「Backside」を含む例文一覧(3364)

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  • SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH BACKSIDE ELECTRODE FOR EXTERNAL CONNECTION AND MANUFACTURING METHOD OF BACKSIDE ELECTRODE FOR EXTERNAL CONNECTION THEREFOR
    外部接続用裏面電極を備えた半導体装置及びその外部接続用裏面電極の形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING POLYESTER FILM FOR BACKSIDE PROTECTION FILM OF SOLAR CELL AND POLYESTER FILM FOR BACKSIDE PROTECTION FILM OF SOLAR CELL
    太陽電池裏面保護膜用ポリエステルフィルムの製造方法および太陽電池裏面保護膜用ポリエステルフィルム - 特許庁
  • BACKSIDE ELECTRODE SUBSTRATE FOR ELECTRONIC PAPER, AND ELECTRONIC PAPER
    電子ペーパー用背面電極基材および電子ペーパー - 特許庁
  • That our bodies weren't meant for the backside of a bullet
    私たちの体は銃弾の標的になるためでなく - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • BACKSIDE INCIDENT PHOTODETECTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
    裏面入射型光検出素子及びその製造方法 - 特許庁
  • BACKSIDE INCIDENCE TYPE LIGHT RECEIVING DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
    裏面入射型受光装置およびその作製方法 - 特許庁
  • A protrusion 6 is formed on the backside of the instrument panel 1.
    インストルメントパネル１の裏側に突出部６を形成する。 - 特許庁
  • To allow a user to recognize that there is no backside corresponding to its surface side or no surface side corresponding to its backside after printing in a double-side image reception.
    両面画像受信において、裏面あるいは表面が無い場合、プリント後、ユーザがそれを知ることができる。 - 特許庁
  • To effectively clean the whole backside of a wafer before exposure.
    露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。 - 特許庁
  • The backside support mechanism is provided with a lock mechanism to maintain and release resilient support of the backside support body by the spring.
    背面支持機構は、ばねによる背面支持体の弾性的支持の維持と解除とを行うロック機構を有している。 - 特許庁
  • A mounting leg portion 2 is formed by bending an end of the backside plate portion 5 of the metallic base plate A to the backside.
    取付用脚部２が、金属原板Ａにおける裏面板部５の端部を裏方に屈曲させることで形成される。 - 特許庁
  • IMAGE READING DEVICE, BACKSIDE READING UNIT, AND IMAGE FORMING APPARATUS
    画像読取装置、裏面読取ユニット及び画像形成装置 - 特許庁
  • A BSF layer 5 is formed on the backside of a semiconductor substrate.
    半導体基板の裏面にはＢＳＦ層５を形成する。 - 特許庁
  • The keyboard (2) is arranged in the backside of the thin zone (5).
    キーボード（２）は、上記薄いゾーン（５）の裏側に配置される。 - 特許庁
  • METHOD FOR PREVENTING BACKSIDE FLAW IN LASER BEAM MACHINING AND LASER BEAM MACHINING DEVICE
    レーザ加工の裏面傷防止方法及びレーザ加工装置 - 特許庁
  • BACKSIDE IRRADIATION SOLID STATE IMAGE SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
    裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 - 特許庁
  • A window is formed in a backside substrate layer of the semiconductor.
    この半導体の裏面基板層内に窓が形成される。 - 特許庁
  • The magnetic recording medium includes a substrate, a magnetic side, and a backside.
    基材と、磁気側と、裏側と、を含む磁気記録媒体。 - 特許庁
  • PAPER UTILIZING BACKSIDE OF MARK CARD FOR SPEEDBOAT RACE, BICYCLE RACE, HORSE RACE AND AUTO RACE
    競艇、競輪、競馬、オートレース、マークカードの裏面活用紙 - 特許庁
  • To easily identify places in backside focused ion beam (FIB) processing.
    裏面ＦＩＢ加工における場所特定を容易にする。 - 特許庁
  • CLEANING METHOD FOR BRUSH CLEANER ASSEMBLY AND BACKSIDE OF IMAGE GENERATING WEB
    ブラシクリーナアセンブリ、画像生成ウェブ裏側の清掃方法 - 特許庁
  • A sheet 6 is stuck on the whole of the backside of the waterproof floor pan 1 in which ribs 2 are provided on the backside thereof in a grid pattern.
    裏面側に格子状にリブ２を設けた防水床パン１の裏面側にシート６を全面に亙って貼り付ける。 - 特許庁
  • A resist layer 7 is formed on the backside of a lead frame 2.
    リードフレーム２の裏面上にレジスト層７を形成する。 - 特許庁
  • The back member 210 is provided apart from a backside of the high-frequency electrode 320 so as to cover the backside.
    背面部材２１０は、高周波電極３２０の裏面を覆うように、この裏面から離間して設けられている。 - 特許庁
  • BACKSIDE GROUNDING METHOD AND SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR CHIP
    半導体チップの裏面研削方法および裏面研削システム - 特許庁
  • First install a lamp unit 9 inside a backside chassis 1.
    ランプユニット９を裏側筐体１の内側に取り付ける。 - 特許庁
  • The front side connection part and the backside connection part are connected by a front side jumper 22 and a backside jumper 24 respectively.
