英和商品・サービス国際分類名

特許庁

Silicon carbide [abrasive]

研磨用炭化けい素
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機械工学英和和英辞典

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silicon carbide

炭化珪素

学術用語英和対訳集

ライフサイエンス統合データベースセンター

silicon carbide

炭化ケイ素

JST科学技術用語日英対訳辞書

独立行政法人科学技術振興機構

silicon carbide

炭化ケイ素; シリコンカーバイト; 炭化けい素; シリコンカーバイド; 炭化けい素系; シリコン炭化物; 炭化シリコン

ライフサイエンス辞書

ライフサイエンス辞書プロジェクト

silicon carbide

** シソーラス 共起表現 Scholar, Entrez, Google, WikiPedia
(化合物)
炭化ケイ素, シリコンカーバイド
同義語（異表記）
Crystar
silicon carbide
シリコンカーバイド
炭化ケイ素

日本語WordNet(英和)

日本語WordNet

silicon carbide

名詞

1. 研摩材と熱の耐火物として物質的に使用される非常に固いブルーブラックの結晶化合物（SiC）(an extremely hard blue-black crystalline compound (SiC) used as an abrasive and a heat refractory material)
「silicon carbide」に関する類語一覧

EDR日英対訳辞書

独立行政法人情報通信研究機構

silicon carbide

炭化珪素；炭化ケイ素

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日中韓辭典研究所

silicon carbide

カーボランダム，炭化ケイ素，炭化けい素，シリコンカーバイド，炭化硅素

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silicon carbide

炭化けい素

silicon carbide

炭化けい素

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silicon carbide

炭化ケイ素, 炭化珪素, シリコンカーバイド

silicon carbide

炭化けい素

silicon carbide

シリコン‐カーバイド

Silicon carbide

炭化ケイ素
炭化ケイ素（たんかケイそ、英: silicon carbide、化学式: SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。
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Wiktionary英語版

出典：Wiktionary

silicon carbide

名詞

silicon carbide (複数形 silicon carbides)

  1. (chemistry) A binary compound of silicon and carbon, SiC; it is one of the hardest known materials, and is used as an abrasive, under the trade name Carborundum, and as a refractory material.

ウィキペディア英語版

出典：Wikipedia

Silicon carbide

出典:『Wikipedia』 (2011/07/21 20:54 UTC 版)

英語による解説

ウィキペディア英語版からの引用
引用

Silicon carbide (SiC), also known as carborundum, is a compound of silicon and carbon with chemical formula SiC. It occurs in nature as the extremely rare mineral moissanite. Silicon carbide powder has been mass-produced since 1893 for use as an abrasive. Grains of silicon carbide can be bonded together by sintering to form very hard ceramics which are widely used in applications requiring high endurance, such as car brakes, car clutches and ceramic plates in bulletproof vests. Electronic applications of silicon carbide as light emitting diodes (LEDs) and detectors in early radios were first demonstrated around 1907, and nowadays SiC is widely used in high-temperature/high-voltage semiconductor electronics. Large single crystals of silicon carbide can be grown by the Lely method; they can be cut into gems known as "synthetic moissanite". Silicon carbide with high surface area can be produced from SiO2 contained in plant material.

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