「Capacitance」を含む例文一覧(9962)

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  • The operational amplifier is configured such that a resistor 15 with a resistance R_C and a capacitor 17 with a static capacitance C_C are connected in series between a connecting point of a differential amplifier circuit 11 and an output amplifier circuit 13 connected in series and an output terminal of the output amplifier circuit 13 and the resistor 15 and the capacitor 17 apply the phase compensation of input output characteristics.
    互いに直列に接続された差動増幅回路11及び出力増幅回路13の接続間と、出力増幅回路13の出力端との間に、抵抗値R_Cの抵抗器15と静電容量C_Cのコンデンサ17とを直列に接続し、抵抗器15とコンデンサ17によって入出力特性の位相補償を行う演算増幅器である。 - 特許庁
  • Therefore, it can give a large difference by the capacitance in each rectified current path made in a period when the commercial AC power source becomes positive/negative polarity, so it comes to be able to pass a rectified current, which should flow simultaneously to each rectified current path, temporally dividing it in two, and can improve the power factor by enlarging the angle of conduction of the rectified current.
    これにより、商用交流電源が正/負極性となる期間に形成されるそれぞれの整流電流経路における静電容量により大きな差を与えることができ、それぞれの整流電流経路に同時に流れるべき整流電流を時間的に二分して流すことができるようになって、整流電流の導通角を拡大して力率の改善が図られる。 - 特許庁
  • In the cooker having a door and the operation panel attached to appropriate locations at the front of a cooker main body in which the operation panel is tiltable in the vertical direction by the electric mechanism, the operation panel having the plurality of touch keys for detecting input operations by variation in capacitance disposed on the operation panel, a panel case constituting the shell of the operation panel is composed of a conductive member.
    調理器本体の前面適所に扉と操作パネルとを装着し、この操作パネルを電動機構により上下方向に傾動可能に構成すると共に、操作パネルに静電容量の変化により入力操作を検出する複数のタッチキーを配置したものにおいて、操作パネルの外郭を構成するパネルケースを導電部材により構成して成る。 - 特許庁
  • Thereby, polarities of the compensation voltage given to pixel electrodes from the storage capacitance line 12 via the storage capacitances 2 can be reversed every plural pieces in a scanning line direction, potentials of the pixel electrodes can be reversed every plural pieces in the scanning line direction and the hatch pattern is also made not to be biased between the case when the polarity of the pixel electrodes is positive and the case when the polarity thereof is negative.
    これにより、蓄積容量線12から蓄積容量2を介して画素電極に与えられる補償電圧の極性を走査線方向について複数個毎に反転させ、走査線方向について画素電極の電位を複数個毎に反転させることを可能とし、ハッチパターンに対しても、画素電極の極性が正と負で偏ることがないようにする。 - 特許庁
  • To provide a device for measuring a leakage current capable of acquiring current Igc values in each phase and as total flowing through a ground electrostatic capacitance of a distribution circuit of three-phase four wires or three-phase three wires of distribution system, capable of acquiring the leakage current Igr value including no error caused by an unbalanced state, and capable of determining a phase where the leakage current Igr value increases.
    3相4線、又は3相3線式の配電方式配電回路の対地静電容量を通じて流れる各相別及び合計の電流Igc値の把握、及び、アンバランス状態に起因する誤差を含まない漏れ電流Igr値の把握、及び漏れ電流Igr値が増大している相の判定を行うことのできる漏洩電流測定装置の提供を目的とする。 - 特許庁
  • One of a capacitance element 7, an inductance element 8, and a resistance element is connected to a coupling terminal and the termination side of the sub-line in series or parallel, and respective element values are so set that isolation characteristics in an in-use frequency band are improved.
    任意長の二つのマイクロストリップラインを、微小間隙を挟んで平行に並べ、一方を主線路、他方を副線路とし、前記副線路のカップリング端子及び終端側夫々に直列又は並列にキャパシタンス素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかを接続し、使用周波数帯域内のアイソレーション特性を改善するように前記各素子値を設定するように方向性結合器を構成する。 - 特許庁
  • Due to this structure, very large electrostatic discharge is available between the first and second n^+-regions which are close to each other, resulting in remarkably decreasing electrostatic energy to an operating region of HEMT while barely increasing parasitic capacitance.
