「variation margin」を含む例文一覧(81)
1 2 次へ＞- To suppress the reduction of margin due to variation factors of a process.
プロセスの変動要因により生じるマージンの減少を抑える。 - 特許庁 - To compress a supply voltage variation margin needed for operation of a circuit by suppressing variation in supply voltage.
電源電圧の変動を抑え、回路の動作に必要な電源電圧変動マージンを圧縮する。 - 特許庁 - Um, mr. bray, take a look at this color variation in the inferior margin of the left side of the mandible.
ブレイくん これを見てくれる 左下顎の 下縁の色が変色してるわ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書 - To minimize the amount of variation of a margin even if a recording paper is caused to skew.
記録紙のスキューが生じた場合でも，余白の変動量を最小限に抑える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which can avoid the variation in margin when reading the data.
データ読み出し時のマージンの変動を回避可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To form a desired margin at a trailing edge of recording paper without depending on conveyance speed variation.
搬送速度変動に依存することなく、記録用紙の後端部に所望の余白を形成する。 - 特許庁 - Namely, the variation in brightness has a margin to that in the focal length f and the optical distance S.
即ち、焦点距離ｆ及び光学距離Ｓの変動に対して、輝度変化のマージンがある。 - 特許庁 - To decrease a variation of a phase margin of a series regulator circuit associated with magnitude discrepancy of a load L.
負荷Ｌの大きさの相違に伴うシリーズレギュレータ回路の位相余裕の変化量を低減する。 - 特許庁 - To prevent over-margin and margin-less of operation margin of an internal circuit by optimizing an internal voltage drop level adjusting to condition variation such as process, temperature, and the like.
プロセス、温度などのコンディション変動に合わせて内部降圧レベルの最適化を行うことで、内部回路の動作マージンのオーバーマージン化や、マージンレス化を防ぐことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a clock wiring method which reduces variation in a timing margin for data transmission between flip-flops even if OCV (on-chip variation) exists.
ＯＣＶがあっても、フリップフロップ間のデータ伝達に対するタイミングマージンの変動を少なくすることのできるクロック配線方法を提供する。 - 特許庁 - To enhance the reliability of driving by eliminating the reduction of a voltage margin due to the variation of a discharge start voltage.
放電開始電圧のバラツキによる電圧マージンの縮小を解消し、駆動の信頼性を高める。 - 特許庁 - Even upon a process variation, the saturation margin Vdsm_Q5 of the transistor Q5 thus remains unchanged.
したがって、プロセス変動があった場合でも、トランジスタＱ５の飽和マージンＶｄｓｍ＿Ｑ５は変化しない。 - 特許庁 - When the power supply voltage variation is small, a delay analysis based on the detailed power supply variation analysis can be omitted only by adding a fixed margin.
電源電圧変動が小さい場合は、一定のマージンを加えるだけで詳細な電源変動解析に基づく遅延解析を省略することができる。 - 特許庁 - To provide a cathode ray tube in which horizontal unbalance of a DY margin is improved and to provide its manufacturing method so as to reduce the power consumption and extend a margin in manufacturing variation.
ＤＹ余裕の左右アンバランスが改善される陰極線管及びその製造方法を得、消費電力低減、製造バラツキに対する余裕度を拡大させる。 - 特許庁 - To improve static noise margin even when there are variation in transistor characteristic and operating environment.
トランジスタ特性のばらつきや動作環境の変化があっても、スタティックノイズマージンを改善することができるようにする。 - 特許庁 - To suppress variations of holding margin for a vibration proof member in a bracket while absorbing dimensional variation of a heat exchanger.
熱交換器の寸法のバラツキを吸収しつつ、ブラケットにおける防振部材の押さえ代のバラツキを抑制する。 - 特許庁 - Further, since variation in frictional force is reduced, variation in fastening torque is reduced, and the margin with respect to the high-pressure sealing property between the nozzle body 48 and the valve body 20 is improved.
さらに、摩擦力のバラツキも低下するので、締付トルクのバラツキを低下でき、ノズルボディ４８と弁ボディ２０との間の高圧シール性に対する余裕度が向上できる。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating electronic components capable of compensating a threshold voltage variation caused by a variation in a critical dimension of a gate electrode to secure a process margin and reduce defects.
ゲート電極の臨界ディメンションの変化によるスレッショルド電圧変動を補償して工程マージン確保と不良減少が可能な電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since variation in saturation current decreases even if a temperature variation occurs in the power semiconductor switching element 1, various protection control can be executed with less margin.
これにより、パワー半導体スイッチング素子１の温度変化が生じても、その飽和電流の変化が減少するため、各種保護制御を少ないマージンで実行することができる。 - 特許庁 - To provide a mask for processing of large process margin and small variation in a method of producing the mask.
本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。 - 特許庁 - To reduce a driving current and to make a margin for temperature variation large while minimizing the influence of optical noise.
