「AIN」を含む例文一覧(123)
＜前へ 1 2 3 次へ＞- Electrons are emitted from the surface of the AIN layer 10 surface to the transparent electrode 4, they excite the phosphor 3, and light is emitted.
ＡｌＮ層１０表面から電子が透明性電極４に向かって放出され、これが蛍光体３を励起し、発光する。 - 特許庁 - In the light emitting module 10, a mounting substrate 14 is formed of alumina, AIN or Si and a semiconductor light emitting device 12 is mounted on the substrate.
発光モジュール１０において、実装基板１４は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉにより形成され、半導体発光素子１２が実装される。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method of an AIN crystal for efficiently forming a surface of excellent morphology in an AlN crystal.
効率よくＡｌＮ結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するＡｌＮ結晶の表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the GaN single crystal layer is epitaxially grown on the AiN foundation layer at a temperature of ≤1100°C.
次いで、このAlN下地層上に、１１００℃以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁 - To provide an AIN crystal substrate which has a large diameter and good crystallinity and can be used in various semiconductor devices.
各種の半導体デバイスに適用可能な大口径で結晶性のよいＡｌＮ結晶基板を提供する。 - 特許庁 - A control signal *BIN and a control signal AIN are respectively supplied to gates of the transistor 21 and the transistor 23.
ＰＭＯＳトランジスタ２１及びＮＭＯＳトランジスタ２３のゲートにはそれぞれ制御信号*ＢＩＮ及び制御信号ＡＩＮが供給される。 - 特許庁 - A first comparator 9 generates a signal AIN, based on an A- phase drive signal impressed upon an electromechanical energy converting element for driving.
第１の比較器９が、駆動用の電気−機械エネルギー変換素子に印加されたＡ相駆動信号を基に信号ＡＩＮを生成する。 - 特許庁 - A phosphor 3 is applied on the transparent electrode 4, and the AIN 10 and a face applied with the phosphor 3 are provided so as to face each other.
透明性電極４には蛍光体３が塗布してあり、蛍光体３を塗布した面とＡｌＮ１０が対向するようにする。 - 特許庁 - A crystalline AIN layer of 5 to 80 nm-thickness superior in orientation is installed on a surface of a single-crystal state Al plate.
単結晶状のＡｌ板の表面に、厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を設ける。 - 特許庁 - To provide an AIN sintered compact in which the bending strength is improved while the denseness and the high heat conductivity equal to or above that of the conventional one are kept and the thermal shock resistance and the thermal history resistance are improved, a method of manufacturing the same and a ceramic circuit board obtained by using the AIN sintered compact as a substrate.
従来と同等もしくはそれ以上の緻密性と高熱伝導率を保持したまま抗折強度を高め、耐熱衝撃性および耐熱履歴性を向上させたAlN焼結体、その製造方法及びAlN焼結体を基板として用いたセラミックス回路基板を提供する。 - 特許庁 - If the front lens group has positive refractive power and the rear lens group has negative refractive power, an acute angle between the photographic surface 2 and the optical axis of the front lens group is Ain, and an angle between the image surface and a surface perpendicular to the optical axis of the front lens group is Aim, |Aim|/(90°-Ain)<0.5 is satisfied.
そして、前側レンズ群を正、後側レンズ群を負の屈折力とし、撮影面２と前側レンズ群の光軸との間の角度のうち鋭角をＡｉｎ、前側レンズ群の光軸に対して垂直な面と像面との間の角度をＡｉｍとしたとき、｜Ａｉｍ｜／（９０°−Ａｉｎ）＜０．５を満足する。 - 特許庁 - A successive approximation type A/D converter mounted on an LSI chip 10a is allowed to have a self-test function, and the conversion test of the successive approximation type A/D converter circuit 18a can be made with voltage generated from a built-in DAC circuit 22 as an analog input voltage AIN.
