「variable capacitance element」を含む例文一覧(150)
＜前へ 1 2 3 次へ＞- A variable capacitance element 8 is connected between the ground and a drain bias application terminal 7 of a tip short-circuit stub 3 and the electric length of the tip short-circuit stub 3 is changed by adjusting the capacitance of the variable capacitance element 8 with a drain bias voltage.
先端短絡スタブ３のドレインバイアス印加端子７側と接地との間に可変容量素子８を接続し、この可変容量素子８の容量値をドレインバイアス電圧により調整することにより先端短絡スタブ３の電気長を変化させる。 - 特許庁 - An antenna matching circuit 6 comprises a first variable capacitance element 7 connected in series with an antenna element 1, a second variable capacitance element 8 connected in parallel with the antenna element 1, a first inductor 9 connected in series with the antenna element 1, and a second inductor 10 connected in parallel with the antenna element 1.
アンテナ整合回路６は、アンテナ素子１と直列に接続された第１可変容量素子７と、アンテナ素子１と並列に接続された第２可変容量素子８、アンテナ素子１と直列に接続された第１インダクタ９と、アンテナ素子１と並列に接続された第２インダクタ１０とを有する。 - 特許庁 - In the capacitance variable circuit Cv, a switch element SW1 is turned on/off by a transmission signal outputted from a control circuit 11 to change the capacitance.
容量可変回路Ｃｖは制御回路１１から出力される送信信号によりスイッチ要素ＳＷ１がオンオフされ容量を変化させる。 - 特許庁 - To provide a more simply and more inexpensively configured voltage generation circuit for generating a control voltage for controlling a capacitance of a variable capacitance element.
可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を発生する電圧発生回路において、より簡易で、かつ、より低価格な構成を提供する。 - 特許庁 - A package surrounding the variable capacitance element is formed of the side wall frame 110 and the ceiling wall 111.
これら側壁枠１１０と天井壁１１１とにより、可変容量素子を取り囲む容器が形成されている。 - 特許庁 - The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.
可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁 - To provide a variable capacitance device having the reduced series resistance of a variable capacitance element and having an increased DC interrupting capacity even when an active region width is set to be large.
活性領域幅を大きく設定しても、可変容量素子の直列抵抗を低減化することができ、また、直流遮断容量を増加することが可能な可変容量装置を提供する。 - 特許庁 - Then, the control voltage generating part generates the control voltage for controlling the capacitance of the variable capacitance element, applies the generated control voltage to the dielectric part of the variable capacitance element, and inverts the application direction of the control voltage to be applied to the dielectric part, with predetermined timing.
そして、制御電圧発生部は、可変容量素子の容量を制御する制御電圧を生成し、生成した制御電圧を可変容量素子の誘電体部に印加し、かつ、誘電体部に印加する制御電圧の印加方向を所定のタイミングで反転させる - 特許庁 - To provide a temperature compensation piezoelectric oscillator for performing temperature compensation by utilizing the nonlinear part of the capacitance characteristics of a variable capacitance element and reducing phase noise degradation due to noise by turning the noise level and phase of a control voltage to be applied to the variable capacitance element to be common-mode.
可変容量素子の容量特性の非線形部分を利用して温度補償を行うと共に、前記可変容量素子に印加する制御電圧のノイズレベルと位相を同相にすることにより、ノイズによる位相雑音劣化を減少する温度補償型圧電発振器を提供する。 - 特許庁 - A high-frequency power source 32 is connected to the ICP electrode 24, and also connected to the flat electrode 26 through a variable capacitor 36 (variable capacitance element).
高周波電源３２が、ＩＣＰ電極２４に接続され、かつ可変コンデンサ３６（可変容量素子）を介して平面状電極２６にも接続されている。 - 特許庁 - To provide a frequency variable antenna which is less influenced in its frequency switching by capacitance value variations of an element used for the frequency switching and is reduced in inductor loss due to the element, in comparison with a case that, for example, a varicap diode is used as the element for frequency switching.
バリキャップダイオードのような容量値のばらつきの影響が少なく、かつ、インダクタによる損失も低減できる周波数可変アンテナを実現する。 - 特許庁 - A variable capacitance element C1 is provided on a metal wiring shared by an outermost circumferential loop Z and a folded dipole.
最外周ループＺとフォールデッドダイポールの共有する金属配線上に可変容量素子Ｃ１を設けている。 - 特許庁 - In addition, the first metal wiring 11 is arranged in the side of the feeding element 1, and the capacitance of the capacitor 14 is variable.
