「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 84 85 86 87 88 89 90 91 92 .... 489 490 次へ＞- The inter-wiring width of the second wiring layer 5, formed on the top surface of the first insulating layer 3 through a conventional deposition technique and a space between the first wiring layer 2 and the second wiring layer 5 are, can be kept sufficiently high in accuracy.
そのような第１絶縁層３の上面に堆積技術により形成される第２配線層５の配線間幅の精度、第１配線層２と第２配線層５との間の間隔精度は、十分に高く保証される。 - 特許庁 - The power generation cells 8 include a first electrode layer 4 provided on the substrate 2, a first power generation layer 11 provided on the above, a second power generation layer 21 provided on the above, and a second electrode layer 6 provided on the above.
発電セル８は、基板２上に設けられた第１電極層４と、その上に設けられた第１発電層１１と、その上に設けられ第２発電層２１と、その上に設けられた第２電極層６とを備える。 - 特許庁 - A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.
第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁 - A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.
選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁 - The cold cathode includes a gate insulation layer divided into the first gate insulation layer and the second gate insulation layer, and the first gate insulation layer has fine holes in which electron sources that are connected to high resistance layers in parallel are disposed.
本願の冷陰極は、ゲート絶縁層を第１のゲート絶縁層、第２のゲート絶縁層で構成し、第１のゲート絶縁層は細孔を有し、細孔には電子源を配設し、電子源は高抵抗層に対して並列に接続される。 - 特許庁 - The film for semiconductor 10 is formed by laminating a support film 4, a second viscous layer 2, the first viscous layer 1, and the adhesion layer 3 in this order and the average thickness of the first viscous layer 1 is 20-100 μm.
この半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とがこの順で積層されたものであるが、第１粘着層１の平均厚さは２０〜１００μｍである。 - 特許庁 - The printing plate further includes a second film layer of more flexibility than the glass plate, the glass plate being provided between the first film layer and the second film layer, the convex portions being provided on the first film layer.
また本発明は、ガラス板よりも可撓性を示す第２のフィルム層をさらに備え、前記ガラス板は、前記第１のフィルム層と第２のフィルム層との間に設けられ、前記凸部は、第１のフィルム層上に設けられる、印刷版に関する。 - 特許庁 - The orientation substrate 5A for film formation is equipped with a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property, and a second metal layer 2 bonded to that first metal layer 1 having a texture of which at least the surface layer is oriented.
膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁 - At least one of the first resin layer 1A and the second resin layer 1B of the anisotropic conductive film 1 includes conductive particles, and the first resin layer 1A or the second resin layer 1B includes a phosphine oxide compound.
異方性導電フィルム１は、第１の樹脂層１Ａと第２の樹脂層１Ｂのうちの少なくとも一方が導電性粒子を含有し、第１の樹脂層１Ａ又は第２の樹脂層１Ｂがホスフィンオキサイド化合物を含有する。 - 特許庁 - Although the second layer having a high electron emission property is inferior in workability when compared with the first layer because of its high melting point, the workability of the electrode itself is kept in good state because the thickness of the first layer is thicker than that of the second layer.
電子放射性能の高い第２の層は第１の層に比べて高融点故に加工性が劣るが、第２の層に比べて第１の層の厚さが厚いので電極自体の加工性は比較的良好に保たれる。 - 特許庁 - The conductor 104 is arranged vertically to the first conductive layer 101, electrically connected to the first conductive layer 101 and also electrically connected to the second conductive layer 107 through the catalyst layer 106.
導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 - 特許庁 - In it, a first wiring layer 13a which is a high purity copper layer is formed without interposing a dissimilar metal on the first resin layer 12 by sputtering, and a second wiring layer 13b is formed by copper electroplating.
このうち、高純度の銅層である第１の配線層１３ａはスパッタリングにより第１の樹脂層１２上に異種金属を介在させることなく形成し、第２の配線層１３ｂは銅の電気めっきにより形成する。 - 特許庁 - A first layer including the metal M and a second layer including the metal hydride M'H_a are laid in a vessel and the steam is supplied so as to pass through the first layer and then the second layer before being discharged.
容器内に、金属Ｍからなる第一の層と、金属水素化物Ｍ´Ｈ_ａからなる第二の層を敷設し、第一の層を通過した後第二の層を通過して排出されるように水蒸気を容器内に供給するとよい。 - 特許庁 - The Al composition x of the second graded layer 105 linearly increases 0.1 to 0.3 from the interface between the layer 105 and the first graded layer 104 toward a surface opposite to the first graded layer 104.
