「Doping」を含む例文一覧(1524)

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  • A gate structure is arranged on one portion of the first-type well and the low-doping region, and a second-type first-doping region and a second-type second-doping region are arranged at both the sides of the gate structure in the low-doping region and the first-type well.
    ゲート構造を前記第１タイプウエルの一部と前記低ドーピング領域の上に配置し、第２タイプの第１ドーピング領域と第２タイプの第２ドーピング領域は前記低ドーピング領域と前記第１タイプウエル内で前記ゲート構造の両側に配置する。 - 特許庁
  • This method makes use of the fact that when using a doping method which does not depend on a geometric shape such as a vapor doping or a plasma doping, a uniform doping of the whole sidewall is obtained by exposing the source and the drain sidewall during manufacturing.
    この方法は、気相ドーピングもしくはプラズマ・ドーピングのような特に幾何学的形状に依存しないドーピング方法を使用するとき、製造中にソースおよびドレイン側壁を露出することで側壁全体の均一なドーピングが可能となることを利用する。 - 特許庁
  • The low-doping region of the second-type well is positioned adjacent to the first-type one, and a high-doping region in the second-type well is positioned below one portion of the first-type well and the low-doping region.
    第２タイプウエルの低ドーピング領域は前記第１タイプウエルの隣に位置させ、前記第２タイプウエルの高ドーピング領域は前記第１タイプウエルの一部と前記低ドーピング領域の下に位置する。 - 特許庁
  • To provide: a filament for ion doping device, which improves a lifetime while suppressing increase of input power; its manufacturing method; and an ion doping device having the filament for ion doping device.
    投入電力の増大を抑制しつつ、寿命を向上可能なイオンドーピング装置用フィラメントおよびその製造方法、さらに当該イオンドーピング装置用フィラメントを備えたイオンドーピング装置を提供する。 - 特許庁
  • A doping apparatus 100 for manufacturing an electrode of an energy storage device includes: a doping chamber main body 112 for providing a doping space where a step of doping an electrode plate 10 with lithium ions is performed; a plurality of doping plates 116 including lithium and vertically stacked in the doping chamber main body; and an electrode plate transporter 120 for transporting the electrode plate 10 along the space between the doping plates.
    エネルギー貯蔵装置の電極製造用ドーピング装置１００は、電極板１０にリチウムイオンをドーピング（ｄｏｐｉｎｇ）する工程が遂行されるドーピング空間を提供するドーピングチャンバ本体１１２、前記ドーピングチャンバ本体内に上下に積層され、リチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ）を含んだ複数のドーピング板１１６、そして前記ドーピング板の間の隙間に沿って前記電極板１０が通るように、前記電極板１０を移送する電極板移送器１２０を含む。 - 特許庁
  • By the method, the doping stability in the air is secured for a long period and the doping state is easily controlled.
    本発明によると、空気中でも長期間のドーピング安定性を確保することができ、さらにドーピング状態の制御も容易になる。 - 特許庁
  • To provide a doping bath for fabricating an energy storage device that can simultaneously perform free-doping of a plurality of cell laminates with lithium ions.
    多数個のセル積層体にリチウムイオンを同時にフリードーピングさせることができるエネルギー貯蔵装置製造用のドーピング槽を提供する。 - 特許庁
  • For annealing and doping, the magnetic field may be altered to provide more uniform equivalent annealing or doping across the wafer.
    アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。 - 特許庁
  • To provide a different doping profile without using an additional mask level.
    追加のマスク・レベルを用いずに、異なるドーピング・プロファイルを提供する。 - 特許庁
  • LITHIUM ION BATTERY BEFORE PRE-DOPING AND MANUFACTURING METHOD OF LITHIUM ION BATTERY
    予備ドープ前リチウムイオン電池、およびリチウムイオン電池の製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL, AND DOPING APPARATUS USED FOR THE SAME
    シリコン単結晶引上方法およびこれに用いるドーピング装置 - 特許庁
  • In place of the doping with phosphor, a layer including phosphor can be used.
    リンによるドーピングに代えて、リンを含む層を用いることもできる。 - 特許庁
  • HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL WITH DUAL DOPING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    デュアルドーピングを備えたヘテロ接合光電池及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD OF DOPING SINTERED TANTALUM PELLET AND SINTERED NIOBIUM PELLET WITH NITROGEN
    焼結タンタルペレットおよび焼結ニオブペレットの窒素ド—ピング方法 - 特許庁
  • Doping concentration of Mg is about 3×10^19 cm^-3.
