「たいそう」を含む例文一覧(49996)
＜前へ 1 2 .... 990 991 992 993 994 995 996 997 998 999 1000 次へ＞- 半導体装置１０は、半導体チップ１の表裏間を貫通する複数の電源用貫通電極８ａ、グランド用貫通電極８ｂ、信号用貫通電極８ｃを備える。
The semiconductor device 10 includes a plurality of through electrodes 8a for a power source which penetrates between front and rear surfaces of a semiconductor chip 1, through electrode 8b for a ground and a through electrode 8c for a signal. - 特許庁 - 半導体装置の多層配線に多孔質の低誘電率膜を用いることは、多孔質膜の物理的強度が低いことおよび、プロセス中に化学的にも変化しやすいことから実用上困難である。
To solve the problem of difficulties in the practical use of a porous low dielectric constant film for the multilayer wiring of a semiconductor device since the physical strength of a porous film is low and it tends to change chemically in a process. - 特許庁 - 半導体装置のモールドパッケージにおいて用いられるリードフレームにおいて、半導体チップを搭載する部分であるアイランド部を含めて全体に配置されたリードを形成する。
In a lead frame being employed in the mold package of a semiconductor device, leads are arranged entirely including island parts for mounting a semiconductor chip. - 特許庁 - 半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制しつつ、収集電極層を微細な線幅で形成できる裏面接合型の太陽電池を提供する。
To provide a back junction solar cell which can have a collecting electrode layer formed with a fine line width while suppressing damage to a semiconductor layer and a semiconductor substrate. - 特許庁 - 回路を構成する半導体装置の特性ばらつきを、実際の回路構成に即して補正する手段を講じることで、回路シミュレーション精度を向上させる。
To improve the accuracy of circuit simulation by installing a measure of correcting characteristic variations in a semiconductor device being a component of a circuit in keeping with the actual circuit configuration. - 特許庁 - 半導体装置は、半導体チップにそれぞれ接続される専用端子と、半導体チップに共通に接続される共通端子を含む第１端子とを有している。
A semiconductor device has a dedicated terminal connected to each semiconductor chip, and a first terminal including a common terminal connected commonly to the semiconductor chips. - 特許庁 - 無線通信可能な半導体装置において、クロック信号を生成するための基準クロック信号が周期ごとに異なる周波数であった場合においても、安定したクロック信号を生成する。
To generate a stable clock signal, even when a reference clock signal for generating a clock signal has different frequencies in each cycle, in a semiconductor device capable of radio communication. - 特許庁 - 対象物に貼り合わされた後で剥離されると、リーダ／ライタとの間における信号または電源電圧の送受を確実に制限することができる半導体装置の提供を課題とする。
To provide a semiconductor device which can reliably restrict transmission/reception of signals or a power source voltage between a reader/writer when peeled off after laminated on an object. - 特許庁 - また、第２の半導体装置２１の位相調整回路２１ａは、出力回路２０ｃから出力されたパルス信号を参照して、クロック信号の位相を調整する。
A phase adjusting circuit 21a of a second semiconductor device 21 adjusts a phase of a clock signal by referring to the pulse signal outputted from the output circuit 20c. - 特許庁 - 半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施されており、これらが封止材により封止されている請求項１記載の半導体装置。
In the semiconductor device, wire bonding is applied between the semiconductor element and the predetermined position of the conductive metal layer pattern and these are sealed with a sealing material. - 特許庁 - 厚みの薄い金属シリサイド層の形成方法及び同方法を用いて形成した金属シリサイド層を有する半導体装置を提供すること。
To provide a method of forming a metal silicide layer of thin thickness, and a semiconductor device having the metal silicide layer formed by using the method. - 特許庁 - 同じ導電型のチャンネルを形成する閾値の異なる低電圧駆動トランジスタで、閾値調整のためのイオン注入を個別に対応させて行う必要のない半導体装置およびその製造方法を提供する。
To provide a semiconductor apparatus and its manufacturing method which does not require an ion injection for a threshold value adjustment corresponding to each individual in a low voltage driven transistor with a different threshold value to form the same conductive type channel. - 特許庁 - 接続ランド４と配線導体層８との電磁結合が小さいものとなり、接続ランド４部において特性インピーダンスの不整合が発生することを防止することができる。
