「Doping」を含む例文一覧(1524)

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  • To provide a plasma doping method capable of stably performing a low concentration doping.
    安定して低濃度ドーピングが可能なプラズマドーピング方法を提供すること。 - 特許庁
  • DOPING METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS
    ドーピング方法およびイオン注入装置 - 特許庁
  • METHOD FOR DOPING FIN-BASED SEMICONDUCTOR
    フィンベース半導体デバイスのドーピング方法 - 特許庁
  • DOSAGE MONITOR FOR PLASMA DOPING SYSTEM
    プラズマドーピングシステムのためのドーズ量モニター - 特許庁
  • To facilitate impurity diffusion or doping into diamond and to increase a doping effect.
    ダイヤモンドへの不純物拡散あるいはドーピングを容易し、ドーピング効果を高める。 - 特許庁
  • DOPING METHOD OF FIN BASE SEMICONDUCTOR ELEMENT
    フィンベース半導体素子のドーピング方法 - 特許庁
  • To provide a doping method to a solid film, and to provide a doping pattern forming method.
    固体膜へのドーピング方法およびドーピング・パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • METHOD FOR P-DOPING OF LIGHT EMITTING DEVICE
    発光デバイスをｐ型ドーピングする方法 - 特許庁
  • This emitter is subjected to doping.
    このエミッタに対してドーピングを実行する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA DOPING
    プラズマドーピング方法およびプラズマドーピング装置 - 特許庁
  • To provide a plasma doping system and a plasma doping method, wherein an in-plane uniformity is superior.
    面内均一性に優れたプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a new fluorine doping method.
    新規なフッ素ドーピング方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR INJECTING DOPANT AND DOPING DEVICE
    ドーパントの注入方法及びドーピング装置 - 特許庁
  • DOPING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
    化合物半導体結晶のドーピング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR INJECTING DOPANT AND DOPING DEVICE
    ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 - 特許庁
  • POLARIZATION DOPING IN NITRIDE BASED DIODE
    窒化物ベースのダイオード内への分極ドーピング - 特許庁
  • To provide a doping method by which efficiency of doping a dopant into a semiconductor melt can be improved, and to provide a doping device.
    半導体融液へのドーパントのドーピング効率を向上させることができるドーピング方法及びドーピング装置を提供すること。 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR DOPING MELT
    溶融液のドーピングのための方法及び装置 - 特許庁
  • To extend the acid doping latitude of a photoreceptor.
    感光体の酸ドーピングラチチュードを拡大する。 - 特許庁
  • A doping region constituting a diode with the doping line and having a conduction type opposite to that of the doping line intervenes between the lower electrode and the doping line.
    前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング領域が前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在している。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA DOPING, AND MATCHING CIRCUIT
    プラズマドーピング方法及び装置、整合回路 - 特許庁
  • N-TYPE DOPING MATERIAL FOR CARBON NANOTUBE AND N-TYPE DOPING METHOD OF CARBON NANOTUBE USING THE SAME
    カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質およびこれを用いたカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法 - 特許庁
  • By this, pre-doping speed is raised, and it becomes possible to shorten the pre-doping hours.
    これにより、プレドープ速度を高めることができ、プレドープ時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁
  • The diffused region 367 is formed through vapor-phase doping, plasma doping, or plasma infiltration ion implantation.
    拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。 - 特許庁
  • METAL CATALYST DOPING DEVICE FOR LOW TEMPERATURE SILICON CRYSTALLIZATION AND DOPING METHOD UTILIZING THE SAME
    シリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びこれを利用したドーピング方法 - 特許庁
  • To provide a doping method of a fin base semiconductor element capable of obtaining a uniform doping along a fin.
    フィンに沿って均一なドーピングが得られるフィンベース半導体素子のドーピング方法を提供する。 - 特許庁
  • The second silicon carbide region has a second doping concentration lower than the first doping concentration.
    第２の炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。 - 特許庁
  • The n-type doping method for carbon nanotube is carried out by n-type-doping the carbon nanotubes using the n-type doping material for carbon nanotubes.
    また、本発明のカーボンナノチューブのｎ型ドーピング方法は、前記カーボンナノチューブ用ｎ型ドーピング物質を用いて、カーボンナノチューブにｎ型ドーピングする。 - 特許庁
  • MATERIAL FOR OPTICAL DOPING, AND OPTICAL AMPLIFYING MEDIUM
    光ドーピング用材料及び光増幅媒体 - 特許庁
  • METHOD FOR DOPING OR COATING NICKEL HYDROXIDE
    水酸化ニッケルをド—ピングおよび被覆する方法 - 特許庁
  • SELF-CLEANING ION DOPING DEVICE AND METHOD THEREOF
    セルフクリ−ニングイオンドーピング装置およびその方法 - 特許庁
  • METHOD FOR DOPING INORGANIC SOLID MATERIAL WITH METAL
    無機固体材料への金属のドーピング方法 - 特許庁
  • Doping drug? it's a drug that's forbidden in the sports...
    ドーピング剤? て スポーツの世界で禁止されてる - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The Si obtained by doping B has electroconductivity.
    ＢをドープしたＳｉは導電性を有している。 - 特許庁
  • CONTROL METHOD FOR ION SOURCE AND ION DOPING DEVICE
    イオン源の制御方法およびイオンドーピング装置 - 特許庁
  • A doping prevents melting of a patterned structure (128).
    ドーピングはパターン化構造（１２８）の溶解を防ぐ。 - 特許庁
  • DOPING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT
    ドーピング方法およびそれを用いた半導体素子 - 特許庁
  • A doping layer is formed in the inside wall of the trench.
    トレンチの内壁にドーピング層が形成される。 - 特許庁
  • Anti-doping officials joined the investigation.
    アンチドーピング機関の役員がその調査に加わった。 - Weblio英語基本例文集
  • In the base body having the first doping, a pn junction is formed by means of a contact region having a second doping with a first doping profile.
    第１ドーピングを有するベース体に、ｐｎ接合が、ドーピング第１輪郭線をもって第２ドーピングを有する接触領域により形成される。 - 特許庁
  • ATOMIC DOPING TITANIUM OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    アトミックドーピング酸化チタンおよびその製造方法 - 特許庁
  • The counter doping amount is preferred to be gradually decreased.
    カウンタードープ量を次第に少なくするとなお良い。 - 特許庁
  • P-type doping contains boron and N-type doping contains nitrogen in a concentration of ≤10% (atm).
    Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。 - 特許庁
  • DEVICE FOR DOPING ION, METHOD FOR DOPING ION, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR
    イオンをドーピングする装置、イオンをドーピングする方法、半導体装置の製法及び薄膜トランジスタの製法 - 特許庁
  • A field ring structure having a second doping with a second doping profile of the respective field ring is likewise arranged.
    各フィールドリングのドーピング第２輪郭線をもって第２ドーピングを有するフィールドリング構造も配置される。 - 特許庁
  • To provide a free-doping system of an electrode and a free-doping method of an electrode using the same.
    本発明は、電極のフリードーピングシステム及びこれを用いる電極のフリードーピング方法を提供する。 - 特許庁
  • What if the doping comes to light with that?
    《そんなことして ドーピングが発覚したら どうすんだ?》 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Doping is not limited as a step following the etching step.
    エッチングに続く工程はドーピングに限定されない。 - 特許庁
  • METHOD OF LATERALLY GROWING GaN WITH INDIUM DOPING
    Ｉｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING EQUIPMENT AND ION- DOPING DEVICE
    半導体装置の製造装置、およびイオンドーピング装置 - 特許庁
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