「Diffusion method」を含む例文一覧(3044)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 .... 60 61 次へ＞- To provide a method of sealing a package for electronic components which suppresses the diffusion of a heat generated during irradiation of a beam to a minimum to avoid cracking a case during sealing and maintains an air tightness to suppress the degradation of the quality and performance.
ビームの照射時に発生する熱の拡散を最小限に抑えることで、封止する際のケースのクラックを防止すると共に、気密性を維持し品質性能の劣化を抑えることのできる電子部品用パッケージの封止方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is excellent in adhesion and operation characteristics while preventing the diffusion of Cu included in a Cu wiring layer to the circumference, a method for manufacturing the same, and a sputtering target used for the manufacture of the device.
Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.
化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁 - To provide a mask material composition that is suitably adoptable for a mask formed for diffusion barrier of an impurity diffusing component diffusing into a semiconductor substrate; a method for forming an impurity diffusing layer using the mask material composition; and a solar battery.
半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁 - To provide a nitrided member and a method for producing the same by which nitridation is promoted to thicken a nitrogen compound layer and increase the internal diffusion depth of nitrogen, and further, a layer having a low friction coefficient is formed on the surface part so as to improve its initial conformability and wear resistance.
窒化を促進させることにより窒素化合物層の厚さを厚くし窒素の内部拡散深さを増加させるとともに表面部に摩擦係数の低い層を形成し、これにより初期なじみ性および耐摩耗性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor carrier life measuring device and method allowing measurement in a production line, and allowing more accurate measurement of the carrier life with no need of preliminary pretreatment and assumption of a diffusion coefficient as conventionally performed.
本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric device which avoids characteristic deterioration due to the diffusion of a component metal of a piezoelectric material and peeling of a film when the piezoelectric material is formed and improves the crystallinity and the flatness of the piezoelectric material, and to provide a manufacturing method of the piezoelectric device.
圧電体の構成金属の拡散による特性低下を回避するとともに、圧電体の形成時の膜のはがれを回避し、さらに、圧電体の結晶性および平坦性を向上させる圧電デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a membrane-electrode assembly and a fuel cell, manufacturing more simply than ever, a membrane-electrode assembly or a fuel cell after imparting a hydrophilic property to a catalyst layer and a water-repellent property to a diffusion layer.
、触媒層に親水性を付与し、拡散層に撥水性を付与した後に、膜−電極アッセンブリ又は燃料電池を製造するような従来の製造方法より、簡易な膜−電極アッセンブリ及び燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a membrane electrode assembly capable of suppressing drop in power generation performance and generation of molding failure of a gasket by preventing penetration of the material of the gasket into a gas diffusion layer; and to provide the manufacturing method and the manufacturing device of the membrane electrode assembly.
ガスケットの材料がガス拡散層に浸透することを防ぐことで、発電性能の低下およびガスケットの成形不良の発生を抑えることができる膜電極接合体並びにその製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing membrane-electrode structure excellent in adhesion between an electrode catalyst layer and a diffusion layer, a solid polymer electrolyte membrane fuel cell equipped with the structure, electric devices and apparatuses for transportation using the fuel cell.
電極触媒層と拡散電極との間で優れた密着性が得られる膜−電極構造体の製造方法、該構造体を備える固体高分子型燃料電池、該燃料電池を用いる電気機器、輸送用機器を提供する。 - 特許庁 - To provide a capacitor manufacturing method of a semiconductor element which can prevent a lower diffusion preventing film from being oxidized, by reducing oxygen as reaction gas for forming an Ru film at the time of forming the Ru film as a lower electrode.
下部電極としてＲｕ膜を形成する際に、Ｒｕ膜を形成するための反応ガスとしての酸素を還元することにより、下部の拡散防止膜が酸化されることを防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing hetero-junction bipolar transistor integration light receiving circuit which prevents diffusion of dopant injected in a light absorption layer of a photodiode and deterioration of a light absorption layer surface, and is excellent in high frequency characteristic and high reliability.
