「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The second light transparent layer 15 is stuck onto the light emitting element 13 and a top surface of the first light transparent layer 14, and has a refractive index larger than that of the first light transparent layer 14.
    第２の透光性層１５は、発光素子１３および第１の透光性層１４の上面に付着されており、第１の透光性層１４より大きい屈折率を有している。 - 特許庁
  • Specifically, the present invention relates to the drug-eluting articles that each comprises a substrate, a first polymeric layer over the substrate, and a second polymeric layer over the first polymeric layer.
    具体的には、この発明は、基体と、この基体上に配された第１のポリマー層と、この第１のポリマー層上に配された第２のポリマー層とを含む薬剤溶出物品に関するものである。 - 特許庁
  • The first conductive layer 7a has a metal carbide layer 7ax that includes a carbide of a transition metal belonging to Group IV, V, or VI of the Periodic Table and is bonded to the first resin layer 6e.
    第１導電層７ａは、周期表第４族、５族又は６族である遷移金属の炭化物を含み、且つ、第１樹脂層６ｅに接着する金属炭化物層７ａｘを有する。 - 特許庁
  • The substrate 1 for a printed wiring board includes: an insulating base material; a first conductive layer 21 laminated on the insulating base material 10; and a second conductive layer 24 laminated on the first conductive layer 21.
    このプリント配線板用基板１は、絶縁性基材と、この絶縁性基材１０に積層された第１導電層２１と、この第１導電層２１に積層された第２導電層２４とを含む。 - 特許庁
  • The electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery includes: a collector; a first mixture layer formed on a surface of the collector; and a second mixture layer formed on a surface of the first mixture layer.
    本発明の非水電解質二次電池用電極は、集電体と、集電体の表面に形成された第１合剤層と、第１合剤層の表面に形成された第２合剤層と、を有する。 - 特許庁
  • The optical layer is provided with a first optical layer formed on a first main surface of the wavelength selective reflection film and a second optical layer formed on a second main surface of the wavelength selective reflection film.
    光学層が、波長選択反射膜の第１の主面上に形成された第１の光学層と、波長選択反射膜の第２の主面上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁
  • In the semiconductor laser element 30, a clad layer 3 of the first conductivity type, an active layer 4, and a clad layer 5 of the second conductivity type are formed sequentially above a semiconductor substrate 1 of the first conductivity type.
    半導体レーザ素子３０は、第１導電型の半導体基板１の上方に第１導電型のクラッド層３、活性層４、第２導電型のクラッド層５が順次形成されている。 - 特許庁
  • This light emitting element includes: a first layer 311, a second layer 312 and a third layer 313 between a first electrode 301 and a second electrode 302 formed to face each other.
    対向するように設けられた第１の電極３０１と第２の電極３０２との間に、第１の層３１１と、第２の層３１２と、第３の層３１３とを有する発光素子を提供する。 - 特許庁
  • The cover layer 30 formed a plurality of openings 32a, 32b, 34a, and 34b to expose parts of first and second transition layer electrodes 26, 28, is provided to cover the first and second transition layer electrodes 26, 28.
    カバー層３０には、第１及び第２の遷移層電極２６，２８の一部を露出するために、複数の開口３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂが形成され、第１及び第２の遷移層電極２６，２８を覆って設けられている。 - 特許庁
  • The first fiber layer 232 is disposed in contact with the upstream side of the second fiber layer 234 and the first fiber layer 232 is disposed in contact with a surface of the downstream side of the electrode 220.
    第１の繊維層２３２は第２の繊維層２３４の上流側に当接して設けられているとともに、第１の繊維層２３２は電極２２０の下流側の面に当接して設けられている。 - 特許庁
  • A first passivation layer 20 is formed in an area to form an ink supply port on the surface of a silicon substrate 10, and a second passivation layer 15 is formed on the first passivation layer 20.
    シリコン基板１０の表面においてインク供給口が開口される領域に第一のパッシベイション層２０を形成し、第一のパッシベイション層２０の上に第二のパッシベイション層１５を形成する。 - 特許庁
  • Then, the first barrier layer 21 is formed of metal, and the oxide of the first barrier layer 21 has higher conductivity than that of the oxide of the second barrier layer 22.
    そして、第１のバリア層２１は金属で形成されており、第１のバリア層２１の酸化物は、第２のバリア層２２の酸化物よりも高い導電性を有することを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁
  • The heat generating member 23 has a first heat generating layer 23a having a predetermined Curie point and a second heat generating layer 23b having lower volume resistivity than the volume resistivity of the first heat generating layer 23a.
