「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 97 98 99 100 101 102 103 104 105 .... 489 490 次へ＞- An optical article 10 includes a first layer 32 formed on an optical base 1 directly or via other layer.
光学物品１０は、光学基材１の上に、直にまたは他の層を介して形成された第１の層３２を含む。 - 特許庁 - The first layer 2a is composed of a cerium oxide film, and the second layer 2b is composed of an aluminum oxide film.
第１の層２ａは、酸化セリウム膜で構成されており、第２の層２ｂは、酸化アルミニウム膜で構成されている。 - 特許庁 - A liquid crystal display element includes a first layer having two substrates and a liquid crystal layer formed between the two substrates.
液晶表示素子は、二つの基板と、二つの基板間に形成された液晶層とを有する第一の層を備える。 - 特許庁 - Thereby, adhesiveness between the first resin layer 102 and the second resin layer 103 can be further improved.
これにより、第１樹脂層１０２と第２樹脂層１０３との間の密着性をさらに向上させることができる。 - 特許庁 - First, an antioxidant layer is provided by forming a zinc layer on the connection pad or by selectively etching the connection pad.
先ず、亜鉛層が接続パッドに形成されるか接続パッドを選択的エッチングすることで抗酸化層を形成する。 - 特許庁 - The outer film layer has a sealing panel completely covering a first panel and a second panel of the inner film layer.
外部薄膜層は、内部薄膜層の第１のパネルおよび第２のパネルを完全に覆う封止用パネルを有する。 - 特許庁 - According to this method, a hole in the second semiconductor layer 12B is excited by the valence band of the first semiconductor layer 12A.
これにより、第２の半導体層１２Ｂ中の正孔が第１の半導体層１２Ａの価電子帯に励起される。 - 特許庁 - A second ventilation layer to be positioned between the first ventilation layer and a stator core flange of the stator core is also provided.
また、第１の通気層及びステータコアのステータコアフランジ間に位置するようになった第２の通気層が、設けられる。 - 特許庁 - The grain diameter of a metal crystal in the second layer 13 is smaller than that of a metal crystal in the first layer 12.
第２層１３における金属結晶の粒径は、第１層１２における金属結晶の粒径よりも小さい。 - 特許庁 - Each solar cell element 1 is sealed between the first transparent resin layer 6 and the second transparent resin layer 7.
第１透過性樹脂層６と第２透過性樹脂層７との間に各太陽電池素子１が封止されている。 - 特許庁 - In a method for forming an upper magnetic pole layer of a thin-film magnetic head, an electrode layer 21 is first deposited on a substrate 20.
薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法では、まず、基板２０の上に電極層２１を成膜する。 - 特許庁 - The formation of the first doped layer 540a and its coating with the second semiconductor layer 550a are conducted in a series of processes.
第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 - 特許庁 - In the first layer, aluminum is spread in the base material, and the second layer is formed of aluminum.
前記第１層においては、アルミニウムが前記母材中に拡散していて、前記第２層はアルミニウムにより形成されている。 - 特許庁 - An electrode 40 is provided in the first liquid layer 32, and an electrode 42 is provided in the second liquid layer 34.
第１の液体層３２には、電極４０が設けられ、第２の液体層３４には電極４２が設けられている。 - 特許庁 - In the first semiconductor layer 13a, a band gap becomes smaller, the closer it comes to the second semiconductor layer 13b.
第１の半導体層１３ａは、第２の半導体層１３ｂに近づくにつれてバンドギャップが小さくなっている。 - 特許庁 - The second reinforcing layer 20 is located on the outer side of the first reinforcing layer 18 on the inner side of the apex 26.
この第二補強層２０は、このエイペックス２６の内側において、この第一補強層１８の外側に位置している。 - 特許庁 - The supporting substrate is detached by irradiating the first resin layer with laser light, and the second resin layer is removed.
第１の樹脂層にレーザ光を照射して支持基板を剥離し、第２の樹脂層を除去することを特徴とする。 - 特許庁 - A part of the contact path 171 serves as a pattern of required circuit wiring by the first layer metal wiring layer 17.
接続経路１７１の一部は、第１層目の金属配線層１７による必要な回路配線のパターンとして働く。 - 特許庁 - The first mask structure and the second mask structure are formed so as to include a dual mask layer and an etching mask layer, respectively.
各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第１マスク構造物及び第２マスク構造物を形成する。 - 特許庁 - The perpendicular magnetic recording medium includes a first intermediate layer 106, a second intermediate layer 107, and magnetic recording layers 108 and 109 on a substrate 100.
基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。 - 特許庁 - Preferably, the structure further comprises a second layer of the dielectric 10 formed on the surface of the first layer of the dielectric 20.
好ましくは、第１層の誘電体２０の表面に配置された第２層の誘電体１０をさらに備える。 - 特許庁 - The element wire of the second shield layer is preferably wound spirally in the direction opposite to that of the element wire of the first shield layer.
第２シールド層の素線は、第１シールド層の素線と反対の螺旋状に巻回されていることが好ましい。 - 特許庁 - In this way, etching of the conductive layer 21 and formation of the first sidewall layer 24 are achieved at the same time like this.
このように、本発明では導電層２１のエッチングと第１側壁層２４の形成を同時に行なうことができる。 - 特許庁 - On the first insulating layer 41, a second insulating layer 42 is formed covering the wiring pattern W1 for writing.
書込用配線パターンＷ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。 - 特許庁 - In this case, a flat replica layer is formed first and then the replica layer is processed to have recesses and projections on it.