また、第１金属配線１１が給電素子１側となる配置であり、キャパシタ１４のキャパシタンスは可変である。 - 特許庁 - In short, correspondences between the capacitances of the variable capacitance element and the powers of reflected waves are maintained as a matrix.
つまり、可変容量素子の容量と反射波の電力との対応関係を、予めマトリックスとして保持しておく。 - 特許庁 - A semiconductor chip 17 is provided with: a variable capacitive element 18 connected between power lines 9, 10; and a control circuit 19 for controlling the variable capacitive element 18 to vary the capacitance of the variable capacitive element 18 synchronously with the clock CK whose period is fixed.
電源線９、１０間に可変容量素子１８を接続すると共に、周期固定のクロックＣＫに同期して可変容量素子１８の容量値を変化させるように可変容量素子１８を制御する制御回路１９を設ける。 - 特許庁 - To provide a variable capacitance element of such a structure that achieves not only stable operation by required electrostatic capacitance while maintaining the moved position of a movable electrode but also high vibration resistance.
移動後の可動電極の位置を維持して、所望の静電容量で安定に動作させることができる、外部振動に強い構造の可変容量素子を提供する。 - 特許庁 - The capacitance of the variable capacitance element 14 is such that it is lowered, when the potential difference between the drain electrode D and the gate electrode G of the transistor Tr10 is increased.
その可変容量素子１４の容量は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間の電位差が増加すると低下することを特徴としている。 - 特許庁 - Each variable capacitance element 6 is arranged to the bottom side of the base body 4, and all the variable capacitance elements 6 are inserted in the throughholes 8 when the chip antenna 2 is mounted to a prescribed position on the circuit board 3.
各可変容量素子６は基体４の底面に配設されており、回路基板３上の所定位置にチップアンテナ２を搭載すると、可変容量素子６はすべて透孔８内に挿入されるようになっている。 - 特許庁 - As for the Miller element in the Miller integration circuit, a capacitor 4 having the characteristics of variable capacitance depending on the bias voltage is used.
ミラー積分回路のミラー素子に、バイアス電圧によって静電容量が変化する特性を有するコンデンサ４を用いる。 - 特許庁 - A tuner circuit 102 includes a variable capacitance element, is connected to the antenna 101 and resonates in a frequency of transmitting/receiving signals.
同調回路１０２は、可変容量素子を有してアンテナ１０１に接続されて送受信号の周波数に共振する。 - 特許庁 - To provide a variable capacitance element which can have its driving voltage set small and can make compact a device using the same.
駆動電圧を小さく設定することができ、その用いられたデバイスの小型化が可能な可変容量素子を提供する。 - 特許庁 - An inductance control circuit 41 composed of a reactive element with a variable element value, for example, variable capacitance is connected to a sub-inductor L2 magnetically coupled to a main inductor L1 through a mutual inductance M.
主インダクタＬ１に対して相互インダクタンスＭを介して磁気的に結合している副インダクタＬ２に、素子値が可変のリアクタンス素子例えば可変容量かからなるインダクタンス制御回路４１を接続する。 - 特許庁 - To provide a voltage-controlled variable frequency oscillation circuit capable of securing a wide frequency variation region in accordance with a capacitance variation region of a variable capacitive element.
可変容量素子の容量可変域に応じた広い周波数可変域を確保することができる電圧制御型可変周波数発振回路を提供する。 - 特許庁 - The antenna device is equipped with a variable capacitance capacitor C2 using a dielectric material, a capacitor C1 connected in series with the variable capacitance capacitor C2, a switch connected in parallel to the capacitor C1, and an antenna element ANT connected to the variable capacitance capacitor C2 and the capacitor C1.
本発明のアンテナ装置は、強誘電体材料を用いた容量可変キャパシタＣ２と、前記容量可変キャパシタＣ２と直列に接続されたキャパシタＣ１と、前記キャパシタＣ１と並列に接続されたスイッチと、前記容量可変キャパシタＣ２と前記キャパシタＣ１とに接続されたアンテナ素子ＡＮＴと、を備えたものである。 - 特許庁 - The radio signal receiver is provided with: an antenna element 21 which receives a radio signal; a parasitic element 22 which is arranged closely to the above antenna element; and a variable capacitance element 23 interposed between the parasitic element and the ground.
