「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 90 91 92 93 94 95 96 97 98 .... 489 490 次へ＞- The third semiconductor layer is provided between the second semiconductor layer and the first electrode layer, and has a sheet resistance value ranging from 10^3 Ω/sq. to 10^6 Ω/sq.
第３半導体層は、第２半導体層と第１電極層との間に設けられ、シート抵抗値が１０^３Ω／□以上、１０^６Ω／□以下である。 - 特許庁 - A first epoxy resin layer 64, a second epoxy resin layer 68, and a glass cloth 66 held between the layers are stacked in the connecting layer 60.
接続層６０は、第１のエポキシ樹脂層６４及び第２のエポキシ樹脂層６８と、それらの間に挟まれるようにガラスクロス６６とが積層されている。 - 特許庁 - Then, the magnetic layer 26 is selectively etched by reactive ion etching with the second layer 27b as a mask, and the first layer 27a is formed.
次に、第２の層２７ｂをマスクとして、反応性イオンエッチングによって磁性層２６が選択的にエッチングされて、第１の層２７ａが形成される。 - 特許庁 - The insulating layer 12 has first portions 8 having a thin film thickness and second portions 6 having a thick film thickness between the support layer 2 and the semiconductor layer 14.
絶縁層１２は、支持層１２と半導体層１４の間の膜厚が薄い第１部分８と膜厚が厚い第２部分６を有している。 - 特許庁 - At least one intermediate electrode contains a metal-organic mixture layer arranged between a first charge injection layer and a second charge injection layer.
少なくとも１つの中間電極は、第１の電荷注入層と第２の電荷注入層との間に配設された金属−有機混合層を含む。 - 特許庁 - A second resist layer 32 is formed on the electrode layer 21 and the first resist layer 31 and is exposed by, for example, electron beams.
次に、電極層２１および第１のレジスト層３１の上に第２のレジスト層３２を形成し、第２のレジスト層３２を例えば電子線によって露光する。 - 特許庁 - A first multilayered structure 10 of a strained Si layer 14 and tensile strain SiGe alloy layer 16 constitute on a relaxation SiGe alloy layer 12.
緩和ＳｉＧｅ合金層１２上に歪みＳｉ層１４及び引っ張り歪みＳｉＧｅ合金層１６の第一多層化構造１０を構成する。 - 特許庁 - An exposed surface 31a is formed on a surface of the first electrode layer 31 and an exposed layer 32a is formed on a surface of the second electrode layer 32.
一方、第１電極層３１の表面と第２電極層３２の表面とにはそれぞれ露出面３１ａ，３２ａが形成されている。 - 特許庁 - A portion (an electrode layer 41A) of an electrode layer 41 straddling the disconnection part 22 and corresponding to the disconnection part 22 is separated from the electrode layer 41 (a first step).
断線部２２を跨ぎ断線部２２に対応する電極層４１の一部（電極層４１Ａ）を電極層４１から分離させる（第１工程）。 - 特許庁 - The wearing article 1 is so formed that the Klemm water absorptivity is higher in order of the first fiber layer 13, the second fiber layer 41 and the third fiber layer 42.
着用物品１は、クレム吸水度が第１繊維層１３，第２繊維層４１，第３繊維層４２の順に高くなるように形成される。 - 特許庁 - The upper metal level includes a second stop layer 30, deposited over the embedded stop layer 50 and the first metallization and a second dielectric layer.
上側金属レベルは埋込みストップ層５０上に堆積された第２のストップ層３０、及び第１の金属化層及び第２の誘電体層を含む。 - 特許庁 - The layer first performed with the pattern formation is a metal electrode pattern layer having an alignment mark to the layer performed with the second and succeeding pattern formation.
また、前記最初にパターン形成される層が、２番目以降にパターン形成される層に対する位置合わせマークを有する金属電極パターン層である。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric actuator that prevents the occurrence of exfoliation between a dummy layer and a substrate and between a first electrode layer and a piezoelectric layer.