光ノイズの影響を最小限に抑えつつ、駆動電流を少なくしたり、温度変動に対するマージンを大きくする。 - 特許庁 - To prevent reduction of operation margin of a sense amplifier by compensating variation factors such as manufacturing process, power supply voltage, junction temperature.
製造プロセス、電源電圧、接合温度等の変動要因を補償して、センスアンプの動作マージンの低下を防止する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that is capable of preventing reduction of a sense margin of an amplifier due to a variation of threshold voltage of a field effect transistor (FET).
ＦＥＴの閾値電圧の変動に起因するアンプのセンスマージンの低下を防止可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an index sensor having sufficient margin, for generating large variation of magnetic flux density resulting from rotation of a steering shaft.
ステアリングシャフトの回転により大きな磁束密度の変化を発生させ、十分なマージンを有するインデックスセンサを提供する。 - 特許庁 - As a result, when the delay variation value does not exceed a margin, the timing need not be verified again, and therefore the design time can be reduced.
その結果、遅延変動値が余裕度を超えない場合は再度のタイミング検証を行わずにすむので、設計時間を短縮できる。 - 特許庁 - To improve a speed of printing an image, to reduce a margin and to prevent lowering of printing quality due to variation of a conveyance speed of a recording paper.
印画速度の向上と余白の減少とを実現し、記録紙の搬送速度のムラによるプリント品質の低下を防止する。 - 特許庁 - To provide a detector for detecting the residual quantity of ink in which the margin (tolerance limit) is enhanced for variation in the shape of components or the fixing position.
部品形状等のバラツキや、取付け位置のバラツキに対するマージン（許容限度）を向上させたインク残量検出装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress the through current of a data bus buffer without spoiling operational margin and to reduce unwanted radiation caused by potential variation on a data bus.
動作マージンを損なうことなくデータバスバッファの貫通電流を抑制し、またデータバス上の電位変化による不要輻射を低減する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device for improving the variation margin of CMP, reducing a recess, and improving MOS characteristics.
ＣＭＰのばらつきマージンを向上させ、リセスを低減しＭＯＳ特性の向上を図れる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To enable enlarging margin for variation of a transistor property and an operating frequency, improving reliability, and increasing drive speed, by achieving stability of width of an output waveform.
出力波形の幅の安定化を実現し、トランジスタ特性や動作周波数の変化に対するマージン拡大、高信頼性化、高速駆動化を可能にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device comprising an MIM capacitor element having a small variation of capacitance and a large margin of current leak, and its fabricating method.
容量値のばらつきが小さく、電流リークのマージンが大きなＭＩＭキャパシタ素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which can increase an operation margin by reducing characteristic variation of a variable resistance element, and to provide a method of manufacturing the same.
可変抵抗素子の特性バラツキを低減することで、動作マージンを大きくすることが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To attain a stable and highly reliable display capable of ensuring high-duty matrix driving by enlarging operational margin with respect to variation of liquid crystal layer thickness d.
液晶層厚ｄの変動に対する動作マージンを大きくしてハイデューティのマトリクス駆動ができる安定かつ高い信頼性の表示を達成する。 - 特許庁 - An adjustment amount decision means 4 decides a size adjustment amount of the device concerned which satisfies the margin adjustment value based on device information 5 which shows a relation of the size adjustment amount of the device accompanying the margin variation of the device contained in the selected cell.
調整量決定手段４は、選択されたセルに含まれるデバイスのマージン変動に伴うデバイスのサイズ調整量の関係を示すデバイス情報５に基づいて、マージン調整値を満たす当該デバイスのサイズ調整量を決定する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which operation margin of a sense amplifier can be improved by canceling variation of a manufacturing process of threshold voltage of a MOS transistor and property variation of a single-ended sense amplifier due to temperature dependency.
ＭＯＳトランジスタの閾値電圧の製造プロセスの変動や温度依存性によるシングルエンドセンスアンプの特性変動をキャンセルすることができ、以って、センスアンプの動作マージンを向上させることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To increase a margin of shape, to heighten light distribution controllability and a prevent drastic variation in light quantity from being caused with respect to an optical sheet and a liquid crystal display device.
光学シート及び液晶表示装置に関し、形状マージンを大きくするとともに、配光制御性を高くし且つ急激な光量変化が発生しにくくする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which uses single-ended sense amplifiers to prevent a malfunction caused by variation distribution of the threshold voltages of transistors, while securing a satisfactory sensing margin.
シングルエンド型のセンスアンプを用い、トランジスタの閾値電圧のばらつき分布に起因する動作不良を防止して良好なセンスマージンを確保し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, the margin for variation of a focus movable region of the turntable 3 and the optical pickup 4 can be secured, and recording and reproducing can be performed even if there is unexpected wobbling disk.
