「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 102 103 104 105 106 107 108 109 110 .... 489 490 次へ＞- The first electrode includes a first contact electrode portion contacting the first semiconductor layer exposed by selectivity removing the second semiconductor layer and the light-emitting portion, on a primary surface of the stacked structure at the second semiconductor layer side.
第１電極は、前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面において、前記第２半導体層及び前記発光部が選択的に除去されて露出した前記第１半導体層に接する第１コンタクト電極部を含む。 - 特許庁 - This photovoltaic cell comprises: a first electrode; a second electrode; a photoactive layer disposed between the first and second electrodes; and a polar organic layer disposed between the photoactive layer and at least one of the first and second electrodes.
本発明の光電池は、第１の電極、第２の電極、第１および第２の電極の間に配される光活性層、ならびに、光活性層と第１および第２の電極の少なくとも一つの電極の間に配される極性有機層を含む。 - 特許庁 - First, a transparent substrate 5 having a transparent electrode layer 6 thereon is prepared, and an insulation layer 10 of a first pattern, in which a light emission area R and a first terminal part 3 are excluded and a second terminal part 4 is included, is formed on the transparent electrode layer 6.
まず、透明電極層６が形成された透明基板５を準備し、この透明電極層６上に発光領域Ｒと第１端子部３を除き且つ第２端子部４を含む第１のパターンの絶縁層１０を形成する。 - 特許庁 - An oxide film 102 is formed on a first principal plane 101 on a silicon substrate 100, then, an island-type laminate 108 is formed with a first polysilicon layer 104a on the oxide film 102, and a cap insulating film 106a on the upper layer of the first polysilicon layer 104a.
シリコン基板１００上の第１主面１０１上に酸化膜１０２を形成し、この酸化膜１０２上に第１ポリシリコン層１０４ａ、及びその上層にキャップ絶縁膜１０６ａを具えた島状積層体１０８を形成する。 - 特許庁 - The secondary battery includes a circuit board including a first pad portion and a second pad portion; at least one first electrode layer including a first electrode portion and a first tab portion connected to the first pad portion; at least one second electrode layer including a second electrode portion and a second tab portion connected to the second pad portion; and a separator located between the first electrode layer and the second electrode layer.
本発明の二次電池は、第１パッド部と第２パッド部を含む回路基板と、第１電極部と前記第１パッド部に連結された第１タッブ部を含む少なくとも一つ以上の第１電極層と、第２電極部と前記第２パッド部に連結された第２タッブ部を含む少なくとも一つ以上の第２電極層と、前記第１電極層及び第２電極層の間に位置したセパレーターと、を含む。 - 特許庁 - A member 10 with a functional layer includes: a support 16; a first functional layer 12 having on the support, a first domain 12A and a second domain 12B arranged separately from the first domain across a groove 14 along the outer periphery of the first domain, and having a different wet tension from the support; and a second functional layer formed at least on the first domain on the first functional layer.
機能層付き部材１０は、支持体１６と、支持体上に第１領域１２Ａ及び該第１領域の外周に沿った溝１４を介して該第１領域から分離して配置されている第２領域１２Ｂを有し、前記支持体とぬれ張力が異なる第１機能層１２と、第１機能層上の少なくとも第１領域上に形成されている第２機能層とを有する。 - 特許庁 - The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.
透明性を有する基材上に、少なくとも第１層に酸化シリコン層（１）、第２層に窒化チタン層、第３層に酸化シリコン層（２）をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層（１）の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁 - A first dielectric layer 12 of a ZnS-SiO2 layer, a recording layer 14 of a AgInSbTe layer with addition of N, a second dielectric layer 16 of an AlN layer, and a reflection layer 18 of an Al-Ti layer are formed on a transparent substrate 10 made of a polycarbonate substrate in this order.
ポリカーボネート基板からなる透明基板１０上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 層からなる第１誘電体層１２、Ｎが添加されたＡｇＩｎＳｂＴｅ層からなる記録層１４、ＡｌＮ層からなる第２誘電体層１６、Ａｌ−Ｔｉ層からなる反射層１８が順に形成されている。 - 特許庁 - In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.
半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁 - The sum of the shortest distance from the third diffusion layer to the fifth diffusion layer and the shorter one of the shortest distance from the fifth diffusion layer to the fourth diffusion layer and that from the lower end part of the first diffusion layer to the fourth diffusion layer, is shorter than the shortest distance from the third diffusion layer to the fourth diffusion layer.
