「x-ray surface diffraction」を含む例文一覧(121)
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金属材表面酸化物の測定方法およびＸ線回折装置 - 特許庁 - When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed.
表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。 - 特許庁 - When the integrated intensity of X-ray diffraction of a (220) plane on the inner surface of the electrode is I(220) and the integrated intensity of X-ray diffraction of a (111) plane is I(111), the electrode satisfies I(220)/I(111)≥0.41.
この電極の内面における(220)面のX線回折の積分強度をI(220)、(111)面のX線回折の積分強度をI(111)とするとき、この電極は、I(220)/I(111)≧0.41を満たす。 - 特許庁 - Furthermore, a ratio of an X-ray diffraction peak on the surface (001) of fluorocarbon with respect to the X-ray diffraction peak of a surface (002) of the non-fluoride carbon component is 30 or larger and 50 or smaller.
かつ、フッ化炭素の（００１）面のＸ線回折ピークの、未フッ化の炭素成分の（００２）面のＸ線回折ピークに対する比が３０以上、５０以下である。 - 特許庁 - Further, the X-ray diffraction peak ratio between the ζ-phase and δ1 phase, (ζ/δ), is made to <0.2 or the area ratio of the ζ-phase in the surface layer is made to <10%.
また、ζ相とδ_1相のX線回折ピーク比率（ζ/δ）が0.2未満、あるいは表層のζ相面積率が10%未満である。 - 特許庁 - A surface 24A of a test specimen 24 is irradiated with X-ray and a strain of the test specimen 24 is measured from a diffraction angle 2θ of the diffracted X-ray transmitting through the test specimen 24.
試験片２４の表面２４ＡにＸ線を照射し、試験片２４を透過した回折Ｘ線の回折角２θから試験片２４のひずみを測定する。 - 特許庁 - Intensity (I) of a (200) plane obtained by X-ray diffraction of a rolled surface, after it is recrystallized through annealing satisfies I/I0<20, where (I0) is the intensity of the (200) plane obtained by X-ray diffraction of fine powder copper.
焼鈍を行って再結晶組織にした後の圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ_０）に対し、 Ｉ／Ｉ_０＜２０である。 - 特許庁 - To surely obtain an X-ray diffraction profile derived from a thin film formed on the surface of a base material having a periodic structure in which a crystal structure or a molecular structure is oriented in a specific direction, by the X-ray diffraction measurement.
Ｘ線回折測定により、結晶構造または分子構造が特定方向に配向した周期構造を有した基材表面に形成された薄膜由来のＸ線回折プロファイルを確実に得る。 - 特許庁 - The integrated intensity of X-ray diffraction on a rolled surface of the copper alloy satisfy the relations (1): 30≤(I/I_0{220})/(I/I_0{200})≤95 and (2) 0.36≤2×(I/I_0{111})+(I/I_0{311})≤0.48.
（１）３０≦（Ｉ／Ｉ_0｛２２０｝）／（Ｉ／Ｉ_0｛２００｝）≦９５、（２）０．３６≦２×（Ｉ／Ｉ_0｛１１１｝）＋（Ｉ／Ｉ_0｛３１１｝）≦０．４８ - 特許庁 - In the expression, I{420} represents an X-ray diffraction intensity of a crystal face {420} on the plate surface of the copper alloy plate material, and I_0{420} represents an X-ray diffraction intensity of the crystal face {420} of a standard powder of pure copper.
Ｉ｛４２０｝／Ｉ_0｛４２０｝＞１.０ ……（１） ここで、Ｉ｛４２０｝は当該銅合金板材の板面における｛４２０｝結晶面のＸ線回折強度、Ｉ_0｛４２０｝は純銅標準粉末の｛４２０｝結晶面のＸ線回折強度である。 - 特許庁 - In the expression, β is an angle defined by an incident plane of the incident X-ray and one direction in a surface of the transparent support, and I is diffraction intensity at 2θ=8° in an X-ray diffraction chart measured at the angle β.
