「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 99 100 101 102 103 104 105 106 107 .... 489 490 次へ＞- A sensor stack structure 1100 which includes a conductive spacer layer 1132 is formed over a first shield layer 1172.
導電性のスペーサ層１１３２を含むセンサスタック構造１１００が第１のシールド層１１７２の上に形成される。 - 特許庁 - An active layer 19 is provided between the first conductive type clad region 13 and the secondary diffraction grating layer 17.
活性層１９は、第１導電型クラッド領域１３と二次元回折格子層１７との間に設けられる。 - 特許庁 - A tunnel dielectric layer is formed on a semiconductor substrate, and a first pattern of a floating gate is formed on a tunnel dielectric layer.
半導体基板上にトンネル誘電層を形成し、トンネル誘電層上に浮遊ゲートの第1パターンを形成する。 - 特許庁 - A trench is formed by removing the part of the first photoresist layer, the part of the STI structure and the part of the BOX layer.
第１のフォトレジスト層の部分、ＳＴＩ構造体の部分、及びＢＯＸ層の部分が除去され、トレンチが形成される。 - 特許庁 - To provide a focus controller capable of stably performing focus jumping from a first layer to a third layer in a short time.
第１層から第３層へのフォーカスジャンピングを短時間で安定して行えるフォーカス制御装置を提供する。 - 特許庁 - On a substrate 1, a bottom clad layer 2 and a first projected type core waveguide 31 are formed and the intermediate clad layer 4 is piled up.
基板１上に、下部クラッド層２，第１凸型コア導波路３１を形成し、中間クラッド層４を堆積する。 - 特許庁 - The first solar battery layer and the second solar battery layer have mutually different band gap energies and approximately mutually same operating voltages.
第１太陽電池層と第２太陽電池層とは、バンドギャップエネルギーが相異し且つ動作電圧が略一致する。 - 特許庁 - At least one second LTCC tape layer is stuck on the first LTCC tape layer to form a stack.
少なくとも１つの第２のＬＴＣＣテープ層が第１のＬＴＣＣテープ層の上にスタックされてスタックを形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor comprises a process A for forming a first film layer and a process B for forming a second film layer.
半導体装置の製造方法は、第１薄膜層形成工程Ａと第２薄膜層形成工程Ｂとを含む。 - 特許庁 - The dielectric layer 3 consists of a first dielectric (a solid layer), and a second dielectric formed on it as the lens 50.
誘電体層３は、第１の誘電体（ベタ層）と、その上にレンズ５０として形成される第２の誘電体とからなる。 - 特許庁 - The first region is exposed to form a patterned photoresist layer for covering the second region on the polysilicon layer.
前記第１領域を露出し、前記第２領域を覆うパターン化フォトレジスト層を前記ポリシリコン層上に形成する。 - 特許庁 - Thus, a layer (first shield layer 101) by a longitudinal stripe-like address electrode functions as an electromagnetic wave shield.
これにより、縦方向ストライプ状のアドレス電極による層（第１のシールド層１０１）が、電磁波シールドの機能を果たす。 - 特許庁 - The third layer gate electrode material film L3 contacts the first layer electrode material film L1 through an opening 9.
第３層ゲート電極材料膜Ｌ３は開口９を介して第１層ゲート電極材料膜Ｌ１にコンタクトする。 - 特許庁 - Next, an insert molded body 9 is removed from the mold 6 and a second protective layer is formed on the first protective layer 4a.
次にインサート成形体９を金型６から取り出し、第２保護層を第１保護層４ａの上に形成する。 - 特許庁 - The photo- addressable display element 7 is obtained by successively laminating a first electrode, electrochromic layer, photoconductive layer and second electrode.
光書込み表示素子７は、第一電極、エレクトロクロミック層、光導電層、第二電極を順次積層してなる。 - 特許庁 - The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.
ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁 - The magnetic head has a magnetic pole layer and a first and second coils 9, 23 disposed at locations where the magnetic pole layer is sandwiched.
磁気ヘッドは、磁極層と、磁極層を挟む位置に配置された第１および第２のコイル９，２３を備えている。 - 特許庁 - The conductive first ground layer 14 and the second ground layer 16 are connected through a second through hole 106.
