「AIN」を含む例文一覧(123)

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  • AIN CERAMIC HEATER
    ＡｌＮセラミックスヒータ - 特許庁
  • `ain' is Scottish
    『ain（自分自身）』はスコットランドの英語である - 日本語WordNet
  • AIN/INSSP EXTENSION PRODUCT
    ＡＩＮ／ＩＮＳＳＰ拡張製品 - 特許庁
  • AIN HEATER AND ITS MANUFACTURING METHOD
    ＡｌＮヒータ及びその製造方法 - 特許庁
  • AIN CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME, AND AIN CRYSTAL SUBSTRATE
    ＡｌＮ結晶およびその成長方法ならびにＡｌＮ結晶基板 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING AIN/BN COMPOSITE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING AIN/BN COMPOSITE SINTERED MATERIAL
    ＡｌＮ／ＢＮ複合粉末の製造方法及びＡｌＮ／ＢＮ複合焼結材料の製造方法 - 特許庁
  • The opera ain’t (isn’t) over till the fat lady sings.
    太った女性が歌うまではオペラは終わらない - 英語ことわざ教訓辞典
  • AIN SINGLE CRYSTAL AND ITS GROWTH METHOD
    ＡｌＮ単結晶およびその成長方法 - 特許庁
  • To provide an AIN layer of large area with small defect density.
    欠陥密度が小さく且つ大面積のＡｌＮ層を得る。 - 特許庁
  • DIELECTRIC AIN COMPOSITION IN ONE-STEP METHOD
    ＯＮＥ−ＳＴＥＰ法における誘電体ＡｌＮ組成物 - 特許庁
  • A delay circuit 11 delays an input signal AIN.
    遅延回路１１は、入力信号ＡＩＮを遅延する。 - 特許庁
  • TWO-STAGE AIN-PVD IMPROVING FILM CHARACTERISTIC
    フィルム特性を改良する２段階ＡｌＮ−ＰＶＤ - 特許庁
  • The AIN layer 112 is formed by converting natural aluminum/oxide layer into the AIN by using the plasma of an NH3 or N2 atmosphere.
    ＡｌＮ層（１１２）は、ＮＨ_3又はＮ_2雰囲気のプラズマを用いて自然アルミニウム−酸化物層をＡｌＮに変換することによって形成される。 - 特許庁
  • A transparent electrode 4 is provided on a part of an AIN 10 surface so as to face the AIN 10 surface with an insulation spacer 5 sandwiched in between.
    ＡｌＮ１０表面の一部の上に絶縁性スペーサ５を挟んで、ＡｌＮ１０表面に対向するように透明性電極４を設ける。 - 特許庁
  • When the power source VDD is off, the well potential NW is supplied from the input AIN, and potential difference is not caused between the input AIN and the well.
    電源ＶＤＤがＯＦＦのとき、ウェル電位ＮＷは入力ＡＩＮから供給され、入力ＡＩＮとウェルとの間に電位差は生じない。 - 特許庁
  • A phase detector 12 detects the phase difference between the signals AIN and SIN by comparing the signal AIN with the signal SIN (or an inverted SIN signal -SIN) with each other.
    位相検出器１２は、信号ＡＩＮと信号ＳＩＮ（または反転信号−ＳＩＮ）とを比較して、位相差を検出する。 - 特許庁
  • In the class D amplifier circuit 100, a first state and a second state are switched corresponding to an input signal AIN.
    本発明に係るＤ級増幅回路１００は、入力信号AINに応じて第１状態と第２状態とが切り替えられる。 - 特許庁
  • The insulating film 11 contains a first layer 15 made of c-axis orientation AIN and a second one 14 made of non-orientation AIN.
    絶縁膜１１は、ｃ軸配向ＡｌＮからなる第１層１５と、無配向ＡｌＮからなる第２層１４とを含む。 - 特許庁
  • To provide an AIN heater wherein a terminal in which the reliability of the AIN heater can be improved is installed, and furthermore provide its manufacturing method.
    ＡｌＮヒータの信頼性を向上させることができる端子が設けられたＡｌＮヒータを提供する、また、その製造方法を提供する。 - 特許庁
  • On February 21, 1010, Korechika, his uncle, died ain despair, a dejected man.