第３拡散層から第５拡散層までの最短距離と、第５拡散層から第４拡散層までの最短距離及び第１拡散層の下端部から第４拡散層までの最短距離のいずれか短い方の距離との和は、第３拡散層から第４拡散層までの最短距離よりも小さい。 - 特許庁 - The transfer sheet for the ceramic product has a first cover layer 13, a water-soluble resin layer 14, the frit layer 15, an ink image layer 16 and a second cover layer 23 which are formed in the order on a support 11 having a releasing layer 12, wherein the frit layer 15 is formed in accordance with a region of an ink image of the ink image layer 16.
剥離層１２を有する支持体１１に、第１カバー層１３、水溶性樹脂層１４、フリット層１５、インク画像層１６、及び第２カバー層２３が順に形成され、フリット層１５は、インク画像層１６のインク画像の領域に対応して形成される、窯業製品用転写シートである。 - 特許庁 - The barrier laminate includes a first organic layer, an inorganic layer, a second organic layer in contact with the inorganic layer, and an adhesive layer in contact with the second organic layer in this order, wherein the second organic layer is formed by curing a polymerizable composition containing (meth)acrylate having a hydroxyl group at a terminal, and wherein the adhesive layer contains an epoxy-based adhesive.
第一の有機層と、無機層と、該無機層に接する第二の有機層と、該第二の有機層に接する接着層とを該順に有し、前記第二の有機層は、末端に水酸基を有する（メタ）アクリレートを含む重合性組成物を硬化してなり、前記接着層は、エポキシ系接着剤を含む、バリア性積層体。 - 特許庁 - A first aluminum oxide layer 12, a silver layer or silver alloy layer 13, a second aluminum oxide layer 14, a magnesium fluoride layer 15, a titanium oxide layer or tantalum oxide layer or multiple oxide layer 16 of titanium and lanthanum are laminated successively from the substrate side on at least one surface on a substrate 11.
基板１１上の少なくとも一面に、第１の酸化アルミニウム層１２と、銀層または銀合金層１３と、第２の酸化アルミニウム層１４と、フッ化マグネシウム層１５と、チタン酸化物層またはタンタル酸化物層またはチタンとランタンとの複合酸化物層１６とを、基板側から順に積層する。 - 特許庁 - The optical recording medium 10 comprises a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 3 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, a noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflective layer 21.
本発明の光記録媒体１０は、支持基板１１と、光透過層１２と、光透過層１２と支持基板１１との間に配置された第１の誘電体層３１、貴金属窒化物層２３、第２の誘電体層３２、光吸収層２２、第３の誘電体層３３及び反射層２１とを備える。 - 特許庁 - The optical recording medium 10 is equipped with a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 31 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, the noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflection layer 21.
本発明の光記録媒体１０は、支持基板１１と、光透過層１２と、光透過層１２と支持基板１１との間に配置された第１の誘電体層３１、貴金属窒化物層２３、第２の誘電体層３２、光吸収層２２、第３の誘電体層３３及び反射層２１とを備える。 - 特許庁 - The three layers are compounded and integrated; an adhesive layer (damping layer) which applies an adhesion function to a substrate to be damped, being as a first layer; a compressed porous body layer of polyester fiber system nonwoven fabric, being as a second layer; and a skin layer of polyester system spunbond fabric which constrains the compressed porous body layer, being as a third layer.
第一層として被制振基板に対して粘着機能を付与する粘着層（制振層）、第二層としてポリエステル繊維系不織布の圧縮多孔質体層、第三層として前記圧縮多孔質体層を拘束するポリエステル繊維系スパンボンド不織布の表皮層、の三層を複合一体化した。 - 特許庁 - In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.
この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁 - The organic EL element 10 is formed with a laminated film including a positive electrode (a first electrode layer) 4, an organic EL layer (an organic functional layer) 3, and a negative electrode (a second electrode layer) 7, and so structured that a phase solution preventing layer 181 is provided between a hole injection/transport layer 5 and a luminous layer 8 of the organic EL layer 3.
本発明の有機ＥＬ素子１０は、陽極（第１の電極層）４と、有機ＥＬ層（有機機能層）３と、陰極（第２の電極層）７とを含む積層膜を具備し、前記有機ＥＬ層３の正孔注入／輸送層５と発光層８との間に、相溶防止層１８１が設けられた構成を備えている。 - 特許庁 - The multi-layer sheet is structured of a first base material layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base material layer 15, a cohesive failure-natured resin layer 16 and a non-cohesive failure-natured resin layer 17.
