「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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下層に酸化物を含有するリン酸及び／又はリン酸化合物皮膜、その上層に樹脂皮膜からなる有機複合被覆を形成させて有機複合被覆鋼板を製造する際に、外観むらのない表面外観が得られるようにする。 - 特許庁 - The semiconductor device has a capacitance element composed of an upper electrode 33, a dielectric film 32 and a lower electrode 31, and a semiconductor element, and plugs 9 comprising a high melting-point metallic material are formed in connecting holes formed to inter-layer insulating films on the semiconductor element in the semiconductor device.
上部電極３３、誘電体膜３２、下部電極３１からなる容量素子と半導体素子とを有し、半導体素子上の層間絶縁膜に形成された接続孔内に高融点金属材料からなるプラグ９を設けた半導体装置である。 - 特許庁 - To provide a conductive sponge roller capable of preventing occurrence of a charge current leak without disposing a high resistance upper layer which causes cost overrun, etc., on a conductive elastic body, having stable charging properties, being easy to manufacture and having low price.
導電性スポンジローラとして、導電性弾性体上にコスト高等の原因となる高抵抗の上層を設けなくとも帯電電流リークの発生を防止できて、帯電特性が安定していて、しかも製造容易で安価なものを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The heat insulation material packs 7 which are compressed in the thickness direction and the length or width direction, are set in a space between a venting layer 12 and an internal wall 13 formed of a plaster board, at upper and lower edge of a heat insulation material 15 obtained according to an ordinary production method.
通気層１２と石膏ボードからなる内壁１３との空間内で且つ通常の製法で得られた断熱材１５の上下に厚み方向と長さまたは幅方向に圧縮された状態の本発明に係る断熱材パック７がセットされている。 - 特許庁 - This illumination device is specially provided with a first reflection layer (204) on an upper surface (203) facing the light radiation surface (11) of the channels, and also an input joining of light to the light guide plate is proceeded from the side walls (201, 202) of the channels.
この照明装置は、特に、前記チャネルの光放射表面（１１）に面するそれらの上面（２０３）に第１反射層（２０４）が設けられ、且つ前記導光板への光の入力結合が前記チャネルの側壁（２０１、２０２）から行なわれる点を特徴とする。 - 特許庁 - The press-mold 1 is for press-molding a glass material G, a raw material, to form a glass disk member 50 and consists of an upper mold 10 having a protective film layer 12 formed on the surface 11 for forming the disk member 50 and a lower mold 20.
プレス用金型１は、原材料である硝材Ｇをプレス成形してガラス製のディスク部材５０をつくり出すためのものであり、ディスク部材５０を成形する側の面１１に保護膜層１２が形成されている上型１０と、下型２０とからなる。 - 特許庁 - A metallic plate 2 with hooks is used as a core material of this gasket 1, the hooks 2a originally projecting to upper and lower parts (front and rear faces) of the metallic plate 2 main body part are collapsed, and a compound layer 3 is formed in a state of covering the collapsed hooks 2a.
ガスケット１は、芯材としてフック付金属板２を使用しているが、当初フック付金属板２本体部の上下（表裏面）に突出していたフック２ａが潰された状態となっており、潰されたフック２ａを覆うようにコンパウンド層３が形成されている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a protective film of dense film quality at a low temperature of ≤200°C on an upper part of a pixel controlling element and a wiring pattern for preventing mixing of impurities into a liquid crystal cell layer when the pixel controlling element is selectively transferred to a liquid crystal display substrate.
液晶ディスプレイ基板に画素制御素子を選択的に転写するにあたり、液晶セル層への不純物混入を防止するため、画素制御素子及び配線パターンの上部に、緻密な膜質の保護膜を２００℃以下の低温で形成する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image sensing element which prevents abnormal expansion of a tungsten film which is an upper layer film of a transfer electrode due to absorption of oxygen and increase of resistivity of a transfer electrode, and prevents damage of the shape of a clearance part, and to provide its manufacturing method.
転送電極の上層膜であるタングステン膜が酸素を吸収して異常膨張することおよび転送電極の抵抗率の増大が防止され、また、間隙部の形状の損壊が防止される固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a sample holder 10, a layer 16 working as a diffraction plane positioned on the bottom of a recessed part 13a of a base plate 13 with which a filter 14 mounting the samples on its upper surface is treated or processed so that the direction of metallic crystal is not intentionally aligned.