上記式中、βは、入射するＸ線の入射面と前記透明支持体面内のある１方向とのなす角度であり、Ｉは、角度βで測定したＸ線回折チャートにおける２θ＝８°での回折強度である。 - 特許庁 - Next, by an in-plane method as one type of the X-ray diffraction method, the lattice surface interval of the horizontal surface direction of the thin film is measured, and distortion ε is determined.
次に、Ｘ線回折法の一種であるin-plane法により、薄膜の水平面方向の格子面間隔を測定し、ひずみεを求める。 - 特許庁 - Related to the coat 12, A/B is 1 or higher for an X-ray diffraction pattern, where A is a peak intensity on (111) surface while B is a peak intensity on (220) surface.
皮膜１２は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上である。 - 特許庁 - Related to silicon carbide, A/B is 1 or higher for an X-ray diffraction pattern, where A is a peak intensity on (111) surface while B is a peak intensity on (220) surface.
かつ，炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上である。 - 特許庁 - (Step 1) A X-ray diffraction pattern of a titanium surface is measured in an condition that an X-ray incident angle is maintained at a low angle of two degree or less, which is in an initial state before maintaining it in an atmospheric environment.
（ステップ１）Ｘ線入射角度を２度以下の低角度に保った条件で大気環境中保持前である初期状態のチタン表面のＸ線回折図形の測定を行う。 - 特許庁 - To provide an X-ray analyzing method for accurately obtaining X-ray diffraction data even from a contaminated destructed surface to enable the judgment of a destruction cause and an apparatus adapted thereto.
汚染された破壊面からでもＸ線回折情報を精度良く得ることにより、破壊原因の判定を可能にするＸ線解析方法及びその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - An Ni_3Sn_4 film, in which the thin film X-ray diffraction peak intensity ratio between SnO and Ni_3Sn_4, that is, SnO/Ni_3Sn_4 satisfies ≤0.046, is formed on the surface of a metal plate.
金属板の表面に、SnＯとNi_3Sn_4の薄膜Ｘ線回折ピーク強度比SnＯ／Ni_3Sn_4が0.046以下を満足するNi_3Sn_4系皮膜を形成する。 - 特許庁 - In the carbon power, it is preferable to have <3370 nm distance between surface (d002) of the graphite layers measured by the X-ray diffraction method.
炭素粉末は、Ｘ線回折法による黒鉛層間の面間隔（ｄ００２）が０．３３７０ｎｍ未満であることがより好ましい。 - 特許庁 - When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane and a diffraction peak other than the diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane are observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.
表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 - 特許庁 - In an X-ray diffraction chart made out by irradiating the thin diamond film layer, the diffraction peak intensity on the (110) surface of W exceeds 100 times that on the (200) surface of Cu.
ダイヤモンド薄膜層にＸ線を照射して得られるＸ線回折チャートにおいて、Ｗの（１１０）面の回折ピーク強度がＣｕの（２００）面の回折ピーク強度の１００倍以上である。 - 特許庁 - In the sample fixing method of X-ray diffraction measurement, a sample is pasted to one surface of a base having a hollow exceeding an X-ray irradiation area for irradiating the sample with X rays from a target and capturing and counting diffracted X rays from the sample.
Ｘ線回折測定における試料固定方法は、ターゲットからＸ線を試料に照射し、試料からの回折されたＸ線を捕捉して計数するために、Ｘ線照射面積を越える中空を有する土台の片面に試料を貼るものである。 - 特許庁 - To provide an X-ray diffraction device which has exceedingly high resolution and also can acquire an X-ray diffraction image with high intensity, by enabling both cylindrical surface conversion processing and time delay integration processing to be performed in the same arithmetic control process.
