「variable cell」を含む例文一覧(265)

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  • OPTICAL PATH-LENGTH VARIABLE CELL
    光路長可変セル - 特許庁
  • OPTICAL PATH LENGTH VARIABLE CELL
    光路長可変セル - 特許庁
  • CELL LENGTH VARIABLE PON SYSTEM
    セル長可変ＰＯＮシステム - 特許庁
  • METHOD OF PRODUCING RESISTANCE VARIABLE MATERIAL CELL
    可変抵抗材料セルの製造方法 - 特許庁
  • WAVELENGTH VARIABLE CELL AND WAVELENGTH VARIABLE SYSTEM, AND WAVELENGTH VARIABLE METHOD USING THE SAME
    波長可変セル及びそれを用いた波長可変装置並びに波長可変方法 - 特許庁
  • Loads the cell contained in slot i of the cell and free variable storage.
    セルと自由変数記憶領域のスロットiに含まれるセルをロードします。 - Python
  • FUEL CELL WITH VARIABLE POROSITY GAS DISTRIBUTION LAYER
    可変多孔率のガス分配層を備えた燃料電池 - 特許庁
  • LIQUID CRYSTAL CELL UNIT AND VARIABLE OPTICAL ATTENUATOR WITH THE SAME
    液晶セルユニットとそれを備える可変光減衰器 - 特許庁
  • The VGA 1 is a Gilbert cell type variable gain amplifier.
    ＶＧＡ１は、ギルバートセル型の可変利得増幅器である。 - 特許庁
  • OPTICAL MEASURING APPARATUS USING VARIABLE LENGTH VACUUM LIGHT PATH CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING VARIABLE LENGTH VACUUM LIGHT PATH CELL
    可変長真空光路セルを用いた光学的測定装置および可変長真空光路セルの製造方法 - 特許庁
  • Stores TOS into the cell contained in slot i of the cell and free variable storage.
    セルと自由変数記憶領域のスロットiに含まれるセルへTOSを保存します。 - Python
  • VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
    可変抵抗の非揮発性メモリセル及びこれの製造方法 - 特許庁
  • The apparatus has a variable capacitance capacitor C for each memory cell 1A.
    メモリセル１Ａごとに可変容量キャパシタＣを有する。 - 特許庁
  • To reconstruct a variable length packet from a fixed length cell.
    一定長のセルから可変長のパケットを再構成する。 - 特許庁
  • VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
    可変抵抗不揮発性メモリセル及びそれの製造方法 - 特許庁
  • VARIABLE PATH INTERCONNECTION CELL, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS DESIGN METHOD, AND METHOD FOR FORMATION OF VARIABLE PATH INTERCONNECTION CELL
    可変経路配線セル、半導体集積回路およびその設計方法ならびに可変経路配線セルの形成方法 - 特許庁
  • Pushes a reference to the cell contained in slot i of the cell and free variable storage.
    セルと自由変数記憶領域のスロットiに含まれるセルへの参照をプッシュします。 - Python
  • PIXEL SENSOR CELL OF VARIABLE DYNAMIC RANGE, DESIGN STRUCTURE AND METHOD
    可変ダイナミックレンジの画素センサ・セル、設計構造体及び方法 - 特許庁
  • FUNCTION VARIABLE CELL, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN SYSTEM THEREFOR
    機能可変型セルと半導体集積回路とその設計システム - 特許庁
  • Such a variable capacitance provides variable dynamic ranges for the pixel sensor cell including the column circuit.
    このような可変キャパシタンスは、列回路を含む画素センサ・セルに可変のダイナミックレンジを提供する。 - 特許庁
  • NONVOLATILE MEMORY CELL, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND DESIGN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY CELL
    不揮発性メモリセル、抵抗可変型不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR STORING VARIABLE LENGTH COMMUNICATION CELL
    可変長通信セル蓄積装置及び可変長通信セル蓄積方法 - 特許庁
  • In short, a fixed circuit and variable circuit are designed as a common cell topology, when making the base potential of the memory cell fixed or variable.
    要するに、メモリセルの基体電位を固定または可変にする場合に固定型回路と可変型回路が共通セルトポロジーとして設計される。 - 特許庁
  • To provide techniques for limiting cell reselection in response to a variable channel.
    可変チャネルに応じてセル再選択を制限する技術を提供する。 - 特許庁
  • T CELL RECEPTOR VARIABLE REGION FOR TREATING ANTIPHOSPHOLIPID ANTIBODY SYNDROME
    抗リン脂質抗体症候群治療用Ｔ細胞レセプター可変領域 - 特許庁
  • (4) The tensile force is made variable according to the fuel cell driving condition.
    （４）燃料電池運転条件に応じて引張力を可変とした。 - 特許庁
  • VARIABLE FLOW EJECTOR AND FUEL CELL SYSTEM EQUIPPED WITH IT
    可変流量エゼクタおよび該可変流量エゼクタを備えた燃料電池システム - 特許庁
  • The dispersion parameter αi is a variable showing a dispersion specific to the cell Ci.
    ただし、バラツキパラメータαｉは、セルＣｉ固有のバラツキを表わす変数である。 - 特許庁
  • An ATM cell received by an ATM cell receiving part 102 is supplied to a variable length packet decomposing part 106 after the header is removed by a cell payload decomposing part 104.