無線信号を受信するアンテナ素子２１と、 前記アンテナ素子に近接配置した寄生素子２２と、 前記寄生素子と接地との間に介在させた可変静電容量素子２３と、を備えたことを特徴とする無線信号受信装置。 - 特許庁 - In this way in the variable capacitance sensor, the inductance of an inductor element such as a coil changes together, along with the change in the capacitance of the capacitor resulting from the displacement of the diaphragm.
このように、本発明の可変容量センサにおいては、ダイヤフラムの変位によるコンデンサの静電容量変化とともにコイルなどのインダクタ素子のインダクタンスがともに変化する。 - 特許庁 - In this way, since the capacitance of the variable capacitance element that matches impedance is selected and set from the matrix maintained in advance, plasma can be stabilized at extremely high speed.
このように、インピーダンスを整合させる可変容量素子の容量を、予め保持されたマトリックスから選択し設定するので、きわめて高速にプラズマを安定させることができる。 - 特許庁 - By changing the capacitance of the variable capacitance element C1, a series of frequency bands covering resonance frequencies f_1 and f_2 can be adjusted at the same time.
この可変容量素子Ｃ１の容量Ｃを変化させることにより、上記の共振周波数ｆ_1 ，ｆ_2 を包括する一連の周波数帯域を同時に調整することができる。 - 特許庁 - The oscillator includes a variable inductor part whose inductance changes, a variable capacity element connected to the variable inductor part, an output part that oscillates by an oscillation frequency determined by an inductance of the variable inductor part and the capacitance of the variable capacity element, and a control signal generating means for generating a frequency control signal for modulating the oscillation frequency.
インダクタンスが変化する可変インダクタ部と、可変インダクタ部に接続された可変容量素子と、可変インダクタ部のインダクタンスと可変容量素子の容量とで決まる発振周波数により発振する出力部と、発振周波数を変調する周波数制御信号を生成する制御信号生成手段とを含む。 - 特許庁 - In addition, since current is strong at almost the middle of the metal wiring shared by the outermost circumferential loop Z and the folded dipole, the variable capacitance element C1 is provided almost at the middle, thereby maximizing a variable capacitance range.
また、最外周ループＺとフォールデッドダイポールを共有する金属配線の略中央は、電流が強い部分なので、この略中央に可変容量素子Ｃ１を設けることにより、容量可変範囲を最大にすることができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a variable capacitance capacitive element of MOS type structure capable of increasing the variable width in which variation in capacitance can be suppressed for the applying bias, and its method of manufacturing.
可変幅を大きく取ることができるＭＯＳ型の構造であって、印加バイアスに対する容量の変化量を小さくすることができる容量可変の静電容量素子を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To allow long and stable control of the resonance frequency of a resonance antenna having a variable capacitance element using ferroelectric material.
強誘電体材料を用いた可変容量素子を有する共振アンテナの共振周波数を、長期間、安定して制御する。 - 特許庁 - A control circuit 10 performs control so that an electrostatic capacitance value of the variable capacitive element increases as the detected mean value decreases.
制御回路10は検出された平均値が低下するにつれて可変容量素子の静電容量値を大きくするように制御する。 - 特許庁 - To widen the variable range of frequency by freely increasing the capacitance ratio of a semiconductor device (variable capacitive element), e.g. a quartz oscillation circuit, used in a portable apparatus or the like.
携帯機器等に使用される水晶発振回路等の半導体装置（可変容量素子）における容量比を自由に大きくすることで、周波数の可変範囲を広くする。 - 特許庁 - This invention relates to the power control device which is connected to a line for supplying power from a power supply device to the load element and stabilizes power supply in the line, and includes: a variable capacitance element connected to the load element in parallel; and a control part for controlling electrostatic capacitance of the variable capacitance element so that a degree of voltage variation due to parasitic inductance of the line becomes a predetermined degree or less.
電源装置から負荷素子に電力を供給するための線路に接続され、前記線路における電力供給を安定化させる電力制御装置であって、前記負荷素子に並列に接続される可変容量素子と、前記線路の寄生インダクタンスによる電圧変動度合が所定度合以下になるように、前記可変容量素子の静電容量を制御する制御部とを含む。 - 特許庁 - Thereby, a precharge amount in a parasitic capacitance of the light emitting element is made variable, and as a result, occurrence of shadowing is suppressed.
これにより発光素子の寄生容量へのプリチャージ量が可変され、結果としてシャドーイングの発生度合いを抑制させることができる。 - 特許庁 - The resonance antenna comprises the variable capacitance element including a dielectric part formed of the ferroelectric material and performs non-contact communication with the outside.