    発熱部材２３は、所定のキューリー点を有する第１発熱層２３ａと、第１発熱層２３ａの体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する第２発熱層２３ｂと、を具備する。 - 特許庁
  • The first and second source/drain regions of the second conduction type are formed in a second layer near the top surface of the second layer, and the second layer is separated in a cross direction from the first source/drain region.
    第２の導電型の第１および第２のソース／ドレイン領域は第２の層の上面の近傍の第２の層に形成され、第２の層は第１のソース／ドレイン領域から横方向に離間する。 - 特許庁
  • A second alloy layer 27a made of an alloy of the first alloy layer 28a and the interlayer conduction part 24a is provided on a part contacting the interlayer conduction part 24a of the first alloy layer 28a.
    第１の合金層２８ａのうち層間導通部２４ａに接触する部分には、第１の合金層２８ａと層間導通部２４ａとの合金からなる第２の合金層２７ａが配置されている。 - 特許庁
  • The nonmagnetic intermediate layer 8 comprises a first layer 82 containing SnO_2 and a pair of second layers 81, 83 sandwiching the first layer 82 and containing a material having a corrosion potential higher than that of Sn.
    非磁性中間層８は、ＳｎＯ_2を含む第１の層８２と、第１の層８２を挟んで設けられ、Ｓｎよりも腐食電位の高い材料からなる一対の第２の層８１，８３と、を有している。 - 特許庁
  • The first layer facing the support material is applied thereon by knife coating, rolling, injection or printing, while a second layer is applied by spraying the coating material on the first layer.
    支持材料に面する第１の層はナイフ塗布、ローリング、注入または印刷によって支持材料に塗布され、その間に第２の層は塗布材料の噴霧によって第１の層の上に塗布される。 - 特許庁
  • An inner surface layer 12 comprising an unvulcanized rubber having a plurality of protrusions 34 is extruded and first reinforcing yarn 14A is spirally wound around the outer periphery of the inner surface layer 12 to form a first reinforcing layer 14.
    複数の凸部３４を有する未加硫ゴムからなる内面層１２を押し出し、その外周に第１の補強糸１４Ａを螺旋状に巻回して第１の補強層１４を形成する。 - 特許庁
  • A semiconductor device includes a first wiring layer including the signal wiring line, and a second wiring layer stacked on the first wiring layer and including the power-supply plane or the ground plane formed.
    半導体装置は、信号配線が設けられた第１の配線層と、この第１の配線層に絶縁層を介して積層され、電源プレーン又はグランドプレーンが設けられた第２の配線層とを備える。 - 特許庁
  • The second diffusion layer 9 is thinner than the first diffusion layer 8 and exists in the region of the first diffusion layer 8 in the plan view for looking down the submount 4 vertically.
    第２拡散層９の厚さは第１拡散層８の厚さより薄く、第２拡散層９は、サブマウント４を垂直に見下ろす平面視において第１拡散層８の領域内に存在する。 - 特許庁
  • The first portion of the second semiconductor layer is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and has an impurity concentration ranging from 1×10^19/cubic centimeter to 1×10^21/cubic centimeter.
    第２半導体層の第１部分は、発光層と第１電極層との間に設けられ、不純物濃度が１×１０^１９／立方センチメートル以上、１×１０^２１／立方センチメートル以下である。 - 特許庁
  • The second electrolyte layer 26 is formed by causing the electrolyte crystal to grow on the first electrolyte layer 25 in a different direction form the growing direction of the crystal in the first electrolyte layer 25.
    第２電解質層２６は、第１電解質層２５上に、第１電解質層２５における結晶の成長方向とは異なる方向に電解質の結晶を成長させることによって形成する。 - 特許庁
  • The organic electroluminescent elements 4 each include a first electrode 6, an organic layer 7 formed on the first electrode 6 and including a light-emitting layer, and a second electrode 8 which is formed on the organic layer 7.
    有機ＥＬ素子４は、第１電極６と、第１電極６上に形成されるとともに、発光層を有する有機層７と、有機層７上に形成された第２電極８を有している。 - 特許庁
  • A first photosensitive layer 19 and a second photosensitive layer 20 provided on the top and back faces of a transparent film 3, respectively, are irradiated with light through a photomask 29 disposed opposing to the first photosensitive layer 19.
    透明フイルム３の表裏面に設けられている第１感光層１９及び第２感光層２０に対し、第１感光層１９に対面するフォトマスク２９を介して光を照射する。 - 特許庁
  • A first conductive-type clad layer is disposed on the substrate, and a second conductive-type clad layer is disposed on the first conductive-type clad layer.
    第１導電型クラッド層が基板の上部に位置し、第２導電型クラッド層が第１導電型クラッド層の上部に位置し、活性層が第１クラッド層と第２クラッド層との間に介在される。 - 特許庁
  • The thickness of the first kind of film layer is larger than the thickness of the second kind of film layer, and the thickness of the first kind of film layer is 10 nm or less and 1 nm or more.
