「Defect Density」を含む例文一覧(483)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- LOW DEFECT DENSITY SILICON
低欠陥密度シリコン - 特許庁 - CALCULATION METHOD OF DEFECT DENSITY
欠陥密度の算出方法 - 特許庁 - To reduce HF-defect density of an SOI.
SOIのHF欠陥密度を低減する。 - 特許庁 - VACANCY DOMINATED SILICON HAVING LOW DEFECT DENSITY
低欠陥密度の空孔優勢シリコン - 特許庁 - METHOD OF MEASURING DEFECT DENSITY IN SINGLE CRYSTAL
単結晶の欠陥密度測定方法 - 特許庁 - SOS SUBSTRATE REDUCED IN SURFACE DEFECT DENSITY
表面欠陥密度が少ないＳＯＳ基板 - 特許庁 - IDEAL OXYGEN DEPOSITION SILICON HAVING LOW DEFECT DENSITY
低欠陥密度の理想的酸素析出シリコン - 特許庁 - SELF-INTERSTITIAL DOMINATED SILICON HAVING LOW DEFECT DENSITY
低欠陥密度の自己格子間物優勢シリコン - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING GROWN-IN DEFECT DENSITY OF SILICON WAFER
シリコンウエハのグローン・イン欠陥密度の評価方法 - 特許庁 - To separate a low defect density film from a base substrate after growing the low defect density film on the base substrate.
ベース基板に低欠陥密度膜を形成した後低欠陥密度膜をベース基板から分離させること。 - 特許庁 - To form a low-defect density crystalline silicon film.
欠陥密度の小さい結晶性珪素膜を形成する - 特許庁 - LOW DEFECT DENSITY VACANCY-DOMINATED SILICON WAFER AND INGOT
低欠陥密度の空孔優勢シリコンウエハおよびインゴット - 特許庁 - To provide an AIN layer of large area with small defect density.
欠陥密度が小さく且つ大面積のＡｌＮ層を得る。 - 特許庁 - To reduce defect density in a semiconductor element substrate.
半導体素子用基板において、欠陥密度を低減する。 - 特許庁 - SOS SUBSTRATE LOW IN DEFECT DENSITY IN PROXIMITY OF INTERFACE
界面近傍における欠陥密度が低いＳＯＳ基板 - 特許庁 - PRODUCTION OF NITROGEN-DOPED, LOW DEFECT DENSITY SILICON SINGLE CRYSTAL
窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁 - To minimize defect density in an SiGe layer.
ＳｉＧｅ層中の欠陥密度を最小化することができる。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SEMICONDUCTOR WAFER HAVING LOW DEFECT DENSITY
低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING REORIENTED Si OF LOW DEFECT DENSITY
配向変更された低欠陥密度のＳｉを製造する方法 - 特許庁 - To provide a method of growing an artificial quartz crystal having low linear defect density and the artificial quartz crystal having the low linear defect density.
線状欠陥密度の低い人工水晶の育成方法、及び線状欠陥密度の低い人工水晶を提供する。 - 特許庁 - It is a defect data analysis method to analyze the defect distribution status based on defect position coordinates detected by an inspection device to classify into any one of the distribution characteristics categories among iterations defect, high density defect, line distribution defect, ring/massive distribution defect, and random defect.
検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。 - 特許庁 - PROCESS FOR PREPARING LOW DEFECT DENSITY SILICON USING HIGH GROWTH RATE
高成長速度を用いた低欠陥密度シリコンの製造方法 - 特許庁 - To provide a gallium nitride semiconductor layer having a low defect density.
低欠陥密度を有する窒化ガリウム半導体層を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF REDUCING POOR PLANARIZATION AND DEFECT DENSITY OF SILICON GERMANIUM
シリコンゲルマニウムの、平坦化及び欠陥密度を減少させる方法 - 特許庁 - EPITAXIAL STRUCTURE HAVING LOW DEFECT DENSITY, AND PRODUCTION PROCESS OF THE SAME
低欠陥密度を有するエピタキシャル構造およびその製造方法 - 特許庁 - To enlarge the control region of defect-free layer depth and fine defect density of the inside in a CZ silicon wafer.
ＣＺシリコンウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御範囲を拡大する。 - 特許庁 - The defect density generated by a lattice mismatching is reduced, and the defect distribution can be distributed.
格子不整合によって発生する欠陥密度を減少させ、欠陥分布を分散させることができる。 - 特許庁 - The GaN layer 10 includes a high-defect region 10a and a low-defect region 10b lower in defect density than the high-defect region 10a, and has a principal surface 10c.