共振アンテナは、強誘電体材料で形成された誘電体部を有する可変容量素子を含み、外部と非接触通信を行う。 - 特許庁 - Further, when the power exceeds the upper limit, the steps should be provided to select and determine a capacitance of the variable capacitance element from the above matrix, so that this power becomes less than the upper limit.
さらに、上記電力が上記上限値を超えている場合に、この電力が上限値未満となる上記可変容量素子の容量を、上記マトリックスから選択して決定する工程とを備える。 - 特許庁 - A variable element Ev21 of which the capacitance value and resistance are variable is connected in parallel with a capacitor Cs2 holding a voltage for supplying the driving current of an organic EL element OEL to a light emission driving transistor T23.
有機ＥＬ素子ＯＥＬの駆動電流を発光駆動トランジスタＴ２３に供給させるための電圧を保持するコンデンサＣｓ２と並列に、容量値と抵抗を変化させることができる可変素子Ｅｖ２１を接続する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device with a MOS type varactor element having a wide variable capacity range and a large capacitance value per unit area.
可変容量範囲が広く、単位面積当たりの容量値が大きいＭＯＳ型バラクタ素子を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁 - The switching drive circuit 11 is provided with a variable capacitance element 14, connected between the drain electrode D and an gate electrode G of the transistor Tr10.
スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間に接続される可変容量素子１４を備えている。 - 特許庁 - A variable reactance element such as a variable capacitance diode whose capacity is changed according to bias voltage to be applied is installed so that the oscillation frequencies of a self-excitation local oscillation mixer can be controlled.
印加するバイアス電圧により、容量が変化する可変容量ダイオードのような可変リアクタンス素子を装荷することにより、自励局部発振ミクサの発振周波数を制御できるようにした。 - 特許庁 - A microstrip line forming a resonance circuit is divided into two microstrip lines 11, 12, and a variable-capacitance element 22 and a coupling capacitor 33 are connected in parallel to the division point of the divided microstrip lines 11, 12 to feed the variable capacitance element 22 with a frequency adjusting bias voltage through a bias feed circuit 52.
共振回路を形成するマイクロストリップ線路を２分割し、２分割されたマイクロストリップ線路１１，１２の分割された箇所に、可変容量素子２２と結合コンデンサー３３とを並列に接続し、バイアス供給回路５２を介して可変容量素子２２へ周波数調整用バイアス電圧を供給する。 - 特許庁 - However, the capacitance Cs of the element 121 also changes at the same time and in accordance with the change, the detection signal Vc of an impedance change detecting part 122 changes, the capacitance of variable capacitance diodes 104b and 106c of the circuits 104 and 106 changes and an impedance matching state is returned again.
しかし同時に、キャパシタンス素子１２１のキャパシタンスＣｓも変化し、この変化に応じてインピーダンス変化検出部１２２の検出信号Ｖｃが変化し、整合回路１０４，１０６の可変容量ダイオード１０４ｂ，１０６ｃのキャパシタンスが変化し、再びインピーダンス整合状態に戻る。 - 特許庁 - The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.
可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁 - By changing the capacitance value of the variable capacitive element VC3 in the range, the inductance value of the inductor L1 is substantially changed, and the impedance variable range of the impedance matching circuit can be enlarged.
可変容量素子ＶＣ３の容量値をこの範囲で変化させることにより、インダクタＬ１のインダクタンス値が実質的に変化し、インピーダンス整合回路のインピーダンス可変範囲を拡大することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which is easy and simple for producing a variable capacitance element with a super step junction structure.
超階段接合構造をもつ可変容量素子を容易かつ簡便に作製することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a variable capacitance element having a structure such that electric field sensitivity to a control voltage can be set irrelevantly to a breakdown voltage for a signal voltage, and an electronic apparatus.
信号電圧に対する耐圧とは無関係に、制御電圧に対する電界感度を設定できる構造を有する可変容量素子及び、電子機器を提供する。 - 特許庁 - Further, a side wall frame 110 is formed in a form to surround the periphery of the variable capacitance element, and a ceiling wall 111 is formed on the side wall frame 110.
また、この可変容量素子の外周を取り囲むような形で側壁枠１１０が形成され、この側壁枠１１０の上に、天井壁１１１が形成されている。 - 特許庁 - This device having a spectrum-dependent variable element includes a dielectric material which increases or decreases a resistance or capacitance as a frequency increases.
スペクトル依存可変要素を備えた素子は、周波数の増加につれて抵抗値またはコンデンサ容量が増加あるいは減少する誘電材料で構成する誘電材料を含む。 - 特許庁
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