ダミー層と基板との間及び第１の電極層と圧電層との間での剥離の発生を防ぐことが可能な圧電アクチュエータを提供すること。 - 特許庁 - The oxide layer 13b fills the roughness on the surface of the first ferromagnetic layer 13a and as a result, the surface of the oxide layer 13b becomes substantially flat.
この酸化物層１３ｂは、第１強磁性層１３ａ表面の凹凸を埋め、その結果酸化物層１３ｂの表面はほぼ平坦となる。 - 特許庁 - A low resistance fuse includes a fuse element layer, a first and a second intermediate insulation layer extending on opposite sides of the fuse element layer and coupled thereto.
低抵抗ヒューズは、ヒューズ要素層、ならびにヒューズ要素層に対向する面に伸びて、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層を含む。 - 特許庁 - The defect introduction layer 108 is large in crystal defect density relative to the first nitride semiconductor layer 107 and the second nitride semiconductor layer 109.
欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 - 特許庁 - Also, the piezoelectric element 22 includes at least a first electrode layer 222, a second electrode layer 226, and a piezoelectric layer 223 positioned between them.
また、圧電体素子２２は、少なくとも、第１の電極層２２２と、第２の電極層２２６と、これらの間に位置する圧電体層２２３とを有している。 - 特許庁 - The laminated metals are Cu and Fe-Ni and the metals are laminated as a first Cu layer 31, a Fe-Ni layer 32, and a second Cu layer 33.
ここで積層される金属は、ＣｕおよびＦｅ−Ｎｉであり、第１Ｃｕ層３１、Ｆｅ−Ｎｉ層３２、および第２Ｃｕ層３３として積層されている。 - 特許庁 - When the relative permittivity and thickness of the first insulation layer 51a and the second insulation layer 51b are adjusted, the relative permittivity of the insulation layer 51 is changed.
第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂの比誘電率や厚みが調整されれば、絶縁層５１の比誘電率は変化する。 - 特許庁 - The light emitting layer, the second doping semiconductor layer and the second electrode are formed on a part of the first doping semiconductor layer in this order.
前記発光層と、前記第2型ドーピング半導体層と、前記2電極とは、順次、前記第１型ドーピング半導体層の一部分に形成されている。 - 特許庁 - Each of the first rubber hose 3 and the second rubber hose 5 comprises an outer layer 5 made of rubber and a ceramic wear resistant layer 11 inside the outer layer 9.
第１ゴムホース３及び第２ゴムホース５をそれぞれ、ゴム製の外側層９と、この外側層９の内側のセラミック耐磨耗層１１と、から構成する。 - 特許庁 - A polyisocyanate layer 2 is provided at least on a first surface of the base material 1 and the adhesive agent layer 3 is provided on the polyisocyanate layer 2.
また、基材１の少なくとも第１面にはポリイソシアネート層２が設けられており、そのポリイソシアネート層２の上に粘着剤層３が設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 has a semiconductor substrate 6, a first insulator layer 4a, a metallic layer 26e, a second insulator layer 28 and a resistor 34.
半導体装置１は、半導体基板６と、第１絶縁体層４ａと、金属層２６ｅと、第２絶縁体層２８と、抵抗体３４とを有する。 - 特許庁 - The magnetic layer may comprise a first sub-layer 248 comprises NiFeCr and a second sub-layer 250 comprises NiFe formed thereon.
磁性層は、ＮｉＦｅＣｒからなる第１の副層２４８と、その上に形成されたＮｉＦｅからなる第２の副層２５０とを含むことが可能である。 - 特許庁 - The non-magnetic body part 30 is made to have a first nonmagnetic layer 32 of a resin and a second nonmagnetic layer 34 a nonmagnetic metallic layer.
非磁性体部３０は、樹脂からなる第１の非磁性体層３２と、非磁性の金属層からなる第２の非磁性体層３４とを有する。 - 特許庁 - An MEA 20 formed by laminating an electrolyte membrane and an electrode catalyst layer has a first gas diffusion layer 22, a second gas diffusion layer 10, and a separator 40 in an anode.