    第1n+型領域および第2n+型領域のうち少なくとも一方は対向する先端部分の幅が非常に狭く、金属層が重畳してコンタクトしており、近接した第1、第2n+領域間で非常に大きな静電気を放電できるので、寄生容量をほとんど増やすことなくHEMTの動作領域に至る静電エネルギーを大幅に減衰させることができる。 - 特許庁
  • The third switch network 3 supplies a fixed voltage signal from the voltage source Vr to the input terminal of the error amplifier AMP1 and the terminal pair X1, X2 connected to the input terminal via the second network 20, during a prescribed time shorter than a duration of the third period, from the start of the third period, to thereby forcibly charge/discharge a stray capacitance.
    ここで第3のスイッチ回路網3は、第3の期間の開始から第3の期間の継続時間よりも短い所定時間の間、誤差増幅器AMP1の入力端子およびその入力端子に第2の回路網20を介して接続されている端子対X1、X2に対し、電圧源Vrから固定された電圧信号を供給し、強制的に浮遊容量に充放電させる。 - 特許庁
  • According to the signal delay amounts from an input side of gate wiring 2a to be applied with a gate pulse toward an end side of the same gate wiring, parasitic capacitance values formed between the gate wiring and pixel electrodes 91, 92, 93 faced thereto are formed at least so as to be gradually smaller from the input side of the gate wiring toward the end side of the same gate wiring.
    ゲートパルスが印加されるゲート配線2aの入力側から同一のゲート配線の終端側への信号遅延量に応じて、少なくとも、前行のゲート配線と対向する画素電極91、92、93との間に形成された寄生容量の容量値が、ゲート配線の入力側から同一のゲート配線の終端側にかけて徐々に小さくなるように構成した。 - 特許庁
  • To provide a relay apparatus, communication system and relay method which, when constituting the communication system that performs relay by transmitting/receiving data among the plurality of relay apparatus and transmitting the data so as to distribute the data from the relay apparatuses to a communication apparatus, enable a configuration to be simplified such as reducing storage capacitance of a memory provided in the relay apparatus.
    複数の中継装置間でデータを送受信し、各中継装置から通信装置へデータを分配するように送信することで中継する通信システムを構成する場合に、中継装置が備えるメモリの記憶容量を少なくすることが可能となるなど構成を簡素とすることができる中継装置、通信システム及び中継方法を提供する。 - 特許庁
  • An error amplifier 3 generates current Id corresponding to difference between charging voltage V (Cref) up to the charging time termination of capacitance Cref supplied to an inverted input terminal through a peak hold circuit 1 and the voltage Vbg of a voltage source Vbg supplied to a noninverted input terminal and supplies the current Id to an LC oscillation circuit 5 and the upper part of a switch element SW1.
    誤差アンプ3は、ピークホールド回路1を介して、反転入力端に供給される容量Crefの充電時間終了時までの充電電圧V(Cref)と、非反転入力端に供給される電圧源Vbgの電圧Vbgとの差に応じた電流Idを生成し、LC発振回路5と、スイッチ素子SW1上方に供給する。 - 特許庁
  • Further, concerning the EMI analytic method of this invention, the unwanted radiation of the LSI on simulation is evaluated in real time by reflecting the power supply current calculation of gate level with the influence of decoupling caused by the resistance, capacitance and inductance of a power source and a ground and further, efficient EMI measures are enabled by supporting the specification of an EMI generating point.
    また、本発明のEMI解析手法は、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響をゲートレベルの電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてLSIの不要輻射を現実的な時間で評価するとともに、さらには、EMI発生個所の特定を支援することによる効率的なEMI対策を可能にするものである。 - 特許庁
  • The temperature compensated crystal oscillator includes an oscillation circuit including a crystal oscillator; a variable capacitor inserted in series in the oscillation circuit; a thermosensitive circuit element whose resistance value changes in accordance with a temperature of the crystal oscillator; and a correction circuit configured to correct capacitance of the variable capacitor based on a current value that is used when applying current to the thermosensitive circuit element.
