「Defect Density」を含む例文一覧(483)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- Consequently, a peak of crystal defect density is nearby the top main surface of the n-type semiconductor substrate 2 and the crystal defect density is distributed gradually decreasing toward the reverse main surface.
この結果、結晶欠陥密度のピークはｎ型半導体基板２の上主面近傍となり、結晶欠陥密度は下主面に向かって漸減するように分布する。 - 特許庁 - Also, defect inspection is carried out at a linear recording density equal to or lower than 1/(2 to 4) of a defect size impossible to be error-corrected at the magnetic disk device, and a defect size targeted for acceptance/rejection determination in defect inspection.
また、磁気ディスク装置でエラー訂正不可能な欠陥サイズであって且つ欠陥検査で合否判定の対象とする欠陥サイズの１／（２〜４）以下の線記録密度で欠陥検査を行うこと。 - 特許庁 - To provide a method for polishing an organic film such as a resist film by low surface defect density.
低い表面欠陥密度で、レジスト膜等の有機膜を研磨する方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR GROWING LOW DEFECT DENSITY SILICON CARBIDE AND RESULTING MATERIAL
低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質 - 特許庁 - To provide a method for growing a nitride semiconductor layer, the crystal defect density of which is low.
結晶欠陥密度が低い窒化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁 - The second regions 52 and 62 have a crystal defect density higher than that of first regions 51 and 61.
第２領域５２，６２は第１領域５１，６１よりも結晶欠陥密度が高い。 - 特許庁 - To provide a method for growing an aluminum (Al)-containing nitride semiconductor crystal having low crystal defect density by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO).
本発明はAl含有窒化物単結晶の成長方法に関するものである。 - 特許庁 - Thus, a rough depth on the crystal surface is reduced, resulting in reduced crystal defect density.
こうして、結晶表面の凹凸深さを低減し、結晶欠陥密度を減少させる。 - 特許庁 - To provide an element employing a semiconductor film of low defect density over a large area.
大面積にわたって低欠陥密度の半導体膜を用いた素子を提供する - 特許庁 - To provide a III group nitride semiconductor substrate with low defect density and with reduced warpage.
欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁 - The second regions 52 and 62 have crystal defect density higher than that of first regions 51 and 61.
第２領域５２，６２は第１領域５１，６１よりも結晶欠陥密度が高い。 - 特許庁 - A substrate has a plurality of high-defect regions composed of a crystal having a second average dislocation density higher than a first average dislocation density, in a low-defect region composed of a crystal having the first average dislocation density.
基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。 - 特許庁 - A defect-counting section 223 counts the classified defects to find the defect densities of each region; and if the defect density of an region is larger than the average value of the defect densities of the other regions, exceeding by a significant difference, a systematic defect determining section 224 determines the defect in the region as being a systematic defect.
欠陥集計部２２３は、その分類された欠陥を集計し、各領域の欠陥密度を求め、ある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、システマティック欠陥判定部２２４は、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定する。 - 特許庁 - The preferred graphene has a defect formed by bonding of a carbon atom to an oxygen atom and the number density of the defect is 0.0001-0.1.
好ましいグラフェンは、炭素原子が酸素原子と結合してできた欠陥を有し、その数密度は０．０００１以上０．１以下である。 - 特許庁 - The semiconductor being composed of a compound single crystal and containing a region having a surface defect density of 1×10^7/cm^2 or more and a region having the surface defect density of 1/cm^2 or less is used.
化合物単結晶からなり、面欠陥密度が１ｘ１０^7／ｃｍ^2以上である領域及び面欠陥密度が１／ｃｍ^2以下である領域を含む半導体。 - 特許庁 - A value obtained by subtracting a density of a center pixel from a defect surrounding density, which is a density obtained by applying a filter arithmetic operation to the center pixel affected by the defect, is used as a correction amount (S7e).
傷による影響を受けている画素を中心画素としたフィルタ演算により得られる濃度を傷周辺濃度として、上記傷周辺濃度から上記中心画素の濃度を減算して得られる値を補正量とする（Ｓ７ｅ）。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently cleaning crystal substrates which require a low defect density.
低欠陥密度を必要とする水晶基板を効率よくクリーニングするための方法を提供する。 - 特許庁 - Thereby the defect density and the striae width in the doped quartz glass are further reduced.
それにより、ドープした石英ガラスにおける脈理幅および欠陥密度はさらに減少する。 - 特許庁 - To provide an epitaxial structure having low defect density, and to provide a production method for the structure.
低欠陥密度を有するエピタキシャル基材構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a high filling density by filling a bone prosthetic material into a proper position in an osseous defect site.
骨欠損部に対して骨補填材を適切な位置に充填して高い充填密度を得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit, which has a thin insulating film with low defect density.
欠陥密度が少ない薄い絶縁膜を有する半導体集積回路用キャパシタを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE WITH REDUCED SECCO DEFECT DENSITY
低減されたＳＥＣＣＯ欠陥密度を有するセミコンダクタ・オン・インシュレータ基板を製造する方法。 - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor substrate having low defect density and small warpage.
欠陥密度が低く、かつ反りの少ないＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a high output diamond electronic element having a drift layer with reduced defect density.
欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。 - 特許庁 - To inspect the defect of a magnetic disk used for a magnetic disk device having a recording density exceeding 20 Gb/in2.
記録密度が２０Ｇｂ／ｉｎ^２を超える磁気ディスク装置に使用する磁気ディスクの欠陥検査。 - 特許庁 - LOW DEFECT DENSITY SILICON HAVING VACANCY-DOMINATED CORE SUBSTANTIALLY FREE OF OXIDATION-INDUCED STACKING FAULT
酸化誘起積層欠陥を実質的に有さない空孔優勢コアを有する低欠陥密度シリコン - 特許庁 - The doped silicate glass formed in this way has a low defect density and a small striae width.
