「Antiparallel」を含む例文一覧(100)
＜前へ 1 2- The storage layer is programmed to have a first region with a magnetic orientation antiparallel to the fixed magnetic orientation, and a second region with a magnetic orientation parallel to the fixed magnetic orientation.
記憶層は、前記固定磁気配向と反平行な磁気配向を有する第１の領域と、前記固定磁気配向と平行な磁気配向を有する第２の領域とを有するよう、プログラムされている。 - 特許庁 - A thermal assist layer may be incorporated into the memory element to enhance localized heating of the storage layer to aid in the transition of the first region from parallel to antiparallel magnetic orientation during a write operation.
書込動作中の第１の領域の平行から反平行への磁気配向の遷移を助けるように記憶層の局所的加熱を向上させるために、メモリ素子に熱アシスト層を組み込んでもよい。 - 特許庁 - A microstrip line 12 configuring a main line and two diodes 11A, 11B of antiparallel connection are connected by a microstrip line 13A configuring a line for a limiter having a line length of λ/2.
主線路を構成するマイクロストリップ線路１２とアンチパラレル接続の２個のダイオード１１Ａ，１１Ｂとの間をλ／２の線路長のリミッタ用線路を構成するマイクロストリップ線路１３Ａで接続する。 - 特許庁 - The direction of magnetization of the first ferromagnetic film 24 for determining a resistance value of the first huge magnetoresistance effect element is antiparallel with respect to the direction of magnetization of the second ferromagnetic film 22 rotating by an external magnetic field.
第１巨大磁気抵抗効果素子の抵抗値を決定する第１強磁性膜２４の磁化の向きは、外部磁界により回転する第２強磁性膜２２の磁化の向きと反平行である。 - 特許庁 - With respect to an alignment controlling layer in contact with a liquid crystal layer, directions of rubbing treatment applied to VA polyimide films on upper and lower substrates are made to mutually intersect with an angle of 10-30° defining the angle in the case of antiparallel positioning to be 0°.
液晶層に接する配向制御層として、垂直配向性ポリイミド膜に施したラビング処理方向を、上下基板で反平行を０°として１０〜３０°の角度で交差させる。 - 特許庁 - A fixed magnetic layer 21 of each of the magnetic resistance effect elements is of a self-pinned type, and sensitivity axis directions P1 through P4 of the magnetic resistance effect elements 13a and 13d (13b and 13c) making up a serial circuit are antiparallel to each other.
各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。 - 特許庁 - This BAW device concerns one having a first BAW resonator (72) and a second BAW resonator (74) connected antiparallel with each other, to weaken nonlinear effects in specific harmonic waves.
特定の調波において非線形効果を低減するために、互いに逆平行に接続された第１のＢＡＷ共振器（７２）と、第２のＢＡＷ共振器（７４）とを有するＢＡＷ装置に関する。 - 特許庁 - To direct the magnetizations of two free layers antiparallel to each other when no external magnetic field is applied, without making use of antiferromagnetic coupling between the two free layers through a spacer layer.
スペーサ層を介した２つの自由層の反強磁性的結合を利用することなく、外部からの磁界が印加されない状態で２つの自由層の磁化の方向を互いに反平行にする。 - 特許庁 - Thus, un-stabilization of the fixed layer in an annealing process under the high temperature is suppressed even though the thin antiparallel binding layer is used, and by which the strong adhesion between the first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer is maintained.
これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第１強磁性層と第２強磁性層との強い結合を維持することができる。 - 特許庁 - A pair of diodes (APDP) constituted of diodes (3) in antiparallel connection is connected between an inputting part and a GND of a semiconductor device (1), for serving as a circuit in which impedance lowers with an increase in applied high-frequency power.
印加された高周波電力の増大に伴いインピーダンスが低下する回路として、ダイオード(３)の逆並列接続によるダイオード対(ＡＰＤＰ)を半導体装置(１)の入力部とＧＮＤ間に接続する。 - 特許庁 - This LED has a light emission element in which a light emitting layer is formed by using a Group-III nitride semiconductor, and the nitride semiconductor light emission element is connected with a Zener diode having a proper Zener voltage Vz in an antiparallel relation.