    水晶振動子を含む発振回路と、前記発振回路に直列に挿入される可変容量素子と、前記水晶振動子に蒸着され、前記水晶振動子の温度に応じて抵抗値が変化する感温回路素子と、前記感温回路素子に対し通電を行った際の電流値に基づき、前記可変容量素子の容量を補正する補正回路とを有する。 - 特許庁
  • The snubber circuit connected in parallel with a target semiconductor element and protecting the semiconductor element from overvoltage comprises a series circuit of a DC power supply of predetermined voltage, and a variable capacitor having a capacitance which decreases as the voltage being applied to the opposite ends of the DC power supply rises and increases as the applying voltage lowers.
    保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 - 特許庁
  • To increase a capacitance value range of a detection electrode by applying the partial voltage of a developing bias voltage on a pair of comb-type or spiral electrodes so that a distance between the detection electrodes may be shortened, and to attain the highly accurate display of the remaining developer quantity which is desirable for a user.
    櫛歯状或は渦巻き状とされる電極対に、現像バイアス電圧の分圧を印加することによって、検知用電極間の距離を狭くすることができ、それによって、検知用電極の容量値のレンジを大きくし、精度の高い、ユーザーにとってより好ましい現像剤残量の表示を行うことのできる現像装置、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置を提供する。 - 特許庁
  • The purpose is accomplished by this electrostatic capacitance type vacuum sensor wherein a projecting structure formed of an insulating material is erected on the elastic structure of the diaphragm electrode and/or the fixed electrode facing to the elastic structure so that the area of the elastic structure surrounded by plural adjacent projecting structures in the projecting structure can be set to a predetermined size.
    ダイヤフラム電極の弾性構造及び/又は当該弾性構造に対向する固定電極に、絶縁体からなる突起構造が、当該突起構造の中の隣接する複数の突起構造によって囲まれる弾性構造の面積があらかじめ定められている大きさになるようにして立設されている静電容量型真空センサによって課題を解決した。 - 特許庁
  • To easily obtain an electrolytic capacitor with a large capacitance, which suppresses insulation drop of a dielectric layer being crystallized at anodizing, and the anodization is easily performed in a short time, in an electrolytic capacitor which is designed to anodize the positive electrode using a titanium and a titanium alloy to form a dielectric layer with a high dielectric constant on the surface of this positive electrode.
    チタン又はチタン合金を用いた陽極を陽極酸化させて、この陽極の表面に誘電率の高い誘電体層を形成するようにした電解コンデンサにおいて、陽極酸化時に誘電体層が結晶化して絶縁性が低下するのを抑制し、陽極酸化が短時間で簡単に行えて、高容量の電解コンデンサが容易に得られるようにする。 - 特許庁
  • The time constant τ2AL defined by the value of the product of the sheet resistance value RAL of the liquid crystal alignment layers and film capacitance CAL, is ≤4000 seconds.
    対向する一対の基板と、該一対の基板の内側に配設された一対の液晶配向膜と、該液晶配向膜の内側に配設された構造体および該構造体に接する液晶領域からなる液晶層とを有する液晶パネルを含む液晶表示装置であって、該液晶配向膜のシート抵抗値R_ALと膜容量C_ALとの積の値で定義される時定数τ_ALが、4000秒以下である、液晶表示装置。 - 特許庁
  • The evaluation method comprises (a) a step for creating an approximation formula, showing the manufacturing variation as the function of a parameter σ, (b) a step for actually measuring the distribution of wiring resistance and capacitance, with respect to the wiring structure, and (c) a step for determining the parameter σ so that the distribution can be reproduced by the approximation formula with a predetermined probability.
