METHOD OF LIMITING VACANCYDIFFUSION IN HETEROSTRUCTURE ヘテロ構造内で空孔拡散を制限する方法 - 特許庁
A first insulating film including a vacancy forming material and comprising a low permittivity material is formed on a diffusion protective film 2 formed on a lower layer interconnection 1. 下層配線1上に形成された拡散防止膜2の上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる第1の絶縁膜を形成する。 - 特許庁
The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancydiffusion. 本発明の方法は、前記第1の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第1の層(102)を格子間欠陥(105a)で富化させるためのステップ(S2)を含む。 - 特許庁