発光層に３族窒化物半導体を用いた発光素子を有する発光ダイオードであり、適切なツェナー電圧Ｖｚを持つツェナーダイオードを窒化物半導体発光素子に対して逆並列に電気接続する。 - 特許庁 - A transistor, wherein a resistance is connected between a base and an emitter, is placed between a ground and the output terminal of a semiconductor integrated circuit, and further a diode is connected to the transistor in antiparallel.
半導体集積回路の出力端子１２とグランド１５との間に、ベース−エミッタ間を抵抗１９が接続されたトランジスタ１８を配置すると共に、そのトランジスタ１８に対して逆並列にダイオード２０を接続する。 - 特許庁 - Since the LL1 and LL2 are ferromagnetically coupled across a ferromagnetically coupled layer 125, the magnetizations of the LL1 and LL2 remain parallel in each remanent magnetic state, but are antiparallel to magnetization of the UL in each remanent magnetic state.
LL1とLL2は強磁性結合層125を越えて強磁性結合されているので、LL1及びLL2の磁化はそれぞれの残留磁気状態において平行を保つが、それぞれの残留磁気状態においてULの磁化とは反平行である。 - 特許庁 - Control magnetic field in the direction for resetting or sustaining magnetization is applied to such a pinned layer so that magnetization direction of the ferromagnetic film is not reset nor reversed to the original antiparallel direction even if it has been reversed.
かかるピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与えることで、強磁性膜の磁化方向が反転していても本来の反平行な方向にリセットされ又は反転しないように維持される。 - 特許庁 - A rectifying power source 20 has at least one auxiliary diode 30 connected to a position for applying a voltage to a smoothing capacitor 40, a first switching element 61 and a second switching element 62 sequentially connected in series and alternately turned ON, OFF, a first fly-wheel diode 71 connected in antiparallel with the element 61 and a second fly-wheel diode 72 connected in antiparallel with the element 62.
整流電源２０は、電圧を平滑用コンデンサ４０へ印加する位置に接続される少なくとも一つの補助ダイオード３０を備え、順直列に接続されかつ交互にオンオフするように制御される第一スイッチング素子６１および第二スイッチング素子６２を有し、第一スイッチング素子６１と逆並列に接続される第一フライホイールダイオード７１と、第二スイッチング素子６２と逆並列に接続される第二フライホイールダイオード７２を備える。 - 特許庁 - A DC-AC conversion apparatus 1 has: a bridge circuit 10 having four switching elements S1-S4, and freewheel diodes D1-D4 connected in antiparallel to the respective switching elements; and an output filter 20 in which a coil L and a capacitor C are connected in series.
直流‐交流変換装置1は、４個のスイッチング素子S1〜S4と、各素子と逆並列に接続されたフリーホイールダイオードD1〜D4とを備えるブリッジ回路10と、コイルＬとコンデンサＣとが直列に接続された出力フィルタ20と、を備える。 - 特許庁 - A current signal outputted from a humidity sensor 7 is passed through a logarithmic compression circuit 9 made up of antiparallel-connected two diodes D1a, D1b to convert it into a logarithmically compressed voltage signal.
湿度センサ７から出力される電流信号を逆並列接続された２つのダイオードＤ１ａ及びＤ１ｂで構成される対数圧縮回路９を通すことによって対数圧縮された電圧信号に変換する。 - 特許庁 - In the magnetic field detection element, the state of a magnetic moment inside the element when an external magnetic field is zero can take three states of a parallel direction, an antiparallel direction, and a stripe-shaped magnetic domain structure, relative to an element longitudinal direction of a thin film magnetic material.
磁界検出素子は、外部磁界零において素子内部の磁気モーメントの状態が、薄膜磁性体の素子長手方向に対して平行方向、反平行方向、ストライプ状磁区構造の３状態をとりうる。 - 特許庁 - A control method of the SRAM by which data is written in an antiparallel storage circuit of an SRAM memory cell via a true bit line (BLT) and a complementary bit line (BLC) or data is read from it and a SRAM cell are provided.