    その評価方法は、(a)配線構造に関する配線抵抗・容量を、製造ばらつきを示すパラメータσの関数として表す近似式を作成するステップと、(b)当該配線構造に関する配線抵抗・容量の分布を実測するステップと、(c)上記近似式で上記分布が所定の確率で再現されるように上記パラメータσを決定するステップと、を有する。 - 特許庁
  • By setting the resonance frequency f1 of a series resonance circuit, comprising an inductor L1 and the input static capacitance Cd1 of a piezoelectric transformer 104 to a higher level by 10% or more than the intrinsic resonance frequency (drive frequency) fs of the transformer 104, the transformer 104 is driven by the frequency or higher, at which a load current value I3 becomes the largest.
    インダクタL1と圧電トランス104の入力静電容量Cd1とからなる直列共振回路の共振周波数f1が、圧電トランス104の固有共振周波数(駆動周波数)fsよりも10%以上高くなるように設定することにより、負荷電流値I3が最大となる周波数以上の周波数で圧電トランス104を駆動する。 - 特許庁
  • Since the charges generated from the piezoelectric ceramics 32 are discharged at a rate corresponding to a time constant dependent on the capacitance of the piezoelectric ceramics 32 and the input impedance of the output circuit 33, the output circuit 33 outputs an analog detection signal having the same signal level as that prevailing under stationary state where no pressure is applied so long as the pressure being applied to the piezoelectric ceramics 32 is kept constant.
    圧電セラミクス32が発生させた電荷は、自身の静電容量と、出力回路33の入力インピーダンスとで決まる時定数に応じた割合で放電されるため、圧電セラミクス32に加わる圧力が一定に保持されている場合、出力回路33が出力するアナログ検出信号の信号レベルは、圧力が加えられていない静止時と同じ信号レベルとなる。 - 特許庁
  • Voltages having different values are applied to one or two designated electrodes from among the electrodes 302 and one or two electrodes from among residual electrodes, and a voltage between electrodes to which the voltages are applied is measured by a measuring function provided in the communication element 200, and the capacitance between the electrodes or the strain quantity of the elastic body 300 is measured from the measured voltage.
    電極302のうち、指定する一つまたは二つの電極と、残りの電極のうちの一つまたは二つの電極に異なった値の電圧を印加し、通信素子200に備えられた計測機能が電圧を印加した電極間の電圧を測定し、測定した電圧から、電極間の静電容量あるいは弾性体300の歪量を計測する。 - 特許庁
  • To solve the problems of conventional IT-CCD that a more sophisticated micromachining technology is required for forming a transfer electrode in a horizontal transfer CCD as the pixel density increases and power consumption of the horizontal transfer CCD increases because the load capacitance increases at a pulse supply terminal used for supplying a drive pulse to the horizontal transfer CCD.
    従来のIT−CCDにおいては、画素密度の向上に伴って、水平転送CCDにおける転送電極の形成に高度な微細加工技術が要求されるようになると共に、水平転送CCDに駆動パルスを供給するために使用されるパルス供給用端子の負荷静電容量が増加して、水平転送CCDの消費電力が増大する。 - 特許庁
  • In this capacitance humidity sensor, the pair of electrodes 1 and 2 comprise an inner electrode 1 having closed outer periphery and an outer electrode 2 having closed outer periphery, and the moisture sensitive film 3 is formed (closed) between the inner electrode 1 and the outer electrode 2 (in a clearance between the inner electrode 1 and outer electrode 2).
    本発明の静電容量式の湿度センサは、前記一対の電極1,2が、外周が閉じている内側の電極1と、外周が閉じている外側の電極2とにより構成されており、内側の電極1と外側の電極2との間に(内側の電極1と外側の電極2との隙間に)、感湿膜3が形成された(閉じ込められた)ものとなっている。 - 特許庁
  • The electrode for the Faraday capacitance type capacitor includes: a composite electrode 3 containing a conductive high polymer, carbon nanotubes, and a binder that can be subjected to redox reaction; and a current collecting electrode 1 electrically joined to the composite electrode 3, wherein a current collecting layer 2 containing non-fibrous carbon is sandwiched between the composite electrode and the current collecting electrode.