電解質膜と電極触媒層が積層されたＭＥＡ２０は、アノードに、第一ガス拡散層２２、第二ガス拡散層１０、セパレータ４０を備える。 - 特許庁 - A gallium nitride semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, and a gallium nitride semiconductor layer of a second conductivity type are sequentially disposed on a support substrate 13.
第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。 - 特許庁 - A third hydrogen barrier layer 92 is formed on the upper wiring layer 91 such that the edge 92a touches the first hydrogen barrier layer 5 entirely.
上部配線層９１の上に第３の水素バリア層９２を、縁部９２ａが全て第１の水素バリア層５と接触するように形成する。 - 特許庁 - The PTFE dispersion amounts (the weight ratios) of the first layer 411, the second layer 412, and the third layer 413 are 2 wt.%, 5 wt.%, and 10 wt.% respectively.
第１の層４１１、第２の層４１２、第３の層４１３のＰＴＦＥ分散量（重量比）は、２ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％である。 - 特許庁 - The first auxiliary grounding layer 6 and the second auxiliary grounding layer 14 are electrically and physically connected together with a conductive adhesive agent layer 17.
第１の補助グランド層６と第２の補助グランド層１４とは導電性の接着剤層１７によって電気的かつ物理的に接続している。 - 特許庁 - A sacrifice layer 30 is deposited on at least a part of a mechanical structure, and a first sealing layer 26a is deposited on the sacrifice layer 30.
機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層３０を堆積させ、この犠牲層３０の上に第１の封止層２６ａを堆積させる。 - 特許庁 - The thickness of one of the aluminum oxynitride layers is 0.5-10 μm, and is used as the first layer for tightly fitting the aluminum oxynitride layer to the cBN-containing sintered body even for a multi-layer film.
酸素化アルミニウム層１層の厚さは０．５〜１０μｍであり、多層膜でも、酸窒化アルミニウム層をcBN含有焼結体に密着する第１層とする。 - 特許庁 - A capacity detecting part 1 is configured of a laminated structure constituted of a first conductive layer 12, an insulating layer 14 and a mesh-shaped second conductive layer 15.
容量検出部１を、第１導電層１２、絶縁層１４および網目状の第２導電層１５からなる積層構造により構成する。 - 特許庁 - In this method, it is preferable that the metal layer is formed of the first and second metal layers and the conductive layer is removed with the selective etching of the second metal layer.
金属層は第一、第二金属層から構成し、第二金属層の選択的エッチングにより導電層を除去することがより好ましい。 - 特許庁 - The component of the middle layer 8 is so prepared that it is apt to adhere to the first adhesive layer 6 and the second adhesive layer 7 rather than the vinyl base material 4.
中間層８は、ビニル基材４よりも、第一粘着層６及び第二粘着層７が粘着し易くなる部材により形成されている。 - 特許庁 - The first deflecting layer 22 or the second deflecting layer 24 is thermally expanded by heating, and the cantilever beam element 20 is deflected on the opposite side of the expanded deflecting layer.
第１の偏向層２２または第２の変更層２４は加熱によって熱膨張し、片持ち梁要素２０は膨張した偏向層の反対側で撓む。 - 特許庁 - First, a diaphragm region is defined on an SOI substrate comprising three layers of an active layer 1, a support layer 2 and an insulation layer 3 sandwiched by these layers 1 and 2.
まず、活性層１と支持層２とそれらの間に挟まれた絶縁層３との３層からなるＳＯＩ基板に、ダイアフラム領域を画定する。 - 特許庁 - In the multilayer disk, the second recording layer L1 and succeeding recording layers are formed closer to the cover layer surface CVLs than the first layer L0.
また複数層ディスクにおいては、第２層Ｌ１以降の記録層は、第１層Ｌ０よりもカバー層表面ＣＶＬｓに近づく位置に形成されるようにする。 - 特許庁 - The first region R1 has a top coat layer (the outermost layer) 51 whose surface is smoother than the top coat layer 52 in the second region R2, on the surface of the ink layer 51.
