「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 .... 221 222 次へ＞- The catalyst carrier structure comprises a monolith substrate coated with a cerium-zirconium compounded oxide layer and the layer is composed of at least 2 layers; the upper layer of a cerium-zirconium compounded oxide with 1/1 or higher Ce/Zr mole ratio and a lower layer of a cerium- zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio lower than that of the upper layer.
セリウム-ジルコニウム複合酸化物の層がモノリス基材にコートされてなる触媒担体構造体であって、前記層が少なくとも２層からなり、上層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が、１／１以上でありかつ下層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比よりも高いことを特徴とする触媒担体構造体である。 - 特許庁 - In the micro strip transmission line where signal wires 10, 11 are formed on a 1st face of a base dielectric layer 1 and a ground conductor layer 2 is formed on a 2nd face opposite to the 1st face of the base dielectric layer 1, an upper dielectric layer 3 is formed between the signal wires 10, 11 and a shielded ground wire 20 is formed on the upper dielectric layer 3.
ベース誘電体層１の第１の面に信号線１０，１１を形成し、ベース誘電体層１の第１の面と対向する第２の面に接地導体層２を形成したマイクロストリップ伝送線路に対して、信号線１０と１１の中間に上部誘電体層３を形成し、さらに上部誘電体層３の上にシールド接地線２０を形成する。 - 特許庁 - The waveguide device is characterized in that there are successively laminated on a substrate 201 a first electrode (lower electrode 202), a first cladding layer (lower cladding layer 203), a waveguide 204, a second cladding layer (upper cladding layer 205), and a second electrode (upper electrode 206), and that at least the second cladding layer 205 is configured to contain an organic compound having a conjugate structure.
基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）が順次積層され、少なくとも第２クラッド層２０５が、共役構造を有する有機化合物を含有して構成されていることを特徴とする導波路デバイスである。 - 特許庁 - A mixing tank 16 for mixing a contaminated cleaning solvent 14 containing a harmful substance 12 by cleaning treatment with dimethyl sulfoxide (DMSO) 15 is provided and, after the mixed solvent 17 is allowed to stand after mixing, the solvent layer of the upper layer 18 is separated from the DMSO layer being a lower layer 19 and the solvent of the upper layer 18 is reutilized as a washing solvent 13.
洗浄処理により有害物質１２を含有する汚染洗浄溶媒１４とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）１５とを混合する混合槽１６を備えており、混合した後混合溶剤１７を静置した後、上層１８の溶媒層を下層１９のＤＭＳＯ層とを分離し、上層１８の溶剤を再度洗浄溶剤１３として再利用する。 - 特許庁 - A sample for analyzing such a thin film is destroyed and analyzed in order from an upper layer to a lower layer to obtain a relation between the growing conditions and the quality of the plurality of the thin films.
そして、このような薄膜分析用サンプルを上層から下層へ順番に破壊分析して、成長条件と複数の薄膜の膜質との関係を得る。 - 特許庁 - To realize a high squareness ratio by relaxing drying of a magnetic paint when a thin magnetic layer of ≤50 nm of an upper layer is formed by a Wet on Dry system.
ウェット・オン・ドライ方式により、上層の磁性層を５０ｎｍ以下の薄層に形成する場合において、磁性塗料の乾燥を緩和し、高い角形比を実現する。 - 特許庁 - A first surface of the upper contact pads is affixed to a top surface of the dielectric layer and a first surface of the lower contact pads is affixed to a bottom surface of the dielectric layer.
上部コンタクトパッドの第１の面は誘電体層の上面に固着され且つ下部コンタクトパッドの第１の面は誘電体層の底面に固着される。 - 特許庁 - A ratio that height HL of a lower end PL of the outer layer 24 occupies in height HU of an upper end PU of the outer layer 24 is 20 to 30%.
外側層２４の下端ＰＬの高さＨＬ（図１参照）が外側層２４の上端ＰＵの高さＨＵに占める比率は、２０％以上３０％以下である。 - 特許庁 - Each of the printed layers 11-13 of the superposed printed layer 1 is composed of bunches of dots an the dots of the lower printed layer 11 are seen through the gaps between the dots of the upper layers 12, 13.
重ね印刷層１における各印刷層１１〜１３はドットの集合群からなり，上層の印刷層のドットの隙間から，下層の印刷層のドットがみえる。 - 特許庁 - A layered board 10 with built-in batteries is formed by sandwiching batteries 16, 18 and 20 in sheet form which are layered in series between an upper-layer board 12 and a lower-layer board 14.