    本発明のファラデー容量型キャパシタ用電極は、電気化学的レドックス反応が可能な導電性高分子とカーボンナノチューブとバインダーとを含有する複合電極3と、該複合電極3に電気的に接合された集電電極1とを備えており、複合電極と集電電極との間に非繊維状カーボンを含む集電層2が挟持されている。 - 特許庁
  • An LED driver circuit to which an AC power source is connectable through a phase control dimmer to drive an LED load, comprises a discharger for consuming energy of a resonance phenomenon generated by a dimmer capacitance component and a dimmer inductance component which the phase control dimmer has when a current holding unit of the phase control dimmer is turned on.
    位相制御式調光器を介して交流電源と接続可能であってLED負荷を駆動するLED駆動回路において、前記位相制御式調光器が有する電流保持部がオンとなったときに前記位相制御式調光器が有する調光器容量成分と調光器インダクタンス成分により発生する共振現象のエネルギを消費する放電部を備える。 - 特許庁
  • To provide a liquid crystal display device in which sufficient retention capacitance can be disposed to improve the display characteristics of the liquid crystal display device and the allowance for aligning a substrate with thin film transistors formed to the counter substrate is increased to improve the productivity during assembling.
    液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成されている基板と同一基板上に、ブラックマトリックスが形成され、薄膜トランジスタのソース側配線が、ブラックマトリックスを兼ね、ソース配線に直交するブラックマトリックが島状に形成され、前記ソース配線と直交するブラックマトリックスが、薄膜トランジスタのドレイン電極と絶縁膜を介して電気的に接続していることを特徴とする。 - 特許庁
  • First and second internal electrodes 12 and 13 facing each other are provided, respectively, with first and second capacitance portions 14 and 17, first and second lead-out portions 15 and 18 electrically connected to first and second external terminal electrodes 10 and 11, and first and second protrusions 16 and 19 protruding partially toward the second and first external terminal electrodes 11 and 10.
    互いに対向する第1および第2の内部電極12,13は、それぞれ、第1および第2の容量部14,17と、第1および第2の外部端子電極10,11に電気的に接続された第1および第2の引出し部15,18と、第2および第1の外部端子電極11,10に向かって部分的に突出した第1および第2の突起部16,19とを有する。 - 特許庁
  • This semiconductor capacitance element has a structure, where an upper electrode 104 is formed on a lower electrode 102 at the center thereof where is not overlapped on the peripheral portion of the lower electrode 102 and that a residue pattern 105 consisting of the upper electrode forming film is provided separated from the upper electrode 104 on the peripheral portion of the lower electrode 102, overlapping with the peripheral portion of the lower electrode 102.
    下部電極102上で、かつ下部電極102の周辺部とオーバーラップしない下部電極102の中央部上に上部電極104を有し、また、下部電極102の周辺部とオーバーラップする下部電極102の周辺部上に、上部電極104とは分離して、上部電極形成膜からなる残さ防止パターン105を有した構造とする。 - 特許庁
  • A start timer of which count is started by detection of the trigger water level by the capacitance sensor 3 and which starts the submerged pump 1 after predetermined established time Ta elapses, and a drop time measuring timer of which count is started by start of the submerged pump 1 and which measures water level drop time Tb until the water level drops to the trigger level TL are provided.
    静電容量センサ3によるトリガー水位TLの検出によりカウントが開始され、予め設定された設定時間Ta経過後に水中ポンプ1を起動させるための起動用タイマと、水中ポンプ1の起動によりカウントが開始され、トリガー水位TLに下降するまでの水位下降時間Tbを計測する下降時間計測タイマとを備える。 - 特許庁
  • To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.
    単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide electronic components such as a laminated ceramic capacitor capable of restraining particle growth of Ni particles at a baking process even in case each thickness of an inner electrode layer is made thin, and capable of effectively restraining degradation of capacitance by preventing the particles from becoming spherical and preventing the electrode from breakage, and to provide a manufacturing method thereof, and conductive particles as well as conductive paste used for the manufacturing method.
