「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 88 89 90 91 92 93 94 95 96 .... 489 490 次へ＞- The surface of the Cu layer 18 is planarized to embed the first TaN layer 17 and Cu layer 18 into the grooves.
Ｃｕ配線層１８の表面に対して平坦化処理を行い、溝内に第１のＴａＮ層１７及びＣｕ配線層１８を埋め込み形成する。 - 特許庁 - Still on top of it, a second clad layer is arranged whose band gap is larger than that of the second carrier confinement layer, and that is retro-conductive to the first clad layer.
その上に、バンドギャップが第２のキャリア閉込層よりも大きく、第１のクラッド層とは逆導電型の第２のクラッド層が配置されている。 - 特許庁 - A nonvolatile memory is constituted in a structure that a tunnel oxide film layer 102, a first polysilicon layer for a floating gate and a nitride film layer are deposited sequentially on the upper part of a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００の上部にトンネル酸化膜層１０２、フローティングゲート用の第１ポリシリコン層及び窒化膜層を順次的に蒸着する。 - 特許庁 - A character board is characterized by a layered form wherein a first adhesive layer, an organic film, a second adhesive layer and a hard coat layer are sequentially stacked on a substrate.
基板上に、第１の接着層、有機フィルム、第２の接着層およびハードコート層が順次積層されてなる積層形態を特徴とする。 - 特許庁 - The first electrode 14 has a constitution in which an adhering layer 14A, a reflecting layer 14B and a barrier layer 14C are laminated in this order from the substrate 11 side.
第１電極１４は、基板１１の側から、密着層１４Ａ、反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃがこの順に積層された構成を有している。 - 特許庁 - The second barrier layer 14, which is formed on the first barrier layer 13 by an atomic layer deposition method, is made of a second inorganic material having water vapor barrier properties.
第２のバリア層１４は、第１のバリア層１３の上に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する第２の無機材料からなる。 - 特許庁 - An element-mounting substrate 20 has a double-layered wiring structure with a first wiring layer 40 and a second wiring layer 50 laminated through the insulating layer 60.
素子搭載用基板２０は、第１の配線層４０および第２の配線層５０が絶縁層６０を介して積層された二層配線構造を有する。 - 特許庁 - The first guide layer 17 is formed between the n-type clad layer 15 and the active layer 13, and consists of a second group III-V compound semiconductor.
第１のガイド層１７はｎ型クラッド層１５と活性層１３との間に設けられており、また第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁 - A TMR element 70 has a laminated structure of a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42 laminated in this order.
ＴＭＲ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層された構造を有する。 - 特許庁 - It is preferable that the buffer layer 9b consists of an LiF layer, and the first and second conductive layers 9a, 9c both consist of an Al layer.
バッファ層９ｂはＬｉＦ層であることが好ましく、第１の導電層９ａおよび第２の導電層９ｃは、ともにＡｌ層であることが好ましい。 - 特許庁 - The second guide layer 19 is formed between the first optical guide layer 17 and the active layer 13, and consists of a third group III-V compound semiconductor.
第２のガイド層１９は第１の光ガイド層１７と活性層１３との間に設けられており、また第３のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁 - The wetting and spreading of the liquid alignment layer material is intercepted with the first alignment layer external edge regulating section Z1 and the second alignment layer external edge regulating section Z2.
液状の配向膜材料の濡れ広がりは第１の配向膜外縁規制部Ｚ１及び第２の配向膜外縁規制部Ｚ２とで阻止される。 - 特許庁 - The laminated structure 20 is a three layered structure formed of a first fiber layer 21, a second fiber layer 22 on a compression side, and a second fiber layer 23 on a tension side, for instance.
積層構造２０は、たとえば第１繊維層２１、圧縮側第２繊維層２２、および、引張側第２繊維層２３を有する３層構造である。 - 特許庁 - A decorative film is formed from a precursor film wherein a first resin layer 2, a second resin layer 3 with a thickness of 0.3-0.8 μm and a metal layer 4 are laminated.
本発明の装飾フィルムは、第１樹脂層、厚さが０.３〜０.８μｍの第２樹脂層、および金属層を積層した前駆体フィルムから作製される。 - 特許庁 - Furthermore, the p-side contact layer 18 has a laminated structure of a first p-side contact layer 18A and a second p-side contact layer 18B with different materials or compositions.
また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。 - 特許庁 - The common contact part 200 comprises a first contact conductive layer 214, a second contact conductive layer 232, and a third pad-like contact conductive layer 260.
