In each of unit domain UR, the thermal resistance between the light emitting element E formed in the unit domain UR concerned and the control transistor Tc formed in the unit domain UR concerned is smaller than the one between the light emitting element E concerned and the control transistor Tc formed in the unit domain UR next to the unit domain UR concerned. また、単位領域URの各々では、当該単位領域URに形成された発光素子Eと当該単位領域URに形成された制御トランジスタTcとの間の熱抵抗が、当該発光素子Eと当該単位領域URの隣の単位領域URに形成された制御トランジスタTcとの間の熱抵抗よりも小さい。 - 特許庁