    表側接続部は表側ジャンパー２２により、裏側接続部は裏側ジャンパー２４によりそれぞれ接続される。 - 特許庁
  • BACKSIDE GAS DELIVERY SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM
    半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス送出装置 - 特許庁
  • BACKSIDE PROTECTIVE FILM FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE
    太陽電池用裏面保護フィルム及び太陽電池モジュール - 特許庁
  • The negative electrode 6 is formed on a backside of the substrate 1.
    負極電極６は、基板１の裏面に形成される。 - 特許庁
  • The front fixing member 27 is fixed on the backside pipe 5.
    前側固定部材２７は、背面パイプ５に固定されている。 - 特許庁
  • To suppress adhesion of ink to the backside of a print medium.
    印刷媒体の裏面にインクが付着するのを抑制する。 - 特許庁
  • Then, a back cover 10 is placed on the backside sheet 8.
    次に、裏面側シート８上にバックカバー１０が載置される。 - 特許庁
  • The solar battery panel 3 is provided on a backside; a backside portion 35 is provided on the lateral side of the solar battery panel 3; and a heat shield layer is formed on the surface of the backside portion 35.
    背面側に太陽電池パネル３を設け、この太陽電池パネル３の側方に背面部３５を設けるとともに、この背面部３５の表面に遮熱層を形成させる。 - 特許庁
  • The surface-backside alignment optical part is disposed so as to allow the image projected on the image window of the surface-backside alignment optical part to be the translating replica of the mark on the backside of the substrate.
    この表面−裏面アライメント光学部品は、表面−裏面アライメント光学部品の像窓に投影される像が基板の裏面のマークの平行移動レプリカとなるように配置される。 - 特許庁
  • A covering portion 3 is constituted in such a manner that a pair of backside plate portions 5 are superposed on the backside of a front-side plate portion 4 by folding back both side area portions A2 of a metallic base plate A to the backside.
    被覆部３が、金属原板Ａの両側域部Ａ２を裏方へ折り返すことで表面板部４の裏面に一対の裏面板部５が重ねられて構成される。 - 特許庁
  • An insulative backside protection layer 19 covering the backside 15b of the dielectric 15 and the induction electrodes 17a, 17b is formed on a whole of the backside 15b of the dielectric 15.
    誘電体１５の裏面１５ｂ全体には、誘電体１５の裏面１５ｂ及び誘導電極１７ａ、１７ｂを被覆する絶縁性の裏面保護層１９が形成されている。 - 特許庁
  • At the completion of processes for forming a LOGIC circuit, a heater 24, etc., the backside of an Si substrate 12 is polished because of the formation of a flaw 32 on the backside and the adhesion of foreign matter such as dust 34 to the backside.
    ＬＯＧＩＣ回路、ヒータ２４などの形成工程が終了すると、Ｓｉ基板１２の裏面には傷３２やゴミ３４などの異物が付着しているので研磨する。 - 特許庁
  • A distance f from the backside of the guard ring 10 to the backside of the drift layer is longer than a distance from the backside of the body region to the backside of the drift layer, and a thickness h of the collector layer in the peripheral region is smaller than a thickness d of the collector layer in the active region.
    ガードリング１０の裏面からドリフト層裏面までの距離ｆがボディ領域の裏面からドリフト層の裏面までの距離よりも長く、周辺領域のコレクタ層の厚みｈが、活性領域のコレクタ層の厚みｄよりも薄い。 - 特許庁
  • SINGLE WAFER SUBSTRATE CLEANING FACILITY AND BACKSIDE CLEANING METHOD FOR SUBSTRATE
    枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法 - 特許庁
  • On the backside, recesses 16 are formed at two points of the backside of a common lead 12 with a lateral section bar 13 sandwiched.
    この裏面においては、横セクションバー１３を挟んだ共通リード１２の裏面の２箇所において、凹部１６が形成されている。 - 特許庁
  • The backside of a pad body 20 is attached along the backside of ankle and fixed at any optional position by a connector 30.
    パッド体２０の裏面側を足首裏側に沿うように当てて、装着手段３０によりそのまま任意の位置に固定する。 - 特許庁
  • SOLAR CELL MODULE AND BACKSIDE PROTECTIVE SHEET FOR THE SAME
    太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用裏面保護シート - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE HAVING BACKSIDE SANDBLASTED
    サンドブラスト処理された裏面を有するＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁
  • As a result, a coating film is formed on the backside of the wafer W.
    その結果、ウェハＷの裏面に塗布膜が形成される。 - 特許庁
  • SOLAR CELL BACKSIDE SHEET AND SOLAR CELL MODULE USING THE SAME
    太陽電池裏面シートおよびそれを用いた太陽電池モジュール - 特許庁
  • BACKSIDE IRRADIATION TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 - 特許庁
  • BACKSIDE IRRADIATION-TYPE SOLID STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND ITS PRODUCTION PROCESS
    裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 - 特許庁
  • A covering material 3 is prearranged on the backside of the main body 2.
    本体２裏面側には、予め被覆材３を配置しておく。 - 特許庁
  • A second layer of metal is formed on the backside of the device chip.
    デバイス・チップの背面上に、金属の第２の層を形成する。 - 特許庁
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