真ビットライン（ＢＬＴ）および相補ビットライン（ＢＬＣ）を介して、ＳＲＡＭメモリセルのアンチパラレル記憶回路にデータを書き込み、またはそれからデータを読み出すＳＲＡＭの制御方法およびＳＲＡＭセルが提供される。 - 特許庁 - A logarithmic compression circuit 7 includes two diodes D1a, D1b subjected to antiparallel connection and passes the current signal outputted from a humidity sensor 5 through the diodes D1a, D1b to convent the same to a logarithmically compressed voltage signal.
対数圧縮回路７は、逆並列接続された２つのダイオードＤ１ａ及びＤ１ｂを含み、湿度センサ５から出力された電流信号をダイオードＤ１ａ及びＤ１ｂを通すことによって対数圧縮された電圧信号に変換する。 - 特許庁 - To provide technology which supplies alternating current converted from direct current and back to alternative current to a first LED and a second LED which are antiparallel connected and also makes dimming control and color matching of the first and the second LEDs possible.
交流から変換された直流をさらに交流に変換して逆並列接続された第１ＬＥＤ及び第２ＬＥＤに供給する一方で、第１及び第２ＬＥＤの調光及び調色を可能とする技術の提供。 - 特許庁 - The fixed layer (9A) includes a first antiferromagnetic layer (9a) that performs switched connection with the antiferromagnetic layer (8) to fix the magnetization direction, and a second ferromagnetic layer (9b) that is connected in antiparallel with the first ferromagnetic layer through a non-ferromagnetic layer (10).
固着層（９Ａ）は、反強磁性層（８）と交換結合してその磁化方向が固定される第１の強磁性層（９ａ）と、非磁性層（１０）を介して第１の強磁性層と反平行結合する第２の強磁性層（９ｂ）を含む。 - 特許庁 - A primary coil 26a of a high frequency transformer 26 is connected in series to IGBTs 27, 28 passing a current in the opposite direction thereto between the terminals of an AC power supply 22 and diodes 29, 30 are connected in antiparallel to the IGBTs 27, 28, respectively.
交流電源２２の端子間に高周波トランス２６の一次コイル２６ａと通電方向が逆方向となるＩＧＢＴ２７および２８とを直列に接続し、ＩＧＢＴ２７、２８にそれぞれダイオード２９、３０を逆並列に接続する。 - 特許庁 - The semiconductor circuit 22 comprises: a main element 3 including a switching element 1 and an antiparallel diode 2; an inverse voltage applying circuit 7 including a high-speed reflux diode 4, a capacitor 6, and an auxiliary element 5; a main element driving circuit 13; and an auxiliary element driving circuit 14.
半導体回路２２は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、高速還流ダイオード４と、コンデンサ６と、補助素子５とを有した逆電圧印加回路７と、主素子駆動回路１３と、補助素子駆動回路１４とを備えている。 - 特許庁 - To reduce in size by reducing the number of power sources for driving a bidirectional switch by devising a wiring structure, or the like, of a power converter using the bidirectional switch connected in an antiparallel with a reverse-blocking type power semiconductor element.
逆阻止型電力半導体素子を互いに逆並列に接続した双方向スイッチを、スイッチング素子として用いた電力変換装置の配線構造等を工夫することで、双方向スイッチを駆動する電源数を少なくし装置の小型化を図る。 - 特許庁 - In order that the state of the magnetic moment is changed from the parallel direction or the antiparallel direction into the stripe-shaped magnetic domain structure, a reset magnetic field in the reverse direction to the magnetic moment is applied to the magnetic field detection element, to thereby generate magnetic domain structure transition.
磁気モーメントが平行方向、あるいは反平行方向にある状態からストライプ状磁区構造に変化させるために、磁界検出素子に磁気モーメントと逆方向のリセット磁界を印加することで、この磁区構造転位を生じさせることができる。 - 特許庁 - In an atomizing chambers 21, a spray nozzle 211 is arranged so that its jetting direction is directed parallel to the inlet side central axis of desolvating tube 23 and oppositely to the droplet advancing direction inside the solvent removal tube 23 (that is, in the antiparallel direction).
