「Antiparallel」を含む例文一覧(100)
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逆平行ベクトル - 日本語WordNet - The wiggler structure includes a plurality of magnetic layers that are antiparallel coupled with one another across non-magnetic antiparallel coupling layers.
ウィグラー構造は、非磁性反平行結合層にわたって互いに反平行結合される複数の磁性層を含む。 - 特許庁 - ANTIPARALLEL CONNECTED MAGNETORESISTANCE SENSOR HAVING CONDUCTOR/SENSOR OVERLAPPED AREA
逆平行結合された導線／センサ重複領域を有する磁気抵抗センサ - 特許庁 - The inverter also comprises a sub-fly-wheel diode 29 in antiparallel with the element 20.
副スイッチング素子２０と逆並列の副フライホイールダイオード２９を備える。 - 特許庁 - The inverter also comprises fly-wheel diodes 61, 62 in antiparallel with the elements 51, 52.
各スイッチング素子５１・５２と逆並列のフライホイールダイオード６１・６２を備える。 - 特許庁 - The inverter also comprises fly-wheel diodes 31, 32 connected in antiparallel with the elements 21, 22.
各スイッチング素子２１・２２と逆並列に接続するフライホイールダイオード３１・３２を備える。 - 特許庁 - The inverter also comprises fly-wheel diodes 41, 42 connected in antiparallel with the elements 31, 32.
各スイッチング素子３１・３２と逆並列に接続するフライダイオード４１・４２を備える。 - 特許庁 - The magnetizing moment of the antiparallel layer 220 is substantially antiparallel with the magnetizing moment of the ferry magnetic layer 210 at least within the predetermined temperatures of the magnetic tunnel junction device 200.
反平行層２２０の磁化モーメントは磁気トンネル接合デバイス２００の少なくとも所定温度内でフェリ磁性層２１０の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている。 - 特許庁 - The free layer 205 comprises a ferry magnetic layer 210 and an antiparallel layer 220.
本発明によると、フリー層２０５はフェリ磁性層２１０と反平行層２２０を備えている。 - 特許庁 - CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH ANTIPARALLEL-FREE LAYER STRUCTURE AND LOW CURRENT-INDUCED NOISE
反平行フリー層構造および低電流誘起ノイズの面直電流型（ＣＰＰ）磁気抵抗センサ - 特許庁 - The diodes D5, D6 are respectively connected in antiparallel between emitter-collectors of the NPN transistors Q5, Q6.
ダイオードＤ５，Ｄ６は、それぞれ、ＮＰＮトランジスタＱ５，Ｑ６のエミッタ−コレクタ間に逆並列に接続される。 - 特許庁 - The substrates 1a, 1a are directly rubbed or after a thin alignment film is formed on each substrate and then rubbed in the parallel or antiparallel direction.
基板１ａ・１ａには直接あるいは薄く配向膜を形成して平行あるいは反平行ラビングを施す。 - 特許庁 - A layer forming a boundary with the antiparallel binding layer in the first ferromagnetic layer is formed as CoxFe(0≤x≤15).
第１強磁性における反平行結合層との界面を形成する層を、ＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）で形成する。 - 特許庁 - The first ferromagnetic bias layer is antiparallel coupled to a portion 414 of a free layer 406 across the ruthenium layer.
第１の強磁性バイアス層は、ルテニウム層を跨いでフリー層４０６の一部分４１４と反平行結合している。 - 特許庁 - The semiconductor module 20 includes a switching element 23 and a reflux diode 10 connected to the switching element 23 in antiparallel fashion.
半導体モジュール２０は、スイッチング素子２３と、スイッチング素子２３と逆並列に接続された還流ダイオード１０とを備える。 - 特許庁 - The magnetization stable layer includes a non-magnetic coupling layer, a first ferromagnetic stable layer, an antiparallel coupling layer, and a second ferromagnetic stable layer.
磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。 - 特許庁 - Tunneling tends to occur, when two quantum wells are magnetized in the same direction, but the tunneling is inhibited when magnetization is antiparallel.