    Ｍｇのドーピング濃度は、３×１０^１９ｃｍ^−３程度である。 - 特許庁
  • To obtain a semiconductor substrate which can suppress not only auto-doping but warping.
    オートドーピングのみならず反りも抑制しうる半導体基板を得る。 - 特許庁
  • But if the fact that he used doping in the past got public...
    しかし もし 過去にドーピング剤を 使用したことが公になれば - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a manufacturing method of a capacitor which prevents constituents except an upper electrode 112 of the capacitor from being affected by a doping agent during doping and makes the upper and lower electrodes 112 and 106a of the capacitor have a sufficient doping level and almost the same doping concentration each other.
    キャパシター上部電極１１２を除いた他の構成要素がドーピングの間にドープ剤の影響を受けないようにし、キャパシター上部及び下部電極１１２、１０６ａが十分なドーピングレベルを持ち、互いに殆ど同一なドーピング濃度を持つキャパシターの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A thin insulating layer has a thickness less than 2 nm, so that a tunnel current flows through the dielectric thin film between the gate terminal doping region and the connection doping region of the storage MOSFET and can be adjusted by the doping of the terminal region and the connection doping region.
    薄い絶縁層が２ｎｍよりも薄い厚さを有しており、これにより記憶ＭＯＳＦＥＴのゲート端子ドーピング領域と、接続ドーピング領域との間で誘電性薄膜を通ってトンネル電流が流れ、端子領域と接続ドーピング領域とのドーピングによって調整可能である。 - 特許庁
  • The photodiode has a P-type doping region, an intrinsic region joined to the P-type doping region, and respective metal electrodes arranged on the P-type doping region and intrinsic region to apply voltage to the P-type doping region and intrinsic region.
    ここで、前記フォトダイオードはＰ型ドーピング領域、前記Ｐ型ドーピング領域と接合される真性領域、及び前記Ｐ型ドーピング領域と前記真性領域上において前記Ｐ型ドーピング領域と前記真性領域に電圧を印加するためのそれぞれの金属電極が配置される。 - 特許庁
  • The carrier for containing the substrate is used properly before and after doping.
    基板を格納するキャリアを、ドーピングの前後で使い分けるようにした。 - 特許庁
  • METHOD FOR PROVIDING DOUBLE WORK FUNCTION DOPING AND PROTECTIVE INSULATION CAP
    ２重仕事関数ドーピング及び保護絶縁キャップを提供する方法 - 特許庁
  • At least two electrically active doping agents belonging to the same group in the periodic table of chemical elements are used for doping.
    電気的に活性であり、化学元素の周期律表の同じ群に属している少なくとも２つのドープ剤がドーピングのために使用される。 - 特許庁
  • PRE-DOPING METHOD OF LITHIUM ION, ELECTRODE, AND STORAGE CAPACITOR USING THE SAME
    リチウムイオンのプレドープ方法、電極およびそれを使用した蓄電体 - 特許庁
  • An p-side electrode 22 is connected to the p-type doping region 20.
    ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。 - 特許庁
  • A doping amount of the group III element to ZnO is set to be 6-40 at%.
    上記III族元素のＺｎＯへのドープ量を６〜４０at％とする。 - 特許庁
  • The bit line is a region doped with a first doping substance, and the second diffusion region is a region doped with a second doping substance.
    ビットラインは、第１ドーピング物質でドーピングされた領域であり、第２拡散領域は、第２ドーピング物質でドーピングされた領域である。 - 特許庁
  • IMPURITY DOPING METHOD FOR SEMICONDUCTOR USED FOR SOLAR POWER GENERATION
    太陽光発電に用いられる半導体への不純物導入方法 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR DOPING SAMPLE CONTAINING PHOTOSENSITIVE COMPONENT
    感光性成分を含む試料へのドーピング方法及びそのドーピング装置 - 特許庁
  • By using the nano-dots by doping, the performance of the device can be enhanced.
    ナノドットをドーピングして使用するのは、装置の性能を強化できる。 - 特許庁
  • By doping lithium ions to both positive electrode 14 and the negative electrode 15, the doping time can substantially be shortened.
