「Backside」を含む例文一覧(3364)

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  • A conductive reflection factor improvement layer including a reflection factor improvement object is prepared between a backside transparent conductive layer and a backside metallic layer.
    裏面透明導電層と裏面金属層と間に、反射率改善体を含む導電性反射率改善層を設ける。 - 特許庁
  • To support a substrate without coming into contact with a surface and a backside.
    表面および裏面に接することなく基板を支持する。 - 特許庁
  • SOLAR CELL BACKSIDE SHEET AND SOLAR CELL MODULE INCLUDING THE SAME
    太陽電池裏面シート及びこれを備えた太陽電池モジュール - 特許庁
  • The backside electrodes 30 are provided in a bilaterally (vertical) symmetrical arrangement.
    裏面電極３０は左右（上下）に対象の配置とする。 - 特許庁
  • Each of the front surfaces 2A to 2D is in parallel to the backside 2E.
    表面２Ａ〜２Ｄの各々は裏面２Ｅと平行である。 - 特許庁
  • Front-side and backside exterior wall panels 1 and 2 are provided.
    表側外壁パネル１および裏側外壁パネル２を設ける。 - 特許庁
  • PROCESSING METHOD FOR BACKSIDE OF WAFER AND SHEET LAMINATING APPARATUS FOR DICING
    ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置 - 特許庁
  • SOLAR BATTERY BACKSIDE SHEET AND SOLAR BATTERY MODULE USING THE SAME
    太陽電池裏面シート及びこれを用いた太陽電池モジュール - 特許庁
  • On the backside of someone's happiness there is certainly someone crying.
    <誰かの幸せの裏では 必ず 誰かが泣いているものです> - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • But I will let you choose whether I slide it down her throat or up her backside.
    でも選ばせてやろう 喉から下へか 背中から上へか - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Finally, the backside is cut off to make a fine blade that is almost like a thread,
    最後に背を落とせば糸に近い繊細な刃ができる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide an apparatus and a method for wafer backside inspection to automatically inspect contamination, cracks, scratches and the like on the backside of a wafer.
    ウェーハ裏面の汚染、クラック、スクラッチなどを自動的に検査するウェーハ裏面検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁
  • An image on the backside of the printing paper before carrying it from a printing paper cassette to an image printing part 15 is read by a backside reading part 24, and the presence or absence of color printing on the backside of the printing paper is detected from the read backside image by a control part 11.
    印刷用紙カセットから画像印刷部１５まで搬送される前の印刷用紙の裏面の画像が裏面読取部２４により読み取られ、読み取られた裏面画像から印刷用紙の裏面におけるカラー印刷の有無が制御部１１により検出される。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a backside illumination image sensor, which can stably and efficiently remove the backside of a substrate in the backside illumination image sensor and can greatly reduce a manufacturing cost.
    背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができ、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A pressure measurement unit 13 for measuring the pressure of the backside gas introducing path 11 and a pressure reducing means 14 for reducing pressure in the backside path 11 are connected to the backside gas introducing path 11.
    バックサイドガス導入路１１には、バックサイドガス導入路１１の圧力を計測する圧力測定器１３、及びバックサイドガス導入路１１内を減圧する減圧手段１４が設けられている。 - 特許庁
  • In another design, a single substrate is extended on the backside of the chip 38 so as to completely cross the backside, and a ground via is extended to pass through the single substrate to connect the backside metal layer 44 to the fixing tool 42.
    他の設計では、基板（８０）はチップ（３８）の裏面を完全に横切るように延び、グラウンド・バイア（８４）は基板（８０）を通って延び裏面金属層（４４）を固定具（４２）に接続させる。 - 特許庁
  • To restrain risks of cracking and breaking a backside substrate when a conductive pin is press-fitted into a through-hole on the backside substrate while thinning a protection panel by using a glass plate as a backside substrate.