第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、凝集破壊性樹脂層１６と、非凝集破壊性樹脂層１７とを備えた多層シートを、その非凝集破壊性樹脂層１７が容器内表面側になるように熱成形して容器３とする。 - 特許庁 - A multi-layer sheet comprises a first base material layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base material layer 15, a cohesive breaking resin layer 16, and a non-cohesive breaking resin layer 17.
第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、凝集破壊性樹脂層１６と、非凝集破壊性樹脂層１７とを備えた多層シートを、その非凝集破壊性樹脂層１７が容器内表面側になるように熱成形して容器３とする。 - 特許庁 - An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.
ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁 - A metal part 6 is made by providing a first metal layer 2 on one surface of a main layer 4 and a second metal layer 3 on the other surface, and providing an oxide film 5a on the surface of the metal layer 2 not in contact with the main layer 4 and an oxide film layer 5b on the surface of the metal layer 3 not in contact with the main layer 4.
金属部６は、母層４の一方の面に第１の金属層２を設け、もう一方の面に第２の金属層３を設け、更に、母層４に接していない第１の金属層２の面に酸化膜５ａを設け、母層４に接していない第２の金属層３の面に酸化被膜層５ｂを設けて作製する。 - 特許庁 - The printed board is laminated with a pixel electrode layer, a first insulating layer 113a, a source wire layer and a gate layer, two second insulating layers 113b, 113c, a transistor layer, a third insulating layer 114, a ground layer 112, and a fourth insulating layer 115, in this order, along a direction of separating from the front face plate.
プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。 - 特許庁 - This method is provided with a step for transferring catalyst layer forming ink at least on one of a main surface of a polymer electrolyte membrane 1 in order to form a first catalyst layer 2C1, and a step for spraying the catalyst layer forming ink onto the first catalyst layer 2C1 in order to form a second catalyst layer 2C2.
高分子電解質膜１の少なくともいずれかの主面に、触媒層形成インクを転写して第１の触媒層２Ｃ１を形成するステップと、第１の触媒層２Ｃ１の上に触媒層形成インクを噴霧して第２の触媒層２Ｃ２を形成するステップと、を有する。 - 特許庁 - The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.
フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁 - The manufacturing method for a superconductive cable is applied when transferring the multi-fiber core 10A formed by twisting a plurality of cable cores 10 having a first superconductive layer, an insulating layer formed to the outside of the first superconductive layer, and a second superconductive layer formed to the outside of the insulating layer.
本発明は、第一超電導層と、この第一超電導層の外側に形成される絶縁層と、絶縁層の外側に形成される第二超電導層とを有するケーブルコア10を複数本撚り合せてなる多心コア10Aを搬送する超電導ケーブルの製造方法である。 - 特許庁 - The intermediate layer 14 includes a first intermediate layer 41 positioned on the light-receiving surface side and a second intermediate layer 42 positioned on the rear surface side for the light-receiving surface, and the first intermediate layer 41 partially contains a conductive material having a refractive index relatively smaller than that of the second intermediate layer.
中間層１４は、受光面側に位置する第１中間層４１と、受光面に対する裏面側に位置する第２中間層４２とを備え、第１中間層４１は、第２中間層よりも屈折率が相対的に小である導電性材料を部分的に含む。 - 特許庁 - Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.
Ｎ型埋込み拡散層とＰ型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がＮ型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つＰ型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いＰ型第二埋込み拡散層１４を埋込み形成する。 - 特許庁 - In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.
第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁 - A adhesion layer 12 is provided on a substrate 11, a first electrode layer 14 made of a noble metal containing titanium or titanium oxide is provided on the adhesion layer 12, and an orientation control layer 15 preferentially oriented with the (100) plane or the (001) plane is provided on the first electrode layer 14.
基板１１上に密着層１２を設け、密着層１２上に、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなる第１の電極層１４を設け、第１の電極層１４上に、（１００）面又は（００１）面に優先配向した配向制御層１５を設ける。 - 特許庁 - The spin transistor has a first ferromagnetic layer whose magnetization direction is unchanged, a second ferromagnetic layer whose magnetization direction is changeable, a channel between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and a gate electrode on the channel, and stores data by the magnetization direction of the second ferromagnetic layer.
