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半導体層（４００）上に直に成長させた第一の磁性体層（２００）と、この第一の磁性体層（２００）上に、順にトンネルバリア層（３００）と、第二の磁性体層（１００）とを積層した構造を有するスピンバルブトランジスタであって、前記半導体層（４００）上にアバランシェブレイクダウンによる電子増倍層（４１０）を設ける。 - 特許庁 - In a manufacturing method of a layer arrangement of the present invention, a first layer (203) having a thickness larger than a minimum thickness for the epitaxial growth of a second layer (408) is formed, a second layer (408) is epitaxially grown on the first layer (203), and a third layer (409) is formed on the second layer (408).
本発明の層配置の製造方法においては、基板上であって基板の第１の面上に、第２の層（４０８）のエピタキシャル成長のための最小厚さより大きい厚さを有する第１の層（２０３）が形成され、第１の層（２０３）上に第２の層（４０８）がエピタキシャル成長させられ、第２の層（４０８）上に第３の層（４０９）が形成される。 - 特許庁 - The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 24 and 34 provided on the semiconductor layer 10 to sandwich the gate conductive layer 14, and a bit conductive layer 80.
不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられ、ゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、ゲート導電層１４を挟むように半導体層１０に設けられた第１導電型の第１および第２不純物領域２４，３４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁 - The ternary content addressable memory cell 1 is provided with a first magnetic tunnel junction 2 being formed from a storage layer 23, a sense layer 21 having a magnetization direction adjustable relative to the magnetization of the storage layer, an insulating layer 22 between the storage layer and the sense layer, a sense line 3 coupled with the storage layer, a first field line 4 and second field line 5.
三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。 - 特許庁 - The base material consisting of titanium or a titanium alloy has an internally hardened layer consisting of a first hardened layer formed from the surface toward the inside, and in which nitrogen and oxygen are allowed to enter into solid solution, and a second hardened layer formed more interiorly than the first hardened layer, a hard decorative layer applied and formed on the surface of the internally hardened layer, and a hard transparent glass layer thereon.
チタンまたはチタン合金からなる基材は、表面から内部に向かって形成された窒素及び酸素を固溶する第１硬化層と、該第１硬化層より内部に向かって形成された第２硬化層とからなる内部硬化層と、該内部硬化層の表面に被覆形成された硬質装飾層と、その上に硬質透明ガラス層を有する。 - 特許庁 - The metallic wiring layer 30 has a lower conductive layer 30A, a first layer 34 composed of aluminum or an aluminum alloy, a second layer 36 formed on the first layer 34 and composed of an intermetallic compound (aluminum nitride), and a third layer 38, formed on the second layer 36 and composed of a metallic nitride (titanium nitride) which serves as an antireflection coating.
金属配線層３０は、下部導電層３０Ａ、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１の層３４、第１の層の上に形成された金属間化合物（窒化アルミニウム）からなる第２の層３６、および第２の層の上に形成された、反射防止膜としての金属の窒化物（窒化チタン）からなる第３の層３８を有する。 - 特許庁 - This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.
この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁 - A liquid-state functional material (a liquid-state character layer material 14B and a liquid-state magnetic layer material 16B) cured by giving an energy is discharged to the predetermined area on the first substrate layer 10 and cured, and then the functional layer (the character layer material 14 and the magnetic layer material 16) is formed on the first substrate layer 10.
エネルギーを付与すると硬化する液体状の機能性材料（液体状の文字層材料１４Ｂおよび液体状の磁性体層材料１６Ｂ）を第１の基板層１０上の所定の領域に対して吐出して硬化させて、機能層（文字層１４および磁性体層１６）を第１の基板層１０上に形成する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the alignment layer, a bottom face layer is deposited with first deposition pressure, and subsequently a surface layer is laminated on the surface of the bottom face layer, by elevating inside pressure of the vacuum chamber 51 to second deposition pressure higher than the first deposition pressure so as to constitute the alignment layer with a laminated film, comprising the bottom face layer and the surface layer.
本発明の配向膜製造方法は、第一の成膜圧力で底面層をせいまくした後、真空槽５１内部の圧力を第一の成膜圧力よりも高い第二の成膜圧力に上昇させて、底面層の表面に表面層を積層し、底面層と表面層との積層膜で配向膜を構成する。 - 特許庁 - In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.
さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁 - The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.
ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁 - This quantum cascade laser 1A is formed by including: a semiconductor substrate 10; a first active layer 15 with unit laminated bodies 16 each comprising a luminescent layer and an injection layer laminated in multiple tiers; and a second active layer 25 arranged in series to the first active layer 15 and having unit laminated bodies 26 each composed of a luminescent layer and an injection layer laminated in multiple tiers.
半導体基板１０と、発光層及び注入層からなる単位積層体１６が多段に積層された第１活性層１５と、第１活性層１５に対して直列に設けられ発光層及び注入層からなる単位積層体２６が多段に積層された第２活性層２５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁 - This photoelectric conversion element comprises: a first electrode layer 1 having light transmittance; an electron transportation/charge separation layer 2 formed on the first electrode layer; a charge amplification layer 5 contacting the layer 2 and containing at least a potential gradient type dendrimer; an electrolyte layer 3 contacting the layer 5 and containing at least oxidation-reduction species; and a second electrode layer 4 contacting the electrolyte layer 3.
光透過性を有する第一の電極層（１）と、第一の電極層上に形成された電子輸送・電荷分離層（２）と、電子輸送・電荷分離層（２）と接し、少なくとも電位傾斜型デンドリマーを含有する電荷増幅層（５）と、電荷増幅層（５）と接し、少なくとも酸化還元種を含有する電解質層（３）と、電解質層（３）と接する第二の電極層（４）を有する光電変換素子とする。 - 特許庁 - There are provided the superconductive wire including a metal substrate, an intermediate layer disposed on the metal substrate, a superconductive layer disposed on the intermediate layer, a first silver stabilization layer disposed on the superconductive layer, and a second silver stabilization layer covering at least part of the outer surface of a laminate including the metal substrate, intermediate layer, superconductive layer and first silver stabilization layer; and the method of manufacturing the same.
金属基板と、金属基板上に設置された中間層と、中間層上に設置された超電導層と、超電導層上に設置された第１の銀安定化層と、金属基板と中間層と超電導層と第１の銀安定化層とを含む積層体の外表面の少なくとも一部を覆う第２の銀安定化層とを備えた超電導線材とその製造方法である。 - 特許庁 - A first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, and an etching stop layer 6 are formed sequentially on a crystal substrate 1, a third ridge stripe clad layer 7 is formed on the etching stop layer, and block layers 10 are formed on both sides of the third clad layer.
結晶基板１上に、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、およびエッチング停止層６を順次備え、エッチング停止層上にリッジストライプ状の第３クラッド層７を有し、第３クラッド層の両側にブロック層１０が形成された構造を有する。 - 特許庁 - A reflecting layer 2 consisting of an Al alloy or the like, a dielectric layer 3 consisting of SiN, sialon or the like, a recording layer 4 consisting of TbFeCo, a dielectric layer 5 consisting of SiN, sialon or the like, a first protective layer 6, a second protective layer 7 and a lubricating layer 8 are successively formed on a substrate 1.
基板１の上にＡｌ合金などから成る反射層２、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層３、ＴｂＦｅＣoから成る記録層４、ＳｉＮ、サイアロンなどから成る誘電体層５および第一保護層６、第二保護層７、潤滑層８を順次形成する。 - 特許庁 - There is provided the head suspension assembly comprising a wiring trace which has a laminated structure formed of a metal layer, a first dielectric layer, a conductor layer and a second dielectric layer, and an exposed part in which the conductor layer is exposed from the second dielectric layer, and a head/slider supported by the metal layer.
金属層と第１の誘電体層と導体層と第２の誘電体層との積層構造を備え導体層が第２の誘電体層から露出した露出部を含む配線トレースと、金属層が支持するヘッド／スライダとを備えたヘッド・サスペンション・アセンブリを提供する。 - 特許庁 - A part which connects a lower conductive layer formed on a semiconductor substrate across a first inter-layer insulating layer and an upper conductive layer formed above the lower conductive layer across a second inter-layer insulating layer is divided into one or more plugs and pads.
第１層間絶縁層を挟んで半導体基板上に形成された下部導電層と、第２層間絶縁層を挟んで下部導電層上部に形成された上部導電層を半導体基板を通じて接続する部分とを、１つ以上のプラグとパッドとに分ける。 - 特許庁 - The transfer sheet S is constituted by forming a transfer layer 2 on a support sheet and the transfer layer 2 consists of a surface protective layer 3, which has two-layered constitution consisting of a first surface protective layer 3A comprising an acrylic resin and a second surface protective layer 3B comprising a butyral resin, and the decorative layer 4 laminated on the surface protective layer 3A.