Since electromagnetic coupling is reduced between the connection land 4 and the wiring conductor layer 8, mismatch of characteristic impedance is prevented from occurring at the connection land 4 part. - 特許庁 - 第３半導体層３は、基本部分３Ｆと、深さ方向において不純物量が基本部分よりも大きくなるように局所的に形成された高不純物量部分３Ｈと含む。
The third semiconductor layer 3 includes a fundamental part 3F and a high impurity amount part 3H formed locally such that the amount of the impurity becomes larger than the fundamental part in a depthwise direction. - 特許庁 - 半導体パッケージの電極と親基板の電極との接合部の強度と信頼性とを向上させる、半導体装置のキャリア基板の電極構造を提供する。
To provide the electrode structure of the carrier substrate of a semiconductor device for improving the strength and reliability of the junction of the electrode of a semiconductor package and the electrode of a master substrate. - 特許庁 - 基板の形状や大きさの制限に合わせて不揮発性半導体素子などを配置しつつ、その性能特性の劣化を抑えることができる半導体装置を提供すること。
To provide a semiconductor device capable of suppressing the deterioration of its performance characteristics while arranging a nonvolatile semiconductor element and the like according to the limitation on the shape and size of a substrate. - 特許庁 - 下側プラグを大きくする必要がなく、また、上側コンタクトホールをより大きな径にすることができる、半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can eliminate the need for making a lower-side plug large, and can increase the diameter of a upper-side contact hole. - 特許庁 - 同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
To reduce burning of liquid crystal or deterioration in characteristic without adding a mask in a semiconductor device including a pixel electrode and a gate wire on the same interlayer film. - 特許庁 - 記憶素子をなすＥ−ＦＵＳＥ素子に対する書込みを高精度で行い、書込み後に安定したＥ−ＦＵＳＥ素子特性を得ることができる半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device that performs writing to an E-FUSE element forming a storage element with high precision and has stable E-FUSE element characteristics after the writing. - 特許庁 - 半導体チップの損傷を防止し、半導体装置内部への水分の浸入を防止し、簡単かつ確実に基板フレームと封止樹脂等の密着性の向上等を図る。
To improve adhesiveness between a substrate frame and sealed resin simply and securely by preventing a semiconductor chip from being damaged and further preventing water from getting into a semiconductor device. - 特許庁 - 平坦な絶縁層表面に、剥離強度に優れる導体層を形成することができる、微細配線形成に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供する。
To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board that can form a conductor layer excelling in peel strength on a surface of a flat insulating layer, and excels in formation of minute wiring. - 特許庁 - 半導体装置の容量絶縁膜となる誘電体薄膜を結晶化させる高温酸素雰囲気中の熱処理を行った場合にも、酸素バリア膜の酸素バリア性の劣化を防止する。
To prevent the oxygen barrier of an oxygen barrier film from deteriorating even if thermal treatment takes place in an environment of high temperature oxygen that crystallizes a dielectric film to be a capacitance insulating film in a semiconductor device. - 特許庁 - 処理時間が短く、かつ処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。
To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature, while shortening the processing time. - 特許庁 - III族窒化物半導体からなるｎ型の半導体層へ、ｐ型不純物が拡散することを抑制することができる構造の窒化物半導体素子を提供すること。
To provide a nitride semiconductor element with a structure capable of preventing a p-type dopant from being diffused into an n-type semiconductor layer composed of a group III nitride semiconductor. - 特許庁 - 特性、信頼性を劣化させることなく、量産工程においてＰｂフリー化を図ることの可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can make the semiconductor Pb-free in the mass-production stage, without making the characteristics or the reliability deteriorated. - 特許庁 - 振動子を大きく振動させても駆動用コイルと接触することなく、かつ駆動トルクの大きさも確保することができる揺動体装置を提供する。
