「vWD」を含む例文一覧(8)
- When it is determined that Vwd<Vws in S5 and either one of α_wdl or α_wdr is α_ws or more in S6 and S7, it is judged that there is noise intrusion in Vwdl or Vwdr.
S５でVwd＜Vwsと判定し、S６，S７でαwdl，αwdrの１つでもαws以上と判定する時、Vwdl，Vwdrにノイズ混入と判断する。 - 特許庁 - During anti-skid (S4), since left and right driving wheel detected values Vwdl and Vwdr represent a vehicle speed, their average value Vwd=(Vwdl+Vwdr)/2 is used as the vehicle speed VSP in S8.
アンチスキッド中（S４）は、左右駆動輪速検出値Vwdl，Vwdrが車速を表すから、S８でその平均値Vwd =（Vwdl＋Vwdr）／２を車速VSPとする。 - 特許庁 - When it is determined that Vwd is a set wheel speed Vws or more in S5 or when it is determined that neither of left nor right driving wheel accelerations α_wdl or α_wdr is a set acceleration α_ws or more in S6 and S7, S8 is executed since there is no noise intrusion in Vwdl or Vwdr.
S５でVwd≧設定車輪速Vws以上と判定する時、またはS６，S７で左右駆動輪加速度αwdl，αwdrが何れも設定加速度αws以上でないと判定する時、Vwdl，Vwdrへのノイズ混入がないからS８を実行する。 - 特許庁 - In the word line driver 50, voltage of the word line WL1 is switched to pre- charge voltage VWD or a ground potential.
ワード線ドライバ５０は、ワード線ＷＬ１の電圧がプリチャージ電圧ＶＷＤとグランド電位とに切り換わる。 - 特許庁 - When a potential of the point A is lowered more than a reference potential Vref, a transistor Q1 connected to a word line potential VWD is turned off, a transistor Q2 is turned on, and a potential VWO of a word line WL1 is lowered.
Ａ点の電位が基準電位Ｖｒｅｆよりも低下すると、ワード線電位ＶＷＤに接続されたトランジスタＱ１がオフ、トランジスタＱ２がオンしてワード線ＷＬ１の電位ＶＷＯを低下させる。 - 特許庁 - The difference voltage VWD in workpiece function has negative temperature characteristics, the resistance value of the first resistance RA1 has negative temperature characteristics, and a constant current IREF corresponding to a current IA1 flowing through the first resistor RA1 is generated.
仕事関数差電圧ＶＷＤは負の温度特性を有し、第１の抵抗ＲＡ１の抵抗値は負の温度特性を有し、第１の抵抗ＲＡ１に流れる電流ＩＡ１に対応する定電流ＩＲＥＦを生成する。 - 特許庁 - An internal voltage switching control circuit 110 generates control signals VUP and VWD in accordance with test mode signals /TACU, /TACD and /TSBU, and /TSBD set independently in an active state and a standby state respectively at the time of an operation test.
内部電圧切換制御回路１１０は、動作テスト時において、アクティブ状態およびスタンドバイ状態のそれぞれにおいて独立に設定されるテストモード信号／ＴＡＣＵ，／ＴＡＣＤおよび／ＴＳＢＵ，／ＴＳＢＤに応じて、制御信号ＶＵＰおよびＶＤＷを生成する。 - 特許庁 - The constant current generating circuit includes: a first transistor TA1; a second transistor TA2 with a gate electrode having conductivity different from that a gate electrode of the first transistor TA1; and a first resistor RA1 receiving an applied voltage corresponding to a difference voltage VWD in workpiece function between the first transistor TA1 and the second transistor TA2.
定電流生成回路は、第１のトランジスターＴＡ１と、第１のトランジスターＴＡ１とはゲート電極の導電性が異なる第２のトランジスターＴＡ２と、第１のトランジスターＴＡ１と第２のトランジスターＴＡ２との仕事関数差電圧ＶＷＤに対応する電圧が印加される第１の抵抗ＲＡ１を含む。 - 特許庁
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