LSI チップ10a に搭載された逐次比較型A/D コンバータ回路18a にセルフテスト機能を持たせ、内蔵DAC 回路22から生成した電圧をアナログ入力電圧AIN として逐次比較型A/D コンバータ回路の変換テストを行なうことを可能とした。 - 特許庁 - The semiconductor substrate and semiconductor device include an AIN layer 12 provided on a Si substrate 10, an AlGaN layer 14 provided on the AIN layer 12 to have a composition ratio of Al of 0.3 or more and 0.6 or less, and a GaN layer 16 provided on an AlGaN layer 14.
本発明は、Ｓｉ基板１０上に設けられたＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌＧａＮ層１４と、ＡｌＧａＮ層１４上に設けられたＧａＮ層１６と、を具備する半導体基板および半導体装置である。 - 特許庁 - In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.
III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁 - AIN layer/GaN layer/AIN layer three-layered structure in the atomic layer order is generated on an n-type GaN layer having C surface of a nitrogen atom surface on its surface, and thereby an enormous internal electric field by spontaneous polarization or piezopolarization generated in the quantum structure is used, and the electric field emitting electron emitting element drastically reducing a work function is obtained.
表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit device comprises for example: T switch circuits TS[k] disposed between input ports A[k] and an input terminal Ain of an analog-digital conversion circuit ADC and each including PMOS transistors MP1, MP2, MPc and NMOS transistors MN1, MN2, MNc; and a PMOS transistor MPu for pre-charging Ain to a supply voltage VCCA.
例えば、入力ポートＡ［ｋ］とアナログ・ディジタル変換回路ＡＤＣの入力端子Ａｉｎの間に設けられＰＭＯＳトランジスタＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰｃおよびＮＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２，ＭＮｃを含んだＴ型スイッチ回路ＴＳ［ｋ］と、Ａｉｎを電源電圧ＶＣＣＡにプリチャージするＰＭＯＳトランジスタＭＰｕを備える。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit device includes a first switch element 102 provided between an analog input terminal AIN of an analog circuit 10 and an analog power supply terminal AVDD, a second switch element 103 provided between the analog input terminal AIN and an analog ground terminal AVSS, and a switch element switching control circuit 104 for controlling ON/OFF operation of the first switch element 102 and the second switch element 103.
アナログ回路１０１のアナログ入力端子ＡＩＮとアナログ電源端子ＡＶＤＤとの間に第１のスイッチ素子１０２を設け、アナログ入力端子ＡＩＮとアナロググランド端子ＡＶＳＳとの間に第２のスイッチ素子１０３を設け、さらに第１のスイッチ素子１０２及び第２のスイッチ素子１０３のオン、オフ動作を制御するスイッチ素子切り替え制御回路１０４を設ける。 - 特許庁 - This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.
窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁 - A light emission functional semiconductor region 3 including a gallium nitride semiconductor layer is provided on a silicon semiconductor substrate 1 with conductivity of doped impurities via an Si doped AIN buffer layer 2.
不純物ドープの導電性を有するシリコン半導体基板１の上にＳｉドープＡｌＮバッファ層２を介して窒化ガリウム系半導体層を含む発光機能半導体領域３を設ける。 - 特許庁 - The preamplifier group 103 receives a reference voltage Vr from the reference voltage generation circuit 101, and an analog signal AIN from the analog signal input circuit.
プリアンプ群１０３には、基準電圧発生回路１０１から基準電圧Ｖｒが、アナログ信号入力回路からアナログ信号ＡＩＮが入力される。 - 特許庁 - Lead-out anodes 5 are made of main materials hardly absorbs hydrogen such as Al_2O_3, etc., coated with materials hardly absorbs hydrogen such as gold, TiN, AiN, etc.
更に、引出しアノード５は、Ａｌ__2Ｏ_3等の水素吸収の少ない主材料の表面を、金、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の水素吸収の少ない材料でコーティングされて陽電極とされている。 - 特許庁 - A conversion section 2 for executing analog/digital conversion receives the analog signals IN1 to INn via switches SW1 to SWn controlled by input timing signals AI1 to AIn.