    特に内部電極層の各厚みが薄層化した場合でも、焼成段階でのNi粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制することができる積層セラミックコンデンサなどの電子部品、その製造方法、その製造方法に用いられる導電性粒子および導電性ペーストを提供する。 - 特許庁
  • Considering that there may be a case where a mirror effect occurs corresponding to a magnitude of a driving load that a cell drives and a distortion is caused to an input waveform and an output waveform of a cell attributable to the mirror effect, one effective input terminal capacitance effectively equal to the cell causing the distortion of the waveform by the mirror effect and the driving load connected to it is calculated (Step 1103).
    セルが駆動する駆動負荷の大きさに応じてミラー効果が生じ、このミラー効果に起因してセルの入力波形及び出力波形に歪が発生する場合があることを考慮して、予め、ミラー効果により波形歪を生じるセル及びこれに接続された駆動負荷と実効的に等しい1つの実効入力端子容量を算出する(ステップ1103)。 - 特許庁
  • A method for forming capacitance element includes a hydrogen terminating step of performing hydrogen terminating treatment for silicon on the surfaces of the HSG of a lower electrode after performing HSG producing treatment on the lower electrode, and a heat-treating step of performing heat treatment on the lower electrodes subjected to the hydrogen terminating step at a temperature between 600°C and 800°C in a heat treating furnace maintained in a silicon-nonreactive dopant gas atmosphere.
    本方法は、下部電極にHSG化処理を施した後、下部電極のHSG表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で600℃以上800℃以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。 - 特許庁
  • To provide an oxidant for producing an electroconductive polymer, which has a low viscosity and an appropriate polymerization rate, to provide a solid electrolytic capacitor which uses, as a solid electrolyte, an electroconductive polymer obtained by chemical polymerization using the oxidant for producing an electroconductive polymer, and which has excellent initial properties such as electrostatic capacitance or ESR and superior heat resistance, and to provide a method for manufacturing the solid electrolytic capacitor.
    本発明の目的は、粘度が低く、適切な重合速度を有する導電性高分子製造用酸化剤と、該導電性高分子製造用酸化剤を用いて化学重合させてなる導電性高分子を固体電解質とした、静電容量、ESR等の初期特性及び耐熱性に優れる固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • Thereby, since the residual brazing material 3a can be prevented from spreading to the front end part 10a of the anode vane 10 when each anode vane 10 is brazed, dispersion in thickness of the anode vanes 10 caused by the residual brazing material 3a is suppressed, and capacitance between the anode vanes 10 adjacent to each other becomes substantially constant, and thus, the stable resonant frequency can be obtained.
    これにより、各陽極ベイン10のろう付けした際に生じた余剰ろう材3aが陽極ベイン10の先端部分10aに展延するのを防止することができるので、余剰ろう材3aが原因となる各陽極ベイン10の厚みのばらつきが無くなり、隣接する陽極ベイン10間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。 - 特許庁
  • In order to drive a semiconductor switching element having an input capacitance formed between a gate electrode and a first output electrode, a first switch is connected between a direct-current voltage source and the gate electrode, a second switch is connected between the first output electrode and a reference potential terminal of the direct-current voltage source, and the first and second switches are turned on to turn the semiconductor switching element on.
    ゲート電極と第1の出力電極間に入力容量が形成された半導体スイッチング素子を駆動するため、直流電圧源とゲート電極間に第1のスイッチを接続し、第1の出力電極と直流電圧源の基準電位端間に第2のスイッチを接続し、第1,第2のスイッチをオンして半導体スイッチング素子をターン・オンさせる。 - 特許庁
  • A CPU 16 carrying out real-time analysis of electrocardiogram waveforms processed in a waveform processing circuit 15 is provided, and an electrocardiogram electrode 5 can monitor a respiration waveform with a nondisposable electrocardiograph and by counting a change in capacitance between a perspiration electrode 11 and an organism as a change in the frequency of an LC oscillation circuit 14, using a counter 18 with a CPU for respiration monitoring.