    裏面側基板にガラス板を使用して保護パネルの薄型化を図りながら、裏面側基板の貫通孔への導電ピン圧入時に、裏面側基板に亀裂や割れが生じる虞を抑制する。 - 特許庁
  • A cover stopper 110 is provided on a backside of a top cabinet 3.
    上キャビネット３の裏面には、カバーストッパー１１０が設けられている。 - 特許庁
  • An accommodation recessed part is formed on the backside of the top wall part 22.
    天壁部２２の裏面側には収容凹部が形成されている。 - 特許庁
  • BACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND IMAGE-CAPTURING DEVICE
    裏面照射型撮像素子、その製造方法および撮像装置 - 特許庁
  • A surface side skin 5 and a backside skin 9 are pasted via the material 4.
    この面状材４を介して表皮５と裏皮９を張る。 - 特許庁
  • Backside gas pressure from the start of etching for the given length of a time is set shorter than the backside gas pressure of a main etching condition.
    また エッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁
  • The method includes supporting the workpiece on the backside in a vacuum chamber while leaving a peripheral annular portion of the backside exposed.
    本方法には背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。 - 特許庁
  • BACKSIDE GRINDING MACHINE FOR STAMPER, GRINDER USED FOR IT AND GRINDING METHOD
    スタンパ用裏面研磨機、それに用いる研磨盤および研磨方法 - 特許庁
  • To provide a backside irradiation image sensor, and a manufacturing method therefor.
    裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A display terminal stores a mark for surface side to be printed on the surface side of a sheet and a mark for backside to be printed on the backside.
    表示端末には、用紙の表面に印刷される表面用マーク、および裏面に印刷される裏面用マークが記憶されている。 - 特許庁
  • A wiring part of the LED-FPC 6 is extracted to the backside 51 from an opening hole 53 formed on the backside 51 of the rear frame 5.
    ＬＥＤ−ＦＰＣ６の配線部は、リアフレーム５の裏面５１に形成された開口穴５３より、裏面５１に引き出されている。 - 特許庁
  • THICK-FILM CONDUCTOR COMPOSITION AND BACKSIDE AG ELECTRODE OF SOLAR CELL
    厚膜導体組成物および太陽電池セルの裏面Ａｇ電極 - 特許庁
  • Additionally, the backside cover further contains a colored film.
    さらに、裏面カバーは着色したフィルムを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • BACKSIDE PROTECTIVE SHEET FOR SOLAR BATTERY MODULE AND SOLAR BATTERY MODULE
    太陽電池モジュール用の裏面保護シート及び太陽電池モジュール - 特許庁
  • Backside of a semiconductor wafer 20 is ground and an N+ type region 9 is formed entirely on the backside of the semiconductor wafer 20 thus ground.
    半導体ウェハ２０の裏面を研削し、研削が行われた半導体ウェハ２０の裏面全体にＮ＋型領域９を形成する。 - 特許庁
  • And then I said, child, if I have to touch another white man's backside
    それで思ったの もっと別の白人の男のお尻を触ったら - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • In the Pentium II, the backside bus operates at one-half the processor clock speed.
    Pentium IIでは、バックサイドバスはプロセッサのクロック速度の半分で動作する。 - コンピューター用語辞典
  • A semiconductor chip backside is set at a position lower than that of a molded resin part.
    半導体チップ裏面はモールド樹脂部よりも低い位置とする。 - 特許庁
  • To provide a thick-film conductor composition capable of surely forming a backside Ag electrode having high bonding reliability to a backside Al collector electrode, and to provide the backside Ag electrode having high bonding reliability to the backside Al collector electrode formed by using the thick film conductor composition.
    裏面Ａｌ集電電極への接合信頼性の高い裏面Ａｇ電極を確実に形成することが可能な厚膜導体組成物および、該厚膜導体組成物を用いることにより形成される、裏面Ａｌ集電電極への接合信頼性の高い裏面Ａｇ電極を提供する。 - 特許庁
  • A pair of side plate parts 15a of the casing 15 constituting a rotating brush unit U is connected to the lower end of a backside cover C attached to the backside part of the casing 15 by a supporting pin 46 and the backside of the casing 15 is opened by rotating the backside cover C to the backward.
