「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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この半導体パッケージの製造方法は、半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、支持基板２上に、パッド形成面４ａを上向きにして半導体チップ４を配置する工程と、前記半導体チップ４が覆われるように、前記支持基板２上に封止樹脂層６を形成する工程と、前記半導体チップ４のパッド５の上面５ａが表出するまで、前記封止樹脂層６の上部を研磨する工程と、を備える。 - 特許庁 - In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.
この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes an upper substrate and a lower substrate which are disposed opposite each other, a liquid crystal layer formed between the upper substrate and lower substrate, a common electrode and a pixel electrode which are formed in a pixel area on the lower substrate in parallel to each other, and the polymer wall disposed between the upper substrate and lower substrate.
本発明による液晶表示装置はお互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、前記上部基板及び下部基板の間に形成された液晶層と、前記下部基板上の画素領域にお互いに平行に形成された共通電極及び画素電極、前記上部基板及び下部基板の間に位置するポリマー壁を含む。 - 特許庁 - An upper bracket 10 is mounted as a magnesium alloy member, a clamp part 14 is formed to fasten a front fork through a bolt 1 engaged with the upper bracket 10, the anodic treatment or chemical conversion and the coating are performed on a surface of the upper bracket 10, the bolt 1 is made of an iron material, and a fluorine resin coating layer is formed on the whole surface of the bolt 1.
マグネシウム合金部材とするアッパーブラケット１０を備え、このアッパーブラケット１０に螺合するボルト１を介してフロントフォークを締結するクランプ部１４を形成し、アッパーブラケット１０の表面に陽極酸化処理もしくは化成処理及び塗装を施し、ボルト１を鉄系の材質で形成し、ボルト１の全表面にフッ素樹脂コーティング層を形成するものとした。 - 特許庁 - The manufacturing method of the liquid crystal display device includes a step of providing the upper and lower substrates, a step of forming the common electrode and pixel electrode disposed on the lower substrate in parallel to each other, a step of bonding the upper and lower substrates together to form the liquid crystal layer, and a step of forming the polymer wall between the upper and lower substrates.
本発明による液晶表示装置の製造方法は上部及び下部基板を提供する段階と、下部基板上にお互いに平行に配置される共通電極及び画素電極を形成する段階と、前記上部及び下部基板を合着して、液晶層を形成する段階と、上部及び下部基板の間にポリマー壁を形成する段階を含む。 - 特許庁 - This method comprises flatly winding a synthetic resin film, separately preparing a roll of a hydrophilic nonwoven fabric forming the upper surface in use, drawing the tube, providing an adhesive layer on the upper surface, bonding the nonwoven fabric onto the upper surface, tearing only the center part of the film surface having the tube of the synthetic resin film not adhered, and cutting it in a proper length.
本発明は合成樹脂製フィルムのチューブを平らにして巻取り、別に、使用する時に上面となる親水性不織布のロール体とを用意し、チューブを引き出し、上面に接着剤層を設け、この上面に、不織布を乗せて、接合させて、合成樹脂製フィルムのチューブの接着されていないフィルム面の中央部のみを切り裂き、更に適正な長さにする方法である。 - 特許庁 - The surface friction coefficient of the cellular plastic blocks 1b used for at least one layer including a lowermost part is larger than that of the cellular plastic blocks 1a used for the upper part, and no binding metal fitting is used for the mutual connection of the blocks in the layer of the cellular plastic blocks 1b.
最低部を含む少なくとも一層に用いる発泡プラスチックブロック１ｂの表面摩擦係数が、その上方部に用いる発泡プラスチックブロック１ａの表面摩擦係数よりも大きく、上記発泡プラスチックブロック１ｂの層においては、ブロック同士の連結に緊結金具を用いない。 - 特許庁 - A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.