上層基板１２と下層基板１４の間にシート状電池１６、１８、２０を直列に重ねて挟み込み、電池内蔵型の積層基板１０を構成する。 - 特許庁 - An insulation layer 61 is formed, and the surface of the insulation layer 61 is subjected to polishing, thus forming a conductor 51b corresponding to a via where the upper portion of the projecting conductor 51a is partially exposed.
絶縁層６１を形成し、絶縁層６１表面を研磨処理し、突起状の導体５１ａの上部が一部露出したビア相当の導体５１ｂを形成する。 - 特許庁 - On the inclined surface 18E including the side face of the contact layer 19, an upper electrode 21 is provided and is in ohmic contact with the side face of the contact layer 19.
コンタクト層１９の側面を含む傾斜面１８Ｅには上部電極２１が設けられており、上部電極２１がコンタクト層１９の側面にオーミック接触している。 - 特許庁 - An amorphous transparent conductive film is formed as the transparent conductive film placed in the upper layer, and a polycrystal transparent conductive film is formed as the transparent conductive film placed in the lower layer.
上層に位置する透明導電膜にはアモルファスの透明導電膜を、下層に位置する透明導電膜には多結晶の透明導電膜を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, a tip of wire 50 is electrically joined to the upper surface of the electric conductive layer 30 by wire bonding so that a joined part 51 may be located right above the protection layer 60.
そして、接合部５１が保護層６０の真上に位置するよう、ワイヤボンディングによってワイヤ５０の先端を導電層３０の上面に電気的に接合する。 - 特許庁 - A low resistance layer for providing electrical connection to the first shading film is formed on a part of the second shading film, and a shading contact hole is formed on the upper part of the low resistance layer.
第１遮光膜と電気的接続をするための低抵抗層を第２遮光膜の一部に設け、低抵抗層の上部に遮光コンタクトホールを設ける。 - 特許庁 - This noise reduction structure damps the vibration energy of a floor slab E_1 since a vibration damping layer 2 suppresses a floor slab lower surface E_3 because the upper surface of the damping layer 2 is fitted to the floor slab lower surface E_3.
制振層２の上面が床版下面Ｅ_3に密着しているため、制振層２が床版下面Ｅ_3を押さえ込み床版Ｅ_1の振動エネルギーを減衰させる。 - 特許庁 - An upper protection layer 21 is executed thereon as a press member, a reclaimed land 8 by waste can be constructed in a state where the water sealing layer 10 is stabilized.
そして、その上に押さえ部材としての上部保護層２１を施工し、止水層１０を安定させた状態で、廃棄物による埋立地８を構築できるようにする。 - 特許庁 - An n-type InGaAsP light guide layer 9 is laminated on a lower part of the region 1, and a p-type InGaAsP light guide layer 10 is laminated on an upper part of the region 1.
さらに、発光領域１の下部にはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層９が、上部にはｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１０が積層される。 - 特許庁 - A plated layer 13 is formed on an outer surface of the container body 1, and the plated layer 13 is also extended to the upper surface of the container body 1 for connection with the metal cover 3.
容器本体１の外側面にメッキ層１３を形成し、かつ、メッキ層１３が容器本体１の上面にも延びて金属カバー３に接続するようにする。 - 特許庁 - The scan signal wiring 9 is formed as a laminated structure of a lower layer film 92 formed of an aluminum film and an upper layer film 94 formed of an aluminum alloy film having aluminum as a main component.
走査信号配線９を、アルミニウム膜からなる下層膜９２と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜９４の積層構造とした。 - 特許庁 - The soft magnetic film is formed of an alloy whose composition is represented by the formula: FeNiRe, and a lower core layer 16 and/or an upper core layer 22 is formed of the above soft magnetic film.
組成式がＦｅＮｉＲｅで示される合金からなる軟磁性膜を形成し、この軟磁性膜を用いて下部コア層１６及び／または上部コア層２２を形成する。 - 特許庁 - Respective channels formed on the upper surface of the circuit board 12 are individually connected to the grounding potential through the first grounding layer 26 or the second grounding layer 28.
そして、回路基板１２の上面に形成された各チャンネルは、個別に第１接地層２６または第２接地層２８を経由して、接地電位と接続される。 - 特許庁 - A data analysis unit 38 extracts differential peak values corresponding to an upper layer part and a lower layer part of the pattern from the generated differential profiles, and stores them together with focus positions.