    ATM セル受信部102 にて受信したATM セルは、セルペイロード分解部104 にてそのヘッダが取り除かれて可変長パケット分解部106 に供給される。 - 特許庁
  • The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.
    前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁
  • (1) In this fuel cell, the cross sections of the gas passages 27 and 28 in a cell surface are variable, and the cross sections of the gas passages are varied according to a fuel cell load.
    （１）セル面内のガス流路２７、２８の断面積が可変であり、燃料電池負荷に応じてガス流路断面積を変化させた燃料電池。 - 特許庁
  • To quickly execute processing for transferring a plurality of variable length packets including user data and OAM data by multiplexing the variable length packets with an ATM cell.
    ユーザデータとOAMデータを含む複数の可変長パケットをATM セルに多重化して転送する際に、その処理を高速にする。 - 特許庁
  • The variable resistance memory device has a memory cell MC including a tunneling magnetoresistive element TMR and a drive circuit 5A.
    トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲを含むメモリセルＭＣと、駆動回路５Ａを有する。 - 特許庁
  • In a semiconductor memory device, the memory cell MC has a diode DI and a variable resistance element VR serially connected.
    メモリセルＭＣは、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなる。 - 特許庁
  • A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistive element.
    メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され可変抵抗素子を有する。 - 特許庁
  • To form a cell shape base station in a micro-cell base station by extending the micro-cell base station of a variable cell shape in the macro-cell, and to effectively relieve the load on a macro-cell base station such as reduction in a dynamic range required to the macro-cell base station.
    マクロセル基地局のエリア内にマイクロセル基地局を増設する場合において、マクロセルの回線制御とは独立した可変エリアの自律分散マイクロセル基地局を増設すると、各々のマイクロセル基地局周辺の局所的な最適化によるマイクロセルエリア構成しかできない。 - 特許庁
  • NONVOLATILE MEMORY CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING THE NONVOLATILE MEMORY CELL
    不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁
  • In another example, a resistance of the memory cell (the first state variable) measured at a relatively low voltage may be independent of a threshold voltage (the second state variable) of the same memory cell.
    別の例では、相対的に低い電圧で計測されるメモリ・セルの抵抗（第１の状態変数）は、同じメモリ・セルの閾値電圧（第２の状態変数）と独立にすることができる。 - 特許庁
  • The first node of each memory cell and the second node which is the other end of the variable resistance element of this memory cell are connected to the bit lines different from each other.
    各メモリセルの第１ノードと、このメモリセルの抵抗変化素子の他端である第２ノードとは別々のビット線と接続される。 - 特許庁
  • A plurality of memory cell arrays are provided with a memory cell constituted of a variable capacitor and a bit wire while the arrays are operated with mutually different timings.
    複数のメモリセルアレイは、可変容量キャパシタで構成されたメモリセルとビット線とを有しており、互いに異なるタイミングで動作する。 - 特許庁
  • A distance 11 between the outer periphery of the cell divided wheel and the inside wall of the hollow is variable.
    セル区画ホイールの外周と空胴の内壁との間の距離１１は、変更可能である。 - 特許庁
  • A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistance element.
    メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され且つ可変抵抗素子を有する。 - 特許庁
  • A neutral point 14 of each fuel cell stack 13 is grounded 16 through a variable resistor 15.
    燃料電池スタック１３の中性点１４は、可変抵抗１５を介して接地１６されている。 - 特許庁
  • Thus, it is possible to obtain a binary variable f(x, y) of the brightness of each cell in an output image.
    これにより、出力画像における各セル毎の明るさの２値化変数ｆ（ｘ，ｙ）を得る。 - 特許庁
  • The variable optical attenuator has a base 2, a liquid crystal cell 40, and a pair of collimator lens arrays 50.
    可変光減衰器は、ベース２と、液晶セル４０と、一対のコリメータレンズアレイ５０とを備える。 - 特許庁
  • The variable resistance memory device has bit lines BL, a plurality of plate lines PL, and a memory cell in which a variable cell resistance Rcell and an access transistor AT are connected in series between a corresponding plate line PL and a corresponding bit line BL.
    ビット線ＢＬと、複数のプレート線ＰＬと、可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴを、対応するプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルを有する。 - 特許庁
  • In the memory cell MC, variable cell resistance Rcell having a resistance value varying in response to an application voltage and an access transistor AT are connected in series to each other.
    メモリセルＭＣは、印加電圧に応じて抵抗値が変化する可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴとが直列接続されている。 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus for producing a resistance variable memory cell or resistance variable material with improved data retention characteristics and higher switching speeds.
    高いデータ保持特性および高い切替速度を有する可変抵抗メモリセルや可変抵抗材料を製造するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • The non-volatile memory cell has a variable magneto-resistance element as a memory element to store information with the non-volatile mode according to a resistance value of the variable magneto-resistance element.
    この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 - 特許庁
  • To provide a decision variable calculation unit in a mobile communication system, that can reduce power required for decision variable calculation so as to attain high-speed cell searching.
    決定変数計算に必要な電力を低減し、高速のセル探索が可能な移動通信システムにおける決定変数計算装置を提供すること。 - 特許庁
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