２つの量子井戸の磁化の向きが平行の場合はトンネリングが容易に起こり、磁化が反平行の場合はトンネリングが禁止される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor for electric power low in ON-resistance of a free-wheeling diode formed to connect in antiparallel to an IGBT area.
ＩＧＢＴ領域に逆並列接続して形成された環流ダイオードのオン抵抗が低い電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The magnetization direction of the first ferromagnetic layer 12A is in antiparallel with the magnetization direction of the second ferromagnetic layer 12B.
第１強磁性層１２Ａの磁化の方向は、第２強磁性層１２Ｂの磁化の方向に対して反平行であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in a reduced size which exhibits improved reverse recovery characteristics in an antiparallel diode of a main element.
主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、小型化を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor switch 7 comprises a main element 3 including a switching element 1 and an antiparallel diode 2, and an inverse voltage applying circuit 6.
半導体スイッチ７は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、逆電圧印加回路６と、を備えている。 - 特許庁 - The coupler 2 outputs a signal, which is input to the input port 2a, to the first output port 2c and the second output port 2d, and outputs signals reflected from the first antiparallel diode 3a and the second antiparallel diode 3b while synthesizing from the isolation port 2b.
ここで、結合器２は、入力ポート２ａに入力した信号を第１の出力ポート２ｃと第２の出力ポート２ｄとに出力し、第１のアンチパラレルダイオード３ａと第２のアンチパラレルダイオード３ｂとから反射された信号を合成してアイソレーションポート２ｂから出力する。 - 特許庁 - The second and third buffer layers are adjacent to an antiparallel coupling layer and have specific compositions to improve bidirectional anisotropic pinning properties.
第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。 - 特許庁 - Each TMR layer can have two states (the direction of spin is parallel or antiparallel), so the TMR element can store four-value data.
各ＴＭＲ層は、２つの状態（スピンの向きが平行又は反平行）を持つことができるため、ＴＭＲ素子には、４値データを記憶できる。 - 特許庁 - In one implementation, two LEDs formed on a single base layer are connected in antiparallel, to form a monolithic electrostatic discharge protection circuit.
一実施形態では、単一の基層上に形成された２つのＬＥＤは逆並列接続され、モノリシック静電放電保護回路を形成する。 - 特許庁 - Directions of magnetic moments of the lower and the upper side magnetic layers are antiparallel to each other in the residual magnetization state where applied external magnetization is zero.
下側及び上側磁性層の磁気モーメントは、印加される外部磁界がゼロである残留磁化状態で反平行の向きとなっている。 - 特許庁 - The current flows to the antiparallel diode 102 for a short period (t0-t2) including timing when the main IGBT 101 is turned on, and a ZVZCS is achieved.
これにより、主ＩＧＢＴ１０１をオンする時点を含む短期間（ｔ０〜ｔ２）に、逆並列ダイオード１０２に電流を流し、ＺＶＺＣＳを達成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor switch which exhibits improved reverse recovery characteristics in an antiparallel diode of a main element and increased withstand voltage in constituent elements.
主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、構成素子の耐電圧化を図ることができる半導体スイッチを提供する。 - 特許庁 - To provide an LED lighting circuit that can supply different amounts of power to respective LED light sources connected in antiparallel fashion in a simple configuration.
簡易な構成で、互いに逆並列接続されたＬＥＤ光源毎に異なる電力を供給することができるＬＥＤ点灯回路を提供する。 - 特許庁 - A first antiparallel coupled bias stabilization tab 42 includes a first ferromagnetic bias layer 410 which is disposed over a ruthenium layer 408 and has an end 41.
第１の反平行結合バイアス安定化タブ４２２は、ルテニウム層４０８上に配置され、端部４１２を有する第１の強磁性バイアス層４１０を含む。 - 特許庁 - Arms of the power conversion apparatus are constituted of the voltage driving-type semiconductor elements 1A and 1B and fly wheel diodes 2A and 2B connected to them in antiparallel.
