「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • On a p-type substrate 100, a p-type anode layer 102 as a first semiconductor layer, an n-type gate layer 104 as a second semiconductor layer, a non-doped semiconductor layer 105, a p-type gate layer 106 as a third semiconductor layer, and an n-type cathode layer 108 as a fourth semiconductor layer are formed in order, and a cathode electrode 110 and a gate electrode 112 are further formed.
    ｐ型基板１００上に、順次、第１半導体層としてｐ型アノード層１０２、第２半導体層としてｎ型ゲート層１０４、ノンドープ半導体層１０５、第３半導体層としてｐ型ゲート層１０６、第４半導体層としてｎ型カソード層１０８が形成され、さらにカソード電極１１０とゲート電極１１２が形成される。 - 特許庁
  • The optical information recording medium 1 has a structure wherein a recording layer 3, a semi-transparent reflection layer 4, a heat generating layer 5, a reflection layer 6, a deformation layer 7 and a protective layer 8 are sequentially formed on a first light transmissive substrate 2 and the reflection layer 6 and the deformation layer 7 are thermally deformed by irradiating the heat generating layer 5 with laser light to generate heat.
    光情報記録媒体１は、第一の透光性基板２上に記録層３、半透過反射層４、発熱層５、反射層６、変形層７及び保護層８を順次形成した構造を有し、発熱層６にレーザー光を照射して発熱させることにより、反射層６及び変形層７を熱変形させる。 - 特許庁
  • A first surface of the upper contact pads is affixed to a top surface of the dielectric layer and a first surface of the lower contact pads is affixed to a bottom surface of the dielectric layer.
    上部コンタクトパッドの第１の面は誘電体層の上面に固着され且つ下部コンタクトパッドの第１の面は誘電体層の底面に固着される。 - 特許庁
  • The first part 29 is positioned between the second part 31 and the active layer 17.
    第１の部分２９は、第２の部分３１と活性層１７との間に位置する。 - 特許庁
  • The first intermediate layer 11 is then etched in a dry etching unit at an etching rate of 50 nm/sec or less to form a first intermediate layer 11a having a film thickness of d_1'.
    ドライエッチング装置にて第一中間層１１を５０ｎｍ／ｓｅｃ以下のエッチングスピードでエッチング処理し、膜厚ｄ_1’の第一中間層１１ａを形成する。 - 特許庁
  • Next, the region corresponding to a lens optical axis of the first resist layer 12a is irradiated with ultraviolet rays 14.
    次に、レンズ光軸に対応する領域に紫外線１４を照射する。 - 特許庁
  • The first fiber layer 2 comprises an elastically stretchable first fiber 6 and the second fiber assembly layer 3 comprises a second fiber 11 which is nonelastically extendable continuous fiber.
    第１繊維層２は弾性伸縮性の第１繊維６からなり、第２繊維集合層３は非弾性的に伸長可能な連続繊維である第２繊維１１からなる。 - 特許庁
  • A third yield strength of a laminated composite body consisting of the first layer and the second layer exceeds the first yield strength and the second yield strength due to the Hall-Petch phenomenon.
    第１の層および第２の層からなる積層複合体の第３の降伏強度は、ホールペッチ現象のため、第１の降伏強度および第２の降伏強度を上回る。 - 特許庁
  • A first pressure sensitive adhesive layer 26 is formed in the immediate part of the back surface of the decoration panel 4A.
    可飾パネル４Ａ裏面の中程に第１粘着剤層２６を形成する。 - 特許庁
  • At the first process, a laminated layer 10 is formed on a transparent support substrate 2.
    第１工程は、透光性の支持基板２上に積層体１０を形成する。 - 特許庁
  • In the first application process, the peripheral part of he clad layer 4 is removed by a predetermined width.
    第１塗布工程では、クラッド層４の周縁部を所定幅だけ除去する。 - 特許庁
  • On the upper face of a film of an electroconductive layer 2 formed on the upper face of a substrate 1, a resist 3 is formed on the upper face of the electroconductive layer 2 in which a first soluble portion 3b and a first insoluble portion 3a are formed.
    基板１の上面に成膜された導電層２の上面にレジスト３を形成し、第１の可溶部３ｂと第１の不溶部３ａを形成する。 - 特許庁
  • Next, an inter-conductive oxide layer is formed in the first trenches and second trench.
    次に、第１のトレンチ及び第２のトレンチに導電層間酸化層を形成する。 - 特許庁
  • The photonic crystal structure is formed in the third layer of the first conductivity type.
    フォトニック結晶構造は、第１伝導型の第３層内に形成されている。 - 特許庁
  • A layer first performed with the pattern formation on the transparent base material includes a light shielding property.