    寛弘7年（1010年）1月29日、伯父伊周が失意のうちに薨去。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • An Au lower electrode 104 of the resonator is formed on the AIN layer 103.
    AlN層１０３上に共振器のAu下部電極１０４を形成する。 - 特許庁
  • A host computer 11 gives an address AIN to a multiplexer 13.
    ホストコンピュータ１１は、マルチプレクサ１３にアドレスＡＩＮを与える。 - 特許庁
  • The intermediate layer is provided on the underlayer, and contains a layer containing AIN.
    前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing an AIN semiconductor capable of easily manufacturing AIN semiconductor, and obtaining an AIN semiconductor for an electronic device which is excellent in crystallinity by controlling growth speed of AIN across a wider range and excluding possibility of entrainment of impurities as much as possible.
    簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れた電子デバイス用のＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The piezoelectric layer is preferably made of ZnO, AIN, or LiNbO_3, wherein the thickness of the piezoelectric layer is between 0.5 to 5 μm.
    圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 - 特許庁
  • The AIN layer 103 is epitaxially grown on the sapphire substrate 101.
    AlN層１０３はサファイア基板１０１上にてエピタキシャル成長する。 - 特許庁
  • The multiplexer 13 selects the host address AIN or an increment address from a counter 15.
    マルチプレクサ１３は、ホストアドレスＡＩＮまたはカウンタ１５からの増分アドレスを選択する。 - 特許庁
  • The vibrating part 20 includes excitation electrodes 13 and 15 disposed in an AIN layer 14.
    振動部２０は、ＡｌＮ層１４に励振電極１３，１５が配されたものである。 - 特許庁
  • A capacitor 14 is charged with analog signals Ain which are just sampled as reference signals.
    コンデンサ１４には、直前にサンプリングしたアナログ信号Ａｉｎが基準信号としてチャージされる。 - 特許庁
  • The metallic circuit ceramic board is formed using the AIN sintered compact as the substrate.
    さらに、そのAlN焼結体を基板として用い、金属回路セラミック基板を作製する。 - 特許庁
  • In the audio data Ain, sample data of 1001 pieces are recorded for each field.
    オーディオデータＡｉｎに関しては、フィールド毎に１００１個のサンプルデータが記録されている。 - 特許庁
  • To obtain a horizontal device having excellent electrical characteristics on a substrate containing AIN.
    ＡｌＮを含む基板上において、電気特性に優れた横型デバイスを得ること。 - 特許庁
  • In the surface treatment method of the AIN crystal in which the surface of AIN crystal 1 is chemically and mechanically polished, abrasive grains of slurry 17 that are used in chemical and mechanical polishing includes: high-hardness abrasive grains having hardness higher than that of the AIN crystal 1 and low-hardness abrasive grains having hardness lower than that of the AIN crystal 1.
    ＡｌＮ結晶１の表面を化学的機械的に研磨するＡｌＮ結晶の表面処理方法であって、化学的機械的研磨に用いられるスラリー１７の砥粒が、ＡｌＮ結晶１よりも硬度の高い高硬度砥粒と、ＡｌＮ結晶１以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法。 - 特許庁
  • A comparator 11 compares the reference signals with the analog signals Ain, and when it is found that a difference between the reference signal and the analog signal Ain stays out of a predetermined range, output signals are made active.
    コンパレータ１１は、その基準信号とアナログ信号Ａｉｎを比較し、それらの間の差分が予め定めた範囲でない場合に、出力信号をアクティブにする。 - 特許庁
  • Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103.
    続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。 - 特許庁
  • The gate insulating layer of a MIS type FET is provided with an AIN insulating layer 110 provided on a semiconductor layer and the Si_3N_4 insulating layer 114 provided on the AIN insulating layer 110.
    ＭＩＳ型ＦＥＴのゲート絶縁層において、半導体層上に設けられたＡｌＮ絶縁層１１０と、そのＡｌＮ絶縁層１１０上に設けられたＳｉ_３Ｎ_４絶縁層１１４とを具える。 - 特許庁
  • To provide an aluminum nitride powder which is obtained by pulverizing AIN sintered compacts occurring as a result of waste disposal, and exhibits a stable sintering performance as a sintering material for AIN sintered compacts.