第１領域Ｒ１には、インキ層５１の表面に、第２領域Ｒ２におけるトップコート層５２よりも表面が平滑に形成されたトップコート層（最外層）５２が設けられている。 - 特許庁 - An insulating layer portion 11 is folded like bellows, and a first electrode layer portion 21 or a second electrode layer portion 22 is provided on each of surface ends of a base 12 formed by the insulating layer portion 11.
絶縁層部１１は蛇腹状に折り畳まれ、絶縁層部１１が形成する基部１２の各端面に第一電極層部２１または第二電極層部２２が設けられている。 - 特許庁 - The thickness of the first layer is 0.1 to 0.5 mm, the thickness of the second layer is 0.2 to 0.5 mm, the thickness of the third layer is 3.0 to 5.0 mm, and the thickness of the fourth layer is 0.5 to 1.0 mm.
第１層〜第４層の層厚は、それぞれ第１層：０．１〜０．５ｍｍ、第２層：０．２〜０．５ｍｍ、第３層：３．０〜５．０ｍｍ、第４層：０．５〜１．０ｍｍであるとよい。 - 特許庁 - First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.
先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁 - A plurality of first coil pieces 36 are formed in the space 47 surrounded by a lower core layer 29, a magnetic pole tip layer 30 and a back gap layer 34 and buried in a coil insulation layer 37.
下部コア層２９、磁極端層３０、バックギャップ層３４で囲まれた空間内４７に複数本の第１コイル片３６が形成され、コイル絶縁層３７で埋められている。 - 特許庁 - According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, a low-refractive-index layer, and a transparent electrode.
本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A metal is embedded to an air gap formed resulting from removing the second external base layer 8 and silicide processing is applied by heat treatment to a boundary face between the metallic layer and a first base lead-out layer, resulting in that a silicide layer 19 is connected to a base 11a beneath an emitter electrode 17.
除去された空隙に金属を埋め込み、熱処理によりシリサイド化することにより、シリサイド層１９がエミッタ電極１７直下でベース１１ａと接続される。 - 特許庁 - The base layer 2 is covered with the first layer 3 being the metal foil and the second layer 4 being the metal foil as well both of which make the effect of the base layer 2 further exerted and assume a role of protection.
基層２の効果をより発揮させると共に、保護の役割を担う金属箔である第１層３及び同じく金属箔である第２層４で基層２上を覆う。 - 特許庁 - Further, the barrier layer 36 is wave-formed with slight unevenness because the surface of the first resin layer 32 is coarse, so that the barrier layer 36 and the second resin layer 34 are also firmly bonded to each other.
さらに、第１樹脂層３２の表面が粗いことにより、バリア層３６がわずかな凹凸を有する波状になり、バリア層３６と第２樹脂層３４とも強く結合される。 - 特許庁 - In the process (d), the second conductive layer 18 and the ferroelectric layer 14 are formed in regions where the first conductive layer 12 and the third conductive layer 16 cross each other.
前記工程（ｄ）において、前記第２導電層１８および前記強誘電体層１４は、前記第１導電層１２と、前記第３導電層１６との交差領域に形成される。 - 特許庁 - Data of dynamic images have a hierarchical structure made of a zero layer 30, a first layer 32, a second layer 34, and a third layer 36 in the z-axis direction from the top to the bottom of the illustration.
動画像のデータは、図の上から下へ向かうｚ軸方向に、第０階層３０、第１階層３２、第２階層３４および第３階層３６からなる階層構造とする。 - 特許庁 - The surface density of the first layer and the fourth layer sound absorbing blanks 101 and 104 is 500 g/m2 and the surface density of the second layer and the third layer sound absorbing blanks 102 and 103 is 800 g/m2.
第１層および第４層吸音素材１０１、１０４の面密度は５００ｇ／ｍ^2、第２層および第３層吸音素材１０２、１０３の面密度は８００ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁
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