    透明基材上に最初にパターン形成される層が遮光性を有する。 - 特許庁
  • The protection sheet has a diffusion layer formed on a first face contacting the optical sheet.
    保護シートは、光学シートと接する第１面に形成された拡散層を有する。 - 特許庁
  • The double-sided adhesive sheet further has a first release sheet formed on an exterior surface of the first adhesive layer and a second release sheet formed on an exterior surface of the second adhesive layer laminated thereon.
    更には第１粘着剤層１の外面に第1剥離シート、第２粘着剤層２の外面に第２剥離シートをそれぞれ積層する両面粘着シート。 - 特許庁
  • The first (lower) magnetic pole layer 10 and the second (upper) magnetic pole layer 26 are magnetically connected and have a fourth lower magnetic pole part 10d and a first upper magnetic pole part 26a, respectively.
    下部磁極層１０と上部磁極層２６とは、磁気的に連結され、それぞれ第４下部磁極部１０ｄと、第１上部磁極部２６ａとを有している。 - 特許庁
  • A first absorption axis of the first polarization layer P1 is 45 degrees to the second direction, and a second absorption axis of the second polarization layer P2 is 135 degrees to the second direction.
    第１偏光層Ｐ１の第１吸収軸は、第２方向に対して４５度であり、第２偏光層Ｐ２の第２吸収軸は、第２方向に対して１３５度である。 - 特許庁
  • An air layer 6c is provided on a back side of the first sound absorbing member 8.
    そして、上記第１の吸音部材８の裏面には空気層６ｃが設けられる。 - 特許庁
  • The plasma treatment of the first surface portion of the intermediate layer prevents the chemical vapor deposition of the aluminum film 110 on the upper part of the first surface portion of the intermediate layer.
    層間膜の第１表面部位のプラズマ処理は層間膜の第１表面部位上部におけるアルミニウム膜１１０の化学気相蒸着を抑制する。 - 特許庁
  • The first filler layer 13a is provided in a manner so as to contact the sheet 11.
    第１の充填剤層１３ａは、シート１１に接するように設けられている。 - 特許庁
  • The first ground layer 32 and the second ground layer 34 are electrically connected by a plurality of through-holes 50 surrounding the first region P1.
    そして、第１グランド層３２と第２グランド層３４とは、第１領域Ｐ１を取り囲むように並んでいる多数のスルーホール５０により電気的に接続されている。 - 特許庁
  • After separating it from the air permeating base material, the separated first layer is hot pressed.
    それを通気性基材から分離した後、分離した第１の層を熱プレスする。 - 特許庁
  • The intermediate barrier layer is positioned between the first and the n-th barrier layers.
    中間障壁層は、第１障壁層と第ｎ障壁層との間に位置する。 - 特許庁
  • The first adhesive layer 3A is formed in substantially the same color as the color of the counter 1.
    そして、第１接着層３Ａはカウンター１の色と略同じ色で形成した。 - 特許庁
  • A first back facing hole 9 formed from a surface toward an inner part is formed at least in the first insulating layer 5 or the second insulating layer 6.
    第１の絶縁層５又は第２の絶縁層６の少なくとも一方に、表面から内方に向かって形成された第１のザグリ穴９が形成されている。 - 特許庁
  • The first porous object layer 12 is formed of a material having fire retardance.
    第１の多孔質体層１２は、難燃性を有する材料で形成されている。 - 特許庁
  • The liquid crystal device is a horizontal electric-field type, and has a liquid crystal display panel, a first phase difference layer and a second phase difference layer between first and second polarizing plates.
    この液晶装置は、横電界方式であり、第１及び第２の偏光板の間に、液晶表示パネル、第１の位相差層、第２の位相差層を有する。 - 特許庁
  • The first upper foil sheet is lastly used as an outer layer of the PCB.
    第１の上部フォイル・シートは、ＰＣＢの外部層として最終的に用いられる。 - 特許庁
  • Similarly, a second insulating layer 7 is formed on the first insulating layer 2 with the first pattern 3 disposed therebetween.
    同様に、第１の絶縁層２上には第１の回路パターン３を挟んで第２の絶縁層６が形成され、その上面に第２の回路パターン７が形成されている。 - 特許庁
  • The first impurity region 18 has a higher concentration of first conductivity type impurities as compared with the vicinity of the other end part of the gate conductive layer 14a on the semiconductor layer 10.
    第１不純物領域１８は、半導体層１０のうちゲート導電層１４ａの他方の端部近傍よりも、第１導電型不純物の濃度が高い。 - 特許庁
  • A buried insulation layer 70 is formed at the lower end part of the impurity diffused layer 18, the first channel region 20a and the first n+ type floating emitter region 22a.