    波形処理回路15で処理された心電図波形を実時間解析を実施するCPU16を備え、心電図電極5は使い捨てで無い心電計と、呼吸モニタには生体の呼吸により呼吸電極11と生体との静電容量の変化をLC発振回路14の周波数の変化としてCPUでカウンタ18を用いてカウントすることにより呼吸波形のモニタができる。 - 特許庁
  • A source-gate channel resistance of the MOS element 3 whose capacitance is stepwise changed depending on a DC voltage applied between the source and the gate through the control of the DC voltage on which an AC voltage is superimposed is selected to be a small resistance so as not to interrupt an AC signal by the AC voltage.
    ソースとゲートとの間に印加される直流電圧に応じて容量が階段状に変化するMOS素子3であって、直流電圧に交流電圧を重畳させるとともに直流電圧を制御することによって前記容量を可変する電圧可変容量素子3において、ソースとゲート間のチャンネル抵抗を、交流電圧による交流信号を遮断しない小さな値に構成する。 - 特許庁
  • As a detecting means of the capacitance detecting type sensor, a detecting electrode is exposed on the detecting surface.
    人体検知手段を有する検知部として静電容量検出型センサ−を用い、前記検知部からの入力により流路の開閉を行なう開閉弁ユニット、前記開閉弁ユニットを制御するコントローラ、前記開閉弁ユニットにより供給される液体を吐出する吐出部とを備え、かつ、前記静電容量検出型センサーの検出手段として検出面に検出電極を露出させたことを特徴とする給水制御装置。 - 特許庁
  • Since the dielectric block 3 stands stationary at a position where the centrifugal force, corresponding to an angular velocity of the space 1, is balanced with stress from an elastic member 4, and changes the capacitance generated in the capacity electrode 2, the angular velocity can be calculated and detected, based on the mass and the position of the dielectric block 3 and on the stress (centrifugal force).
    空間1の角速度に応じた遠心力と弾性部材4からの応力とがつり合う位置で誘電体ブロック3が静止して容量電極2に生じる静電容量を変化させるため、あらかじめ弾性部材4の変形に伴う応力を測定しておくことにより、誘電体ブロック3の質量および位置と、応力(遠心力)とを基に角速度を算出し検知することができる。 - 特許庁
  • To provide a nonaqueous electrolyte along with an electrochemical device using the same, capable of suppressing degradation of characteristic of an electrolyte which is caused by the water in the electrolyte, and capable of suppressing expansion and deformation of a film package when put in a reflow furnace for soldering to a circuit-board not to degrade characteristics such as capacitance, relating to the electrochemical device of a film package type.
    電解液中の水に起因する電解液の特性低下を抑制することができ、また、フィルムパッケージタイプの電気化学デバイスに対しては、静電容量等の特性を低下させないように、回路基板への半田付けのためにリフロー炉に投入された場合のフィルムパッケージの膨張及び変形を抑制することのできる非水電解液及びこれを用いた電気化学デバイスを提供する。 - 特許庁
  • The semiconductor device 10 provides a near on-chip bypass capacitor 23 of capacity having a predetermined relationship to an input capacitance 34 of a receiving circuit 15 for each output circuit 12 as to be a predetermined wiring resistance, and a distant on-chip bypass capacitor 24 whose capacity and wiring resistance have the predetermined relationship for each output circuit 12 is provided to a plurality of output circuits 12 in common.
    本発明の半導体装置10は、出力回路12毎に受信回路15の入力容量34と所定の関係を有する容量の近傍オンチップバイパスキャパシタ23を、所定の配線抵抗となるように設け、それぞれの出力回路12について容量および配線抵抗が所定の関係となる遠方オンチップバイパスキャパシタ24を、複数の出力回路12に共通に設ける。 - 特許庁
  • An output from a single-phase amplifier circuit 20, to which an output from a differential amplifier circuit 10 is input, is input to a clamp circuit 41 using a source follower consisting of an N channel MOS transistor MN5, and the charging time of the capacitance Cp can be shortened narrowing a necessary charging voltage width without providing a new constant voltage source, by limiting an input of the single-phase amplifier circuit 20 using the clamp circuit 41.