単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁 - To provide a method for forming metal wiring of a semiconductor element that selectively vapor-deposits a metal layer having low specific resistance and flattens it after heat treatment by applying chemical vapor deposition only to an upper part of a barrier metal layer inside a trench, thereby being able to form a low specific resistance metal wiring.
トレンチ内の障壁金属層の上部にのみ化学気相蒸着方法を用いて選択的に比抵抗が低い金属層を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して低抵抗金属配線を形成することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.
従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁 - The optical recording medium 21 has an upper side substrate 5, a lower side substrate 1, a recording layer 4 recorded with information by utilizing photography on the lower side substrate, in which the filter layer is a laminated body obtained by laminating the two or more cholesteric liquid crystal layers.
上側基板５と、下側基板１と、該下側基板上にホログラフィを利用して情報が記録される記録層４と、前記下側基板と該記録層との間にフィルタ層とを有してなり、前記フィルタ層が、コレステリック液晶層を２層以上積層した積層体である光記録媒体２１である。 - 特許庁 - Two layered resist layers consisting of a lower resist layer 2 which is relatively higher in an etching rate with respect to a developer and an upper resist layer 3 which is relatively smaller in an etching rate are exposed to form the resist patterns 1 of an undercut shape and thereafter the resist patterns 1 are subjected to slimming of their widths.
現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層２と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層３からなる２層レジスト層を露光し、アンダーカット形状のレジストパターン１を形成したのち、レジストパターン１の幅のスリミングを行う。 - 特許庁 - The elctromigration evaluation device is structured, such that a plurality of patterns, in which a lower layer wiring 3 and a via 2, and an upper layer wiring 1 and the via 2 are electrically connected in series, and they are provided with turnips and arranged in plurality of rows.
この発明にかかるエレクトロマイグレーション評価装置は、下層配線３とビア２と上層配線１とビア２を電気的に直列に接続したパターンを複数個電気的に直列に接続し、これを、折り返し部分１０を設けて複数列に並ぶように構成してなる。 - 特許庁 - Each of the particles 40 has a metallic magnetic particle 10 containing iron, a lower layer coat 20 surrounding the surface of the particle 10 and containing non-ferrous metal, and an insulating upper layer coat 30 surrounding the surface of the coat 20 and containing an inorganic compound.
複数の複合磁性粒子４０の各々は、鉄を含む金属磁性粒子１０と、金属磁性粒子１０の表面を取り囲み、非鉄金属を含む下層被膜２０と、下層被膜２０の表面を取り囲み、無機化合物を含む絶縁性の上層被膜３０とを有する。 - 特許庁 - The hot water 2 can be extracted from the intermediate layer of the hot water storing tank 3 or the upper layer of the hot water storing tank by a three-way valve 5 provided in the midway of the intermediate intake pipe 8c, the three-way valve 15 and pumps 12 and 13.
給水分配管８ａと給湯管１４との接続部には三方弁１５が設けられており、中間取水管８ｃの途中に設けられた三方弁５、及び三方弁１５、ポンプ１２、１３によって、湯２を、貯湯槽３の中間層から、または貯湯槽の上層から抜き出すことができる。 - 特許庁 - By a method of manufacturing transistor elements, the source electrode 120 and the drain electrode 130 made of metal are formed on a transparent glass substrate 110, a transparent semiconductor oxide channel layer 140 made of InGaZnO_4 is formed on the source and drain electrodes, and a transparent insulating layer 150 is formed on the upper surface (Fig. 8(a)).
透明ガラス基板１１０上に金属からなるソース電極１２０，ドレイン電極１３０を形成し、その上に、ＩｎＧａＺｎＯ_４からなる透明な酸化物半導体チャネル層１４０を形成し、その上面に透明な絶縁層１５０を形成する（図８(a) ）。 - 特許庁 - The wiring grooves for forming the upper-layer wiring are formed only in the wafer central part, while, in the wafer peripheral part, the insulating film for forming the wiring grooves is left without forming the wiring grooves, and in the wafer outer peripheral edge part, the metal layer deposited for forming the wiring is removed by wet etching.