この場合、まず平坦なプリレプリカ層を形成し、このプリレプリカ層を凹凸化処理して凹凸レプリカ層を形成する。 - 特許庁 - At least one protruding part 22 is provided on the surface of the second material layer opposed to the first material layer.
前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に少なくとも一つの凸部２２を設置する。 - 特許庁 - The back light device includes a transparent substrate, a plurality of protrusions, a first transparent layer, a second transparent layer and a light source.
本発明のバックライト装置は、透明基板、複数の凸部、第１透明層、第２透明層及び光源からなる。 - 特許庁 - The glass transition temperature of one of the first alignment layer 14 and the second alignment layer 15 is higher than that of the other.
第１配向１４膜、第２配向膜１５のうちの一方のガラス転移温度が他方よりも高くなっている。 - 特許庁 - End face 40a of the first contact conductive layer 40 is continuous to the end face 60a of the second contact conductive layer 60.
第１コンタクト導電層４０の端面４０ａと、第２コンタクト導電層６０の端面６０ａとが連続している。 - 特許庁 - By superposing on a part of the first layer, a second layer having the image of the painting or the photograph drawn on the exposed portion of the surface is provided.
第１層の一部に重ねて、表面の露出部に絵画又は写真のイメージが描かれた第２層を設ける。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a p-type second diffusion layer which corresponds to each of the pads and is provided in the first diffusion layer.
上記パッドのそれぞれに対応し、上記第１拡散層内に設けられたＰ型の第２拡散層を備える。 - 特許庁 - The first resin layer 14 and the second resin layer 16 are extended along the irregular shape on the surface of the substrate.
第１樹脂層１４および第２樹脂層１６は、基材の表面の凹凸形状に沿うようにして延びている。 - 特許庁 - The thin-film coil has first and second layer parts 31 and 34 disposed through the recording gap layer 12.
薄膜コイルは、記録ギャップ層１２を介して配置された第１層部分３１と第２層部分３４とを有している。 - 特許庁 - The base metal, the first layer, and the second layer each have predetermined thermal expansion coefficients, yield strengths, and elongations.
基材金属、第１の層、及び第２の層は各々が所定の熱膨張率、降伏強度、及び伸び率を有する。 - 特許庁 - The adhesive layer 22A is disposed on the outside, and the non-adhesive layer 22B is disposed on the first watertight sheet 20 side.
接着層２２Ａは外面側に配置され、非接着層２２Ｂは第１遮水シート２０側に配置されている。 - 特許庁 - Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.
また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁 - (B) A second layer 20U that contains glass as a component and whose lateral width is narrower than that of the first layer 20D is prepared.
（Ｂ）ガラスを構成要素として含み、第一の層２０Ｄよりも横幅の狭い、第二の層２０Ｕを用意する。 - 特許庁 - The first quantum well layer 221 generates ultraviolet region light, and the second quantum well layer 222 generates blue light.
第１量子井戸層２２１は紫外領域光を発生し、第２量子井戸層２２２は青色光を発生する。 - 特許庁 - The first resin layer 21 and the second resin layer 22 are structured with a resin material 2, the compositions of which are the same or different.
第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは組成が同一または異なる樹脂材料２で構成されている。 - 特許庁 - The second electrode is provided on a side surface of a part between a light-emitting layer and a first main surface in the semiconductor layer.
第２の電極は半導体層における発光層と第１の主面との間の部分の側面に設けられた。 - 特許庁 - A p-side electrode 41 and a first conductive junction layer 42 are formed in sequence over the entire surface of the p-type layer 22 (Fig.1(e)).
ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁 - The first adhesive film 13 is arranged on the adhesive layer 12 and has the same shape as the adhesive layer 12.
第１粘着フィルム１３は、接着剤層１２上に設けられ、該接着剤層１２と同一の形状を有している。 - 特許庁 - A first gate electrode 230 comprises a stacked structure in which a metal layer 232 and a silicon layer 234 are stacked.
また第１ゲート電極２３０は、金属層２３２及びシリコン層２３４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁 - The insulating layer is arranged on the insulating substrate, and the insulating layer includes a through-hole, a first end part, and a second end part.
前記絶縁層は、前記絶縁基板に配置され、前記絶縁層は、スルーホールと、第一端部と、第二端部と、を含む。 - 特許庁 - The sum of thicknesses of the first upper clad layer 108 and second upper clad layer 109 is 0.3-1.5 μm.
第一上クラッド層１０８と第二上クラッド層１０９の層厚の総和が０.３μｍ以上１.５μｍ以下である。 - 特許庁 - The first insulating layer is etched to a prescribed depth of the trench, and a bottom insulating layer is left in the trench.
次に第１絶縁層をトレンチの所定の深さまでエッチングすることにより、トレンチ内にて底部絶縁層を残す。 - 特許庁 - A composite type matching layer 36 is provided between a first matching layer 14 and an acoustic lens 18 as an upper medium.
第１整合層１４と上部媒体としての音響レンズ１８との間に複合型整合層３６が設けられる。 - 特許庁 - One of the first layer 103 and the second layer 105 includes a resin and the other includes a curing agent for the resin.
第一の層１０３および第二の層１０５のうち一方が樹脂を含み、他方が当該樹脂の硬化剤を含む。 - 特許庁 - The thin film pattern 102-2 of the second layer is arranged at a position not to be laid on top of the stamp region 105-1 of the first layer.
２層目の薄膜パターン１０２−２は１層目のスタンプ領域１０５−１に重ならない位置に配置される。 - 特許庁 - Finally, the sixth mask defines a third conductive layer 810, a fourth conductive layer 820, and a first opening.
最後に、第６マスクは、第３導電層８１０、第４導電層８２０、及び第１開口部８３０を定義する。 - 特許庁
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