試料ホルダ１０において、上面に試料を装荷するフィルタ１４を嵌め込む基底板１３の凹部１３ａの底部に位置する回折面となる層１６を、金属結晶の方向が意図的に揃わないような処理又は加工が施されたものとする。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device 1, a semiconductor layer 14 constituting the channel of a thin-film transistor 12 is arranged on the upper side of a gate line 11 formed of a metallic material and, thereby, a part of the gate line 11 also serves as the gate of the thin-film transistor 12.
液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ１２のチャネルを構成する半導体層１４を、金属材料によって形成されるゲート線１１の上方に配置することにより、ゲート線１１の一部が薄膜トランジスタ１２のゲートを兼ねる構成になっている。 - 特許庁 - Heating boards 1a, 1b, 1c of ≥3 pieces are disposed in the laminated layer direction by arranging gaps, and a laminated body 90a of a conductor pattern is inserted into the gap of the upper step among the heating boards 1a, 1b, 1c and a laminated body 90b is inserted into the gap of the lower step.
３枚以上の熱盤１Ａａ，１ｂ，１ｃを隙間を空けて積層方向に配置し、熱盤１Ａａ，１ｂ，１ｃ間の上段の隙間に導体パターンフィルムの積層体９０ａを挿入し、下段の隙間に積層体９０ｂを挿入する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a wiring board capable of surely manufacturing a flat wiring board where a flat build-up layer is formed only at the upper part of the surface of a core substrate, and that an electronic component is able to be mounted or incorporated in a recessed part opened at the back side of the core substrate.
コア基板の表面上方にのみ平坦なビルドアップ層を有し且つコア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵可能とした平坦な配線基板を確実に製造できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The silencer 4 comprises a sound reducing body 10 consisting of a sponge material having the volume of 0.4-20% of the total volume of the hollow (i) inside the tire, and a coating layer 11 consisting of a light-resistant resin for covering and protecting at least an upper side 10B of the sound reducing body 10.
制音具４は、タイヤ内腔ｉの全体積の０．４〜２０％の体積を有するスポンジ材からなる制音体１０と、耐光性の樹脂材からなり制音体１０の少なくとも上面１０Ｂを被覆保護するコーティング層１１とを具える。 - 特許庁 - The second process includes a process for flowing a formed pattern by heat treatment or a process for coating a formed pattern with a resin composition containing a crosslinking agent and framing it through chemical reaction at the interface of the pattern and an upper layer film.
第２のプロセスとしては、形成されたパターンに熱処理を施してフローさせるプロセス、もしくは、形成されたパターンに架橋剤を含む樹脂組成物を塗布し、パターンと上層膜との界面での化学反応による枠付けを行なうプロセスを採用する。 - 特許庁 - The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.
薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which reliability and a high yield can be secured by securely preventing an upper-layer wire of a highly integrated semiconductor element from being broken and the size precision and productivity of a through hole can be improved.
高集積化された半導体素子における上層配線の断線を確実に防止して信頼性と高歩留りを確保するとともに、スルーホールの寸法精度及び生産性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Moreover, the element has a first electrode (64) formed of silicide, electrically connected to the first conductivity-type semiconductor substrate or the semiconductor layer, covered by an upper film (59), constituting the antireflection film (57), and formed along the surface of the isolation region (55).
さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 - 特許庁 - A semiconductor built-in board 100 is such that a semiconductor device 40 is embedded in an upper part of a conductive pattern 112b inside a resin layer 120 stacked on a substrate 110 and the ceramic varistor 3 is disposed concentrically around the semiconductor device 40.
半導体内蔵基板１００は、基材１１０上に積層された樹脂層１２０内の導電パターン１１２ｂの上方に半導体装置４０が埋設配置されたものであり、セラミックバリスタ３が、半導体装置４０の周囲に同芯状に設けられている。 - 特許庁 - After the cap layer 4 is removed and the upper surfaces of the dummy gate electrode 3 and the interlayer dielectric 9 are aligned, polishing rate of the interlayer dielectric 9 lowers extremely due to pressure dependency of the ceria based slurry and thereby polishing of the interlayer dielectric 9 is suppressed.