    このように、正極１４と負極１５との双方にリチウムイオンをドープさせることにより、ドーピング時間を大幅に短縮することが可能となる。 - 特許庁
  • TREATMENT METHOD AND ITS APPARATUS FOR ANNEALING AND DOPING SEMICONDUCTOR
    半導体のアニールおよびドーピングのための処理方法ならびにその装置 - 特許庁
  • LITHIUM PRE-DOPING METHOD, AND ELECTRODE AND POWER STORAGE DEVICE MADE USING THE METHOD
    リチウムのプリドープ方法及びこの方法を用いた電極、蓄電デバイス - 特許庁
  • ALLOYING AND/OR LOCAL-DOPING OF METALLIZATION FOR IMPROVING WIRING PERFORMANCE
    配線性能改善用メタライゼーションの合金化及び／又は局部ドーピング - 特許庁
  • Thin-film semiconductor devices are produced by means of this ion-doping apparatus.
    薄膜半導体装置はこのイオン注入装置を用いて作成する。 - 特許庁
  • To shorten doping hours and improve productivity of a power storage device.
    ドーピング時間を短縮して蓄電デバイスの生産性を向上させる。 - 特許庁
  • In the PECVD process, n-type ZnO is deposited by doping it with B or F, and p-type ZnO is deposited by doping it with nitrogen.
    ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。 - 特許庁
  • To provide a doping method in which an organic mesomeric compound is used as organic dopant for doping an organic semiconductor matrix material for varying the electrical properties thereof.
    有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用する。 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR DOPING SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR MATERIAL
    半導体の不純物ドーピング方法、その装置および半導体材料 - 特許庁
  • The doping gas supply ports 16 and 17 are closest to the substrate S and then a doping gas is prevented from flowing backward to the antenna side, so a doping atom is prevented from sticking on the antenna etc.
    ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁
  • The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body.
    コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第１ドーピングと、接触領域によって形成されたｐｎ接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第２ドーピングを有する。 - 特許庁
  • A method of forming a doped region includes screen printing a paste layer 6 of doping element paste to a substrate 4 and firing the screen printed paste layer of the doping element paste to attain alloying with the doping element, in which a highly pure doping element layer 5 is applied to the semiconductor layer after which the paste layer is screen printed to the doping element layer.
    ドーピング元素ペーストのペースト層６を基板にスクリーン印刷し、該スクリーン印刷したドーピング元素ペーストのペースト層を焼成して行うドーピング元素との合金化により、基板４の半導体層にドープ領域を形成する方法であって、高純度ドーピング元素層５を半導体層に付与した後、ペースト層をドーピング元素層にスクリーン印刷することを特徴とする方法。 - 特許庁
  • To provide a doping device by which the time-consuming work for doping main and sub dopants, that is, for, so-called, codoping, can be considerably reduced.
    主、副のドーパントをドープする、いわゆるコドープにおけるドーパントの注入作業の手間を大幅に軽減することのできるドーピング装置の提供。 - 特許庁
  • By this arrangement, electrolytic solution distribution becomes uniform, and the doping amount becomes uniform.
    これにより、電解液分布が均一となってドーピング量が均一となる。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR DOPING
    半導体装置およびその製造方法ならびに不純物注入方法 - 特許庁
  • To simplify controlling for decreasing of the temperature in crystal growth, and to inhibit automatic doping.
    結晶成長の低温化制御を簡便にし、オートドーピングを抑制する。 - 特許庁
  • To provide a method for doping III-V compound semiconductor films.
    第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜をドープする方法を提供する。 - 特許庁
  • The doping element is P and/or Si.
    ドーピング元素がＰおよび／またはＳｉである前記のリチウムマンガン複合酸化物。 - 特許庁
  • The transparent conductive film material has the doping element of 0.0001 or more and 0.2 or less to a total mol of Sn and the doping element.
    Ｓｎおよびドーピング元素の合計量（モル）に対し、ドーピング元素の量（モル）が０．０００１以上０．２以下の範囲である前記の透明導電膜用材料。 - 特許庁
  • Accelerating voltage at doping treatment has a large influence on implantation defects.
    注入欠陥はドーピング処理時の加速電圧が大きく影響している。 - 特許庁
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