きな直方体形状のガラス基板1上の全面に形成された試料層4の上面の一部に厚さ2.2μmのマスク5を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a panel for information display, with which an adhesive layer is formed with high accuracy and at a low cost on an upper surface of a partition formed on a substrate.
    基板上に形成した隔壁の上面に、高精度かつ安価に接着剤層を形成し得る情報表示用パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Also, an HSQ-SOG film 57 whose high temperature heat treatment is not carried out is used as an inter-film insulating film between wiring (54, 55, 56, 62 and 63) of an upper layer.
    また、上層の配線(54、55、56、62、63)間の層間絶縁膜として、上記のような高温の熱処理を施さないHSQ−SOG膜57を使用する。 - 特許庁
  • In addition, the crossing part in the active area 4 is removed, and the active areas 4 on both ends of the removed part may be connected with each other by an upper-layer wiring.
    また、活性領域4のうちの交差部分を除去し、この除去部の両端の活性領域4を上層配線6により相互に接続してもよい。 - 特許庁
  • Thus, at forming a feeder conductive film 29 on the protective mask 28, no disconnection occurs at the step 22, resulting in no disconnection of an upper layer wiring 32.
    こうして、保護マスク28上に給電用導電性膜29を形成する際に段差22で断線することはなく、上層配線32が断線しないようにする。 - 特許庁
  • The upper layer film in the vicinity of a processing target position of the object to be processed is removed by the FIB processing, and a recognizable layout pattern is made exposed in the FIB image.
    被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をFIB加工によって除去し、FIB像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。 - 特許庁
  • The internal pressure of the container 9 is set almost same as the pressure of an air layer section 8 formed on the upper section of a liquid storage tank 2 storing a liquid 7 to be filled.
    容器9の内圧を充填すべき液体7が貯蔵されている貯液タンク2の上部に形成されている気層部8の圧力と略同圧とする。 - 特許庁
  • In the lower tank 24b, filtration layers S1 to S3 are disposed on a holding table 28 in such a manner that the upper face of the uppermost filtration layer S3 and the step 26 are on the same plane.
    下部槽24bにおいて支持台28上には、最上段のろ過層S3の上面が段部26と面一になるようにろ過層S1〜S3が設けられる。 - 特許庁
  • The coating application vessel is filled with the coating liquid and the substrate is immersed from the upper part into the inner diameter part of the cylindrical section and is withdrawn, by which a photosensitive layer is applied on the surface of the substrate.
    塗布槽に塗布液を満たし、次いで円筒部の内径部に支持体を上部より浸漬し引き抜くことにより支持体表面に感光層が塗布される。 - 特許庁
  • By making the projecting parts 102...103, etc., into the mesh shape, even if pattern deviation is generated in an upper and lower layer, a convex shape of an intersection point does not change but uniform reflexivity is obtained.
    凸部102…103…をメッシュ形状とすることで、上下の層でパターンずれが発生しても交点の凸形状は変化せず、均一な反射性能が得られる。 - 特許庁
  • To prevent bricks from falling-off, being deviated and cracked, by setting the upper surface angle of an uppermost step brick at a prescribed angle and providing a filling layer on its rear surface side.
    本発明は、炉口の最上段れんがの上面角度を所定角度とし、背面側に充填層を設け、れんがのずれ、抜け、割れを防止することを目的とする。 - 特許庁
  • A stacked structure composed of Ti/Al/TiN/Al-Cu/TiN is employed as the upper wiring layer 5 on the interlayer insulating film 3, whereby an eutectic crystal of Ti and Al is produced.
    層間絶縁膜3上の上層配線層5として、Ti/Al/TiN/Al−Cu/TiNからなる積層構造を用いることにより、TiとAlとの共晶を生成する。 - 特許庁
  • The excavation of the upper half widening section 20 and the fracture removal of the ceiling section 16 of the lining layer 14 are carried out by the excavator 36 mounted on the mobile working platform 26.