    差動増幅回路10の出力が入力される単相増幅回路20の出力をNチャネルMOSトランジスタMN5からなるソースフォロワによるクランプ回路41に入力し、当該クランプ回路41により単相増幅回路20の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Cpの充電時間を短くすることができる。 - 特許庁
  • The receiver 2 includes: a receive antenna electrode 5 which is paired with the transmit antenna electrode 4 and receives the transmission output radiated from the transmit antenna electrode 4; an oscillation circuit 6 which performs oscillating operation with an electrostatic capacitance of a quasi-electrostatic field being present between the receive antenna electrode 5 and the transmit antenna electrode 4 as a circuit element; and a demodulation circuit 7 for demodulating an output signal from the oscillation circuit 6.
    受信機2は 送信アンテナ電極4と対をなし、送信アンテナ電極4から放射された送信出力を受信する受信アンテナ電極5と、この受信アンテナ電極5と送信アンテナ電極4との間に存在する準静電界の静電容量Cを回路要素として発振動作を行う発振回路6と、この発振回路6からの出力信号を復調する復調回路7と、を有する。 - 特許庁
  • To provide manufacturing method of a semiconductor device including a passive element of high-voltage specification and a capacitive element of low-voltage specification, which acquires capacitance of the capacitive element of low-voltage specification, and a breakdown voltage against the high-voltage specification of the passive element of high-voltage specification, and prevents fluctuation of property in the passive element of high-voltage specification at the time of manufacturing.
    高電圧仕様の受動素子と低電圧仕様の容量素子とを備える半導体装置の製造方法であって、低電圧仕様の容量素子の容量を確保できると共に、高電圧仕様の受動素子の当該高電圧仕様に対する耐圧を確保すると共に、製造時に高電圧仕様の受動素子の特性が変動することを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The second electrode 3 is an electrode piece equipped with parts 32a, 32b radially extending from the center (contact center) 31 of a part contacted by the pressing member along the second surface 1b of the dielectric 1 in a direction of an end thereof, and configured to change a capacitance as a capacitor by a contact area with the dielectric 1 being changed according to the pressure applied via the pressing member.
    第2の電極3は、押圧部材が接触する部分の中心(当接中心部)31から誘電体1の第2の面部1bに沿ってその端部の方向に放射状形状に延伸された部分32a、32bを備えた電極片であり、押圧部材を介して加えられる押圧力に応じて、誘電体1との接触面積が変えられることにより、コンデンサとしての静電容量を変化させる構成となっている。 - 特許庁
  • A novel category switching amplifier called as "a class E/F amplifier", by disposing a class F^-1 impedance at a selected harmonic and a class E impedance at the other harmonic, removes a loss usually related to a specific capacitance of a switching device used in the class E amplifier with the use of a load network for the waveform with voltage and current improved and a zero voltage switching (ZVS) phase correction technology.
    「E/F級増幅器」と呼ばれる、新たな分類のスイッチング増幅器は、選択された調波でF^-1級のインピーダンスと、それら以外の調波でE級のインピーダンスを配備することによって、電圧と電流の改良された波形のための負荷ネットワークと共に、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)位相補正技術を用いて、E級増幅器で利用されるスイッチングデバイスの固有キャパシタンスに通常関連した損失を取り除く。 - 特許庁
  • A sensor characteristics measurement part 14 makes electrodes 31a-31c of the capacitance sensor 31 selectively into a state applied with a sine wave and the electrodes 31a-31c optionally into an open or a grounded state, selects a current generating at the electrodes 31a-31c in these states to convert into a voltage value, and detects overcurrents individually flowing through the electrodes 31a-31c when applying the sine wave.
    センサ特性計測部14は、静電センサ31の各電極31a〜31cに選択的に正弦波を印加状態とすると共に各電極31a〜31cを任意にオープン状態又は接地状態とし、これらの状態において各電極31a〜31cに発生する電流を選択して電圧値に変換し、また、正弦波の印加時に各電極31a〜31cの個々に流れる過電流を個々に検出する。 - 特許庁
  • By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.
    金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁
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