共通コンタクト部２００は、第１コンタクト導電層２１４、第２コンタクト導電層２３２、およびパッド状の第３コンタクト導電層２６０を含む。 - 特許庁 - An anisotropic conductive film has a two-layer structure of a first resin layer 11, having a tacking force of 200 kPa or more and a second resin layer 12 containing conductive particles.
２００ｋＰａ以上のタック力を有する第１の樹脂層１１と、導電性粒子を含有する第２の樹脂層１２との２層構造とする。 - 特許庁 - In the method of forming a display device, a base insulating layer is provided on a substrate, and a first copper diffusion-preventing layer is provided on the layer along a wiring pattern.
表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第１の銅拡散防止層を設ける。 - 特許庁 - An antenna element includes a cover layer disposed over a radiator layer, has a first ground plane disposed on the radiator layer, and has an aperture inside the ground plane.
アンテナ素子は、放射層上に配置されたカバー層を含み、放射層上には第１接地面が配置され、接地面内部にはアパーチャを有する。 - 特許庁 - In the MEA 10, a linear thermal expansion coefficient becomes larger in an order of the solid electrolyte 16, the intermediate layer 18, and the first layer 20a through the n-th layer 20n.
このＭＥＡ１０においては、線熱膨張係数が固体電解質１６、中間層１８、第１層２０ａ〜第ｎ層２０ｎの順序で大きくなる。 - 特許庁 - A perpendicular magnetic recording media with a partially-oxidized cap layer combines a second oxide layer with a first cap layer to form a singular, partially-oxidized cap.
部分酸化キャップ層を有する垂直磁気記録媒体は、第２酸化物層を第１キャップ層と結合して単一の部分酸化キャップを形成する。 - 特許庁 - The dielectric layer 144 consists of a non-conductive material, and the first magnetic layer 142 and the second magnetic layer 146 consist of an alloy of CoNiFe.
誘電体層１４４が非導電性材料からなり、第１の磁性層１４２及び第２の磁性層１４６がＣｏＮｉＦｅ合金からなる。 - 特許庁 - Furthermore, the metal oxide constituting the auxiliary layer 104 has a thermal expansion coefficient closer to that of the electrolyte layer 102 than the first electrode layer 101.
また、補助層１０４を構成する金属酸化物は、第１電極層１０１より電解質層１０２に近い熱膨張係数を有する。 - 特許庁 - The first layer 2a is composed of a cerium oxide film, and the second layer 2b is composed of a layer made of a mixture of titanium oxide and praseodymium oxide.
第１の層２ａは、酸化セリウム膜で構成されており、第２の層２ｂは、酸化チタンと酸化プラセオジムとの混合物からなる層で構成されている。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric actuator capable of preventing the occurrence of delamination between a dummy layer and a substrate, and between a first electrode layer and a piezoelectric layer.
ダミー層と基板との間及び第１の電極層と圧電層との間での剥離の発生を防ぐことが可能な圧電アクチュエータを提供すること。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric actuator which prevents the occurrence of peeling between a dummy layer and a substrate and between the dummy layer and a first electrode layer.
ダミー層と基板との間及びダミー層と第１の電極層との間での剥離の発生を防ぐことが可能な圧電アクチュエータを提供すること。 - 特許庁 - The first semiconductor layer, the active layer, and the second semiconductor layer are sequentially stacked on the substrate in a direction separating from the substrate.
前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層は、前記基板から離れる方向に順次的に前記基板に積層されている。 - 特許庁 - The ceramic electronic component (10) includes a first dielectric layer (11), a second dielectric layer (12), and a boundary reaction layer (13).
本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、境界反応層１３とを含むものである。 - 特許庁 - In the method, first, the substrate having a dielectric layer and mask layer covering the dielectric layer being with a pattern formed is located on a plasma processing system.
この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。 - 特許庁 - After the removing step, impurity ions of the second conductivity are irradiated from the top surface side of the first layer and the second layer toward the semiconductor layer 14.
除去工程後に、第１層及び第２層の上面側から半導体層１４に向かって第２導電型の不純物イオンを照射する。 - 特許庁 - Each of the adhesive devices 3 includes a first adhesive layer 13 printed on the base sheet 2, a base material layer 12, and a second adhesive layer 15, in order.
各接着具３は、ベースシート２上に順に印刷形成した第１接着剤層１３と、基材層１２と、第２接着剤層１５からなる。 - 特許庁 - A second barrier layer may be formed on the first barrier layer 70, and then the trenches are filled by forming a copper layer 100 on both barrier layers.
第２のバリヤー層を第１のバリヤー層７０上に形成することができ、銅１００を両方のバリヤー層上に形成し、トレンチを充填する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the MTJ element 70 comprises the steps of sequentially laminating a first ferromagnetic layer 24, a tunnel barrier layer 30 and a second ferromagnetic layer 42.