また、キャップ層４が除去されて、ダミーゲート電極３と層間絶縁膜９の上面位置が一致した後には、セリア系スラリーの圧力依存性により、層間絶縁膜９の研磨レートは極端に遅くなるため、層間絶縁膜９の研磨が抑制される。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element array capable of preventing flow of a current from an upper electrode to an immediate below portion and ensuring conduction between a substrate electrode and a light emitting element without allowing a semiconductor multilayer mirror to employ an embedding structure requiring re-growth of an epitaxial layer.
半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。 - 特許庁 - In the inside of the epitaxial layer 12, a well 15 for a digital circuit on which a digital circuit 14 is to be formed and a well 17 for an analog circuit on which an analog circuit 16 is to be formed, are formed on both upper sides of the well 13.
エピタキシャル層１２内には、エピタキシャル層１２内であってノイズ障壁用ウェル１３の上方の両側に、デジタル回路１４を形成するデジタル回路用ウェル１５と、アナログ回路１６を形成するアナログ回路用ウェル１７とがそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - To provide a separator with a heat-resistant insulating layer which provides a nonaqueous electrolyte secondary battery excellent in both of safety at the time of overheat and the high temperature cycle characteristic even if charging upper limit voltage is set up at high voltage in a nonaqueous electrolyte secondary battery.
非水電解質二次電池において、使用充電上限電圧を高く設定した場合であっても、過熱時の安全性と高温サイクル特性の双方が優れた非水電解質二次電池を実現し得る耐熱絶縁層付きセパレータを提供する。 - 特許庁 - In light radiated from the light emitting plane 16a of the light emitting layer 16, light radiated at a wide radiation angle is reflected on the reflection plane 23 of the concave mirror 19, then reflected by the upper electrode 18 and radiated from the opening 22 of the concave mirror 19.
発光層１６の発光面１６ａから放射された光のうち広い放射角で放射された光は凹面ミラー１９の反射面２３で反射され、その後上部電極１８で反射された後に凹面ミラー１９の開口２２から放射される。 - 特許庁 - The transflective liquid crystal display 10 has a liquid crystal layer 16 held between an upper substrate 14 and a lower substrate 13 and a transmission display region T and a reflection display region R in one dot region.
本発明の液晶表示装置１０は、上基板１４と下基板１３との間に液晶層１６が挟持され、１つのドット領域内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有する半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁 - On the leather surface which forms the upper layer section 54 of the pick guard and has the soft leather surface known as a grain surface having fine ruggedness and natural feeling a the top end, the tip of the pick is made to sideslip with the adequate resistance feel.
そして、そのピックガードの上層部５４を形成している微細な凹凸を持つ自然の風合いを持った柔軟な銀面と呼ばれる皮革面を上端に持つ皮革表面を、ピック先端を程よい抵抗感を持たせて横滑りさせることができるようにする。 - 特許庁 - The volatile memory includes: a cell transistor having a lower gate dielectric, an intermediate gate dielectric for charge trapping, and an upper gate dielectric, all laminated in order as a gate dielectric; and a transistor for logic, having a single layer of an oxide film as a gate dielectric.
ゲート誘電体として順次積層された下部ゲート誘電体、電荷トラップのための中間ゲート誘電体、及び上部ゲート誘電体を備えたセルトランジスタと、ゲート誘電体として単一層の酸化膜を備えたロジック用トランジスタとで、揮発性メモリを構成する。 - 特許庁 - The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.
誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。 - 特許庁 - A temperature sensor 41 includes a temperature sensor wiring part 31 and a temperature sensor electrode part 32 formed of metal material, and is arranged on an upper layer insulation film 30 and on a region except for a region with a source electrode output pad 35 of a source electrode 20 formed thereon.
温度センサ４１を、金属材料から成る温度センサ配線部３１および温度センサ電極部３２で構成し、上層絶縁膜３０上であって、ソース電極２０のソース電極出力パッド３５が形成される領域以外の領域上に設ける。 - 特許庁 - Accelerations or the like of earthquake movement including disturbance is measured by a plurality of sensors installed on a foundation part and upper layer floors of a building to perform wavelet transformation so as to mode-analyze frequency response waveform on absolute displacements and absolute accelerations into a plurality of ranks.