霧化室２２１内においてスプレーノズル２１１を、その噴霧方向が脱溶媒管２３の入口側中心軸に略平行であり且つ噴霧方向が脱溶媒管２３内の液滴の進行方向と逆になるように（すなわち、反平行に）配置する。 - 特許庁 - In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.
このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁 - A local oscillation signal (f_LO) is given to one terminal of antiparallel diodes 202 wherein different polarities of the diodes are respectively connected to the one terminal and the other terminal, an information signal (f_IF) and a DC bias (10) are given to the other terminal and an output signal is extracted from the other terminal.
一端及び他端に互いに逆の極性どうしが接続されたアンチパラレル・ダイオード２０２の一端に局部発振信号（ｆ_LO）を与え、他端に情報信号（ｆ_IF）を与えるとともに直流バイアス（１０）を与え、前記他端から出力信号を取り出す。 - 特許庁 - An active disabling circuit by a diode 228 and a passive disabling circuit by an inductor 232 connected in parallel to a capacitor 226 via a pair of antiparallel diodes 234, 234' are arranged in plural receiving coils 220 to 380 forming a phased array, and the active disabling circuit is controlled by a bias control means 120.
フェーズドアレイをなす複数の受信コイル２２０〜３８０に、ダイオード２２８によるアクティブディスエーブル回路と、１対の逆並列ダイオード２３４，２３４’を介してキャパシタ２２６に並列接続したインダクタ２３２によるパッシブディスエーブル回路を設け、アクティブディスエーブル回路をバイアス制御手段１２０で制御する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element manufactured by using a ferromagnetic material having perpendicular magnetic anisotropy, which improves a state in which record holding time is different depending on storing information due to imbalance of thermal stability between a parallel state and an antiparallel state of magnetization corresponding to bit information.
垂直磁気異方性を有する強磁性材料を用いて作製した磁気抵抗効果素子において、ビット情報に対応する磁化の平行状態及び反平行状態の熱安定性が不均衡になり、保存している情報により記録保持時間が異なる状態を改善する。 - 特許庁 - Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.
従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁 - The voltage drop compensating apparatus of the power system controls the input power factor from the power system 50 to substantially "1" by an inverter, by inserting an AC switch 53 constituted in an antiparallel connection of thyristors between the power system 50 and the parallel connection circuit of an inverter 56 and the load 54 having a filter capacitor 55 and a filter reactor 58.
フィルタコンデンサ５５とフィルタリアクトル５８を備えたインバータ５６と負荷５４との並列接続回路と電力系統５０との間にサイリスタの逆並列接続で構成した交流スイッチ５３を挿入し、インバータで電力系統５０からの入力力率をほぼ１に制御する。 - 特許庁 - One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.
記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁 - Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27.
第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。 - 特許庁 - In the antiferromagnetically coupled (AFC) recording layer 20', the magnetizing moments 32, 34 of the two ferromagnetic thin films 22, 24' are oriented in antiparallel, and the product (Mrt) of the real residual magnetic flux density and the thickness of the AFC recording layer 20' is a difference between the Mrt values of the two ferromagnetic thin films.
反強磁性的に結合した（ＡＦＣ）記録層２０‘においては、二つの強磁性薄膜２２，２４’の磁化モーメント３２，３４はアンチパラレルに配向され、そしてＡＦＣ記録層２０‘の実残留磁束密度−厚さの積（Ｍｒｔ）は二つの強磁性薄膜のＭｒｔ値の差である。 - 特許庁 - To provide a mobile unit detection device, in which the detection output does not depend on the change in the gap between a magnetic material mobile unit and a magnetosensitive element, using a magnetic field vector detection type spin-valve GMR element which detects magnetic field components parallel and antiparallel to the pin-layer magnetization direction, as the magnetosensitive element.
感磁素子として、ピン層磁化方向に順平行、反平行の磁界成分を検知する磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いることで、検出出力が磁性材移動体−感磁素子間のギャップ変化に依存しないようにした移動体検出装置を提供する。 - 特許庁 - Disclosed is the retardation plate having an optical anisotropic layer formed of at least one layer of liquid crystal molecules of 300 to 2,000 in molecular weight, the optical anisotropic layer being characterized in that the liquid crystal molecules form a layer structure and tilt to molecules in an adjacent layer substantially in antiparallel.