    そして、上半拡幅部20の掘削と覆工層14の天井部16の破壊撤去とを移動式作業構台26上に搭載した掘削機36により行う。 - 特許庁
  • A conductor film 8 and the source/drain diffusion layer 14 are connected electrically together through the intermediary of a contact region formed on the upper sidewall of the trench region 6.
    導電体膜8およびソース・ドレイン拡散層14は、トレンチ領域6の側壁上部に形成されたコンタクト領域を介して電気的に接続されている。 - 特許庁
  • A stopper 34, forming actuators 22 and 23 on the opposite sides of the mirror portion 21, is connected with an upper layer 13, while being electrically isolated from the other parts of the support substrate 11.
    ミラー部21の両側にアクチュエータ22,23を形成するストッパ34は、支持基板11の他の部分と電気的に分離して上部層13と接続する。 - 特許庁
  • An adhesive agent is charged into through-holes 11 formed on the non-conductive regions 81, and the upper plate material is joined to the woody part of the heat insulating material layer by the adhesive agent.
    非導電領域81に形成した貫通孔11に接着剤が充填され、接着剤により上部板材が断熱材層の木質部に接合される。 - 特許庁
  • There are provided a first via hole 31 provided in a first insulating layer 11 and second via holes 30, 32 provided at the positions corresponding to apertures at the upper and lower ends of the first via hole 31.
    第1絶縁層11に設けた第1ビアホール31と,第1ビアホール31の上端又は下端の開口部に対応する位置に第2ビアホール30,32とを有する。 - 特許庁
  • Impurities 18 locally present in an upper layer portion 7a of a growth source solution is discharged from a reaction chamber 18, and then a single crystal 8 is grown in the source solution 7.
    育成原料溶液の上層部7aに局在する不純物18を反応容器1から排出し、次いで原料溶液7中で単結晶8を育成する。 - 特許庁
  • As for a contact hole 6 for connecting wiring 8 to a diffused layer 4, an upper part A has a sequence taper configuration and a lower part B is processed to have an approximately perpendicular side wall.
    配線8を拡散層4に接続するためのコンタクト孔6は、上部Aが順テーパ形状を有し、下部Bは略垂直側壁を持つように加工されている。 - 特許庁
  • It is preferable that the upper electrode 66 is disposed in a third region 86 that extends from the phase change layer 63 along a plane that intersects the direction of lamination at right angles.
    上部電極66は、相変化層63から積層方向に直交する平面に沿って延在している第3の領域86内に配設されていることが好ましい。 - 特許庁
  • Since the upper ends 13B and 23B of the wires 13 and 23 are surely positioned on the surface 3A of the resin layer 3, the connection reliability of the substrate can be secured.
    このようにすれば、ワイヤ13、23の上端13B、23Bが確実に樹脂層3の表面3Aに位置するようにできるため、接続信頼性を確保できる。 - 特許庁
  • In order to crystallize a material, a thin layer 3 of an amorphous or polycrystalline material is deposited on at least one region of a surface of an upper part 2 of a substrate 1.
    材料を結晶化させるために、非晶質または多結晶材料の薄層(3)が、基板(1)の上部(2)の表面の少なくとも1つの領域上に堆積される。 - 特許庁
  • By feeding water from a water-feeding part 5 positioned in between the first introducing part 2 and column top part 4 to form a water layer in the upper direction of the first introducing part 2.
    第1導入部2と塔頂部4との間に位置する水供給部5から水を供給して、第1導入部2よりも上方に水層を形成する。 - 特許庁
  • For an oxide film 21c as an upper part insulating layer, when forming an opening part for a contact wiring 22c, the oxide film 21c including a fuse region 26 is removed.
    上部絶縁層である酸化膜21cに対して、引上配線22cのための開口部を形成する際に、ヒューズ領域26も含めて酸化膜21cを除去する。 - 特許庁
  • Next, a chip 4 arranged with a plurality of pads 4 is confronted to the upper surface of the first resin layer 3, and the bump 2 and the pads of the chip 4 are electrically connected.