建物の基礎部と上層階とに設置した複数のセンサーにより、外乱を含む地震動の加速度等を計測し、ウェーブレット変換を行って絶対変位及び絶対加速度についての周波数応答波形を複数のランクにモード分解する。 - 特許庁 - On an Si substrate 1, a Cr-Ta film 2 as a diffusion preventive layer, a lower electrode composed of a Pt film 3, a ferroelectric film 4 composed of PZT and an upper electrode composed of a Pt film 5 are laminated in this order to compose a ferroelectric capacitor 10.
Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴからなる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこの順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。 - 特許庁 - After a part of the primary formed part W1 is made into the two-layer superposing state together with the auxiliary electrode plate 15, they are pressurized with the upper and lower electrodes 8a, 9a and, by supplying power between those electrodes 8a, 9a, the local heating treatment is performed by the principle of resistance welding.
一次成形品Ｗ１の一部を補助電極板１５とともに二相重ね状態とした上で上下の電極８ａ，９ａにて加圧してその電極８ａ，９ａ間に通電し、抵抗溶接の原理にて局部加熱処理を施す。 - 特許庁 - Meanwhile, the second insulating film 6 of a wiring forming region B has a second wiring W2 provided in the upper part, a second plug P2 provided in the lower part are integrated, and second layer wiring 10b integrally formed of a barrier film 8b, and a conductive film 9b.
一方、配線形成領域Ｂの第２の絶縁膜６には、上部に設けられた第２配線部Ｗ２と下部に設けられた第２プラグ部Ｐ２が一体化形成されたバリア膜８ｂと導電膜９ｂからなる第２層配線１０ｂが形成されている。 - 特許庁 - A smooth surface (a small surface with atom step density) in an atom level is formed at an upper surface section (top portion) 75a of a projection (mesa section) 75 or an exposure surface (bottom portion) 73a of a recess 73 by a heat treatment process, a buffer layer crystal growth process, or the like.
凸部（メサ部）７５の上面部（頂上部分）７５ａ、または、凹部７３の露出面（底部分）７３ａに、熱処理工程又はバッファ層結晶成長工程などにより、原子レベルで平滑な表面（原子ステップ密度の小さい表面）を形成する。 - 特許庁 - In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.
これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁 - The sliding bearing device 17 is formed on an upper side of a fixing part mounting member 18 by mounting a horizontal displacement allowing member 19 forming a layer of lubricant 21 having small shear resistance and an object to be borne mounting member 22 in this order inside a bag body 20.
固定部取付部材１８の上側に、袋体２０の内部に剪断抵抗の小さい潤滑物２１の層を形成した水平変位許容部材１９と、被支承物取付部材２２を順に取り付けてすべり支承装置１７を形成する。 - 特許庁 - The electroluminescent element 10 has a configuration in which a light-emitting layer 13 of a thin film made from a polymer or an oligomer, which is formed of the directly coupled same or different elements that are selected from Si, Ge, Sn and Pb, such as polysilane or oligosilane, is placed in between a transparent electrode 12 and an upper electrode 14.
ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect type reproducing head having stable head output by preventing irregularity of head output caused by the magnetic domain structure of a magnetic shield layer in the magnetoresistance effect type reproducing head provided with shield parts such as a lower shield, and an upper shield.
下部シールドおよび上部シールドといったシールド部を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、より安定したヘッド出力を有する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The exposed region is formed in self-matching manner at the contact hole 26 while the width of a region I where the insulating film 24 at the edge of the contact hole 26 is covered with the upper layer wiring 32 is formed by self-matching manner to the width of the contact hole 26.
また、上記露出領域はコンタクトホール２６に対して自己整合的に形成され、上層配線３２によってコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜２４が覆われる領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅に対して自己整合的に形成される。 - 特許庁 - In a micro chemical device of the present invention, an adsorbent film is bonded on an upper plate, using two circular parallel flat plates having thin layer adsorbent film and a reaction catalyst film, and a shearing flow of an eluent is generated along a circumferential direction by rotating the plate.