    不純物拡散層１８、第１のチャネル領域２０ａおよび第１のｎ^+型フローティングエミッタ領域２２ａの下端部には、埋込み絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁
  • The lighting device passes electricity to the light-emitting diodes 1 to have them emit light by electrically connecting the first lead 2 to the first conductive layer 4 and the second lead 2B to the second conductive layer 5.
    照明装置は、第１リード２Ａを第１導電層４に、第２リード２Ｂを第２導電層５に電気接続して発光ダイオード１に通電して発光させる。 - 特許庁
  • One of the first and/or second conductive buses may further be connected to the first electrode layer and/or the second electrode layer.
    第１の伝導性母線及び／又は第２の伝導性母線のうちの１つの伝導性母線は、第１の電極層及び／又は第２の電極層にさらに接続することができる。 - 特許庁
  • The first layer is in contact with the first electrode and the third layer is in contact with the second electrode.
    第１の層と第２の層と第３の層とは、第２の層を間に挟むように順に積層されており、第１の層は第１の電極に接し、第３の層は第２の電極に接する。 - 特許庁
  • The particulate layer 14 is constructed of a first and a second filling sections 18, 20.
    微粒子層１４は、第１および第２の充填部１８、２０で構成される。 - 特許庁
  • A first p-type inversion area 5a is formed in the first window layer 4a, and a second inversion area 5b is formed in the second window layer 4b.
    第１の窓層４ａ内には第１のｐ型反転領域５ａが形成され、第２の窓層４ｂ内には第２のｐ型反転領域５ｂが形成されている。 - 特許庁
  • A hard coat layer 10 is disposed between the first and second receiving layers 8, 14, to prevent the first and s second images 6, 12 from flowing into opposite receiving layer sides.
    ハードコート層１０は第１及び第２の受容層８，１４の間に設けられ、第１及び第２の画像６，１２が他方の受容層側に対流することを防いでいる。 - 特許庁
  • The first step is performed after a part of the dielectric layer is stacked on a substrate.
    第１のステップは、誘電層の一部が基板の上に堆積された後になされる。 - 特許庁
  • The sealing layer 5 has an adhesive force toward the ceramic tube 1 and the first ring 4.
    シール層５はセラミック管１及び第１リング４に対して接着性がある。 - 特許庁
  • As a result thereof, the first light shielding layer 21 is removed leaving a range of the resist mask.
    その結果、第１遮光層２１はレジストマスクの範囲を残して除去される。 - 特許庁
  • A first layer of a substrate includes a plurality of diffraction gratings each having the periodicity of P.
    基板の第１の層は、周期性Ｐを有する複数の回折格子を含む。 - 特許庁
  • The contact conductive layer 232 is connected with the first and second control gates 20 and 30.
    コンタクト導電層２３２は、第１および第２コントロールゲート２０，３０と連続する。 - 特許庁
  • The base board comprises a laminate of a first heat insulating material layer 12 and second heat insulating material layers 14, 16 having a lower rigidity than the first heat insulating material layer.
    前記基板を、第1の断熱材層１２と、この第1の断熱材層よりも剛性の低い第２の断熱材層１４，１６とを積層することにより構成する。 - 特許庁
  • The first part 152 of the aperture extends from the second side 164 to the mask layer 167.
    第１の部分１５２は、第２の側１６４からマスク層１６７へと延びている。 - 特許庁
  • Further, the probe tip structure is partially under-etched by using the patterned first layer, and the probe tip structure is separated from the first patterned masking layer 32.
    さらに、パターン化された第１の層を使用してプローブチップ構造を部分的にアンダーエッチングし、第１のパターン化されたマスキング層（３２）からプローブチップ構造を剥離するようにした。 - 特許庁
  • Namely, the p-type current block layer 111 is formed first in the first mode M1 and second mode M2, and then the n-type current blocking layer 112 is grown.
    つまり、第１モードＭ１および第２モードＭ２によりｐ型電流ブロック層１１１を先に成長し、その後に、ｎ型電流ブロック層１１２を成長する。 - 特許庁
  • A capacity C1 is provided among the n+ policrystalline silicon film 16, the first p-well layer 13, the first n-well layer 11, and a p-type silicon substrate 10.
    Ｎ＋多結晶シリコン膜１６と第１のＰウエル層１３、第１のＮウエル層１１、及びＰ型シリコン基板１０の間に容量Ｃ１が設けられている。 - 特許庁
  • One end of the first conductive layer 5 is connected to one end of the loop antenna 3.
    第１の導電層５の一端は、ループアンテナ３の一端に接続されている。 - 特許庁
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