    回転ブラシユニットＵを構成するケーシング１５の一対の側板部１５ａと、前記ケーシング１５の背面部に取付けられた背面カバーＣの下端部とを支点ピン４６でピン連結させ、該背面カバーＣを後方に回動させることによって、ケーシング１５の背面を開口させる。 - 特許庁
  • In a backside 28 of one screen 25 made of basis material where a light beam 19 is transmitted, a light source is provided to apply the light beam 19 to the backside 28 of the screen 25 with a portion outside of an optional portion (a backside portion of a face part of a character) of the backside 28 shielded 24.
    例えば光線１９が透過する素地よりなる１枚の画面２５の裏面２８に、該裏面２８の任意部分（人物の顔の部分２７の裏部分２９）以外の部分を遮光２４し、該画面２５の裏面２８に光線１９を照射させるための光源を備えた。 - 特許庁
  • A first adhesive sheet is stuck previously to the backside of a wafer.
    ウェハの裏面には予め第１接着シートが貼り付けられている。 - 特許庁
  • INSPECTION METHOD FOR SILICON WAFER BACKSIDE PROJECTION AND PRODUCTION PROCESS OF SILICON WAFER
    シリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁
  • Also, on a backside of the wafer 21, a back electrode 44 is formed.
    また、ウエハ２１の裏面には裏面電極４４が形成されている。 - 特許庁
  • A support member 6 which supports a diffusion plate 2 from inside and which is erected on a backside member 5 is penetrated a backside reflecting layer 8, the support member 6 and the backside member 5 are contacted each other, and both of them are made of heat dissipation material.
    拡散板２を内側から支持し背面部材５に立設された支持部材６は背面反射層８を貫通し、この支持部材６と背面部材５が互いに接触し、かつ共に放熱材より成る。 - 特許庁
  • BACKSIDE INCIDENT TYPE LINEAR IMAGE SENSOR, ITS DRIVING METHOD, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法 - 特許庁
  • PROCESS FOR WAFER BACKSIDE POLYMER REMOVAL, AND WAFER FRONT SIDE SCAVENGER PLASMA
    ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ - 特許庁
  • IMAGE SENSOR HAVING BACKSIDE ILLUMINATION STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE IMAGE SENSOR
    背面照明構造のイメージセンサー及びそのイメージセンサーの製造方法 - 特許庁
  • A backside 10 of the semiconductor chip is fixed onto the solder layer.
    当該半田層には、上記半導体チップの裏面１０が固定される。 - 特許庁
  • A backside sheet 5 is provided on a backside of a solar cell module in which a front plate is arranged on a front side of a sealing material for sealing solar cells.
    太陽電池セルを封止した封止材の前面側に前面板を配置した太陽電池モジュールの裏面側に裏面シート５を設けた。 - 特許庁
  • INVERSION MODIFIED SOLAR CELL CONSTRUCTION HAVING via FOR BACKSIDE CONTACT
    背面側接触のためのｖｉａを有する倒置変性ソーラーセル構造 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR WAFER SUCTION HOLDER AND SEMICONDUCTOR WAFER BACKSIDE GRINDER
    半導体ウェーハ吸着保持具及び半導体ウェーハ裏面研削装置 - 特許庁
  • The adhesive layer is formed in the backside outer peripheral marginal zone of the top layer face material, and continues throughout the backside perimeter of the top layer face material.
    接着剤層は、上張り面材の裏面外周帯域に形成されるとともに、上張り面材の裏面全周に亘って連続する。 - 特許庁
  • To provide a method of polishing a semiconductor wafer having a surface and a backside.
    おもて面と裏面とを有する半導体ウェーハを研磨する方法。 - 特許庁
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