    次に複数のパッド42を配設してあるチップ4を第1樹脂層3の上面に対向させ、バンプ2とチップ4のパッド42とを電気的に接続する。 - 特許庁
  • To reduce the capacitance of a pad electrode, and improve the adhesive strength of a connective terminal to the pad electrode when forming the connective terminal on an upper pad layer in a semiconductor device.
    パッド電極の容量を低減し、かつ上部パッド層上に接続端子を形成した場合パッド電極と接続端子との密着強度を向上させること。 - 特許庁
  • A high-melting point metallic silicide, such as the tungsten silicide, cobalt silicide, etc., having a high light shielding property is used as the material of the upper gate wiring layer used as the light shielding film.
    遮光膜として用いる上層のゲート配線層の材料には、高融点金属シリサイド、例えばタングステンシリサイドやコバルトシリサイドなどの遮光性の高い材質を用いる。 - 特許庁
  • Upper layer electric wiring 7 connect the electric heaters 5 with each other, which are arranged in the columnar direction of the above crossing parts arrayed in a matrix form, via vertical electric wiring connection bodies 6.
    上層電気配線7はマトリクス状配列の上記交差部の列方向に並ぶ電気ヒータ5同士を上下電気配線接続体6を介し接続する。 - 特許庁
  • To provide an integrated circuit device which allows various constitutions of upper circuits to be integrated while keeping the high performance of the circuit of a physical layer.
    物理層の回路の高性能を維持しながら、種々の構成の上層の回路を組み込むことができる集積回路装置及びこれを用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁
  • And a time setting value is defined by adding the time of the programmable controller at the upper layer to the calculated time and transmitted according to the timing of the CPU interruption signal (d5).
    そして、この求めた時間に上位層のプログラマブルコントローラの時刻を加算して時刻設定値とし、CPU割込信号15のタイミングに従って送信する(d5)。 - 特許庁
  • The void portions 13a, 13b enable the dislocations D1 to be uniformly blocked, thus, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part by the void portions 13a, 13b.
    転位D_1 は空間部13a,13bによって一様に遮断され、空間部13a,13bより上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁
  • After connection hole wirings 10 are buried in the contact holes, a modified SOG film 11 and an upper metal wiring layer 12 are formed using the damascene method.
    コンタクトホール9a,9b内に接続孔配線10を埋め込んだ後、ダマシン法を用いて、改質SOG膜11及び上層金属配線12を形成する。 - 特許庁
  • A light shielding body 302 of the opposite side formed on a peripheral part of an upper side substrate 301 is disposed so as not to overlap a sealing layer 201 provided on a lower side substrate 101.
    上側基板301の周辺部に形成された対向側遮光体302が下側基板101に設けられたシール層201とオーバーラップしないように配置する。 - 特許庁
  • The first layer is made stretchable, allowing a notch 20 that forms an inlet for supplemental water to reside in the upper portion of the suspending aperture toward a stretchable direction.
    第1層は延伸がかけられており、補水口を形成するための切り込み20が、吊下げ時の吊下げ用開口よりも上方の位置に、且つ延伸方向にいれられている。 - 特許庁
  • When the EL element is formed, it is preferable that a part of each first electrode 3 is covered with the barrier rib, and the barrier rib 4 may be a two-layer structure composed of a lower part 4a and an upper part 4b.
    EL素子とする場合、第1電極3の一部を隔壁で覆うことが好ましく、また隔壁4は、下部4aと上部4bの二層構造であってもよい。 - 特許庁
  • A plant 13 having roots is arranged so that a part of root 13a is positioned in at least one of the upper part and the inner part of the culture layer 12.
    根付きの植物13は、根13aの部分が前記培養層12の上部及び内部の少なくともいずれかに位置するように栽培容器11に配置される。 - 特許庁
  • There occurs no unevenness on the upper surface of the adhesive resin layer that tends to deform the thin substrate, so that the change in quantity of a cream solder due to deformation can be efficiently prevented.