転写シートＳは、支持体シート１上の転写層２として、その表面保護層３をアクリル樹脂からなる第１の表面保護層３Ａとブチラール樹脂からなる第２の表面保護層３Ｂとの２層構成とした上で、装飾層４を積層する。 - 特許庁 - The silver halide photosensitive material includes a support and a first intermediate layer containing a chelating agent, a blue-sensitive silver halide emulsion layer, a second intermediate layer, a red-sensitive silver halide emulsion layer, a third intermediate layer, a green-sensitive silver halide emulsion layer and a protective layer laid in this order from the support side.
支持体と、該支持体に近い方から、順に、キレート化剤を含有する第一中間層、青感性ハロゲン化銀乳剤層、第二中間層、赤感性ハロゲン化銀乳剤層、第三中間層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層および保護層とを有するハロゲン化銀感光材料。 - 特許庁 - The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.
ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate has a textured surface and the seed layer is formed by sequentially layering a CrN first seed layer, a NiTi second seed layer, a CrN third seed layer and a NiTiN fourth seed layer.
ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板はテクスチャ加工が施され、シード層は、ＣｒＮ第１シード層、ＮｉＴｉ第２シード層、ＣｒＮ第３シード層、ＮｉＴｉＮ第４シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁 - On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.
ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁 - Thus, it is difficult for heat conducted through the first metal layer 28 to be conducted to the upper shield layer 27 via the first organic insulating layer 30, but easy to be conducted to a second metal layer 23 via a gap layer 25 made of an inorganic insulating material higher in thermal conductivity than the organic insulating layer.
これによって前記第１金属層２８に伝わった熱が、前記第１有機絶縁層３０を介して前記上部シールド層２７にまで伝わりにくく、前記有機絶縁層よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料からなるギャップ層２５を介して第２金属層２３に伝わりやすい。 - 特許庁 - This superconductive cable core has a first superconductor layer 3 disposed around a winding core 1, an electric insulation layer 6 disposed around the first superconductor layer 3, a second superconductor layer 7 disposed around the electric insulation layer 6, and a temperatures monitoring layer 10 storing at least one optical fiber 11.
巻芯１の周囲に配置される第１の超電導体層３と、第１の超電導導体層３の周囲に配置される電気絶縁層６と、電気絶縁層６の周囲に配置される第２の超電導体層７と、少なくとも１本の光ファイバ１１を収めた温度モニタリング層１０とを有する。 - 特許庁 - A first carrier confinement layer 12 and a second carrier confinement layer 14 which have a bandgap larger than that of an active layer 13 are disposed on both sides of the active layer 13, and a first light guiding layer 11 and a second light guiding layer 15 are disposed on both sides of the layers 12 and 14.
活性層１３の両側に、活性層１３よりも大きなバンドギャップを有する第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４、更にこれら第１キャリア閉じ込め層１２および第２キャリア閉じ込め層１４の両側に第１光ガイド層１１および第２光ガイド層１５が配置されている。 - 特許庁 - A first dielectric layer 8 formed on the wall of the trench, a charge accumulation layer 9 formed on the first dielectric layer 8, a second dielectric layer 10 formed on the surface of the charge accumulation layer 9, and control layers 11, 11' formed on the surface of the second dielectric layer 10 are provided.
さらにこのトレンチの壁部に形成された第１の誘電層８と、この第１の誘電層８に形成された電荷蓄積層９と、この電荷蓄積層９の表面に形成された第２の誘電層１０と、この第２の誘電層１０の表面に形成されたコントロール層１１，１１′が設けられている。 - 特許庁 - A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.
発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁 - The second laminated structure comprises a p-type AlGaAs clad layer 62a, an active layer 64a, an n-type AlGaAs first clad layer 66a, a pnp current block layer 68, an n-type AlGaAs second clad layer 70, and an n-type GaAs cap layer 72, with the second ridge and the first laminated structure embedded.
第２の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２ａ、活性層６４ａ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層６６ａ、ｐｎｐ電流ブロック層６８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層７０、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７２で構成され、第２のリッジ及び第１の積層構造を埋め込む。 - 特許庁 - This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.
下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - The manufacturing method provides for a magnetoresistance effect element which includes a first magnetic layer containing a ferromagnetic material, a second magnetic layer containing a ferromagnetic material, and an intermediate layer 16 provided between the first and second magnetic layers and including an insulating layer 161 and a conductive layer 162 penetrating through the insulating layer.