本発明のマイクロ化学装置は、薄層吸着剤膜や反応触媒膜を持つ２枚の円形型平行平板を用いて、上板に吸着剤膜を貼り、その板を回転させることにより円周方向に溶離剤のせん断流れを発生させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.
絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes steps of: obtaining data representing the plurality of features; and forming at least one of the plurality of features by etching a substrate to form a mesa and depositing a chrome layer over the entire upper surface of the mesa; where the mesa has a predetermined height.
この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric vibrator whose stimulation electrode is not open between an upper face and a lower face of a piezoelectric vibration chip even when a noble metallic layer to enhance the adhesiveness of a surface protection film is partially eliminated and to provide its manufacturing method.
表面保護膜の密着性を高めるための貴金属層を部分的に除去したときでも、圧電振動片の上面部と下面部との間で励振電極がオープン状態になることのない圧電振動子、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Each trench comprises an insulation material 612 backing its surface, a conductive material 610 filling up a lower portion of the trench substantially down to a selected level below the upside of the upper layer, and an insulation material substantially filling up the rest of the trench.
各トレンチはその表面を裏打ちする絶縁材料６１２と、上部層の上部表面の実質的に下方の選択されたレベルにまでその下部を充填する導電性材料６１０と、トレンチの残り部分を実質的に充填する絶縁材料とを含む。 - 特許庁 - In the method of forming the semiconductor device, an insulation layer having an upper surface planarized by filling spaces between a plurality of conductive structures is formed on a semiconductor substrate and is partially removed to form an opening through which the substrate is partially exposed.
本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。 - 特許庁 - Moreover, a stepped part G is arranged on the upper end of the leading end regulating member 54, thereby displacing a sheet SB in the surface layer part of the sheet bundle SA supported by the manual feed tray 70 downstream in the sheet feeding direction when the sheet bundle SA is set in the manual feed tray 70.
そして、先端規制部材５４の上端部に段部Ｇを設けることにより、手差しトレイ７０にシート束ＳＡをセットする際、手差しトレイ７０に支持されるシート束ＳＡの表層部分シートＳＢがシート給送方向下流にずれるようにする。 - 特許庁 - The pasting sheet for printing the visiting card and the like is characterized in that the base sheet from which a frame of a visiting card size is punched is pasted on a non-adhesive sheet having an adhesive layer on the upper side, and is designed to be printable by a color laser printer of a flat path type.
上側に接着層をもつ非粘着性シートの上に名刺大の枠の型抜きをした基材シートを貼り付けたことを特徴とする名刺等印刷用貼り付けシートは、フラットパス方式のカラーレーザープリンタで印刷可能なように設計されている。 - 特許庁 - On the lower side of the back electrode plate 16, a contact spring 18 elastically pressing it upward is arranged in a deflected and deformed state to bring its lower end into contact with a portion of the second conductive layer 36c on the upper surface of the annular substrate 36.
また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。 - 特許庁 - The upper end 3202 of the second rubber sheet layer 32 is lower than 0.6×SH and higher than a bead filler 26, and the lower end 3204 is lower than the bead filler 26 to overlap with the beat filler 26 by 5 mm or more and higher than the half height of the bead filler 26.
第２ゴムシート層３２は、その上端３２０２が、０．６×ＳＨよりも低くかつビードフィラー２６よりも高く、その下端３２０４は、ビードフィラー２６と５ｍｍ以上オーバーラップするようにビードフィラー２６よりも低くかつビードフィラー２６の高さの１／２よりも高い。 - 特許庁 - The thickness varying region 15 corresponds to a portion of the epitaxial layer 1 contacting a side surface of the well region 4 and the upper portion of the well region 4 in the vicinity of the contacting portion, and the thickness of the gate insulating film 3 in the region is thicker than the thin film part 3a.
膜厚変化領域１５は、エピタキシャル層１のウエル領域４の側面に接する部分および、当該部分近傍のウエル領域４の上部に相当する領域であり、そこでの、ゲート絶縁膜３の厚さは薄膜部３ａよりも厚くなっている。 - 特許庁
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