導電性の第１のグランド層１４と第２のグランド層１６とは第２のスルーホール１０６を介して接続される。 - 特許庁 - A sacrificial layer 12 of MgO etc., is formed on a first substrate 11 and patterned, and a support layer 13 of SiO_2 etc., is formed.
第１基板１１にＭｇＯなどの犠牲層１２を形成してパターニングし、ＳｉＯ_2 などの支持層１３を形成する。 - 特許庁 - The information displayed in the second display layer is transferred to the first display layer at a prescribed time and is displayed there.
所定の時点で、第２表示層に表示されていた情報は、第１表示層に移されそこで表示される。 - 特許庁 - The terminal 22 is constructed of a first conductor layer 24, a power interruption element (poly-switch) 26, and a second conductor layer 28.
端子２２は、第１の導体層２４と、電力遮断素子（ポリスイッチ）２６と、第２の導体層２８から構成される。 - 特許庁 - The third diffusion layer 10 is formed in the vicinity of the circumferential edge part of the submount 4 while being spaced apart from the first diffusion layer 8.
第３拡散層１０は、サブマウント４の周縁部近傍に、第１拡散層８と離隔して形成されている。 - 特許庁 - The invention further provides a two-step method of polishing a substrate having a first metal layer and a second, different metal layer.
さらに、第１の金属層と第２の異なる金属層を含む基材を研磨する２工程の方法が提供される。 - 特許庁 - In yet another preferred embodiment, the strand direction of the first layer forms 45° relative to the strand direction of the second layer.
さらに別の実施例において、第１層のストランド方向は第２層のストランド方向に対して４５度を呈している。 - 特許庁 - Impurity concentration of the p-type first doped layer 52 is set lower than that of the p-type second doped layer 54.
ｐ型第１ドープ層５２の不純物濃度は、ｐ型第２ドープ層５４の不純物濃度より低くなるようにする。 - 特許庁 - In the axial direction, the end 68b of the second layer 64b is located inside the end 68a of the first layer 64a.
軸方向において、第二層６４ｂの端６８ｂは第一層６４ａの端６８ａよりも内側に位置する。 - 特許庁 - In the medium, first, second, third magnetic layers 1, 2, 3, respectively, a nonmagnetic intermediate layer 5, and a fourth magnetic layer 4 are successively laminated.
第１、第２、第３磁性層１，２，３及び非磁性中間層５、第４磁性層４は順次積層されている。 - 特許庁 - A whole surface of the first coating layer 15 is coated by a second coating layer 16 comprising vapor phase synthesized diamond.
第１のコーティング層１５の全面を、気相合成ダイヤモンドからなる第２のコーティング層１６によってコーティングする。 - 特許庁 - The light transmitting member 16 is constituted of two layers: a first flat layer 16a, and a second flat layer 16b.
光透過部材１６は、第１の平坦層１６ａと第２の平坦層１６ｂとからなる２層構成になっている。 - 特許庁 - In a second range W2, the second coating layer 14 is removed and the first coating layer 13 covers the glass fiber 10.
第２範囲Ｗ２において、第２被覆層１４が除去されて、第１被覆層１３がガラスファイバ１０を覆っている。 - 特許庁 - The ceramic heater 100 has a first ceramic layer 110, and a second ceramic layer 120 wound around a core material 101.
セラミックヒータ１００は、芯材１０１を中心に、第１セラミック層１１０，第２セラミック層１２０が巻きつけられている。 - 特許庁 - The clothes have connections 18A, 18B and 18C where the first layer and the second layer are connected along external form lines 10 (=repeating pattern) of the clothes.
衣類の外形線１０（＝繰り返しパターン）に沿って第１層及び第２層を接続する接結部18A, 18B, 18Cを有する。 - 特許庁 - An adhesive sheet for wafer sticking consists of a first base material, a first adhesive layer formed on the first base material, a second base material formed on the first adhesive layer and a second adhesive layer formed on the second base material, chemical reaction where adhesion of the first adhesive layer lowers and chemical reaction wherein adhesion of the second adhesion layer lowers differ.