そして、ウエハ中央部にのみ上層配線形成用の配線溝を形成し、ウエハ周辺部では配線溝を形成することなく、配線溝形成用の絶縁膜を残留させ、ウエハ外周縁部では、配線形成時に堆積した金属層をウエットエッチング法により除去する。 - 特許庁 - A semiconductor laser element array 8 mounted on the sub-mount 6 has a structure of laminating a semiconductor layer 2 having two ridge parts 13 on a substrate 11, and an Au plating layer 14 is formed on a surface of a (p) type electrode 3 formed in an upper part of the respective ridge parts 13.
サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁 - The laminate 40 is arranged on an insulating board 11 forming at least a first electrode 23 for a capacitor element 20 so that the peeling layer 41 is placed on the upper side, and the first electrode 23 and the dielectric layer 52 are laminated through an insulating resin sheet 60 having a fluidity.
次に、キャパシタ素子２０の第一電極２３が少なくとも形成された絶縁基板１１上に、この積層体４０を剥離層４１が上側になるように配置し、第一電極２３と誘電体層５２とを流動性のある絶縁樹脂シート６０を介して貼り合せる。 - 特許庁 - After a conductor 30 is dry etched, a heater substance layer 22 is deposited on the upper part thereof and connected electrically with the conductor 30 and then the heater substance layer 22 is patterned by dry etching to form a heater 20.
コンダクタ３０をドライエッチングした後でその上部にヒータ物質層２２を蒸着してコンダクタ３０と電気的に連結し，かつ，このヒータ物質層２２をさらにドライエッチングによってパターニングし，ヒータ２０を形成することを特徴とする，インクジェットプリントヘッドおよび製造法が提供される。 - 特許庁 - The method comprises a step of forming a lower electrode 33 on a substrate 10, a step of forming a titanium seed layer on the lower electrode 33 by sputtering method, a step of forming a piezoelectric film 43 on the titanium seed layer, and a step of forming an upper electrode 44 on the piezoelectric film 43.
基板１０上に下部電極３３を形成する工程と、この下部電極上に種チタン層をスパッタ法により形成する工程と、この種チタン層上に圧電体膜４３を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極４４を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - The buried strap on a capacitor center electrode 105 is enabled to come into contact with the backside of an SOI layer 60 by increasing the depth of a recess at the upper part of the trench and laterally undercutting the insulating layer, thereby increasing the degree of vertical separation between the passing wordline 214 and the strap.
トレンチ上部でリセスの深さを増やし、絶縁層を横方向にアンダーカットすることは、キャパシタ中心電極１０５上の埋め込みストラップがＳＯＩ層６０の裏面に接触することを可能にし、それによって、パッシング・ワード線２１４とストラップと間の垂直分離を増加させる。 - 特許庁 - For example, the lower electrode layer 103 is a conductive thin film as thick as 20 nm made of ruthenium and nitrogen; the metal oxide layer 104 is a metal oxide film as thick as 30 nm made of bismuth, titanium, and oxygen; and the upper electrode 105 is made of a ruthenium film as thick as 20 nm.
例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 - 特許庁 - Also, the lower layer coil performs a part as the etching stopper since it has a selection ratio to the RIE of alumina or an inorganic compound containing alumina, therefore, the upper layer coil groove is stably formed, resultantly the coil film thickness can be stably formed, and the shortening of the magnetic path length is attained.
また、下層コイルは、アルミナ、アルミナを含む無機化合物のＲＩＥに対し選択比があるのでエッチングストッパーとしての役割を果たすため上層コイル溝を安定に形成することができ結果的にコイル膜厚を安定に形成することができ、短磁路長化が可能となる。 - 特許庁 - Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.
そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁 - When a label name is inputted (selected) by an operator, the inputted objective label name or a label name associated (in an upper layer, a lower layer, or the same phase) with the objective label name can be retrieved, and a display state to identify them is set (S164 or S165).