    また、第１種類の薄膜層の厚みが第２種類の薄膜層の厚みよりも大きく、かつ、第１種類の薄膜層の厚みが１０ｎｍ以下であり、かつ、１ｎｍよりも大きくする。 - 特許庁
  • A thick CeO_2 first buffer layer 2 contains a (111)-facet, and an Sm_2O_3 second buffer layer 4 caused to deposit on the first buffer layer 2 is grown as crystal grains smaller than CeO_2 crystal grains by one figure or more.
    厚膜のＣｅＯ_２ 第１バッファ層２には、（１１１）ファセットが形成され、その上に堆積したＳｍ_２ Ｏ_３ 第２バッファ層４は、ＣｅＯ_２ より１桁以上小さい結晶粒となって成長する。 - 特許庁
  • The first reflection layer 3a has a DBR structure where an n-type AlInP layer and an n-type GaAs layer are laminated alternately, and a first refractive index difference that is a difference between refractive indexes in both layers is 0.578.
    第１反射層３ａは、ｎ型ＡｌＩｎＰ層とｎ型ＧａＡｓ層とが交互に積層されたＤＢＲ構造を有し、両層の屈折率の差である第１屈折率差は、０．５７８である。 - 特許庁
  • The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.
    第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • A substrate 1 for a printed wiring board includes: an insulating base 10; a first conductive layer 21 laminated on the insulating base 10; and a second conductive layer 24 laminated on the first conductive layer 21.
    プリント配線板用基板１は、絶縁性基材１０と、この絶縁性基材１０に積層された第１導電層２１と、この第１導電層２１に積層された第２導電層２４とを含む。 - 特許庁
  • The electric resistance value of a first specular reflective layer installed on a side coming into contact with a retroreflective element is smaller than that of a second specular reflective layer installed on the rear face of the first specular reflective layer.
    再帰反射素子に接する側に設置された第1鏡面反射層の電気抵抗値が，第1鏡面反射層の背面に設置された第２鏡面反射層の電気抵抗値より小さくする。 - 特許庁
  • The colored reflecting layer 32 has a color different from that of the first reflecting layer 31a, and is formed in an area not formed with the first reflecting layer 31a on the reverse face of the pointer main body 31.
    着色反射層３２は、第１反射層３１ａの色と異なる色を有し、指針本体３１の裏面において第１反射層３１ａが形成されていない領域に形成される。 - 特許庁
  • At first, a coating layer is formed on the surface at the side of an information recording layer of a first sheet 13 supplied from a delivery part 21 by coating a coating liquid for forming a false adhesive layer in a coating part 23.
    まず、繰出部２１から供給された第一のシート１３の情報記録層側の表面上に、塗工部２３で擬似接着層形成用塗工液を塗工して塗工層を形成する。 - 特許庁
  • The surface of the first polycrystalline silicon layer 3 is smoothed by grinding (fig.(c)) and a second polycrystalline silicon layer 4 is formed on the first polycrystalline silicon layer 3 by CVD method (fig.(d)).
    第１の多結晶シリコン層３の表面を研磨により平滑化し（図１（ｃ））、第１の多結晶シリコン層３上に第２の多結晶シリコン層４をＣＶＤ法によって成膜する（図１（ｄ））。 - 特許庁
  • The external electrode pad 11a includes a first pad layer 12 made in a columnar form, and a second pad layer 13 made conically to cover the surface of the first pad layer 12.
    外部電極パッド１１ａは、円柱状に形成された第１のパッド層１２と、第１のパッド層１２の表面を覆うように設けられ、かつ円錐状に形成された第２のパッド層１３とを含む。 - 特許庁
  • The laser further comprises a ridge stripe-like second conductivity type second clad layer formed on the first clad layer, and a first conductivity type current block layer formed so as to embed its ridge side face.
    そして、この第１クラッド層上にリッジストライプ状の第２導電型の第２クラッド層が形成され、そのリッジ側面を埋め込むように第１導電型の電流ブロック層が形成されている。 - 特許庁
  • The laminated film comprises a first layer composed of a chlorine-containing resin and stacked on the plastics base material, and a second layer composed of the cyclic polyolefin-based resin and stacked on the first layer.
    プラスチック基材に積層され、塩素含有樹脂で構成された第一層と、この第一層に積層され、環状ポリオレフィン系樹脂で構成された第二層とで積層フィルムを構成する。 - 特許庁
  • The multilayer tube (1) comprises: a first layer (10) composed of a fluororesin; and a second layer (30) covering one surface of the first layer (10) and composed of a polyamide-based resin free of an additive.
