フェルミ端の英語

前記接合層１３０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層１２０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層１３０の積層構造は設計されている。例文帳に追加

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140. - 特許庁

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。例文帳に追加

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated. - 特許庁

２次元電子層２０を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された一対の金属ゲート１２，１４と、金属ゲート１２，１４に端部間相互がフェルミ波長程度の間隔を空けて接続された一対のカーボンナノチューブ１６，１８とを備えることによって、量子ポイントコンタクト１００を構成する。例文帳に追加

This quantum point contact 100 is provided with a semiconductor substrate 10 having a two-dimensional electronic layer 20, a pair of metallic gates 12 and 14 formed on the semiconductor substrate 10, and a pair of carbon nano-tubes 16 and 18 connected to the metallic gates 12 and 14 so that an interval which is almost Fermi wavelength can be set between their terminals. - 特許庁