フォトダイオードの光吸収層に注入されたドーパントの拡散および光吸収層表面の劣化を防止でき、高周波特性および高信頼性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method.
電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層（拡散層）を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a membrane electrode assembly having high production efficiency, increasing gas diffusion, and suppressing flooding, and to provide a method for manufacturing the same and a polymer electrolyte fuel cell including the membrane electrode assembly and having high power generation performance.
製造効率が高く、ガス拡散性を向上させるとともにフラッディングしにくい膜電極接合体及びその製造方法並びにその膜電極接合体を備え、発電性能の高い固体高分子形燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - To provide a performance recovery method whereby the performance of a gas diffusion electrode with a performance deterioration, such as the increase in overvoltage, caused in its use for electrolysis, such as ion-exchange membrane common salt electrolysis, is recovered, enabling the electrode to be reused.
イオン交換膜食塩電解用等の電解に使用して過電圧が増大する等の性能劣化が生じたガス拡散電極を性能回復させて、再使用することを可能にするガス拡散電極の性能回復方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.
ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device that will not cause increasing diffusion of arsenic into silicon oxide film or in a silicon substrate, and will not cause degradation of tunnel oxide film even if a nitride film exists near transistors.
トランジスタ近傍に窒化膜が存在しても、シリコン酸化膜中のヒ素の増速拡散やシリコン基板中のヒ素の増速拡散を起こさない、またトンネル酸化膜の劣化を引き起こすことの無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the optical element, a step of decreasing pyroelectric effect of the substrate made of ferroelectric substance is added prior to a step of performing diffusion bonding of the substrate made of ferroelectric substance with a substrate of optical material by applying heat thereto.
本願発明に係る光学素子の製造方法は、熱を加えて強誘電体の基板と光学材料の基板とを拡散接合させる工程の前に強誘電体の基板の焦電効果を小さくする工程を追加することとした。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of surely obtaining a wiring board resistant to warp in a glass-ceramic-made substrate with little diffusion of Cu into the glass-ceramic and having a Cu-metallized layer relatively densely and rigidly adhered.
ガラス−セラミックからなる基板に反りが生じにくく且つ当該ガラス−セラミック中にＣｕの拡散が少ないと共に、比較的緻密で且つ強固に密着したＣｕメタライズ層を有する配線基板が確実に得られる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor laser element by which AlGaAs clad layers are made to be not damaged because of well control of Zn diffusion at the time of forming a window structure on the end face of a semiconductor laser element by diffusing Zn.
Ｚｎを拡散させて半導体レーザ素子の端面に窓構造を形成する際、Ｚｎ拡散の制御性が良好で、ＡｌＧａＡｓクラッド層を損傷することがないようにした半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high dielectric capacitor which can eliminate its weak point by preventing the penetration of hydrogen ions when succeeding heat treatment is performed by forming diffusion preventing film on the side section of a storage electrode and the upper part of a plate electrode and a method of manufacturing the capacitor.
ストレージ電極の側部及びプレート電極の上部に拡散防止膜を形成して後続熱処理時の水素イオンの侵透を防止することにより、前記短所を解消できる高誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.
ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが１つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁 - To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.
ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁 - Maximum intensity projection is performed about a diffusion emphasis image which is taken by using a nuclear-magnetic-resonance imaging device, and the obtained image is displayed in white to provide an image detection method which is effective for diagnosis of tumor.
核磁気共鳴イメージング装置を用いて撮像された拡散強調画像について最大値投影法を行い、得られた画像を白黒反転させて画像を形成することにより、腫瘍の診断に有効な画像検出方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problems of an overflow of drain water by blocking-up of a drain port, diffusion of a microorganism in a room and generation of an offensive odor, by providing a method capable of easily preventing growth of the microorganism in a drain pan of an air conditioner.