    フッ素樹脂からなる第一の層１０と、前記第一の層１０の一方側の面を覆い、添加剤を含まないポリアミド系樹脂からなる第二の層３０と、を有する多層チューブ１とする。 - 特許庁
  • The transmission line type capacitor includes: a first conductive layer 1-2 formed on a base material insulation sheet 1-1; and a strip-like second conductive layer 2 formed on its upper surface through a first insulation thin-film layer 3-1.
    基材絶縁シート１−１上に形成された第一導電層１−２と、その上面に第一絶縁薄膜層３−１を介して形成された帯状の第二導電層２を有する。 - 特許庁
  • The first conductive polymer layer may be disposed only in the opening of the conductive mesh, and the second conductive polymer layer may be disposed on the conductive mesh and the first conductive polymer layer.
    第一の導電性ポリマー層が導電メッシュの開口部内のみに配置され、導電メッシュ上と第一の導電性ポリマー層上に第二の導電性ポリマー層が配置されていてもよい。 - 特許庁
  • The polyimide tubular molding has a first layer containing a polyimide resin and a chemical compound which promotes imide-reaction, and a second layer which contains a polyimide resin and is formed on the first layer.
    ポリイミド樹脂およびイミド化反応を促進する化合物を含む第１の層と、ポリイミド樹脂を含み、前記第１の層上に有する第２の層と、を備えたポリイミド管状成型体である。 - 特許庁
  • A first covering layer containing iron oxide is formed on the surface of the granular hydrogen storing metal alloy, and a second covering layer containing iron hydroxide is formed on the first covering layer.
    この粒状の水素吸蔵合金の表面にＦｅの酸化物を含む第１皮膜層が形成されており、この第１皮膜層の上にＦｅの水酸化物を含む第２皮膜層が形成されている。 - 特許庁
  • The average molar concentration of the group III element in the first semiconductor layer near the second semiconductor layer is smaller than that in the first semiconductor layer.
    そして、前記第１の半導体層は、該第１の半導体層における前記III族元素の平均モル濃度よりも前記第２の半導体層の近傍における前記III族元素のモル濃度の方が小さい。 - 特許庁
  • A first photosensitive resin layer 10 formed on a semiconductor substrate 1 is exposed and then a second photosensitive rein layer 13 is formed on the first photosensitive resin layer 10 and exposed.
    半導体基板１上に形成した第１の感光性樹脂層１０を露光した後、その第１の感光性樹脂層１０上に第２の感光性樹脂層１３を形成して露光する。 - 特許庁
  • The resistance change element includes a first electrode 11, a second electrode 13, a resistance changing layer 12 laminated between the first electrode 11 and the second electrode 14, and an insulating layer (tunnel barrier layer 14).
    第１の電極１１と、第２の電極１３と、第１の電極１１と第２の電極１４との間に積層された抵抗変化層１２および絶縁層（トンネルバリア層１４）とを含む。 - 特許庁
  • The electrodes 31, 32, 33 comprise a first metal layer 1 formed on the piezoelectric substrate 11 and a second metal layer 2 mainly containing aluminum, formed on the first metal layer 1.
    上記すだれ電極部３１、３２、３３は、圧電基板１１上に成膜された第一金属層１と、第一金属層１上に成膜された、アルミニウムを主とする第二金属層２とを備える。 - 特許庁
  • The energization heating wire (TaBN wire 20) has a first layer 21 made from a tantalum nitride wire and a second layer 22 which coats a surface of the first layer 21 and is made from boride, for instance.
    本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。 - 特許庁
  • A first aluminum nitride layer is vapor deposited on a substrate at a first chamber pressure, and then a second aluminum nitride layer is vapor deposited on the resultant aluminum nitride nucleation layer at a higher second chamber pressure.
    第１の窒化アルミニウム層を第１のチャンバ圧力で基板上に蒸着し、次いでその窒化アルミニウム核生成層上により高い第２のチャンバ圧力で第２の窒化アルミニウム層を蒸着する。 - 特許庁
  • The sampling filter 7 is formed into a two-layered structure consisting of a first porous layer 71 containing extremely fine fibers and the second porous layer 72 covering the outside of the first porous layer 71 containing a carbon material.
    採取用フイルター７は、極細繊維を含む多孔質の第１層７１と、その外側に積層された、炭素材を含む多孔質の第２層７２とを備えた２層構造に形成されている。 - 特許庁
  • A drift layer is formed having a pillar structure having a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type in pillar shapes alternately and periodically formed on a semiconductor substrate.
    半導体基板上に柱状の第１導電型の第１の半導体層と第２導電型の第２の半導体層とが交互に周期的に形成されたピラー構造のドリフト層が形成される。 - 特許庁
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