Ａ／Ｄ変換を実行する変換部２には、入力タイミング信号ＡＩ１〜ＡＩｎによって制御されるスイッチＳＷ１〜ＳＷｎを介してアナログ信号ＩＮ１〜ＩＮｎが入力される。 - 特許庁 - In addition, the OR circuit 23 outputs a reset signal Reset for performing resetting release of the FF circuits 26 to 29 when the signal levels of the input signals AIN and BIN are different.
また、ＯＲ回路２３からは、入力信号ＡＩＮ，ＢＩＮの信号レベルが異なったとき、ＦＦ回路２６〜２９をリセット解除するためのリセット信号Ｒｅｓｅｔが出力される。 - 特許庁 - Lead electrodes 14, 16 are coated on an upper face (front side) of a sub mount made of aluminum nitride (AIN) through vacuum vapor- deposition of Au/Mo.
窒化アルミニウム(AlN) より形成されたサブマウント１０の上面（表側）には、リード電極１４、１６が、それぞれＡｕ／Ｍｏを真空蒸着することにより成膜されている。 - 特許庁 - An electric insulation layer 2 contains AIN or ceramics in the case of the carrier layer 1 for the semiconductor continuous layer 7 including the electric insulation layer 2 by the carrier layer 1.
担体層１が電気的絶縁層２を含む、半導体連続層７のための担体層１の場合に、絶縁層２がＡｌＮまたはセラミックを含有する。 - 特許庁 - When a storage device 13A having only an analog input terminal Ain is connected, MPEG audio data is subjected to a decoding process and further D/A conversion, and the resultant data is output from Aout.
アナログ入力端子Ａｉｎのみを有しているストレージデバイス１３Ａが接続された場合には、ＭＰＥＧオーディオデータがデコード処理を施され、さらにＤ／Ａ変換されて、Ａｏｕｔから出力される。 - 特許庁 - In an advanced intelligent network(AIN) telephone system which includes at least one central station exchange system, a telephone caller authentication method is used for allowing update of user services.
少なくとも１つの中央局交換システムを含む自動高機能ネットワーク（ＡＩＮ）電話システムにおいて、電話話者認証方法が、ユーザ・サービスの更新を許可するために使用される。 - 特許庁 - An OR circuit 23 outputs a reset signal Reset for resetting the FF circuits 26 to 29 after the elapse of a prescribed period of time when the signal levels of the delayed input signals AIN and BIN become equal.
ＯＲ回路２３からは、遅延された入力信号ＡＩＮ，ＢＩＮの信号レベルが同じになったとき、ＦＦ回路２６〜２９をリセットするためのリセット信号Ｒｅｓｅｔが所定時間経過後に出力される。 - 特許庁 - Video data Vin having a frame frequency of 23.97 Hz is recorded in a tape 120, corresponding to it, audio data Ain having a sampling frequency of 48 KHz also is recorded.
テープ１２０に、２３．９７Ｈｚのフレーム周波数のビデオデータＶｉｎが記録され、これに対応して、４８ｋＨｚのサンプリング周波数を持つオーディオデータＡｉｎも記録されている。 - 特許庁 - By this setup, an A/D convertor 12 samples the analog signals Ain, and digital signals Dout obtained through the above process are outputted to a CPU 20.
それにより、Ａ／Ｄコンバータ１２はアナログ信号Ａｉｎのサンプリングを行い、それによって得られたデジタル信号ＤｏｕｔをＣＰＵ２０に出力する。 - 特許庁 - To provide a c-axis tilt AIN single crystal laminated substrate which is suitably used for a substrate material for a surface acoustic wave element having high electromechanical coupling factor and improved transmission speed and has improved crystal orientation.
高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。 - 特許庁 - A buffer layer 2 composed of an alumnum nitride AIN is formed dispersedly, and in an island-like state such as dot-like, strip-like, or lattice-like, on a sapphire substrate 1.