少なくとも一層の分子量３００〜２０００の液晶性分子から形成される光学異方性層を有する位相差板であって、該光学異方性層において、該液晶性分子が、層構造を形成し、且つ隣り合う層の分子に対して実質的に反平行に傾斜している、前記位相差板。 - 特許庁 - The junction body, in which the surface perpendicular to the optical axis where spatial symmetry of the crystals of the compound semiconductors 101 and 102 is inversed is made as the junction surface formed by the joining, is an orientation inversion structure having orientation inversion periods antiparallel to each other with respect to the optical axis direction where the spatial symmetry is inversed.
この接合体は、化合物半導体１０１、１０２の結晶の空間対称性が反転する光学軸に垂直な面を前記接合により形成された接合面として、空間対称性が反転する光学軸方向に対して互いに反平行な方位反転周期を有する方位反転構造である。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of improving reverse recovery characteristics and reverse recovery resistance of a diode provided side by side with an IGBT and connected in antiparallel to the IGBT on the same semiconductor substrate without deterioration of characteristics of the IGBT, and also improving, in particular, so as to reduce reverse recovery loss.
ＩＧＢＴの特性を低下させることなく、同一半導体基板上に併設される逆並列接続ダイオードの逆回復特性と逆回復耐量の改善をするだけでなく、さらに、特に逆回復損失を小さくするように改善することのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - This capacitor accumulator is provided with voltage detectors 7 and 8, which detect the voltage across the terminals, provided for each capacitors 5 and 6, series-connected bodies of adjusting capacitors 9 and 10 and electronic switches 11 and 12 which are connected between the terminal of each capacitors 5 and 6, and diodes 13 and 14 which are connected antiparallel to the electronic switches 11 and 12.
コンデンサ５、６毎に設けられその端子間電圧を検出する電圧検出器７、８、コンデンサ５、６毎の端子間に接続された、調整コンデンサ９、１０と電子スイッチ１１、１２との直列接続体および電子スイッチ１１、１２に逆並列接続されたダイオード１３、１４を設ける。 - 特許庁 - Configuration for forming a closed magnetic circuit, in which magnetic domain control film is formed with the same track width on a magnetoresistive effect laminating film and an end part is joined together, is configured to take double closed magnetic circuit structure with a trilaminar magnetic layer of a soft magnetic antiparallel layer 132 in addition to a soft magnetic free layer 13 and a single magnetic domain ferromagnetic layer 45.
磁区制御膜を磁気抵抗効果積層膜上に同一トラック幅で形成し、端部が結合して閉磁路を形成する構成を、軟磁性自由層１３、単磁区化強磁性層４５に加えて軟磁性反平行層１３２の三層の磁性層により、二重の閉磁路構造をとるように構成する。 - 特許庁 - The reception signal RF input from the low noise amplifier 21 is mixed with the local oscillation signal LO input from the buffer amplifier 23, in an even higher-harmonic mixer 24 using an antiparallel diode pair as a frequency converter, and an intermediate frequency signal IF is generated therein to be output.
そして、周波数変換器としてアンチパラレルダイオードペアを用いた偶高調波ミキサ２４において、低雑音増幅器２１から入力された受信信号ＲＦと、バッファ増幅器２３から入力された局部発振信号ＬＯと、を混合して中間周波数信号ＩＦを生成して出力する。 - 特許庁 - To provide the antiparallelly coupled film structure of a ferromagnetic material, a nonmagnetic material, and a ferromagnetic material which has sufficient antiparallel coupling strength after a heat treatment process of 400°C to be applicable to the magnetic free layer or magnetic pinned layer of a high magnetoresistive element; and to provide a tunnel magnetoresistive element and a magnetic device which use the antiparallelly coupled film structure.