エアコンのドレンパンにおける微生物の発生を簡便に防止できる方法を提供し、排水口の閉塞によるドレン水のオーバーフロー、微生物の室内への放散、悪臭の発生といった問題を解決することを課題とするものである。 - 特許庁 - To provide a connection terminal, and its manufacturing method, having low contact resistance maintained with the passage of time, capable of preventing such inconveniences as, inviting rise in the hardness of a film due to the diffusion of the base metal, while the soldering wetting characteristics of a mounting part are maintained.
経時的に低い接触抵抗が保持されたり、下地金属の拡散により皮膜の硬度上昇を招くというような不都合を防止でき、実装部の半田濡れ特性が維持される接続端子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.
メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.
基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained.
埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a carbonaceous fiber-woven fabric balancing properties such as gas-permeation property, electric conductivity, water-retenting and water-discharging properties, thickness unevenness, etc., and suitable for a solid polymer type gas-diffusion layer material for a fuel cell as a long length form having a wide utility.
ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を、利用性の広い長尺状に作製する方法を提供する。 - 特許庁 - According to this method, the tip of the birds peak 2a is formed before formation of the contact hole, and the high density diffusion layer and the salicide layer are formed also to this part, then the improper contact hardly takes place and the occurrence of the junction leak is suppressed.
この方法によれば、コンタクトホールの形成前にバーズビーク２ａの先端部を除去し、この部分にも高濃度拡散層及びサリサイド層を形成することができるため、コンタクト不良が発生しにくくなり、接合リークが抑制される。 - 特許庁 - To solve the following problem: when a reinforced panel in which a fiber-reinforced plastic layer is formed in a foamed core as a core material is formed, in an RTM method, since the diffusion of a resin under low vacuum pressure and impregnation need a time, the cycle of a molding process can not be shortened.
芯材としての発泡コアに繊維強化プラスチック層が形成される強化パネルを成形する場合、ＲＴＭ法では、低真空圧下で行われる樹脂の拡散及び含浸に時間がかかるため、成形工程をハイサイクル化できない。 - 特許庁 - In a manufacturing method for providing insulation (isolation) between the adjacent regions of an integrated circuit (10), guard layers (40, 68, 72, 88, 90, and 128) are provided on a field edge that is the interface between field oxide film regions (30, 54, and 92) and diffusion regions (14, 26, 52, 86, and 96) where dopant is introduced.
集積回路(10)の隣接する領域間に絶縁（アイソレーション）を提供するための製造方法は、フィールド酸化膜領域(30,54,92)と、ドーパントが導入される拡散領域(14,26,52,86,96)との界面であるフィールドエッジ上にガード層(40,68,72,88,90,128)を設けることを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that suppresses deterioration in electric endurance characteristics and leak resistance characteristics caused by diffusion of a conductivity type impurity nearby a boundary in a semiconductor substrate between the semiconductor substrate and a device isolation region, and to provide a method of manufacturing the same.
半導体基板内の半導体基板と素子分離領域との境界近傍における導電型不純物の拡散に起因する耐電圧特性や耐リーク特性の劣化を抑制する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The planographic printing plate characterized by containing an oil dispersing solution in at least one of layers in the planographic printing plate using a method of transferring silver complex salt diffusion in which at least a silver halide emulsion layer is provided on an anodically oxidized aluminum substrate.
陽極酸化されたアルミニウム支持体上に、少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版に於いて、少なくとも何れかの層にオイル分散液を含む事を特徴とする平版印刷版。 - 特許庁 - To provide a catalyst layer increasing mechanical strength such as mar resistance and hardness without damaging physical properties necessary for the catalyst layer for a fuel cell as typified in proton conductivity and gaseous diffusion properties; and to provide a method for forming the same.
プロトン伝導性、ガス拡散性に代表される燃料電池触媒層に必要な物性を損なうことなく、耐擦傷性及び硬度のような機械的強度を向上させた触媒層、及びその形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and by which desirable structure of carbon black and PTFE can be self-organized.
水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、更にカーボンブラックとＰＴＦＥの望ましい構造を自己組織化できる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the thermal diffusion bonding method wherein one bonding surface to be bonded is brought into contact with the other bonding surface to be bonded and both bonding surfaces are bonded by applying the low temperature and the low load to these bonding surfaces.