To provide an oscillating body apparatus in which a vibrator is not contacted with a driving coil even when largely oscillated, and the magnitude of driving torque is also secured. - 特許庁 - 本発明に係るフォトマスクは、ガラス基板１５と、該基板１５の上に配置された孤立ラインパターン１１ｃと、該孤立ラインパターン１１ｃの近傍に形成された位相シフタの補助パターン１３と、を具備するものである。
The photomask has a glass substrate 15, an isolated line pattern 11c disposed on the substrate 15 and an auxiliary pattern 13 of a phase shifter formed near the isolated line pattern 11c. - 特許庁 - 半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された複数のＭＯＳトランジスタと、ＭＯＳトランジスタに応力（Ｆ２）を発生させるＳｉＮ膜４とを備える。
The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 10, a plurality of MOS transistors formed on the semiconductor substrate 10, and an SiN film 4 generating stress (F2) on the MOS transistor. - 特許庁 - 本発明は、半導体パッケージの電極であるはんだバンプの位置を精度良く形成し、基板実装後の接続信頼性を向上させる半導体パッケージ、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
To provide a semiconductor package, a semiconductor device and their manufacturing methods capable of highly accurately forming the position of a solder bump which is an electrode of the semiconductor package and improving the reliability of connection after mounting the semiconductor package on a substrate. - 特許庁 - 半導体装置１０のトレンチ２２が形成されている側の表面に埋込シリコン２５を配置した後、トレンチ２２の上方にレジスト２８を配置し、埋込シリコン２５の上方から埋込シリコン２５にイオンを注入する。
After embedded silicon 25 is provided on the surface of the semiconductor device 10 where the trench 22 is formed, a resist 28 is provided above the trench 22, and ions are implanted into the embedded silicon 25 from above the silicon 25. - 特許庁 - 白金族系金属膜をＣＭＰ法によって研磨するための研磨用スラリー及び白金族系金属膜からなる下部電極を有する半導体装置において電気的信頼性の高い製造方法を提供する。
To provide a polishing slurry for polishing a platinum-base metal film with CMP method and to provide a manufacturing method having high electrical reliability, for a semiconductor device having a lower electrode consisting of the platinum-base metal film. - 特許庁 - 安全性、耐半田性、耐湿信頼性および難燃性に優れると共に、流動性にも優れた半導体封止用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体装置を提供する。
To provide a resin composition for sealing semiconductors, having high safety, soldering resistance, reliability on moisture resistance and flame retardancy and also excellent with respect to flowability, and to provide a semiconductor device using the resin composition. - 特許庁 - 製造コストが低く、かつ、半導体素子等にクラックが発生するのを良好に防止することのできる半導体装置及びその製造方法の提供。
To provide a semiconductor device which is low in manufacture cost and can prevent cracks from occurring in a semiconductor element or the like satisfactorily. - 特許庁 - イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage. - 特許庁 - また、この固体撮像用半導体装置は、導電性物質の代りに固体撮像用半導体チップの側面に沿って形成された導電性ラインを利用することができる。
Additionally, the semiconductor apparatus for imaging the solid object uses a conductive line formed along the side surface of the semiconductor chip of imaging the solid object instead of the conductive substance. - 特許庁 - 複数の半導体チップの各主電極電位を揃える事、半導体チップ間に流れる高周波電波を抑制する事、且つ、半導体装置の安定動作を確保する事。
To uniform each main electrode potential of a plurality of semiconductor chips, to suppress a high frequency radio wave flowing between the semiconductor chips, and to ensure a stable operation of a semiconductor device. - 特許庁 - 特殊なフォトマスクを不要とすることで安価でかつ精度の高いフォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。
To provide an inexpensive and highly accurate focus monitoring method, focus monitor and method for manufacturing a semiconductor device by eliminating the need for a special photomask. - 特許庁 - 多層プリント配線板の絶縁層を形成する樹脂として、加速環境試験後でも導体層との密着性が良好な樹脂組成物を提供すること。