円筒面変換処理と時間遅延積分処理との両方を同じ演算制御過程内で行うことを可能にすることにより、極めて分解能が高く、しかも強度の高い回折Ｘ線像を得ることができるＸ線回折装置を提供する。 - 特許庁 - Among the (111) crystal planes observed by X-ray diffraction of the surface layer, the proportion occupied by those having orientation angle of 67.5° or larger is 80% or more.
表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％以上である。 - 特許庁 - An Sn-based film which satisfies a thin-film X-ray diffraction peak intensity ratio FeSn/FeSn_2 of FeSn to FeSn_2 in the Sn-based film of 2.4 or larger is formed on a surface of a stainless steel.
ステンレス鋼の表面に、Sn系皮膜中のFeSnと、FeSn_2の薄膜Ｘ線回折ピーク強度比FeSn／FeSn_2が2.4以上を満足するSn系皮膜を生成する。 - 特許庁 - In this X-ray diffraction device, an incident part 110 and an emission part 150 both of which are formed of glass are provided at the wall surface of the sample chamber 100 and a first shading member 300 is arranged in the sample chamber 100.
この装置は、試料室100の壁面にガラス製の入射部110と出射部150とを備え、試料室100内に第一遮蔽体300が配置される。 - 特許庁 - Zirconium hydroxide having an X-ray diffraction pattern exhibiting amorphous characteristics and a BET specific surface area of 250 m^2/g or more is prepared.
水酸化ジルコニウムを、Ｘ線回折パターンが非晶質の特徴を示し、かつ２５０ｍ^２／ｇ以上のＢＥＴ表面積を有するものとする。 - 特許庁 - Among the (111) crystal planes observed by X-ray diffraction of the surface layer, the proportion of those having orientation angles of 67.5° or larger is less than 80%.
表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％未満である。 - 特許庁 - The -Z surface of the quartz Lambert's ore is angularly measured by a conventional X-ray diffraction device and the Z-axis is rotated by an angle (38°13'-θ) centering around the X-axis on the basis of the r-surface to cut the quartz Lambert's ore in parallel to the obtained surface.
補助ブロックの−Ｚ面を従来のＸ線回折装置で測角し、そのｒ面を基準にＸ軸を中心にＺ軸を角度（３８°１３′−θ）回転させ、得られた面に平行に水晶ランバード原石を切断する。 - 特許庁 - When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a primary diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed as the diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, and no other primary diffraction peaks having diffraction intensity of 10% or more that of the primary diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane is observed.
表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されない。 - 特許庁 - When a theoretical diffraction X-ray intensity distribution is calculated based on a diffraction surface normal distribution function P by using overlapped orientation density distribution functions to which periodicity is given as the diffraction surface normal distribution function P(ϕ), its rocking curve reflects excellently an actual diffraction phenomenon.
回折面法線分布関数Ｐ（φ）として，配向密度分布関数を周期化し，かつ，重ね合わせたものを用いることにより，この回折面法線密度分布関数Ｐに基づいて理論的な回折Ｘ線強度分布を計算すると，そのロッキングカーブは，現実の回折現象を良く反映したものになる。 - 特許庁 - An X-ray residual stress measuring method, which comprises a means for depositing a metal film of a known X-ray diffraction angle over a surface of a measured object, and a means for measuring a residual stress by irradiating the measured object surface with X rays, executes the X-ray residual stress measurement as holding the metal film deposit over the measured object surface.
測定対象物の表面にＸ線回折角度が既知の金属の膜を付着させる手段と、測定対象物表面にＸ線を照射して残留応力を測定する手段とからなるＸ線残留応力測定方法において、測定対象物表面に金属膜を付着させた状態でＸ線により残留応力測定することを特徴とするＸ線残留応力測定方法。 - 特許庁 - To provide a polychrometer discriminating light of a plurality of desired wavelengths contained in a soft X ray incident to a device and forming an image on a detection device or a photosensitive substance surface, in a soft X ray range of a few kilo-electron volts wherein a conventional diffraction grating spectroscopic device is not practicable.