本発明の例に係わるスピントランジスタは、磁化方向が不変の第１強磁性層と、磁化方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間のチャネルと、チャネル上のゲート電極とを備え、第２強磁性層の磁化方向によりデータを記憶する。 - 特許庁 - The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 34 and 24, and a bit conductive layer 80.
不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、第１導電型の第１および第２不純物領域３４，２４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁 - When the plating layer is equipped with a first plating layer whose main component is Ni, and a second plating layer which is formed thereon and mainly made of Sn or Au; water-repellent particles are dispersed into the first plating layer, and water-repellent particles are not substantially dispersed into the second plating layer.
めっき層が、Ｎｉを主成分とする第１のめっき層と、その上に形成されたＳｎまたはＡｕを主成分とする第２のめっき層とを備えるとき、第１のめっき層に撥水性粒子を分散させ、第２のめっき層に撥水性粒子を実質的に分散させない。 - 特許庁 - The implantation type flexible nerve electrode is constituted by a first insulating layer 11 including a photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material and a plurality of the electrode wires 13 formed on the first insulating layer 11 and covered with the second insulating layer 12.
感光性の柔軟絶縁材料からなる第１絶縁層１１と、感光性の柔軟絶縁材料からなる第２絶縁層１２と、第１絶縁層１１上に形成され、第２絶縁層１２に覆われた複数の電極配線１３とから構成される。 - 特許庁 - The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer.
また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。 - 特許庁 - The lower layer 7 has a first layer 73a made of an amorphous, and a second layer 73b formed so that both side interfaces each contact the first layer 73a and the tunnel barrier layer 8, made of any one cobalt, iron and nickel or a combination thereof, and substantially made of an amorphous.
下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 - 特許庁 - The surface electrode 7 is made forming a first layer comprising Cr on the intense-field drift layer 6, laminating a second layer comprising Au on the first layer and after that by conducting alloying treatment, and it has high adhesion to the intense- field drift layer 6 and high stability through passage of time.
表面電極７は、強電界ドリフト層６上にＣｒよりなる第１の層を形成し、第１の層の上にＡｕよりなる第２の層を積層した後に合金化処理することによって形成され、強電界ドリフト層６に対して高い密着性を持ち経時安定性が高い。 - 特許庁 - An organic negative electrode 10 in accordance with the present invention comprises a first material layer 11 containing a conductive material, a second material layer 12 composed of a polymer solution and disposed on the first material layer 11, and a third material layer 13 containing chlorophyll and disposed on the second material layer 12.
本発明の有機負電極１０は、導電材料を含む第一材料層１１と、ポリマー溶液からなり且つ前記第一材料層１１上に設けられる第二材料層１２と、葉緑素を含むとともに第二材料層１２上に設けられる第三材料層１３と、を備える。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a first conductive type first semiconductor layer 3, a light emitting layer 5 to generate a light, a second conductive type second semiconductor layer 8, and a transparent substrate 10 that is transparent for a light emitted from the light emitting layer 5 and of which bottom surface is directly joined with the second semiconductor layer 8, in this order.
第１導電型の第１半導体層３と、光を生成する発光層５と、第２導電型の第２半導体層８と、発光層５からの光に対して透明であると共に第２半導体層８に下面が直接接合された透明基板１０とを順に備える。 - 特許庁 - Likewise, the gas diffusion layer 32 includes a first base material layer 7 with relatively large pore diameters and a second base material layer 76 with relatively small pore diameters, and a fine pore layer 72 obtained by kneading conductive powder and a water repellent is coated on the first base material layer 74.
同様に、ガス拡散層３２は、細孔径が相対的に大きい第１の基材層７４と、細孔径が相対的に小さい第２の基材層７６とを含み、導電性粉末と撥水剤とを混練して得られる微細孔層７２が第１の基材層７４に塗布されている。 - 特許庁 - Bores are provided on a first green sheet layer 4 which is an uppermost layer of a multilayer ceramic substrate; hollows 7 are formed with steps when the first green sheet layer 4 is laminated on a second green sheet layer 5; and internal layer conductors 6 are formed as electrodes on the entire bottom surfaces of the hollows 7.
上記課題は、多層セラミック基板の最上層の第１層グリーンシート４に穴を設け、第２層グリーンシート５と積層した際に段差となる窪み７を形成し、かつ窪み７の底面に電極となる内層導体６を全面に形成する構造とすることで、解決することができる。 - 特許庁 - This capacitance type touch panel has: a deformable soft first conductor layer 404 positioned below a panel 402; a second conductor layer 408; and a deformable soft insulative layer 406 positioned between the first conductor layer 404 and the second conductor layer 408, having at least one hollow 4062.