データ解析部３８は、生成された微分プロファイルからパターンの上層部と下層部に相当する微分ピーク値を抽出し、フォーカス位置とともに記憶する。 - 特許庁 - A node number imparting section (103) imparts a sequential node number to each node in the node number order of parent nodes for each hierarchy from the upper layer of the tree structure to the lower layer.
ノード番号付与部（１０３）は、木構造の上位層から下位層に向けて、階層ごとに、親ノードのノード番号順に各ノードに連番のノード番号を付与する。 - 特許庁 - The injected resin flows on the resin sheet 9 to be packed from the upper layer of the space 11, and the lower layer is filled by the melting of the resin sheet.
射出された樹脂は樹脂シート９上を流れて樹脂充填空間１１の上層から充填し、樹脂シートが溶融することにより下層を充填する。 - 特許庁 - The striped mask is removed and an insulating film 206 and conductive film 207 are formed on the upper-layer top surface 201 having the wavy surface layer to constitute the wavy gate area 205.
ストライブマスクを除去し、波形表面層を有する上層表面２０１に、絶縁膜２０６、導電膜２０７を形成し、波形ゲート領域２０５を構成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the light emitting element includes a step of forming the upper clad layer at a temperature higher than the growing temperature of the evaporation preventing layer.
また、蒸発防止層の成長温度より高い温度で上部クラッド層を形成する工程を設けた化合物半導体発光素子の製造方法を提示する。 - 特許庁 - At least the gate wire (including the gate terminal) in the thin-film transistor circuit device is configured so that the lower layer is made of aluminum or aluminum alloy and the upper layer is made of molybdenum alloy including niobium.
薄膜トランジスタ回路装置の少なくともゲート配線（ゲート端子を含む）を下層をアルミニウム若しくはアルミニウム合金、上層をニオブを含むモリブデン合金とする。 - 特許庁 - A plurality of layers are formed on a surface, and a lower layer 13 indicates polishing rate higher than that for an upper layer 14, and also, the thicknesses of the plurality of layers are greater than a step height.
表面上には、複数の層が成膜され、下層１３は、上層１４よりも高い研磨速度を示し、また、複数の層の厚さは、段高さよりも大きい。 - 特許庁 - A wiring 512 of laminated structure composed of an aluminum- containing lower layer 510 and a high melting metal upper layer 511 is arranged on a board 500.
基板５００上に、アルミニウムを含む層を下層５１０とし、高融点金属からなる層を上層５１１とする積層構造を有する配線５１２が配置される。 - 特許庁 - The shapes of the magnetic pole part 10a and the sloping part 10d are regulated by a projecting part forming layer 9a formed on the upper shielding layer 8 of a reproducing head.
磁極部分１０ａと傾斜部分１０ｄの形状は、再生ヘッドの上部シールド層８の上に形成された凸部形成層９ａによって規定される。 - 特許庁 - To provide a virtual network topology designing apparatus capable of ensuring reachability between each of nodes of an upper layer even when a fault occurs in a physical link or node of a lower layer.
下位レイヤの物理リンクまたはノードに障害が発生した場合でも、上位レイヤの各ノード間の到達性が確保できる仮想トポロジ設計装置を提供する。 - 特許庁 - A resist pattern is formed on a first material layer and an isotropic layer of a second material is deposited on the resist pattern to cover the upper part and side wall of a resist structure.
第１の材料層上にレジスト・パターンが形成され、レジスト・パターン上に第２の材料の等方層が堆積されてレジスト構造の上部および側壁を覆う。 - 特許庁 - A very thin barrier layer 34 formed of an organic substance for suppressing silicide reaction is formed on the upper face of the n-type amorphous silicon layer 33 by exposing it to developer.
次に、ｎ型アモルファスシリコン層３３の上面に、現像液に曝すことにより、シリサイド反応を抑制するための、有機物からなる極めて薄いバリア層３４を形成する。 - 特許庁 - Further, by covering the lower layer with a heat insulating material, radiation through an underground during a night is suppressed, and a temperature difference between the upper and lower layer parts can be kept effectively.
さらに、下層部を断熱材で覆うことにより、夜間の地中を通じての放熱を抑え、上層部と下層部の温度差を効果的に保つことが可能とした。 - 特許庁 - The intermediate layer 10b and the upper layer 10a are disposed at the central part to make the central part bulky, so that the adhesiveness to the excretion region of a wearer can be enhanced.