したがってターンテーブル３や光ピックアップ４のフォーカス可動域のバラツキに対するマージンを確保することができ、予想外の面振れディスクでも記録や再生が可能になる。 - 特許庁 - To improve a margin with respect to high-pressure sealing property between a nozzle body and a valve body by reducing frictional force in fastening a retaining nut to reduce variation in fastening torque.
リテーニングナット締付の摩擦力を低減して締付トルクのばらつきを減少させ、以ってノズルボディと弁ボディとの間の高圧シール性に対する余裕度を向上する。 - 特許庁 - To solve the following problem of hold time verification between registers: variation of a clock delay time is set as a design margin from a statistical delay error of simulation and an actual device, and clock delay becomes large to increase the design margin or design man-hours, and a chip size.
レジスタ間のホールドタイム検証において、クロック遅延時間のばらつきをシミュレーションと実デバイスとの統計的な遅延誤差から設計マージンとして設定しているが、クロック遅延が大きくなり、設計マージンや設計工数及びチップサイズが増大するのを解決する。 - 特許庁 - To provide constitution capable of easily executing the adjustment of data write-in current quantity for securing the predetermined write-in margin by compensating the variation of magnetic characteristics caused by the variation of manufacturing in an MRAM device including an MTJ memory cell.
ＭＴＪメモリセルを備えるＭＲＡＭデバイスにおいて、製造ばらつきに起因する磁気特性の変動を補償して所定のデータ書込マージンを確保するための、データ書込電流量の調整を容易に実行可能な構成を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal panel, which suppresses gap unevenness due to temperature variation and display unevenness due to stress strain, and has a larger margin against gap variation, higher reliability to vibrations and a shock, and higher position precision of spacers, and its manufacturing method.
温度変化によるギャップムラや応力ひずみによる表示ムラを抑制し、ギャップ変化に対するマージンを大きくし、振動、衝撃に対する信頼性を高め、スペーサの位置精度を高めることができる液晶パネル及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - Accordingly, the compressed gas is ejected from the air nozzle located in the required position in accordance with a variation in various conditions, such as the leading margin of the sheet and image density, then, the gas is prevented from being uselessly ejected.
このため、シートの先端余白や画像濃度等の諸条件の違いに応じて、必要な部位のエアーノズルから圧搾気体を吐出することで、無駄な吐出を省くことができる。 - 特許庁 - To provide a positive type photoresist composition excellent in shelf stability and further excellent in close adhesion, margin for exposure, variation of sensitivity with the elapse of time, or the like in production of a semiconductor device.
半導体デバイスの製造において、保存安定性に優れ、更には、密着性、露光マージン、経時感度変動等にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - To prevent an increase in power consumption or unnecessary radiation caused by an excessive high-frequency current considering a margin generated by variation in a conventional semiconductor laser high-frequency superimposing method.
従来の半導体レーザの高周波重畳方法においては、ばらつきによるマージンを考慮した過度の高周波電流により消費電力や不要輻射の増大を伴う。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device in which read-out accuracy can be secured sufficiently without providing sufficient sense time margin when dispersion of temperature variation and transistor characteristics is caused.
温度変化,トランジスタ特性のばらつきがあったときに、十分なセンス時間マージンを取らなくても、読み出し精度を十分に確保できる不揮発性半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To relatively easily obtain a predetermined fine and high integration transfer pattern with high accuracy by increasing a focus margin in photolithography and significantly reducing influences of process fluctuation on dimensional variation.
フォトリソグラフィーにおけるフォーカスマージンを大きくし、プロセス揺らぎの寸法変動への影響を大幅に緩和して、比較的容易に精度良く所期の微細且つ高集積の転写パターンを得る。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition having an improving effect on a margin for exposure (particularly a margin for exposure through a repetitive pattern, a so-called dense pattern) in the production of a semiconductor device, that is, suppressing the variation of the line width of the isolated lines of a dense line pattern when light exposure amounts are varied.
半導体デバイスの製造において、露光マージン（特に繰り返しパターン、いわゆるdenseパターンの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、denseラインパターン孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁 - That is, deterioration of the margin to the back-gate voltage is restrained by prescribing average film thickness so that shift of back-gate voltage dependency is in a small range to relative film thickness variation, or by prescribing film thickness variation also in average film thickness wherein shift of back gate voltage dependency is large to relative film thickness variation.
つまり、相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが小さい範囲となるように、平均膜厚を規定するか、あるいは相対膜厚変化に対してバックゲート電圧依存性のシフトが大きい平均膜厚においても、膜厚変動を規定することによってバックゲート電圧に対するマージンの劣化を抑制する。 - 特許庁 - To solve the problem that the clock signal delay variation increases to reduce the operation margin due to the transistor driving power deterioration when partly stopping unwanted clock signals according to the operating condition for reducing the power.
電力低減のため動作状態に応じて不要なクロック信号を部分的に停止させる場合、トランジスタ駆動能力劣化によりクロック信号遅延ばらつきが増加し動作マージンが減少する。 - 特許庁
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