このようにして形成されたドープケイ酸塩ガラスは、欠陥密度が低く脈理幅が小さい。 - 特許庁 - The epitaxial wafer 110 includes a high defect region 111 and a low defect region 112 having lower defect density than the high defect region 111, and has a main surface 113 and a backside 114 on the opposite side from the main surface 113.
エピウエハ１１０は、高欠陥領域１１１と、高欠陥領域１１１よりも欠陥密度の低い低欠陥領域１１２とを含み、主表面１１３と、主表面１１３と反対側の裏面１１４とを有する。 - 特許庁 - Consequently, the defect densities in the oxide film 12 and at the boundary between the film 12 and the substrate 11 decrease, and an insulating film having low defect density is obtained.
これにより、酸化膜１２および酸化膜１２と基板１１との界面における欠陥密度が低減し、欠陥密度が低い絶縁膜が得られる。 - 特許庁 - The defect introduction layer 108 is large in crystal defect density relative to the first nitride semiconductor layer 107 and the second nitride semiconductor layer 109.
欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 - 特許庁 - Thereby, the high quality p-type PbTe single crystal almost free from a defect and having high mobility and low dislocation density is obtained.
欠陥が少なく高移動度、低転位密度で、高品位のｐ型ＰｂＴｅ単結晶が得られる。 - 特許庁 - The crystal defect density on a surface of substrate 2S is higher in the vicinity of the silicide film than in the periphery of the silicide film.
当該シリサイド膜付近の基板表面２Ｓ内の結晶欠陥密度は周辺よりも高い。 - 特許庁 - To overcome the defect of a conventional magnetic film and to obtain a super high density unit recording cell using a magnetic film.
従来の磁気フィルムの欠点を克服し、磁気フィルムを使用して超高密度ユニットレコーディングセルを得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate having a lower defect density and a good surface profile property, a semiconductor light emitting device and methods for fabrication thereof.
低欠陥の半導体基板、半導体発光素子、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a semipolar group III nitride substrate having a low defect density and high quality.
欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the drift layer is directly disposed on the substrate, the element with reduced defect density is obtained.
ドリフト層を基板上に直接成膜するので、欠陥密度の減少した素子を得ることができる。 - 特許庁 - To provide an acrylic precursor having high density and decreased defect in strength, and to provide a method for producing the precursor.
緻密性が高く、強度欠陥の少ないアクリル系プリカーサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a GaN single crystalline substrate which is epitaxially grown and has a few defect density.
欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem of a line head that a defect inherent to a nozzle is perceived easily as uneven density or streak in the print results.
ラインヘッドの場合、ノズル固有の不良が濃度ムラやスジとして印刷結果で知覚され易い。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING NONUNIFORM BANDLIKE DEFECT AND RESIDUAL TONER DENSITY BY FEEDBACK CONTROL
フィードバック制御を用いて不均一帯状欠陥及び残留トナー密度を制御する方法及び装置 - 特許庁 - To provide an SOS (silicon on sapphire) substrate reduced in surface defect density by solving a problem that defective density increases due to incompatibility in a lattice constant between silicon and sapphire.
シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し欠陥密度が小さいＳＯＳ基板を提供する。 - 特許庁 - To prevent such an image defect that causes a shortage of density at a boundary between a high density part and a low density part when a DC bias is increased in performing an image quality stabilizing control of keeping the image density constant by a DC bias control.
ＤＣバイアスの制御により画像濃度を一定に維持する画質安定化制御を行う場合に、ＤＣバイアスを高くすると、高濃度部と低濃度部の境界に濃度不足が生ずると言う画像欠陥を防止する。 - 特許庁 - Occurrence of chipping, burrs and cracking when forming an epitaxial layer and an electrode, etc., on the GaN substrate and then dividing it in the chip shape is deeply related to the defect density of the GaN substrate, especially the defect density in a lateral direction.
ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。 - 特許庁 - As a defect density in the silicon film cannot be reduced by irradiating the silicon film with the laser beam or the strong light, a defect density in the crystallized silicon film can be reduced by heat-treating the crystallized silicon film, following the crystallization of the silicon film.
レーザ光又は強光を照射では、膜中の欠陥密度を減らすことができないため、つづいて加熱処理をすることで結晶化された珪素膜の欠陥密度を低減させることができる。 - 特許庁 - To prevent a trouble not anticipated based on an internal defect density found conventionally from being generated and enhance the yield to make productivity excellent, by calculating an internal defect density including positional information in the plate thickness direction of the internal defect.
内部欠陥の板厚方向の位置情報を加味した内部欠陥密度を算出するようにして、従来求めていた内部欠陥密度からは予想されない不具合の発生を防止し、歩留りを向上して生産性を良好とした内部欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁 - At the time, the area 16a of a low defect density is formed on a groove upper surface other than the intermediate part of the widthwise direction of the groove.
この時、溝の幅方向の中間部以外の溝上面に欠陥密度の低い領域16ａができる。 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING DEFECT DENSITY AND METHOD FOR CONTROLLING FLOW RATE OF SLURRY IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウエハの化学的機械的研磨における欠陥密度低減方法及びスラリ流量制御方法 - 特許庁 - There is disclosed the method of manufacturing a substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which flat surface defect density is decreased.
平面欠陥密度を低下させた、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を製造する方法を開示する。 - 特許庁 - To provide an amorphous carbon film capable of reducing defect density and a solar cell using the film.
欠陥密度を低減させることが可能なアモルファスカーボン膜及びこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁 - Thereby, the defect density of the triangle shape of the surface of the SiC epitaxial layer becomes at most one/cm^2.
これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 - 特許庁
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