サファイア基板１上に、窒化アルミニウム(AlN)から成るバッファ層２を、散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成する。 - 特許庁 - The epitaxially grown layer 20 with an AIN buffer layer 22, a GaN channel layer 24 and an AlGaN carrier supply layer 26 laminated, is formed on a crystal growth substrate 10.
先ず、結晶成長基板１０上に、ＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮチャネル層２４及びＡｌＧａＮキャリア供給層２６が積層されたエピタキシャル成長層２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a group III nitride semiconductor capable of obtaining a semiconductor excellent in crystallinity of GaN or the like laminated thereon by forming a buffer layer of AIN or the like excellent in crystallinity on the group III semiconductor, particularly a substrate.
III族窒化物半導体、特に基板上に結晶性のよいＡｌＮ等のバッファ層を形成することにより、その上に積層されるＧａＮ等の結晶性の優れた半導体を得ること - 特許庁 - A constant voltage Vreg generated by a regulator 14 based on a cell voltage VDD is inputted into an analog input terminal Ain of an A/D converter 12.
レギュレータ１４が電池電圧ＶＤＤに基づいて生成した定電圧ＶｒｅｇがＡ／Ｄコンバータ１２のアナログ入力端子Ａｉｎに入力される。 - 特許庁 - On a graphite substrate 101 provided with an amorphous carbon layer 102, a c-axis orientation film of an AIN layer 103 is grown by an MOCVD method.
アモルファスカーボン層１０２を設けたグラファイト基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ層１０３のｃ軸配向膜を成長させる。 - 特許庁 - In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.
低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁 - In this instance even if the water storage tank 5 is removed from the main body 1, as the stopper 25 closes the connecting hole 17, there exists no possibility of that condensed water drops down on the lower part of the ain body 1.
このとき、貯水タンク５を本体１から外しても、ストッパー25がホース接続口17を塞ぐので、本体１の下部に結露水が滴下することはない。 - 特許庁 - In detecting whether there is a disconnection from A[k] to signal input terminals Vint[k], firstly Ain is pre-charged to VCCA via MPu, and MN2, MP2 are turned on and MN1, MP1, MPc, MNc are turned off.
Ａ［ｋ］から信号入力端子Ｖｉｎｔ［ｋ］までの断線有無を検出する際に、まず、ＭＰｕを介してＡｉｎをＶＣＣＡにプリチャージすると共に、ＭＮ２，ＭＰ２をオンに、ＭＮ１，ＭＰ１，ＭＰｃ，ＭＮｃをオフに駆動する。 - 特許庁 - To provide a caller authentication method and system for allowing update of user subscription services by an intelligent peripheral(IP) in an advanced intelligent network(AIN).
拡張高機能ネットワーク（ＡＩＮ）内の高機能周辺装置（ＩＰ）により、ユーザ加入サービスの更新を許可するための話者認証方法及びシステムを提供することである。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a ceramics wiring board which is mass-produced, by splitting a metal circuit board, after the metal circuit board has been formed on the board with respect to a AIN substrate with only each could be formed on the metal circuit board on each face, conventionally.
従来、単面毎にしか金属回路板を形成できなかったＡｌＮ基板に対して、基板上に金属回路板を形成した後、分割して量産化を可能とするセラミックス配線基板の製造方法の提供。 - 特許庁 - If the differential voltage ΔV between the analog signal AIN and the reference voltage Vr is smaller than a specified value, the preamplifier AMP amplifies the differential voltage ΔV, and on the other hand, if it is greater, the preamplifier AMP cuts off the current.
プリアンプＡＭＰは、アナログ信号ＡＩＮと基準電圧Ｖｒとの差電圧ΔＶが規定値よりも小さい場合には差電圧ΔＶを増幅し、大きい場合には電流を遮断する。 - 特許庁 - As for this AIN layer, it is preferable that it is directly formed on the Al plate without via an oxide layer, and furthermore, that it is formed by a gas phase method after removing oxide of the surface of the Al plate.
