「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 86 87 88 89 90 91 92 93 94 .... 221 222 次へ＞- The area of the pad electrode 32 is limited to not more than 60% of the upper surface of an insulating layer 26 with the mesa post 38 embedded.
パッド電極３２は、メサポスト３８を埋め込む絶縁層２６の上面の面積の６０％以下に抑える。 - 特許庁 - The incident light coming in the hologram layer when turning on the EL penetrates and is observed on the upper side of the liquid crystal cell.
ＥＬ点灯時にホログラム層に入射した入射光は透過して液晶セルの上面側で視認される。 - 特許庁 - The upper surface of the n-type impurity layer 3 is arranged higher than the lower end 91 of the gate electrode 9.
そして、ｎ型不純物層３の上面は、ゲート電極９の下端部９１よりも上側に配置されている。 - 特許庁 - Both ends of the metal resistance film 32 are connected in series to the magnetic tunnel effect element with the upper electrode layer 28.
金属抵抗膜３２の両端は、上部電極層２８により磁気トンネル効果素子に直列に接続される。 - 特許庁 - When a stamp body 3 having an embossing face part 4 is pressed to the upper face of the second layer c, a desired designed floor 5 is formed.
第２層ｃの上面に、型押し面部４を有するスタンプ体３を押圧して、所望のデザイン床５を形成する。 - 特許庁 - To solve the problem of a sound of the upper and lower floors by a concrete double floor, an air layer and an air vent.
本発明は、上下階の音の問題をコンクリートの二重床及び空気層、通気孔により解決するもの。 - 特許庁 - The upper layer 13 is formed with a mirror part 21, hinge parts 22, 23, a pair of anchor parts 24, 25, and comb-teeth parts 26, 27, 28, 29.
上部層１３にはミラー部２１、ヒンジ部２２，２３、一対のアンカー部２４，２５と櫛歯部２６，２７，２８，２９を形成する。 - 特許庁 - A slit 12 is formed in the metal wiring 9, so that the upper surface of the sacrifice layer 15 is partially exposed.
次に、金属配線９内にスリット１２を形成することにより、犠牲層１５の上面を部分的に露出する。 - 特許庁 - A convex structure body is formed on a substrate on which an organic EL element is to be formed, and then, an upper electrode layer is formed.
有機ＥＬ素子を形成する基板上に凸状構造体を形成した後に、上部電極層を形成する。 - 特許庁 - A upper cladding layer 17 consisting of a plane glass 12 is fixed thereon, by which the optical waveguide substrate is manufactured.
そしてその上に平面ガラス基板１２からなる上部クラッド層１７を固定し、光導波路基板を製作する。 - 特許庁 - The upper part of a resistance layer 13 of a writing electrode 3b is formed in a substantially semispherical projection part, projecting upward.
書込電極３ｂの抵抗層１３の上部が上方に突出するほぼ半球形の凸部に形成されている。 - 特許庁 - The first heat dissipation plate 131 is extended to the upper part of the second heat dissipation plate 132 via a heat insulating layer 139.
第１の放熱板１３１は、断熱層１３９を介して、第２の放熱板１３２の上方まで延在している。 - 特許庁 - The recording gap layer 14 is disposed between the magnetic pole parts of the lower and upper magnetic pole layers 11 and 16.
記録ギャップ層１４は、下部磁極層１１と上部磁極層１６の各磁極部分の間に設けられている。 - 特許庁 - A printer manager is provided to decode input encoded data into print data without using the upper layer.
上層を用いることなく入力されるエンコードされたデータを印刷データにデコードするようプリンタマネージャーが設けられる。 - 特許庁 - The electrode 6 is provided with an Mo film 6b in at least an intermediate layer, and formed on the upper face of the project 4a.
電極部６は、少なくとも中間層にＭｏ膜６ｂを有しており、凸部４ａの上面に形成されている。 - 特許庁 - Over the leading portion, the electrode portion 160 protruding from the upper surface of the first insulating layer 150 is formed.
引き出し部の上方に、第１の絶縁層１５０の上面より上に突き出した電極部１６０が形成されている。 - 特許庁 - Both-side upper surfaces of the ridge-portion contact layer which face the isolation grooves are sloped, and barrier metal layers are formed thereupon.
リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。 - 特許庁 - At this time, the thicknesses of the upper-layer conductors 13 are set so that the thicknesses may become double or more of the depths the wiring grooves.
この時に、上層導電体１３の膜厚が配線用の溝の深さの２倍以上になるように設定する。 - 特許庁 - The upper surface of the cathode 5 of the stack 20 and the edge surface of the stack 20 are covered with a first sealing layer 6 made of LiF.
積層体２０の陰極５上面と積層体２０の端面を、ＬｉＦからなる第一封止層６で覆う。 - 特許庁 - To prevent spots called watermarks from being generated on the upper surface of an amorphous silicon layer of a thin-film transistor.
薄膜トランジスタのアモルファスシリコンからなるシリコン層の上面にウォータマークと呼ばれるシミが発生しないようにする。 - 特許庁 - On the hole edge portion of the upper surface of the outer bottom skin layer 32, the surrounding portion of a hole covering member 33 comprising an elastic material is sewn.
外底表皮32上面の孔縁部に、伸縮性材料よりなる孔被覆部材33の周縁部を縫着する。 - 特許庁 - To prevent exfoliation at an upper part of a cog valley of a compressed rubber layer in short period of time.
圧縮ゴム層のコグ谷部上部における早期剥離を防止したローエッジコグベルト及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A fuel diffusion layer 6 is arranged on an upper face side and an oxygen flow passage material 2 is arranged on a lower face side of a membrane electrode assembly 4.
膜電極接合体４の上面側に燃料拡散層６、下面側に酸素流路材２を配置する。 - 特許庁 - To provider a technology of electrically connecting a via wiring including a carbon nanotube with an upper layer wiring at a lower resistance.
カーボンナノチューブを含むビア配線と、上層の配線とを、より低抵抗で電気的に接続する技術が望まれる。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for directly plating a conductive film on a base material having a barrier layer on an upper portion.
上部にバリアー層を有する基材に直接に伝導性フィルムをメッキする設備および方法をを提供する。 - 特許庁 - To provide a two-layer powder compacting device having the ability to obliquely form a boundary between an upper and lower material powder layers.
上下の原料粉末層の境界を斜めに形成することができる二層粉末成形装置を提供する。 - 特許庁 - An insulator layer 130 is formed to the sidewall section of the circular hole 101 in a section upper than the top section 121.
また、頂部１２１より上側部分の円孔１０１の側壁部分には、絶縁体層１３０が形成されている。 - 特許庁 - A second opened part exposing the upper surface of the epitaxially grown layer is formed in the first and second spacer layers.
次に、第１スペーサ層及び第２スペーサ層にエピタキシャル成長層の上面を露出する第２開孔部を形成する。 - 特許庁 - Then, the upper face of the wafer is resin-sealed, and a resin layer R is polished, and the head parts of the metal posts 8 are exposed.
次に、ウエハ上面を樹脂封止した後、この樹脂層Ｒを研磨して、前記メタルポスト８の頭部を露出させる。 - 特許庁 - Moreover, an upper clad layer 114 with a refractive index of about 1.465 is formed in such a manner as to cover each of the cores.
また、上述した各コアを覆うように、屈折率が約１．４６５の上部クラッド層１１４が形成されている。 - 特許庁 - The upper thin film 11 faces the lower thin film 10 at a predetermined distance on the side opposite to the wiring layer 7.
上薄膜１１は、下薄膜１０に対して配線層７と反対側に所定の間隔を空けて対向している。 - 特許庁 - The second via contact layer V2 is connected to first connection terminals T11, T21 located on the upper and lower end faces Z2, Z1.
第２ビアコンタクト層Ｖ２は上下端面Ｚ２、Ｚ１にある第１接続端子Ｔ１１、Ｔ２１に接続される。 - 特許庁 - An elastic layer 50 having the air permeability is interposed between the upper wall face 13 of the base material 32 and the cover material 34.
基材３２の上部壁面１３と表皮材３４との間に、通気性を有する弾性層５０を介在させる。 - 特許庁 - The shape of the end part may be optimized in such a way as to reduce the thickness as a layer of the fluid on the upper surface in a static state.