第１の基材と、第１の基材上に形成された第１の粘着層と、第１の粘着層上に形成された第２の基材と、第２の基材上に形成された第２の粘着層と、からなるウエハ貼着用粘着シートにおいて、第１の粘着層の粘着力が低下する化学反応と、第２の粘着層の粘着力が低下する化学反応とが異なることを特徴とする。 - 特許庁 - In the method of forming the semiconductor layer in which a second semiconductor layer 103 having a second ion bonding degree larger than a first ion bonding degree is formed on the surface of a first semiconductor layer 102 having the first ion bonding degree, the second semiconductor layer 103 is formed on the surface of the first semiconductor layer 102 present on the side where the second semiconductor layer 103 is formed while irradiated with electrons under a vacuum.
第１のイオン結合度を有する第１の半導体層１０２の表面に、第１のイオン結合度よりも大きな第２のイオン結合度を有する第２の半導体層１０３を形成する半導体層形成方法において、第２の半導体層１０３を形成する側に在る第１の半導体層１０２の表面に、真空中で電子を照射しながら、第２の半導体層１０３を形成する。 - 特許庁 - The magnetoresistive element has a fixed layer arranged on a semiconductor substrate, a tunnel insulating film arranged on the fixed layer, a first free layer containing Fe arranged on the tunnel insulating film, a second free layer containing Fe and Ta arranged on the first free layer, a stopper layer containing Ru arranged on the second free layer, and a hard mask arranged on the stopper layer.
磁気抵抗素子は、半導体基板上に配置される固定層と、固定層上に配置されるトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に配置され、Ｆｅを含む第１自由層と、第１自由層上に配置され、ＦｅおよびＴａを含む第２自由層と、第２自由層上に配置され、Ｒｕを含むストッパー層とストッパー層上に配置されるハードマスクとを有している。 - 特許庁 - In addition, the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the first semiconductor layer 101 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the first semiconductor layer 101, and the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the third semiconductor layer 103 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the third semiconductor layer 103.
加えて、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３とバンドギャップエネルギーが異なる。 - 特許庁 - This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.
第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁 - The display apparatus has a first conductive layer formed by using a transparent conductive film consisting essentially of indium oxide, a conductive base layer formed on the first conductive layer, a second conductive layer formed on the base layer by using a film consisting essentially of Al and a third conductive layer formed on the second conductive layer by using the same material as the second conductive layer.
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する。 - 特許庁 - The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.
また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁 - The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).
半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁 - The high-efficiency light-emitting device has a substrate, a first nitride semiconductor layer formed on the substrate, a nitride light-emitting layer formed on the first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer formed on the nitride light-emitting layer, wherein the second nitride semiconductor layer has a plurality of hexagonal pyramid cavities, on the surface of the second nitride semiconductor layer opposite to the nitride light-emitting layer.
高効率発光素子は、基板、基板上に形成された第１窒化物半導体層、第１窒化物半導体層上に形成された窒化物発光層及び窒化物発光層上に形成された第２窒化物半導体層を有し、第２窒化物半導体層は、窒化物発光層の反対の第２窒化物半導体層の表面上に複数の六方ピラミッドキャビティを有する。 - 特許庁 - The self-pulsating semiconductor laser is provided with a lower clad layer 103 formed on a semiconductor substrate 101, an active layer 105 formed on the lower clad layer 103, a first upper clad layer 107 formed on the active layer 105, a second upper clad layer 109 formed on the first upper clad layer 107, and a block layer BLK.
本発明に係る自励発振型半導体レーザは、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成された第２上部クラッド層１０９と、ブロック層ＢＬＫとを備える。 - 特許庁 - In the multi-layer structure 10, a first polystyrene surface layer 1 is formed on a polystyrene substrate layer 3 through an adhesive layer 2 comprising a polystyrene resin, a polypropylene resin, and a compatibilizer, and a second surface layer 5 of a polypropylene resin the melting point of which is higher than that of the first surface layer is formed through an adhesive layer 4.