操作者によりラベル名が入力（選択）されると、その入力された目的ラベル名またはその目的ラベル名に関連付け（上位層・下位層・同位相）されたラベル名を検索でき、それぞれを判別可能な表示状態が設定される（Ｓ１６４又はＳ１６５）。 - 特許庁 - A cleavage guide groove 3 which penetrates with the p-type clad layer 12 and whose bottom surface is disposed at a position higher than an upper surface of the active layer 9 is formed in an end surface region which is disposed by sandwiching the aperture portion in plan view and which includes an end surface of a resonator of the semiconductor laser element.
平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 - 特許庁 - The lower layer pixel electrode 4 is formed on a section surrounded in plan view by the source wires 2, 2' and the gate wires 1, 1', and further has a portion extending in plan view from the upper layer pixel electrode 3 at least to the one side of either the source wires 2, 2' or the gate wires 1, 1'.
下層画素電極４は、平面視においてソース配線２，２’とゲート配線１，１’に囲まれた部分に形成され、且つ、平面視において上層画素電極３よりソース配線２，２’およびゲート配線１，１’の少なくとも一方側に延在している部位を有している。 - 特許庁 - When an ocean structure 10 is constructed by installing the caisson 11, an impermeable ground improvement part 4 is constructed by mixing a hardener with the deposited layer 3 on the upper side of a sea bottom ground 1, and an excavated groove part 5 is constructed on the portion of the deposited layer on which the caisson 11 is installed.
ケーソン１１を設置して海洋構造物１０を構築するに際して、海底地盤１の上部の堆積層３に対して、硬化材等を混入して不透水性地盤改良部４を構築し、ケーソン１１を設置する部分に掘削溝部５を構築する。 - 特許庁 - The side wall of the refill insulation film 12 is provided with a side wall protective film 17 to regulate the height of the magnetic domain control layer 13 in the upper part of the free layer 31.
ＣＰＰ型磁気抵抗効果膜１１の中間層３２と自由層３１の両脇には、リフィル絶縁膜１２と磁区制御層１３が設けられ、リフィル絶縁膜１２の側壁で自由層３１の上部に、磁区制御層１３の高さを規定する側壁保護膜１７が設けられる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element capable of stably manufacturing the organic electroluminescent element with high performance without deterioration of performance of the element obtained even after a certain period of time elapses before forming upper layer after forming luminescent layer, in a manufacturing process.
製造プロセスにおいて、発光層形成後、上層形成までに一定以上の時間が経過してしまった場合にも、得られる素子の性能低下を招くことがなく、安定的に高性能な有機電界発光素子を製造することができる有機電界発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first oil 11 of a low viscosity functioning as an operating fluid and a second oil 12 of a low volatility are filled in a bearing space between a sleeve 3 fixed with a stator coil 8 and a rotating shaft 4 having shallow grooves 4a, 4b for a dynamic pressure generation in a state of separating an upper layer and a lower layer.
ステータコイル８を固定したスリーブ３と、動圧発生用の浅溝４ａ，４ｂを有する回転軸４の間の軸受間隙に、動作流体として作用する低粘度の第１のオイル１１と、揮発性の低い第２のオイル１２を上層、下層に分離した状態で充填する。 - 特許庁 - The oil separating mechanism comprises a head part 15 having a compression air passage formed therein, a cover member 4A mounted on the upper part of the head part, a filter 11 and coagulation layer 17 contained in the cover member, and a lower end plate 13 for holding the filter and coagulation layer.
油分離機構は圧縮空気の流路が形成されたヘッド部１５と、このヘッド部の上部に取付けられるカバー部材４Ａと、カバー部材に内蔵される濾材１１と凝集層１７と、これら濾材と凝集層とを保持する下部端板１３とを有している。 - 特許庁 - To provide a magneto-resistance effect type head in which noise is reduced and which has an excellent high frequency characteristic with high yield by suppressing noise resulting from a level difference of an upper shield layer or a lower shield layer and by reducing a capacitance in the magneto-resistance effect type head of a CPP structure.
ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上部シールド層あるいは下部シールド層の段差に起因するノイズを抑制し、かつ静電容量Ｃを低減し、ノイズが少なく、高周波特性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁 - In the case of so-called back washing, since a filtration layer 29 is made from silica of a specific gravity lighter than that of ceramics particles, silica in the filtration layer 29 easily laminarly separates by the back washing treatment to stir and float the objects to be filtered, and discharge from a water supply and drainage port 22 on the upper part.
いわゆる逆洗する際には、濾過層２９がセラミックス粒子よりも軽い比重のシリカで形成されているから、この逆洗処理により該濾過層２９のシリカが容易に層状分離して被濾過物を攪拌浮遊させ、上部の給排水口２２から流出させることができる。 - 特許庁 - After an auxiliary electrode is formed on an upper part of a barrier wall having an opening part for exposing the pixel electrode, an organic light emitting layer is formed in a predetermined area on the pixel electrode partitioned by the barrier wall, and a common electrode contacting with the auxiliary electrode and the organic light emitting layer is formed.
次いで、画素電極を露出する開口部を、隔壁上部に補助電極を、さらに隔壁によって区画された画素電極上の所定領域に有機発光層を形成し、補助電極及び有機発光層と接する共通電極を形成する。 - 特許庁 - The light scattering film 12 is formed by applying a sol-like coating liquid α to the glass substrate 11 and drying the coating by reducing the pressure in a dryer 400 to the pressure lower than the atmospheric pressure, thereby phase separating the sol-like coating liquid α to a lower layer and an upper layer having projecting parts.
光散乱膜１２は、ガラス基板１１にゾル状塗布液αを塗布し、乾燥装置４００内で大気圧より低い圧力に減圧して乾燥することにより、そのゾル状塗布液αを下層と凸部を有する上層に相分離して形成される。 - 特許庁 - Light intensities of reflective lights L_1, L_2 proceeding on the same direction from the surfaces of the stainless steel plate 1 and the clear coat film 2 are diminished by setting a refractive index of the clear coat film of the upper layer 2u lower than that of the clear coating film of the lower layer 2d so that a interference pattern caused by the interference of light is prevented.
下層クリア塗膜２dよりも上層クリア塗膜２uの屈折率を下げることにより、ステンレス鋼板１，クリア塗膜２の表面から同じ方向に向かう反射光Ｌ_1，Ｌ_2の光量を減らし、光の干渉作用に起因した干渉模様を抑えている。 - 特許庁 - A light shielding film which is thinner than the light shielding agent dispersed layer is provided at a position remote from the position facing the light shielding agent dispersed layer on an upper surface of a transparent plate and the light shielding film is used as an object for adjusting the focus in an observation optical system for positioning and a projection optical system for reducing projection.
透明板の上面の遮光剤分散層に対向する部位から外れた部位に、遮光剤分散層よりも薄い遮光膜を備えて、遮光膜を位置合わせのための観察光学系や縮小投影のための投影光学系のピント合わせの対象とする。 - 特許庁 - The float bath has a bottom unit for holding a molten tin and a roof unit for covering the bottom unit, wherein the space inside the roof unit is divided by a roof brick layer 16 into an upper space 20 and a lower space 21, and a heater 18 is so arranged as to pass through a through-hole 17 which is provided in the roof brick layer 16.
フロートバスは、溶融スズがたたえられているボトムと当該ボトムを覆うルーフとを有し、ルーフ内の空間がルーフレンガ層１６によって上方空間２０と下方空間２１とに二分され、ルーフレンガ層１６に設けられた貫通孔１７を貫通してヒータ１８が設置されている。 - 特許庁 - A light-emission control method for a light-emitting device is provided, wherein the light-emitting device is constituted by an active layer 114 and a photonic crystal layer 116 arranged between an upper electrode 124 and a lower electode111, and comprises a plurality of light-emitting elements 118, each of which can be driven independently.