ＧａＮ層１０は、高欠陥領域１０ａと、高欠陥領域１０ａよりも欠陥密度の低い低欠陥領域１０ｂとを含み、主表面１０ｃを有する。 - 特許庁 - METHOD OF SIMULATING DENSITY AND SIZE DISTRIBUTION OF DEFECT IN SINGLE CRYSTAL
単結晶内欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法 - 特許庁 - The monthly fatal defect density of the reference product is multiplied by a calculated average fatality ratio to calculate the monthly fatal defect density of the yield prediction subject product.
リファレンス製品の月別致命欠陥密度に平均致命率の比をかけ、予測対象製品の月別致命欠陥密度を算出する。 - 特許庁 - SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER HAVING LOW CRYSTAL DEFECT DENSITY AND ITS PRODUCTION
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 - 特許庁 - By doing this, after the low defect density film is grown preferably on the base substrate, the low defect density film is separated from the base substrate and the device can be formed on the low defective density film.
こうすることで、ベース基板に好適に低欠陥密度膜を形成した後、低欠陥密度膜をベース基板から分離させ低欠陥密度膜上にデバイスを形成することができる。 - 特許庁 - To detect a processing defect which causes the deterioration of high-density multicolor reproduction, and to perform correction in accordance with the defect.
高濃度の多重色の色再現の劣化を招くプロセス不良を検出し、それに応じた補正を行う。 - 特許庁 - RED INK FOR CORRECTING DEFECT IN RED COLORED LAYER OF COLOR FILTER WITH HIGH COLOR DENSITY
高色濃度カラーフィルタの赤色着色層欠陥修正用赤インキ - 特許庁 - To produce an epitaxial wafer low in the epitaxial defect density.
エピタキシャル欠陥密度を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element employing a semiconductor film of low defect density.
低欠陥密度の半導体膜を用いた半導体素子を提供する - 特許庁 - To obtain a substrate for a semiconductor device having low defect density over a wide range.
広範囲に亘って欠陥密度が低い半導体素子用基板を得る。 - 特許庁 - LOW DEFECT DENSITY SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER DOPED WITH NITROGEN AND ITS PRODUCTION
窒素ド—プした低欠陥シリコン単結晶ウエ—ハおよびその製造方法 - 特許庁 - POLARIZATION INVERSION METHOD BY DEFECT DENSITY CONTROL AND OPTICAL WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT
欠陥密度制御による分極反転法および光波長変換素子 - 特許庁 - The charge barrier layer 2 has defect density lower than the defect density in the charge moving layer 3 and has a barrier larger than that of the charge transfer layer 3.
電荷障壁層２は電荷移動層３中の欠陥密度よりも少ない欠陥密度で、かつ電荷移動層３よりも大きな障壁を持つようにする。 - 特許庁 - An identification of a low-defect density region and a positioning of a semiconductor device formation region are performed by using alternate and periodical formation of a low-defect density region and a high-defect density region.
横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 - 特許庁 - To provide a defect inspection method capable of inspecting a defect by setting a size determination region having defect detection sensitivity corresponding to the size of a defect part automatically according to the pattern density.
パターンの密度に応じて自動的に欠陥部分のサイズに応じた欠陥検出感度を有するサイズ判定領域を設定して欠陥検査できる欠陥検査方法を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a substrate for semiconductor element having small defect density extending over a wide area.
広範囲に亘って欠陥密度が小さい半導体素子用基板を得る。 - 特許庁 - To provide amorphous carbon with low defect density, and a method of manufacturing the same.
欠陥密度の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - SIMULATION METHOD FOR DENSITY DISTRIBUTION AND SIZE DISTRIBUTION OF VOID DEFECT IN SINGLE CRYSTAL
単結晶内ボイド欠陥の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法 - 特許庁 - SILICON ON INSULATOR STRUCTURE FROM LOW DEFECT DENSITY SINGLE CRYSTAL SILICON
欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus with high productivity that reduces image density defect.
画像濃度の異常を抑制し、且つ生産性の良い画像形成装置の提供。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING HIGH MAGNETIC FLUX DENSITY GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SHEET SMALL IN DEFECT IN SHAPE
形状欠陥の少ない高磁束密度方向性電磁鋼板の製造方法 - 特許庁 - The silicon carbide agglomerates having 4-6 inch diameter and ≤103/cm2 plane defect density can also be provided.
口径４〜６インチ、面欠陥密度１０^3／ｃｍ^2以下の炭化珪素塊。 - 特許庁 - After that, the release layer is etched to separate the low defect density film from the base substrate (step 1100), and then a device is grown on the low defect density film (step 1080).
その後、リリース層をエッチングすることで低欠陥密度膜をベース基板から分離して（ステップ１１００）、低欠陥密度膜上にデバイスを成長させる（ステップ１０８０）。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