強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、絶縁層１６１と、絶縁層を貫通する導電部１６２と、を含む中間層１６と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 - 特許庁 - This invention relates to the electronic element having a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, and the method of manufacturing the electronic element, wherein the first semiconductor layer is a polycrystalline semiconductor layer formed of the rare earth iron oxide, and the second semiconductor layer is an organic semiconductor layer formed of an organic material.
第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。 - 特許庁 - Between the lower electrode 2 and the function layer 5a, a second polycrystalline semiconductor layer 3b, which has a lower speed of anodization with the electrolytic solution as compared with the first polycrystalline semiconductor layer and which is to serve as a stop layer that selectively anodizes the first polycrystalline semiconductor layer, is provided directly under the function layer 5a.
下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 - 特許庁 - The gas barrier film comprises a substrate film 1, a first organic layer 2, an inorganic layer 3, and an outermost organic layer 4 in this order, wherein the outermost organic layer has a thickness of 0.3 μm or more, and (a)/(b)≥2 is satisfied, wherein (a) represents the thickness of the outermost organic layer, and (b) represents the thickness of the first organic layer.
基材フィルム１と、第一の有機層２と、無機層３と、最表有機層４とを該順に有し、最表有機層４の厚さが、０．３μｍ以上であり、最表有機層４の厚さをａとし、第一の有機層２の厚さをｂとしたとき、ａ／ｂ≧２であることを特徴とする、ガスバリアフィルム。 - 特許庁 - The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.
発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁 - Part of a conductive layer 7 constituting the electrodes to be connected to the MR element 9 is arranged into a groove 5, formed between the lower shielding layer 3, and the first portion 4a of the upper shielding layer is arranged in a state in which this part is insulated from the lower shielding layer 3 and the first portion 4a of the upper shielding layer by the insulating layer.
下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａの間に形成された溝５内に、ＭＲ素子９に接続される電極を構成する導電層７の一部が、絶縁膜によって、下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁 - The upper magnetic layers 15 of the recording head includes a first layer 15a whose one pole surface contacts the gap layer 9, a second layer 15b whose one end contacts the other surface of the first layer 15a, and a third layer 15c whose one end contacts the other surface of the second layer 15b.
記録ヘッドにおける上部磁極層１５は、磁極部分において一方の面が記録ギャップ層９に隣接する第１の層１５ａと、一方の面が第１の層１５ａの他方の面に隣接する第２の層１５ｂと、一方の面が第２の層１５ｂの他方の面に隣接する第３の層１５ｃとを含んでいる。 - 特許庁 - The light emitting element includes a conductive support member, a second conductivity type semiconductor layer formed on the conductive support member, an active layer formed on the second conductivity type semiconductor layer, a first conductivity type semiconductor layer formed on the active layer, and a protection element formed on the first conductivity type semiconductor layer.
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 - 特許庁 - The nitride layer 3 is formed sequentially with a conductive polymer layer 4 consisting of polypyrrole to cover around the nitride layer 3; and a cathode 5, with a first conductive layer 5a containing carbon grains, and a second conductive layer 5b containing silver grains to cover around the first conductive layer 5a.
窒化物層３上には、窒化物層３の周囲を覆うようにポリピロールからなる導電性高分子層４と、カーボン粒子を含む第１導電層５ａおよび第１導電層５ａの周囲を覆うように形成された銀粒子を含む第２導電層５ｂが積層された陰極５とが順次形成されている。 - 特許庁 - After a first electrode layer 34 is formed on the second antiferromagnetic layer 31, a step of forming a second electrode layer 36 from the internal end faces 31a and 34a of the second antiferromagnetic layer 31 and first electrode layer 34 to the upper surface of a multilayer film 40 through another layer is performed.
第２反強磁性層３１上に第１電極層３４を形成し、この第１電極層３４とは別工程で、前記第２反強磁性層３１及び第１電極層３４の内側端面３１ａ、３４ａ上から多層膜４０の上面にかけて他層を介して第２電極層３６を形成する。 - 特許庁 - This thin film laminate is formed by laminating a laminate unit consisting of at least a first thin film layer and a second thin film layer at least twice wherein the laminated area of at least one of the first thin film layer and the second thin film layer is gradually decreased from the lower layer toward the upper layer.
少なくとも第１薄膜層と第２薄膜層とからなる積層単位を少なくとも２回以上繰り返して積層してなる薄膜積層体であって、前記第１薄膜層及び前記第２薄膜層のうちの少なくとも一方の積層面積を、下層から上層に向かって逓減させる。 - 特許庁 - Part of a conductive layer 57 constituting an electrode connected to an MR element is arranged into the groove formed between the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer in the state of insulating the layer from the lower shielding layer 53 and the first portion 54a of the upper shielding layer with an insulated film 56.