中層１０ｂと上層１０ａを中央部に配置することで、中央部分を嵩高にでき、装着者の排泄部位への密着性を高めることができる。 - 特許庁 - To prevent decrease in visibility in transparently displaying drawing data in a lower layer window through an upper layer window, thereby improving the visibility.
本発明は、下レイヤのウィンドウの描画データが上レイヤのウィンドウに透過表示されることによる視認性の低下を改善し、視認性を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - Observation is carried out by means of an optical microscope 26 from an upper layer side by emitting illumination light from a lower layer side of the ceramic laminate at a position wherein the groove 19 is formed.
溝１９が形成された位置で、セラミック積層体１３の下層側から照明光を照射して上層側から光学顕微鏡２６で観察する。 - 特許庁 - A write-head 40 has an upper part magnetic pole end part 1 and a lower part magnetic pole layer 4, and a part of the lower part magnetic pole layer 4 is trimmed and made a lower part magnetic pole notch part 2.
ライトヘッド４０は、上部磁極先端部１、下部磁極層４を有し、下部磁極層４の一部はトリミングされ下部磁極ノッチ部分２となっている。 - 特許庁 - At this time, the upper part of the mask 4 where the GaN layer 32 is laterally epitaxilally grown can be used as a region where propagation of through-transition of the GaN layer 31 is suppressed.
このときGaN３２が横方向エピタキシャル成長したマスク４の上部は、GaN層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁 - To provide a vibration control device which damps vibration by amplifying relative displacement occurring between a first member and a second member of a vibration control object (e.g. between an upper layer and a lower layer of a beam-column framework), and to provide a vibration control method.
制振対象物の第１の部材と第２の部材の間（例えば、柱梁架構の上層と下層との間）に生じる相対変位を増幅して減衰する。 - 特許庁 - A layer 100 of a photonic crystal having a refractive index that matches with the refractive index of an upper side layer 116 of an LED die 102 is provided on the LED die 102.
ＬＥＤダイ１０２の上側層１１６の屈折率と整合する屈折率を有するフォトニック結晶の層１１０を、ＬＥＤダイ１０２上に設ける。 - 特許庁 - The signal line running in each of sense amplifier zones placed so to extend in a lateral direction in a memory array part(MA) comprises a hierarchic structure composed of an upper interconnection layer and a lower interconnection layer.
メモリアレイ部（ＭＡ）において行方向に延在して配置されるセンスアンプ帯内を走る信号線を上層配線層と下層配線層の階層構造とする。 - 特許庁 - Since the ultraviolet bridging type adhesive member has high shape tracking of the sheet on the upper part of the phosphor layer, durability and mechanical strength of the phosphor layer can be improved.
また、紫外線架橋型粘着部材は蛍光体層上部でシートの形状追従性が高く、蛍光体層の耐久性及び機械的強度を向上できる。 - 特許庁 - The upper layer wiring and the lower layer wiring are designed so as to have identical resistance in the object shape between the terminals A-C, C-B, A-D and D-B.
端子Ａ−Ｃ間、端子Ｃ−Ｂ間、端子Ａ−Ｄ間、端子Ｄ−Ｂ間で上層配線、下層配線の抵抗は同一となるように対象形状に設計する。 - 特許庁 - A semiconductor film is laterally grown using the buffer layer as a starting point, and a lateral growth layer for covering the mask is formed while cavities are formed on the upper part of the mask.
次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。 - 特許庁 - To improve an alignment margin between a plug of a lower layer and a plug of an upper layer without relaxing a layout rule in a semiconductor integrated circuit device having a stacked via structure.
スタックトビア構造を有する半導体集積回路装置において、レイアウトルールを緩和することなく下層のプラグと上層のプラグとの合わせマージンを向上する。 - 特許庁 - A lower semiconductor DBR 103, a resonator structure including an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107 and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.
基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁 - A piezoelectric layer 43 is formed by an AD method by straddling a surface of the common electrode 42 and the upper surface of the vibration plate 40 with no diffusion prevention layer 41 formed.
共通電極４２の表面及び拡散防止層４１が設けられていない振動板４０の上面にまたがって、ＡＤ法により圧電層４３を形成する。 - 特許庁 - The chromaticity conversion layer 15 is formed on the mesa part 16, at a position different from the position of a passage through which current is poured in the active layer by a lower electrode 35 and an upper electrode 31.
色度変換層１５は、メサ部１６のうち、下部電極３５と上部電極３１によって注入される電流経路とは異なる部位に形成されている。 - 特許庁
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