パネル４０２の下方に位置する変形可能な軟性の第一導体層４０４と、第二導体層４０８と、第一導体層４０４と第二導体層４０８の間に位置し、かつ少なくとも一つの空洞４０６２を有する変形可能な軟性の絶縁層４０６と、を備える。 - 特許庁 - This lithography mask includes a first layer 31 including a groove, a second layer 32 including regions, sections, and groove shaped transparent structure surrounding the sections, wherein the first layer 31 and the second layer 32 are formed so as to decrease difference of electric potentials generated in the second layer 32.
溝を含む第１の層３１と、領域を含む第２の層３２と、セクションと、前記セクションを囲う溝状透明構造を含んでおり、前記第１の層３１と第２の層３２とが、第２の層３２において生じる電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されているリソグラフィマスク。 - 特許庁 - The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.
保護層２８の上に、上部シールド層の一部となる第１磁性層２９を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５へのイオンミリング時に、前記第１磁性層２９を設けたことで、その下の保護層２８の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁 - This substrate-less double-sided adhesive tape sheet 100 comprises a transparent adhesive layer in which the adhesive layer 10 has a first adhesive layer 10a having a strongly adhesive character and a second adhesive layer 10b having a weakly adhesive character having a lower adhesive force than that of the first adhesive layer.
透明性の粘着層を有する無基材両面粘着テープ・シート１００であって、前記粘着層１０が、強粘着特性の第１粘着層１０ａと、当該第１粘着層よりも粘着力が低い弱粘着特性の第２粘着層１０ｂとを有する。 - 特許庁 - The optical element includes: a first optical layer having a recessing-projecting surface; a wavelength-selective reflective layer provided on the recessing-projecting surface of the first optical layer; a second optical layer provided on the recessing-projecting surface on which the wavelength-selective reflective layer is provided so as to fill the recessing-projecting surface.
光学体は、凹凸面を有する第１の光学層と、第１の光学層の凹凸面上に形成された波長選択反射層と、波長選択反射層が形成された凹凸面上に、該凹凸面を埋めるように形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - The photonic crystal layer is formed between the first conductivity type clad layer and second conductivity type clad layer, in the first conductivity type clad layer, or in the second conductivity type clad layer, and has a low-refractive-index part and a high-refractive-index part having a higher refractive index than the low-refractive-index part.
フォトニック結晶層は、第１導電型のクラッド層と第２導電型のクラッド層との間、第１導電型のクラッド層中、または第２導電型のクラッド層中のいずれかに形成され、かつ低屈折率部と、低屈折率部よりも屈折率の高い高屈折率部とを有する。 - 特許庁 - This adhesive sheet is provided by including at least three layers of (A) the substrate layer, (B1) first adhesive layer and (B2) second adhesive layer in this order, and a tackifier is contained in at least one of (B1) the first adhesive layer and (B2) second adhesive layer.
本発明の粘着シートは、基材層（Ａ）と第１粘着剤層（Ｂ１）と第２粘着剤層（Ｂ２）とをこの順に有する、少なくとも３層からなる粘着シートであって、第１粘着剤層（Ｂ１）と第２粘着剤層（Ｂ２）の少なくとも一方に粘着付与剤が含まれる。 - 特許庁 - The capacitor having a laminated metal-insulator-metal structure in a semiconductor device has a first insulating layer between a first metal layer and a second metal layer, and has a third metal layer between the substrate and the second metal layer.
半導体において、金属−絶縁体−金属のサンドイッチ構造によって構成する容量（Ｍｅｔａｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ容量）が、第１の金属層と第２の金属層の間に第１の絶縁層を備え、基板と第２の金属層の間に第３の金属層を備える。 - 特許庁 - At least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 has compressive strain to the semiconductor substrate 101, and further, at least one of the first cladding layer 103 and the second cladding layer 105 comprises a semiconductor layer 106 having tensile strain to the semiconductor substrate 101.
第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して圧縮性の歪を有し、且つ、第１のクラッド層(103)及び第２のクラッド層(105)のうちの少なくとも一方は、半導体基板(101)に対して引張性の歪を有する半導体層(106)を含んでいる。 - 特許庁
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