    粘着樹脂層上面に薄型基板が歪むような凹凸が形成されないので、歪みが原因となるクリームハンダの量のバラツキが有効に防止される。 - 特許庁
  • Since the increase of the capacity of the output line directly results in performance deterioration in the case of an image sensor, the shielding layer is not formed near upper and lower sides of the output lines 142, 200.
    イメージセンサの場合、出力線の容量増加は直ちに性能低下に結びつくため、出力線142,200の上下近傍にはシールド層を設けない。 - 特許庁
  • A formation interval of the first thin film coil 5 is selected, the flatness of the upper face of a first insulating layer 6 is improved and in addition, the formation position of the second thin film coil 8 is selected.
    第1薄膜コイル5の形成間隔を選定し、第1絶縁層6上面の平坦性を向上させ、さらに第2薄膜コイル8の形成位置を選定する。 - 特許庁
  • A surface gap distance between the upper end of a second magnetic pole tip part and the first magnetic pole layer 68 is increased, and the leakage of a magnetic flux crossing a surface gap 72 is reduced.
    第2の磁極先端部の上端部と第1の磁極層68との間の表面ギャップ距離が増加し、表面ギャップ72を横切る磁束漏れが減少する。 - 特許庁
  • A restart determination section 101 determines the restart of an ATM device 706, and a dummy cell sending section 102 that operates by an upper layer protocol sends a dummy cell to a rooter device 701.
    ATM装置706の再起動時を101が判定し、上位レイヤプロトコルで動作するダミーセル送出部102が、ルータ装置701に向けてダミーセルを送出する。 - 特許庁
  • An electrically conductive layer 2b is formed on the wall surface of the secondary through-hole 1a to electrically connect upper and lower signal interconnections 2a via the secondary through-hole 1a.
    導電層2bは、上下の信号配線2aを2次貫通穴1aを介して電気的に接続するために2次貫通穴1aの壁面に形成されている。 - 特許庁
  • In the figure, the radiation layer 101 is provided on a top magnetic pole 33 among an upper coil 37 and the top magnetic pole 33 which constitute a magnetic circuit of the write element 31.
    図1では、ライト素子31の磁気回路を構成する上コイル37,上部磁極33のうちの上部磁極33上に放熱層101を設けている。 - 特許庁
  • The metal fitting is provided an anchor with an appropriate shape substantially horizontally extending at the upper end, the anchor is sometimes embedded under the road base surface layer.
    また、取付金具は、その上端部に略水平方向に延びる適宜形状のアンカー部を備え、このアンカー部を、路盤表面層の下に埋設する場合がある。 - 特許庁
  • On a plane 11 protruded most outwardly from a glass substrate, an organic EL layer 6 and a lower electrode 7, and an upper electrode 5 perpendicular thereto are laminated.
    ガラス基板3の一番突出している平面部11にて、有機EL層6および下部電極7と、上部電極5とが直交されて積層されている。 - 特許庁
  • A flowing current is measured through the broken portion of the upper water barrier sheet 6 disposed between the ring-like electrode 12 and the intermediate layer electrode 4 by the ampere meter 14.
    電流計14にて、リング状電極12と中間層電極4の間に配置された上側遮水シート6の破損個所を介して流れる電流が測定される。 - 特許庁
  • By applying active energy ray on the precursor composition of active energy ray curing resin, the resin layer 3 can be formed on an upper side of the optical basic material 2.
    活性エネルギー線硬化性樹脂前駆体組成物に活性エネルギー線を照射することにより、光学基材2の上側に樹脂層3を形成することができる。 - 特許庁
  • At a connecting portion, the second contact surface 16b is steeper relative to an upper face of the first nitride semiconductor layer 13 than the first contact surface 16a.
    接続箇所において、第2のコンタクト面16bは、第1のコンタクト面16aよりも第1の窒化物半導体層13の上面に対して急峻である。 - 特許庁
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