下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。 - 特許庁 - A second electrode layer 12 is formed on the second insulating layer 8, and part of the second electrode layer 12 is buried in openings 11a and 11b, which penetrate the second insulating film 8 to reach the inside of the first electrode layer 3 in the regions 6 and 7, so that the second electrode layer 12 is connected electrically to the first electric layer 3.
第２の絶縁膜８上に第２の電極層１２を設けるとともに、領域６，７内において第２の絶縁膜８を貫通して第１の電極層３の内部に至る各開口部１１ａ，１１ｂ内に第２の電極層１２の一部を埋め込んで第１の電極層３に電気的に接続する。 - 特許庁 - The flexible printed wiring board is composed of a substrate which is composed of at least a first electrical insulation layer, a first adhesive layer formed on it and a conductor layer formed on it and a cover lay which is composed of at least a second adhesive layer and a second electrical insulation layer formed on it and arranged on the conductor layer.
少なくとも第１の電気絶縁層と、その上に形成された第１の接着剤層と、その上に形成された導体層と、からなる基板の導体層上に、少なくとも第２の接着剤層と、その上に形成された第２の電気絶縁層と、からなるカバーレイが、設けられたフレキシブルプリント配線板。 - 特許庁 - The luminous body 1A is composed of a coil or linear form structure including a double layer coating composed of a first layer 3 of a light reflecting resin layer embedded with a metallic core wire 2 and a second layer 4 of a luminous layer with a coloring pigment therein embedded with the first layer 3 on the outer periphery of the core wire 2.
金属質の芯線２の外周に、芯線２を埋め込む光反射用樹脂層の第１層３と、第１層３を埋め込む着色顔料入り蓄光発光層の第２層４から成る２層被覆を備えたコイル形態または線状形態の構造から成る蓄光発光体１Ａが特徴である。 - 特許庁 - A light absorbing layer 4 has a multiplex quantization well structure having at least one or more of quantization well pairs consisting of a first well layer 8 having impurity imparting an (n) type, a barrier layer 9 formed being in contact with the first well layer 8 and a second well layer 10 formed being in contact with the barrier layer.
光吸収層４は、ｎ型を与える不純物を有する第１の井戸層８と、この第１の井戸層８に接して形成された障壁層９と、この障壁層９に接して形成された第２の井戸層１０と、からなる、量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造である。 - 特許庁 - The microcapsule 3 has a two-layer structure, wherein a first layer (inner layer) 3A in contact with charged particles 4a comprises a mixture of gelatin and gum arabic and a second layer (outer layer) 3B in contact with a binder 5 comprises a mixture of gelatin and gum arabic in a composition ratio different from that of the first layer 3A.
マイクロカプセル３を二層構造とするとともに、帯電粒子４ａと相接する第一層（内層）３Ａを、ゼラチンとアラビアゴムとの混合物から構成するとともに、バインダー５と相接する第二層（外層）３Ｂを、第一層３Ａとは組成比の異なるゼラチンとアラビアゴムとの混合物から構成する。 - 特許庁 - A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.
支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁 - This device includes an adhesive layer 204, an insulating layer 208 made of a base material having a first resistivity, an electrode layer 212, a hybrid/adhesive layer 214, and a workpiece support layer 216 made of a base material and a dopant having a second resistivity wherein the resistivity of the resultant workpiece support layer is lower than the first resitivity.
装置は、接着層２０４と、第１の固有抵抗を有するベース材料で作られた絶縁層２０８と、電極層２１２と、ハイブリッド／接着層２１４と、ベース材料、及び第２の固有抵抗を有するドーパントで作られ、最終固有抵抗が第１の固有抵抗よりも低くされたワークピース支持層２１６とを含む。 - 特許庁 - In the multi-layered structure keeping a first layer, a second layer and a third layer these layers piled up in the order, the first layer is composed of a thermoplastic resin, the second layer is composed of a composition A containing a fluorine-containing compound, and the third layer is composed of a composition B containing an inorganic layered compound.
第１の層、第２の層および第３の層がこの順に積層された多層構造体であって、該第１の層が熱可塑性樹脂からなる層であり、該第２の層がフッ素含有化合物を含む組成物Ａからなる層であり、該第３の層が無機層状化合物を含む組成物Ｂからなる層である多層構造体。 - 特許庁
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