ポリスチレン系樹脂からなる基材層３に、ポリスチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂及び相溶化剤からなる接着層２を介して、ポリエチレン系樹脂からなる第一の表面層１が形成され、接着層４を介して、第一の表面層よりも高融点のポリプロピレン系樹脂からなる第二の表面層５が形成された多層構造体１０。 - 特許庁 - An asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure 400 has an active layer 120 having first and second surfaces, a transition layer 429 which is brought into contact with the first surface of the active layer 120, a p-type clad layer 130 adhered adjacently to the transition layer 429, and an n-type layer 116 which is brought into contact with the second surface of the active layer 120.
本発明の非対称導波路窒化物レーザダイオード構造４００は、第１及び第２の表面を有する活性層１２０と、活性層の第１の表面と接触する遷移層４２９と、遷移層に隣接して付着されたｐ型クラッド層１３０と、活性層の第２の表面と接触するｎ型層１１６とを有する。 - 特許庁 - The initial layer 110 has a structure in which a first AlN layer 110a of ≥60 nm and a first GaN layer 110b of ≥60 nm are laminated, and the composite layer 111 has a structure in which a layered structure comprising a second AlN layer 111a and a second GaN layer 111b formed on the second AlN layer 111a is repeated a plurality of times.
初期層１１０は、６０ｎｍ以上の第１のＡｌＮ層１１０ａ、６０ｎｍ以上の第１のＧａＮ層１１０ｂが積層された構造であり、複合層１１１は、第２のＡｌＮ層１１１ａと、第２のＡｌＮ層１１１ａ上に形成された第２のＧａＮ層１１１ｂとからなる積層構造を複数回繰り返した構造である。 - 特許庁 - The optical sensor includes at least a first semiconductor layer 2 provided on a top surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 serving as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, and a protection layer 5 provided on a reverse surface of the semiconductor substrate 1.
光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。 - 特許庁 - A microstrip line element is composed by forming a dielectric layer 20 which is formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding a first electrode layer 10, a conductor layer 30 which is formed on the dielectric layer 20, and a second electrode layer 40 which is formed on the conductor layer 30 on the first electrode layer 10 composed of metal as a substrate.
基板となる金属で構成される第１の電極層１０の上に、第１の電極層１０を酸化または窒化または酸窒化して形成される誘電体層２０と、誘電体層２０上に形成される導電体層３０と、導電体層３０の上に形成される第２の電極層４０を形成し、マイクロストリップ線路素子を構成する。 - 特許庁 - Further, the manufacturing method of the semiconductor package 10 adopts a configuration of sequentially forming a first insulation layer 41, the conductor layer 9, the second insulation layer 42, the re-wiring layer 5, a seal resin layer 7, a first post 61 connected to the conductor layer 9, and a second post 62 connected to the re-wiring layer 5 on the wafer 3 by the wafer level CSP.
また、本発明の半導体パッケージ１０の製造方法は、ウェハレベルＣＳＰによりウェハ３上に第１の絶縁層４１、導電層９、第２の絶縁層４２、再配線層５、封止樹脂層７、導電層９に接続した第１のポスト６１及び再配線層５に接続した第２のポスト６２を順次形成する構成とする。 - 特許庁 - In the substrate for semiconductor device, a first granular gold plating layer 11A is formed on a metal plate 10 and a plating layer is deposited thereon wherein the deposited plating layer consists of a second gold plating layer 11B, a nickel plating layer 12 and a gold plating layer 13 deposited sequentially on the first gold plating layer 11A.
金属板１０上に、粒状の第１の金めっき層１１Ａと、その上に成膜させためっき層が形成されており、成膜させた前記めっき層は第１の金めっき層１１Ａの上に順次積層された第２の金めっき層１１Ｂと、ニッケルめっき層１２と、金めっき層１３とからなっている半導体装置用基板。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a first collector layer formed of n-type GaAs, a second collector layer on the first collector layer formed of n-type InGaP doped to the concentration of 10^18cm^-3 or more, a base layer on the second collector layer formed of p-type GaAs, and an emitter layer on the base layer formed of n-type InGaP.
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、第１のコレクタ層上に形成され、１０^１８ｃｍ^—３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有する。 - 特許庁
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