電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂとこれと逆並列に接続されたフライホールダイオード２Ａ、２Ｂによって電力変換装置のアームを構成する。 - 特許庁 - A magnetization quantity M3 of the first ferromagnetic stable layer 3 and a magnetization quantity M5 of the second ferromagnetic stable layer 5 are substantially equal, and the magnetization of the first ferromagnetic stable layer and the magnetization of the second ferromagnetic stable layer are magnetically coupled through the antiparallel coupling layer 4 so that each magnetization may become in an antiparallel direction.
第一の強磁性安定層３の磁化量Ｍ３と第二の強磁性安定層５の磁化量Ｍ５は実質的に略等しく、第一の強磁性安定層の磁化と第二の強磁性安定層の磁化は反平行結合層４を通じて各々の磁化が反平行方向になるように磁気的結合している。 - 特許庁 - A three-level IGBT module is used which comprises an antiparallel connection circuit of a switching element series circuit and a reverse-blocking type IGBT having one end connected to a series connection point, and the other end of the antiparallel series connection circuit is connected to the plus electrode or minus electrode of a DC power source in accordance with a control operation mode.
スイッチング素子直列回路と直列接続点に一端を接続した逆阻止型ＩＧＢＴの逆並列接続回路からなる３レベル用ＩＧＢＴモジュールを用いて、制御動作モードに応じて前記逆並列接続回路の他端を直流電源の正極又は負極に接続する。 - 特許庁 - A diode serial circuit composed of two diodes 2, 3, a capacitor serial circuit composed of two capacitors 4, 5, and a switching arm serial circuit, composed of two switching arms of which one is composed of a switching element 6 and a diode connected in antiparallel, and the other is composed of a switching element 7 and a diode 9 connected in antiparallel, are connected in parallel.
２個のダイオード２，３からなるダイオード直列回路と、２個の共振コンデンサ４，５からなるコンデンサ直列回路と、逆並列接続されたスイッチング素子６及びダイオード８、スイッチング素子７及びダイオード９からそれぞれ構成された２個のスイッチングアームからなるスイッチングアーム直列回路とを並列接続する。 - 特許庁 - In this manner, the transmission lines 22 and 23 are provided at both the sides of the pair 21 of antiparallel diodes for adjusting the electric length of the tip opening stub 24, thus cancelling the junction capacity of the diode composing the pair 21 of antiparallel diodes, and hence improving frequency conversion and output characteristics in the even harmonic mixer.
このように、アンチパラレルダイオードペア２１の両側に伝送線路２２,２３を設けて先端開放スタブ２４の電気長を調整することによって、アンチパラレルダイオードペア２１を構成するダイオードの接合容量がキャンセルされ、偶高調波ミキサの周波数変換特性および出力特性が向上する。 - 特許庁 - To provide an improved magnetic resistance tunnel junction(MTJ) sensor which fixes a magnetizing direction of an antiparallel(AP) pin MTJ sensor, using a high coercive magnetic substance.
高飽和保磁力磁性体を使用して逆平行（ＡＰ）ピンＭＴＪセンサの磁化方向を固定する、改良型の磁気抵抗トンネル接合（ＭＴＪ）センサを提供すること。 - 特許庁 - In the TMR read head, a first ferromagnetic layer of a fixed layer is formed between an antiparallel binding layer and an insulated barrier layer.
本発明の一実施形態において、ＴＭＲリード・ヘッドにおいて、固定層の第１強磁性層は反平行結合層と絶縁障壁層との間に形成されている。 - 特許庁 - The ferromagnetic free layer comprises a non-magnetic conductive layer 12 and ferromagnetic layers 11 and 13 as two layers, coupled antiparallel magnetically via the non-magnetic conductive layer 12.
また強磁性自由層は、非磁性伝導層１２と非磁性伝導層１２を介して磁気的に反平行に結合した２層の強磁性層１１，１３とにより構成される。 - 特許庁 - A second ferromagnetic layer 32 whose direction of magnetization is antiparallel to that of a first ferromagnetic layer 30 is laminated on a second antiferromagnetic layer 31.