本発明は、従来回折格子分光器が実用とならなかった数keVの軟X線領域において装置に入射する軟Ｘ線光に含まれる複数の所望の波長の光を分別し検出器または感光物質面に結像させうる多色計（ポリクロメータ）を提供するものである。 - 特許庁 - The W sputtering target is characterized in that a half band width of a peak corresponding to a crystal plane (110) of the target is 0.35 or less when a surface of the target to be sputtered is analyzed by X-ray diffraction.
Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - When the center axis of an X-ray polygon crystal 7 is set to [0, 1, -1] of a silicon single crystal, a surface index enabling geometric reflection becomes xhh and a large number of reflecting surfaces are obtained according to an extinction rule of X-ray diffraction of a diamond structure.
Ｘ線ポリゴン結晶７の中心軸をシリコン単結晶の〔０，１−１〕とすると、幾何学的に反射可能な面指数がｘｈｈとなり、ダイヤモンド構造のＸ線回折の消滅則に従えば、多数の反射面が得られる。 - 特許庁 - A pellet is obtained by cutting polyethylene terephthalate with an intrinsic viscosity of 0.70 dl/g or higher, whose diffraction peak intensity ratio of surface (100) and surface (110) is 1.4 or higher and 2.4 or lower when measured by the X-ray diffraction of the cut surface.
固有粘度が０．７０ｄｌ／ｇ以上のポリエチレンテレフタレートを切断して得られるペレットであって、そのカット面のＸ線回折により測定した（100）面と（110）面の回折ピーク強度比が１．４以上２．４以下であることを特徴とするポリエチレンテレフタレート樹脂ペレット。 - 特許庁 - This silicon steel sheet has an extra-thin ceramic film consisting of crystallites having dominantly such orientations that a ratio of diffraction peak intensity (222)/(200) by X-ray diffraction can be 1.2 or higher, which is coated on the surface of the grain-oriented silicon steel sheet that has been finish-annealed.
仕上げ焼鈍済の一方向性珪素鋼板の表面に、Ｘ線回折による（２２２）／（２００）回折ピーク強度比が1.2 以上に優先配向した結晶質に成る、極薄セラミック被膜を被成する。 - 特許庁 - In the crystal orientation characteristics of a metal measured by X-ray diffraction of the metal mask, the ratio of the peak intensity of a surface (220) to the sum of the peak intensities of a surface (111), a surface (200) and a surface (220), is 0.05 to less than 0.4.
メタルマスクのＸ線回折により測定したメタルの結晶の配向性において、（１１１）面、（２００）面及び（２２０）面ピーク強度の合計に対する（２２０）面のピーク強度比が０．０５以上、０．４未満になるようにする。 - 特許庁 - The ceramic substrate for the wafer prober with a chuck top conductor layer formed on the surface thereof is provided, wherein an X-ray diffraction chart of the ceramic substrate, in addition to a peak of the ceramic constituting a main crystal phase thereof, a peak of carbon is detected to an angle of X-ray diffraction of 2θ=44 to 45°.
その表面にチャックトップ導体層が形成されてなるセラミック基板において、前記セラミック基板のＸ線回折チャートにおいて、主結晶相を構成するセラミックのピークの他に、Ｘ線回折角度２θ＝４４〜４５°にカーボンのピークが検出されることを特徴とするウエハプローバに使用されるセラミック基板。 - 特許庁 - Each of the feed material 11 and the seed material 12 has a surface layer containing polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C, and when the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane is observed.
フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、かつ、表層のＸ線回折により（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察されるものである。 - 特許庁 - On the surface of steel, a rust layer in which the size of crystallites of β-FeOOH components is ≤50 nm by an X-ray diffraction method is formed, and also, the specific surface area of the rust layer is controlled to ≥10 m2/g by a molecular adsorption method.