このＡｌＮ層としては、酸化物層を介することなくＡｌ板上に直接形成されていることが、さらには、Ａｌ板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものが好ましい。 - 特許庁 - The conductive substrate 1 is an n-type [0001] plane direction SiC substrate, and the donor-doped nitride semiconductor film layer 10 is an AIN added with Si of a concentration of 5×10^21 cm^-3.
導電性基板１はｎ型{０００１}面方位ＳｉＣ基板、ドナー添加窒化物半導体膜層１０は濃度５×１０^21ｃｍ^-3のＳｉを添加したＡｌＮである。 - 特許庁 - Since the single-crystal state Al plate having conductivity is a base material, it is not necessary to form a transparent conductive membrane, and moreover, the AIN layer formed on the surface of the A plate is superior not only in insulating withstand voltage characteristics but also in heat radiation characteristics.
導電性を有する単結晶状Ａｌ板を基材としているため透明導電膜を形成する必要はなく、また、Ａｌ板の表面に形成したＡｌＮ層は絶縁耐圧性に優れるばかりでなく、放熱性にも優れる。 - 特許庁 - The P2 receives an input AIN of the analog switch by its source, a source and a gate of the N2 are connected, and the source receives a power source potential VDD of the analog switching circuit.
Ｐ２はソースにアナログスイッチの入力ＡＩＮを受け、Ｎ２はソースとゲートとが接続され、かつ、ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位ＶＤＤを受ける。 - 特許庁 - In the aluminum nitride substrate having, on its both surfaces, metallized layers each containing a high melting point metal such as tungsten as a main component, the contents of AIN powder added to the metallized layers are made different in the front surface and the rear surface.
タングステン等の高融点金属を主成分とするメタライズ層を両面に有する窒化アルミニウム基板において、メタライズ層中に添加するＡｌＮ粉末の含有量を表裏面で異ならせる。 - 特許庁 - An n-side intermediate layer 12 and a p-side intermediate layer 14 of Al_aIn_bGa_1-a-bN (0<a≤0.2, 0<b≤0.2) are provided on both sides of an active layer.
活性層の両側にＡｌ_a Ｉｎ_b Ｇａ_1-a-b Ｎ（０＜ａ≦０．２，０＜ｂ≦０．２）により構成されたｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４を備える。 - 特許庁 - In a chopper-type voltage comparator 1 which compares sampled input voltage VAIN with ramp voltage VRAMP which is changing with lapse of time, bias voltage VBIAS comes to a specified voltage value which brings itself into comparative action state, when the bias voltage VBIAS changes, according to the above ramp voltage VRAMP, and the ramp voltage VRAMP and the input voltage VAIN become equal.
サンプリングした入力電圧Ｖ_AINと、時間と共に変化するランプ電圧Ｖ_RAMPとを比較するチョッパ型電圧比較器１において、上記ランプ電圧Ｖ_RA_MPに従ってバイアス電圧Ｖ_BIASが変化し、該ランプ電圧Ｖ_RAMPと上記入力電圧Ｖ__AINとが概略等しくなるときに、上記バイアス電圧Ｖ_BIASが、上記チョッパ型電圧比較器１を比較動作状態に至らしめる所定電圧値になることを特徴とするチョッパ型電圧比較器１による。 - 特許庁 - The A/D converter 12 determines the level of an input voltage Ain=the constant voltage Vreg to a reference voltage Vref by defining the cell voltage VDD as the reference voltage Vref to output a conversion result Dout A/D-converted.
Ａ／Ｄコンバータ１２は、電池電圧ＶＤＤを基準電圧Ｖｒｅｆとして、当該基準電圧Ｖｒｅｆに対する入力電圧Ａｉｎ＝定電圧Ｖｒｅｇのレベルを判定し、Ａ／Ｄ変換した変換結果Ｄｏｕｔを出力する。 - 特許庁
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