端部の形状は、上面の液体層の静止状態での厚さを低減するよう最適化されてもよい。 - 特許庁 - A shape of the end parts may be optimized in such a way as to reduce thickness of a liquid layer on the upper surface in a static state.
端部の形状は、上面の液体層の静止状態での厚さを低減するよう最適化されてもよい。 - 特許庁 - Afterwards, a circuit 10 is formed on the basis of copper foil 2 on the surface layers of upper and lower faces, and a four-layer printed wiring board 1 is provided.
この後、上下面の表層の銅箔２を基に回路１０を形成し４層のプリント配線板１とする。 - 特許庁 - The upper heather electrode layer 1-6 having the maximum specific resistance can realize a high temperature efficiently.
最大の比抵抗を有する上層のヒータ電極層１−６により、効率的に高温とすることが可能となる。 - 特許庁 - The base material 2 is constituted by a foamed layer 21 and first and second fiber layers 22, 23 adhered to both upper and lower surface.
基材２を、発泡層２１とその上下両面に接着された第１、第２繊維層２２，２３とで構成する。 - 特許庁 - A part of the gel layer matches the shape of the user's wrist to be supported and supports the wrist which contacts the upper surface.
ゲル層の一部は、支えられる使用者の手首の形状に一致して、上記上面に接する手首を支える。 - 特許庁 - The rate roller 6 is arranged so that the surface of the flocked layer 7 of the circumference may contact the upper face of the fiber glass mat 1.
ゲートローラ６はその周面の植毛層７の表面がガラスマット１の上面に接触するように配置する。 - 特許庁 - The auxiliary capacitor 13 is produced by forming electrode layers 23, 25 in both of the upper and lower sides of an intermediate insulating layer 24.
補助容量１３は、中間の絶縁層２４を挟んで上下両側に電極層２３、２５を設けたものである。 - 特許庁 - The thermally melting adhesive layer 3 can be arranged over the whole upper surface of the conductor fixing piece.
導体固定片は、その上面に、加熱により溶融化し防水シートと熱溶着する熱溶融接着層３を有する。 - 特許庁 - Then, a first and a second protective films 4, 5 are formed above the semiconductor wafer 1 to cover the upper wiring layer 30.
そして、最上の配線層３０を覆うように、半導体ウェーハ１上に、第１、第２の保護膜４、５を形成する。 - 特許庁 - A cap film 12c is formed of metal or a material-containing metal in upper part of each of the low-layer wiring 12.
下層配線１２の上部には、金属又は金属を含む材料からなるキャップ膜１２ｃが形成されている。 - 特許庁 - An upper electrode 66 surrounds a phase change layer 63 from outside along a plane that intersects the direction of lamination at right angles.
上部電極６６は、積層方向に直交する平面に沿って相変化層６３を外側から囲んでいる。 - 特許庁 - In a sealing resin layer forming process, aling resin is first printed on the entire upper surface of a wafer 2 (printing and sealing process).
封止樹脂層形成工程において、先ずウエハ２の上面全体に封止樹脂を印刷する（印刷封止工程）。 - 特許庁 - A first semiconductor construction body 2a is mounted at the upper face center of a lower layer insulating film 1 by a facedown method.
下層絶縁膜１の上面中央部に第１の半導体構成体２ａがフェースダウン方式で搭載されている。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor device, a thin gate oxide film 12 is formed on the upper surface of a P type diffusion layer 5.
本発明の半導体装置では、Ｐ型の拡散層５上面には薄いゲート酸化膜１２が形成されている。 - 特許庁 - A ridge stripe 13 is formed on the GaN-base semiconductor layer 12 in the upper part of the second plane region 11b.
第２の平面領域１１ｂの上方の部分のＧａＮ系半導体層１２にリッジストライプ１３を形成する。 - 特許庁 - The card is of a three-layer construction of a transparent upper sheet 1, a center core sheet 2, and a transparent lower sheet 3.
このカードは、透明な上部シート１と、センターコアシート２と、透明な下部シート３との三層積層構造となっている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