第２反強磁性層３１の上に磁化方向が第１強磁性層３０の磁化方向に対して反平行方向である第２強磁性層３２を積層する。 - 特許庁 - To make antiparallel the direction of magnetization of a pair of ferromagnetic layers, in a state with an external magnetic field not being applied, and to suppress the occurrence of sudden output changes.
外部からの磁界が印加されない状態で一対の強磁性層の磁化の方向を互いに反平行にし、且つ突発的な出力の変化の発生を抑制する。 - 特許庁 - One end of a first transmission line 22 is connected to one end of a pair 21 of antiparallel diodes, and a tip opening stub 24 is connected to the other 32 of the first transmission line 22.
アンチパラレルダイオードペア２１の一端に第１伝送線路２２の一端を接続し、この第１伝送線路２２の他端３２に先端開放スタブ２４を接続している。 - 特許庁 - To provide a diode limiter device that has satisfactory characteristics by using diode groups of antiparallel diode pairs variable in overall equivalent capacity.
逆向きダイオード対により構成される全体としての等価的容量を変えることができるダイオード群を有し、特性が良好なダイオードリミタ装置を提供すること。 - 特許庁 - The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.
基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - An AM-AM distortion generator 1 comprises a coupler 2 having an input port 2a, an isolation port 2b, a first output port 2c, and a second output port 2d, a first antiparallel diode 3a connected with the first output port 2c, and a second antiparallel diode 3b connected with the second output port 2d.
本発明のＡＭ−ＡＭ歪発生器１は、入力ポート２ａと、アイソレーションポート２ｂと、第１の出力ポート２ｃと、第２の出力ポート２ｄとを備えた結合器２と、第１の出力ポート２ｃに接続された第１のアンチパラレルダイオード３ａと、第２の出力ポート２ｄに接続された第２のアンチパラレルダイオード３ｂと、を備える。 - 特許庁 - The spin-valve type giant magnetoresistive elements R1 to R4 constitute a bridge circuit, in which the pin-layer magnetization direction of the paired spin-valve giant magnetoresistive elements are arranged antiparallel to each other.
それらのスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４はブリッジ回路を構成し、対をなすスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が互いに反平行に配置されている。 - 特許庁 - To solve the problem of a multilayer film which even uses antiparallel coupling that in a theoretical predication, its oscillatory frequency is low, of the order of several 10 GHz, and terahertz wave frequencies remain yet to be realized.
反平行結合を用いた積層膜であっても、理論的な予測では発振周波数は数十GHz台と低く、テラヘルツ波の周波数を実現するには至っていない。 - 特許庁 - The inverter comprises fly-wheel diodes 31, 32 connected in antiparallel with switching elements 21, 22, and a rectifying power source 10 connected in parallel with a circuit of the elements 21, 22.
各スイッチング素子２１・２２へ逆並列に接続するフライホイールダイオード３１・３２を有し、整流電源１０の回路と各スイッチング素子２１・２２の回路とを並列に接続する。 - 特許庁 - The microstrip line 12 and two diodes 11C, 11D of the antiparallel connection are connected by a microstrip line 13B configuring a line for the limiter having a line length of λ/2.
また、マイクロストリップ線路１２とアンチパラレル接続の２個のダイオード１１Ｃ，１１Ｄとの間をλ／２の線路長のリミッタ用線路を構成するマイクロストリップ線路１３Ｂで接続する。 - 特許庁 - In addition, one end of a second transmission line 23 is connected to the other of the pair 21 of antiparallel diodes, and the tip short-circuiting stub 25 is connected to the other 33 of the second transmission line 23.
また、アンチパラレルダイオードペア２１の他端に第２伝送線路２３の一端を接続し、この第２伝送線路２３の他端３３に先端短絡スタブ２５を接続している。 - 特許庁 - Energy generated by the motor 40 and stored in the capacitor 160 is stepped up by a step-up chopper circuit 140 so as to return it to the DC power supply 30 via an antiparallel diode 122 during braking.
制動時には、モータ４０が発生してコンデンサ１６０に蓄積されたエネルギーを昇圧チョッパ回路１４０で昇圧して、逆並列ダイオード１２２を介して直流電源３０に戻す。 - 特許庁