To provide a resin composition having favorable adhesiveness with a conductor layer even after an accelerated environmental testing as a resin forming an insulating layer of a multilayer printed wiring board. - 特許庁 - 本発明の目的は、所定のゲート開口部内の金属層を選択的に除去することができ、かつゲート絶縁膜へ与えるダメージを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of selectively removing a metallic layer in a predetermined gate opening, and reducing damage to a gate insulation film. - 特許庁 - 液晶表示装置、半導体装置等の製造に使用される露光装置に関し、混合波長、単一波長の選択を容易にして露光装置の使用頻度を高くするとともに、設備の増加を抑制すること。
To make the frequency in use of an aligner used for the manufacture of a liquid crystal display device and a semiconductor device high and to restrain the increase of equipment by easily selecting mixed wavelength and single wavelength. - 特許庁 - メモリセル内においてチャネル方向で分離し、且つ隣接するメモリセル間で分離する電荷蓄積層を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
To provide a semiconductor device having a charge storage layer separated in memory cells in a channel direction and also separated between adjacent memory cells, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁 - 色素１３を担持した金属酸化物半導体層１２を有する作用電極１０と、対向電極２０と、作用電極１０および対向電極２０に挟持された電解質含有層３０とを備えている。
The photoelectric conversion element comprises a working electrode 10 having a metal oxide semiconductor layer 12 carrying a pigment 13, a counter electrode 20, and an electrolyte-containing layer 30 interposed between the working electrode 10 and the counter electrode 20. - 特許庁 - かかる窓構造５は、光導波路形成領域１Ｂ及び窓構造形成領域１Ａ上に同一厚さの半導体層を堆積することで容易に形成することができる。
Such a window structure 5 can be formed easily, by accumulating a semiconductor layer of the same thickness on the optical waveguide forming region 1B and the window structure forming region 1A. - 特許庁 - 電極パッドを有する半導体装置における高温でのプローブ針を用いた検査において、配線間の低誘電率膜からなる層間絶縁膜に生じるクラックを抑制することを可能にする。
To suppress cracks caused in an interlayer insulating film composed of a low dielectric film between wirings in an inspection using a probe needle at a high temperature in a semiconductor device having an electrode pad. - 特許庁 - このような半導体装置によれば、極薄の絶縁膜に隣接する電極から不純物が該絶縁膜を通して逆側の電極や基板に影響を及ぼすような現象を確実に抑止する効果が得られる。
Such a semiconductor provides an effect capable of inhibiting exactly the phenomena which impurities from an electrode adjacent to an extreme-thin dielectric film affect an electrode and substrate on the opposite side through the electrode. - 特許庁 - 配線プラグに発生したシームが原因となる配線間ショートの発生を防ぎ、高い歩留まりを持つ半導体装置の製造方法を提供する。
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having a high yield by preventing short circuit among wirings which are caused by seams generated in a wiring plug from occurring. - 特許庁 - 本実施の形態の半導体装置では集中した電流がｐ型アバランシェを流れるので、ラッチアップが生じることなく確実にターンオフできる。
In this semiconductor, since a concentrated current flows through the p-type avalanche, the device is turned off surely, without causing latch-up phenomenon. - 特許庁 - その後、アンダークラッド層３の上に、コア層６を被覆するように、フルオレン誘導体層８を連続して塗工し、これを硬化させて、オーバークラッド層７を形成する。
Further, a fluorene derivative layer 8 is continuously applied on the under-clad layer 3 to cover the core layer 6, and is hardened to form an over-clad layer 7. - 特許庁 - 半導体層と確実にコンタクトをとることができるコンタクトホールを効果的に形成することが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
To provide a thin-film transistor array substrate wherein contact holes which can surely establish conduction with a semiconductor layer can be effectively formed, and to provide its manufacturing method and a display device. - 特許庁 - 本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。
In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3. - 特許庁
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