鋼材の表面に、β−FeOOH成分の結晶子サイズがＸ線回折法で５０nm以下の錆層を形成させ、且つ該錆層の比表面積を分子吸着法で１０m^2/g以上とする。 - 特許庁 - The piezoelectric layer 5B in the peripheral area has a rocking curve half-value width of X-ray diffraction, which is less than or equal to two degrees, and a surface roughness indicated by RMS fluctuations of the top surface height of the base, which is less than or equal to 2 nm.
周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁 - The method for X-ray analysis of the sample includes directing of a beam of X-rays to impinge on an area of the periodic feature on the surface of the sample, and receiving the X-rays scattered from the surface in a reflection mode so as to detect a diffraction spectrum in the scattered X-rays as a function of the azimuth.
試料をＸ線解析する方法は、試料の表面上の周期構造の領域に衝突するようにＸ線ビームを方向付け、方位角の関数として散乱Ｘ線の回折スペクトルを検出するように反射モードで表面から散乱したＸ線を受け取ることを含む。 - 特許庁 - The displacement of a crystal atom is determined by analyzing an intensity profile of X-ray CTR scattering appearing on both sides in the vertical direction on the surface of an X-ray diffraction peak, and the stress generated in the hetero interface between the crystal and the different kind of material is evaluated from the result.
Ｘ線回折ピークの表面垂直方向両側に出現するＸ線ＣＴＲ散乱の強度プロファイルを解析して結晶原子の変位量を求め、その結果から結晶と異種物質とのヘテロ界面の生じる応力を評価する。 - 特許庁 - In the protective film 9, a peak is present at a diffraction angle, between a diffraction angle at which a peak generates when only one oxide of two oxides is analyzed in X-ray diffraction analysis on a specific azimuth surface and a diffraction angle at which a peak generates, when only the other oxide is analyzed.
保護膜９は、特定方位面についてのＸ線回折分析において、２つの酸化物の一方の酸化物単体を分析したときにピークが発生する回折角と、他方の酸化物単体を分析したときにピークが発生する回折角との間の回折角に、ピークが存在するものである。 - 特許庁 - A carbon material for the electric double-layer capacitor electrode uses oil raw coke as a raw material, such that a graphite-like crystal structure parameter (Ip/Io) at a diffraction peak of a (002) surface of an X-ray diffraction intensity curve is >0.3 and ≤0.8.
Ｘ線回折強度曲線の（００２）面の回折ピークにおける黒鉛的結晶構造パラメーター（Ｉｐ／Ｉｏ）が０．３＜Ｉｐ／Ｉｏ≦０．８である石油生コークスを原料とする電気二重層キャパシタ電極用炭素材。 - 特許庁 - In the Mex layer, an index QI regulated by a ratio of diffraction strength I(200) and I(100) which are allotted on a (200) surface and a (111) surface is selected to be not less than 1, in the X-ray diffraction of material using a θ-2θ method.
ＭｅＸ層において、θ−２θ法を使用する材料のＸ線回折において（２００）面および（１１１）面にそれぞれ割当てられる回折強度Ｉ（２００）対Ｉ（１１１）の比によって規定される指数Ｑ_Iは、１以上に選択される。 - 特許庁 - In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method.
高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。 - 特許庁 - In the tungsten sputtering target, a crystal orientation ratio (110)/(200) of crystal surfaces (110) and (200) found by X-ray diffraction of a surface to be sputtered is 0.1 to 6.5.
Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a point-diffraction interferometer capable of inspecting surface quality of an extreme ultraviolet lithography optical system using a high-order harmonic X-ray source with excellent coherence.
干渉性が優秀な高次高調波エックス線光源を利用して超紫外線リソグラフィー用光学系の表面品質を検査できるエックス線干渉計測装置を提供する。 - 特許庁 - Through X-ray diffractometry of the surface layer, a primary diffraction peak corresponding to at least one of the (111) crystal plane, (200) crystal plane and (311) crystal plane is observed.
表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。 - 特許庁
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