接合すべき一方の接合面と接合すべき他方の接合面とを接触させ、これら接合面に低温度かつ低荷重を与えることにより両接合面の接合を可能とする精密部品の熱拡散接合方法である。 - 特許庁 - To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell.
電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。 - 特許庁 - The method for joining the plurality of the superalloy substrates includes a process in which the superalloy substrates are diffusion-joined by thermal-pressing the joint after directly applying an active material on the surface of the joining joint.
複数の超合金基板を接合する方法であって、接合されるジョイント表面に活性体を直接適用した後に、ジョイントを熱加圧することによって、超合金基板を拡散接合する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a wastewater treatment method in a polyester production process capable of chemically treating acetaldehyde to convert the same to other compound to reduce the content of acetaldehyde in wastewater and capable of preventing the diffusion of acetaldehyde to the atmosphere.
アセトアルデヒドを化学処理して他の化合物に変換して排水中のアセトアルデヒド含有量を低減させることができると共にアセトアルデヒドの大気への蒸散を防止することができるポリエステル製造工程における排水処理方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.
埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.
ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor device is manufactured by a method where a treatment gas containing N2 or N2O is ionized and the surface of a copper wiring layer 110 is exposed to the ionized treatment gas, whereby the surface of the layer 110 is modified to turn the surface into a copper diffusion preventive layer.
Ｎ_2 又はＮ_ 2Ｏを含む処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した処理ガスに銅配線層１１０の表面を曝すことにより、該銅配線層１１０の表層部を改質して銅拡散防止層にする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁 - The method for forming the ohmic electrode comprises the steps of forming the ohmic electrode 7 in which a stable layer 8 and an Au layer 9 containing a predetermined element and suppressing the diffusion of an Au are sequentially laminated, on the ohmic contact semiconductor layer 6 doped with a dopant made of the predetermined element.
所定元素からなるドーパンドでドープされたオーミック接触半導体層６上に、前記所定元素を含むとともにＡｕの拡散を抑制する安定層８及びＡｕ層９を順次積層させたオーミック電極７を形成する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting apparatus for which an installation space and installation cost are reduced by remarkably improving its light-emission efficiency compared to a conventional apparatus by reducing variations in color tone of lights to be emitted without using any light diffusion material, and to provide a manufacturing method thereof.
発する光の色調ムラを、光拡散材を一切使わないで低減することによって発光効率を従来よりも格段に向上させ、設備空間及び設備費用の軽減された発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Concerning the area of a low noise level included in the source image data of a CG image or the like, half-tone processing is performed by adding a random noise to a threshold value to be used for the method of error diffusion and picture quality reduction caused by forming a dot in a regular pattern is avoided.
ＣＧ画像など原画像データに含まれるノイズレベルが低い領域については、誤差拡散法で用いられる閾値にランダムノイズを付加してハーフトーン処理し、ドットが規則的パターンで形成されることによる画質低下を回避する。 - 特許庁 - To provide a method for effectively treating a movement disorder by administration of a pharmaceutical having the characteristics of long duration of activity, low rates of diffusion out of a chosen intracranial target tissue where administered, and nominal systemic effects at therapeutic dose levels.
長期活性、投与された選択頭蓋内標的組織からの低拡散率、および処置投与レベルにおける少ない全身作用の特性を有する薬剤の投与によって、運動障害を効果的に処置する方法が必要とされている。 - 特許庁 - As a method for converting each multilevel data in n image planes corresponding to n type of recording aspects into a quantized value, first, a total value of pixels corresponding to the n image planes is converted into the quantized value of n+1 levels, using error diffusion processing.
ｎ種類の記録態様に対応したｎ個のイメージプレーンの各々の多値データを量子化値に変換する方法は、まず、ｎ個のイメージプレーンの対応する画素の合計値を誤差拡散処理を用いてｎ＋１個のレベルの量子化値に変換する。 - 特許庁 - To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.
拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁
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