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水銀ダメの英語
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定電流電源４により、水銀電極３とＳｉ基板１との間に一定電流を印加すると、Ｓｉ基板１のダメージ層内の捕獲中心に電荷がトラップされて、Ｓｉ基板１の表面付近における伝導帯のポテンシャルが上昇する。例文帳に追加
When a constant current is fed from a constant-current source 4 to between the electrode 3 and substrate 1, charges are trapped at a trap center within the damaged layer of the substrate 1 and a potential of a conduction band in the vicinity of the surface of the substrate 1 is increased. - 特許庁
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