４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。 - 特許庁 - The optical shift element is constituted of a liquid crystal structural body comprising a pair of transparent electrodes disposed opposite to each other, a pair of alignment layers disposed opposite to each other on the pair of transparent electrodes and having alignment directions nearly antiparallel to each other and a nematic liquid crystal layer disposed between the pair of alignment layers.
対向して配置される一対の透明電極と、一対の透明電極上それぞれに互いに対向して配置され、かつ互いに略反平行の配向方向を有する一対の配向膜と、一対の配向膜の間に配置されるネマティック液晶層と、からなる液晶構造体によって、光学シフト素子を構成する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device having a nematic liquid crystal held between two substrates and having parallel or antiparallel direction of uniaxial alignment of the upper and lower substrates, the alignment state of the liquid crystal molecules are changed so as to compensate the changes in the birefringent of the liquid crystal composition caused by the temperature change to decrease the changes in the retardation of the liquid crystal device with temperature.
２枚の基板間にネマティック液晶を挟持してなり、上下基板の一軸配向性の方向が平行または反平行である液晶表示素子において、温度変化に起因する液晶組成物の複屈折の変化を補償するように液晶分子の配向状態を変化させ液晶素子のリタデーション値の温度変化を低減する。 - 特許庁 - The diode limiter device includes, by way of example, transmission lines connected between an input terminal into which a high frequency radar signal is input and an output terminal connected with a load, and a plurality of multiple row, multiple column diode groups connected between the transmission lines and a ground and comprising antiparallel diode pairs connected in a column direction.
一例のダイオードリミタ装置は、高周波レーダ信号が入力される入力端子と負荷が接続される出力端子の間に、接続された伝送線路と、これらの伝送線路と接地の間に接続され、列方向に各々の逆向きダイオード対が接続されて構成された複数の、複数行複数列のダイオード群とを有する。 - 特許庁 - The MTJ device includes a ferromagnetic antiparallel(AP) pin layer containing a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and an antiparalellel conjunction(APC) layer located between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer; a ferromagnetic free layer; and a dielectric tunnel barrier, located between the first ferromagnetic layer and the ferromagnetic free layer.
このＭＴＪ装置は、第１の強磁性層、第２の強磁性層、および第１の強磁性層と第２の強磁性層の間に配置された逆平行結合（ＡＰＣ）層を含む強磁性逆平行（ＡＰ）ピン層と；強磁性フリー層と；ＡＰピン層の第１の強磁性層と強磁性フリー層の間に配置された絶縁トンネル障壁層とを有する。 - 特許庁 - The unidirectional DC-DC converter is provided with a main IGBT 101 for turning on/off a current flowing to a first inductor 108a, a diode 107 for discharging energy stored in the main inductor 108a to an output, and an auxiliary IGBT 104 utilizing energy stored in the auxiliary inductor 108b magnetically coupled to the main inductor 108a and flowing a current to an antiparallel diode 102.
第１のインダクタ１０８ａに流れる電流を主ＩＧＢＴ１０１で断続させ、主インダクタ１０８ａに蓄えたエネルギーを出力側へ放出するダイオード１０７を備えた単方向ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、主インダクタ１０８ａと磁気結合した補助インダクタ１０８ｂに蓄えたエネルギーを利用して、逆並列ダイオード１０２に電流を流す補助ＩＧＢＴ１０４を備える。 - 特許庁 - The transporter is also provided with an attitude holding link 5 composed of two antiparallel link mechanisms, which respectively connect the first and second front arms 8A and 8B to the holding body 4, and controls the rotation of the holding body 4 against the arms 8A and 8B through the attitude holding link 5.
本発明の搬送装置は、フロッグレッグ式アーム３と、これに連結されたウエハ保持体４とを備え、ウエハ保持体４は、第１、第２の前部アーム８Ａ、８Ｂそれぞれの先端部に同軸構造の関節１０を介して軸支されてなり、且つ、第１、第２の前部アーム８Ａ、８Ｂとウエハ保持体４とを互いに連結する２つの逆平行リンク機構からなる姿勢保持リンク５を設け、この姿勢保持リンクを介して第１、第２の前部アーム８Ａ、８Ｂに対するウエハ保持体４の回転を規制することを特徴とする。 - 特許庁
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