    廃棄等によって発生するＡｌＮ焼結体を粉砕して得られ、ＡｌＮ焼結体の焼結用原料として、安定した焼結性を有する窒化アルミニウム粉末を提供する。 - 特許庁
  • The receiver 20 transmits an optical pulse to the transmitter 10 in an ordinary light mode, and the transmitter 10 monitors light intensity I_Ain of the arriving optical signal on a monitor 101.
    受信器２０は通常光モードで光パルスを送信器１０へ送信し、送信器１０がモニタ１０１で到達した光信号の光強度Ｉ_Ainをモニタする。 - 特許庁
  • An attenuation amount control unit 102 subtracts a fixed attenuation amount AT_FIX from the light intensity I_Ain and determines a variable attenuation amount AT necessary for attenuating light intensity I_Aout of an optical signal to be returned to a setting value I_TARGET.
    減衰量制御部１０２は、光強度Ｉ_Ainから固定減衰量ＡＴ_FIXを減算し、折り返す光信号の光強度Ｉ_Aoutを設定値Ｉ_TARGETまで減衰させるために必要な可変減衰量ＡＴを決定する。 - 特許庁
  • FF circuits 26 and 27 detect rises of delayed input signals AIN and BIN and output output signals UP_R and DOWN_R.
    ＦＦ回路２６，２７は、遅延された入力信号ＡＩＮ，ＢＩＮの立ち上がりを検出し、出力信号ＵＰ＿Ｒ，ＤＯＷＮ＿Ｒを出力する。 - 特許庁
  • To provide a thermometry cable for coal silos free from cutting thereof, even if excessive load acts due to sudden collapse of coal mount-ain.
    石炭山が急激に崩れることによって過大な荷重が作用しても切断することがない石炭サイロ用測温ケーブルを提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING AIN BUFFER LAYER, AND AlN BUFFER LAYER, AND METHOD OF FORMING GaN SINGLE CRYSTAL FILM AND GaN SINGLE CRYSTAL FILM
    ＡｌＮバッファ層の作成方法、ＡｌＮバッファ層、ＧａＮ単結晶膜の作成方法およびＧａＮ単結晶膜 - 特許庁
  • FF circuits 28 and 29 detect falls of the delayed input signals AIN and BIN and output output signals UP_F and DOWN_F.
    ＦＦ回路２８，２９は、遅延された入力信号ＡＩＮ，ＢＩＮの立ち下がりを検出し、出力信号ＵＰ＿Ｆ，ＤＯＷＮ＿Ｆを出力する。 - 特許庁
  • The retaining substrates 4, 5 are made of a metal or a ceramic such as AIN or the like having a high heat conductivity.
    保持基板４及び５は、例えば金属製又はＡｌＮ等の熱伝導率が高いセラミック製である。 - 特許庁
  • Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.
    酸窒化アルミニウム層は、Al−Ｏ−Ｎ固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁
  • A 200 nm-thick ZnO sacrificing layer 102 is formed on a sapphire substrate 101, and a 0.5 μm-thick AIN layer 103 is formed on the layer 102.
    サファイア基板１０１上にZnO犠牲層１０２を 200nm形成し、さらにその上にAlN層１０３を0.5μm形成する。 - 特許庁
  • (2) In the phase transition type optical recording medium mentioned in (1), the nitride is AIN and/or GeN and the carbide is TiC and/or SiC.
    （２）窒化物がＡｌＮ及び／又はＧｅＮ、炭化物がＴｉＣ及び／又はＳｉＣである（１）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁
  • This component composition contains, by mass %, 5-20% BN, >15% to 40% AIN and 40-80% Si3N4.
    成分組成は、質量％で、ＢＮ：５％以上２０％以下、AlＮ：１５％を超え４０％以下、及び、 Si_3Ｎ_4:４０％以上８０％以下を含む。 - 特許庁
  • In recording, an audio signal Ain is supplied from an input terminal 102 to a recording/reproducing part 101 and recorded.
    記録時、入力端子１０２からオーディオ信号Ａinを記録再生部１０１に供給して記録する。 - 特許庁
  • The value of a binary number having 4 bits is input as a signal Ain [3:0] and a signal Bin [3:0] to a binary number multiplier 21.
    ４ビットで構成された２進数の値を信号Ａｉｎ［３：０］及び信号Ｂｉｎ［３：０］として２進数乗算器２１に入力する。 - 特許庁
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