ＭＴＪ素子７０は、第１の強磁性層２４と、トンネルバリア層３０と、第２の強磁性層４２とが順に積層される工程を含む。 - 特許庁 - Then, a second n+a-Si layer 105 is formed on the first n+a-Si layer 104, and so as to cover the side surfaces of the semiconductor layer 103.
その後、２層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０５を１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４の上と、半導体層１０３の側部を覆うように形成する。 - 特許庁 - The second parallel flat plate layer 108A functions as a parallel flat plate layer for correction for correcting the astigmatic difference caused in the first parallel flat plate layer 106A.
第２平行平板層１０８Ａは、第１平行平板層１０６Ａで発生する非点隔差を補正する補正用平行平板層として機能する。 - 特許庁 - A first insulating layer 41, a second insulating layer 42, and a metal layer 43 are further formed respectively in turn in each prescribed region further on these layers.
これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層４１，第２絶縁層４２および金属層４３が順に形成されている。 - 特許庁 - For example, a trench structure of gate electrode 18 is made at the surface of an epitaxial layer 12 where a first base layer 13 and a source layer 15 are made.
たとえば、第１のベース層１３およびソース層１５が形成されたエピタキシャル層１２の表面部に、トレンチ構造のゲート電極１８を形成する。 - 特許庁 - In addition, a first optical information layer is formed on the optical separation layer and then initialized when a light-permeable layer is formed on it.
また、光学分離層上に第１の光学情報層を形成し、その上に光透過層を形成した段階で第１の光学情報層を初期化する。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 4 is provided between the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring 5, and the second- layer wiring 5 is covered with a protection insulation film 6.
第１層目配線３と第２層目配線５との間には、層間絶縁膜４が設けられ、第２層目配線５は、保護絶縁膜６で被覆される。 - 特許庁 - Thereafter, the laminate 10 wherein the inner layer 4 and the second outer layer 6 are stacked on the first outer layer 2 is burned to fabricate the multilayered electronic component.
その後、第１の外層部２上に内層部４と第２の外層部６とが積層された積層体１０を焼成して、積層型電子部品を製造する。 - 特許庁 - This organic electric field light-emitting element comprises an anode 12, first insulting layer 14, organic material light emitting layer 15, second insulating layer 17 and cathode 19 formed on a substrate 11.
有機電界発光素子は、基板11上に形成された陽極12、第１絶縁層14、有機物発光層15、第2絶縁層17、陰極19を有する。 - 特許庁 - Before all the layers 21-23, constituting the first active material layer, are formed, at least one layer constituting the second active material layer is formed.
そして、第１活物質層を構成する全ての層２１〜２３を形成する前に、第２活物質層を構成する少なくとも１つの層を形成する。 - 特許庁 - The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.
第３ｐ形層は第１ｐ形層と第２ｐ形層との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁 - A collector electrode 20 has a first conductive layer 28, a second conductive layer 26, and a third conductive layer 24 formed sequentially from the backside of a silicon substrate 30.
コレクタ電極２０は、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を備えている。 - 特許庁 - Further, the melting point of the second protective layer 23 is lower than that of the first protective layer 21 and is not lower than the melting point of the skin protective component layer 22.
さらに、第２の保護層２３は、その融点が第１の保護層２１よりも低く、皮膚保護成分層２２の融点以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - The antireflection member 1 includes a base 2, a first layer 3, a second layer 4, and a third layer 5 laminated in this order.
本発明に係る反射防止部材１は、基材２、第一の層３、第二の層４、及び第三の層５を備え、これらの要素が前記の順番に積層している。 - 特許庁 - The bonding layer 26 includes a brazing material layer 28 and metal films 30 which are respectively adhered to the first substrate 10 and the second substrate 24 interposing the brazing material layer 28.
接合層２６は、ロウ材層２８と、ロウ材層２８を挟んで第１基板１０及び第２基板２４にそれぞれ密着する金属膜３０と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor is composed of the diffusion layer 1 with a plurality of power source nodes 7 provided, a first wiring layer 2, a second wiring layer 8, and a package 11.
複数の電源ノード７が設けられた拡散層１と、第１の配線層２と、第２の配線層８と、パッケージ１１とで半導体装置を構成する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, a light-emitting part, a second semiconductor layer, and an In-containing intermediate layer.
実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - Next, a second catalytic layer 20 is formed, and a second electroless plating treatment is performed using the second catalytic layer 20 and the first plating layer 19 as catalysts.
次いで、第２触媒層２０を形成し、この第２触媒層２０および第１めっき層１９を触媒として、第２無電解めっき処理を施す。 - 特許庁
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