上部電極１２４と下部電極１１１との間に活性層１１４およびフォトニック結晶層１１６を介在して構成され、それぞれ独立して駆動可能な複数の発光素子１１８を備えた発光装置の発光制御方法が提供される。 - 特許庁 - The object A to be stored is stored sandwiched between the upper-layer cushion part 12 and the lower-layer cushion part 14, which makes it hard for the stored object A move in the storage part 16, and prevents the generation of an unpleasant sound or breaking of the stored object A inside the pillow 10.
これにより、収納物(A)が、上層クッション部(12)と下層クッション部(14)とによって挟み込まれるようにして収納されるので、収納部(16)内で収納物(A)が移動し難く、枕(10)の内部で不快音が発生したり、収納物(A)が破損したりするのを防止できる。 - 特許庁 - In the lid 1 for the food container which is adhered to an upper surface of a mouth part of the container to cover the mouth part of the container, and has a partial unsealing tab 11 on a circumferential edge part, a paper layer of the weight-average fiber length of at least 1.5 mm is provided in the layer configuration of the lid.
容器口部の上面に接着して容器口部を覆い、且つ周縁部に部分開封用タブ１１を設けてなる食品容器用蓋材１において、蓋材の層構成中に、少なくとも、重量平均繊維長さが１．５ｍｍ以上の紙層を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The upper layer is a layer which has conductive performance and in which, a conductive part and a non-conductive part exist, a ratio of the conductive part is from 8 to 45%, the conductive part is continuous without being interrupted perfectly, and an electro-resistance value of the conductive part is 5 Ω or less per 1 m^2.
上層：導電性能を有する層であり、該層には導電部と非導電部が存在し、該導電部の割合が８％から４５％であり、導電部が完全に途切れることなく連続し、導電部の電気抵抗値が１ｍ^２あたり５Ω以下である層。 - 特許庁 - Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.
また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁 - A temperature-compensating capacitor 1 of the present invention includes a silicon hydride oxidation film composed of a silicon atom, an oxidation atom, and a hydrogen atom between a lower electrode layer 3 and an upper electrode layer 5, and a dielectric thin film 4, having a negative capacity temperature coefficient, is interposed therebetween.
本発明の温度補償用コンデンサ１は、下部電極層３と上部電極層５との間に、珪素原子と酸素原子と水素原子とから構成される水素化酸化珪素膜からなり、負の容量温度係数を有する誘電体薄膜４が挟持されている。 - 特許庁 - An upper magnetic layer 105 which is a magnetic recording layer formed on a nonmagnetic base 101 of the magnetic recording medium is formed by dispersing magnetic powder 111 deposited or mixed with carbon 109 on or with hexagonal system ferrite particles 107 into an organic binder 113.
磁気記録媒体の非磁性支持体１０１上に形成される磁気記録層である上層磁性層１０５は、六方晶系フェライト粒子１０７に対してカーボン１０９が被着または混合された磁性粉末１１１が、有機バインダー１１３中に分散されてなる。 - 特許庁 - To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.
ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁 - A MOS transistor 102 formed in the n^- semiconductor layer 2 of the nMOS region 202 includes an n^+ impurity region 12 provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 in the nMOS region 202 and a drain electrode 24 electrically connected to the n^+ impurity region 12.
ｎＭＯＳ領２０２のｎ^-半導体層２に形成されたＭＯＳトランジスタ１０２は、ｎＭＯＳ領域２０２内のｎ^-半導体層２の上面内に設けられたｎ^+不純物領域１２と、ｎ^+不純物領域１２に電気的に接続されたドレイン電極２４とを有している。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.
スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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