第２グレーデッド層１０５のＡｌ組成ｘは、第１のグレーデッド層１０４との界面から第１のグレーデッド層１０４とは反対側の表面に向かって０.１から０.３にＡｌ組成ｘが直線的に増加している。 - 特許庁 - The second layer, when irradiated with a laser beam, reacts with the first recording layer and a crystal reaction is induced and recording points are formed at the boundary between the first recording layer and the second recording layer.
第２の記録層は金属イオン溶液で構成され、レーザー光が照射されると、第２の記録層は第１の記録層に反応し、結晶反応が引き起こされ、第１の記録層と第２の記録層の界面に記録ポイントが形成される。 - 特許庁 - After a soluble layer 2 is formed so as to separate a first thin film 17Z and a two-layer resist pattern 5 from each other, the first thin film 17Z and soluble layer 2 are selectively removed by dry etching using the two-layer resist pattern 5 as a mask.
第１の薄膜１７Ｚと２層レジストパターン５とを互いに隔てるように可溶層２を形成したのち、２層レジストパターン５をマスクとしたドライエッチングにより第１の薄膜１７Ｚおよび可溶層２を選択的に除去する。 - 特許庁 - The first reflection layer 11 and the second reflection layer 12 diffuse reflection light in accordance with their own structures, and a diffusing angle of light reflected by the first reflection layer 11 is different from that of light reflected by the second reflection layer 12.
第１反射層１１および第２反射層１２は、それ自体の構造により反射光を拡散させるものであり、かつ、第１反射層１１と第２反射層１２で反射される光の拡散角が互いに異なっている。 - 特許庁 - A heater comprises a first glass protection layer formed over an insulation substrate so as to cover a heat generator layer on the insulation substrate and a second glass protection layer formed so as to be laminated on the first glass protection layer.
そのヒータにおいて、ガラス保護層を焼成する際に、発熱体層に熱応力が生じて、抵抗分布が、印刷時に設定した分布と変わってしまい、仕様どおりの発熱分布にならなくなるという課題がある。 - 特許庁 - The fluorescent substance layer 13 includes a first fluorescent substance layer 13a covering an upper surface of the LED chip and a second fluorescent substance layer 13b which covers the other surface side of the translucent substrate 11 and is continuous with the first fluorescent substance layer 13a.
蛍光体層１３は、ＬＥＤチップの上面を覆う第１の蛍光体層１３ａと、透光性基板１１の他面側を覆い、第１の蛍光体層１３ａと連続している第２の蛍光体層１３ｂとを備える。 - 特許庁 - A layer-2 switch has: a first communication part receiving data from a device outside a layer-2 network via a communication path; and a second communication part transmitting the data received by the first communication part to the other layer-2 switch in the layer-2 network.
レイヤ２スイッチは、通信路を介してレイヤ２網外の装置からデータを受信する第１通信部と、第１通信部により受信したデータをレイヤ２網内の他のレイヤ２スイッチへ送信する第２通信部とを有する。 - 特許庁 - The power generating module 20 is provided with a first multi-layer substrate 21 at a rear face side, a second multi-layer substrate 22 at a front face side, and a lamination type fuel cell 23 pinched between the first multi-layer substrate 21 and the second multi-layer substrate 22.
発電モジュール２０は、裏面側の第１の多層基板２１と、正面側の第２の多層基板２２と、第１の多層基板２１と第２の多層基板２２との間に挟持された積層型の燃料電池２３と、を備える。 - 特許庁 - Next, a first cladding layer 40, a waveguide layer 50, and a second cladding layer 60 are sequentially formed on the GaAs layer in such a way that the spontaneous polarization direction of the second region is the reverse of that of the first region.
次に、ＧａＡｓ層上に、第２領域の自発分極の方向が、第１領域の自発分極の方向に対して反転するように、第１クラッド層４０、導波路層５０、及び第２クラッド層６０を順に形成する。 - 特許庁 - Further, deterioration in the first adhesive layer 12 caused by the adhesive composition of the second adhesive layer 13 can be prevented since the second adhesive layer 13 is not directly applied to the surface of the first adhesive layer 12.
また、第１の接着剤層１２上に第２の接着剤層１３を直接に塗布しないので、第２の接着剤層１３の接着剤組成物によって第１の接着剤層１２が劣化してしまうことも防止できる。 - 特許庁 - Patterns of the magnetoresistive effect element 2, the first magnetic domain controlling layer 3A and the second magnetic domain controlling layer 3B are determined by the upper layer part 5B and patterns of the first electrode 4A and the second electrode 4B are determined by the lower layer part 5A.
磁気抵抗効果素子２、第１の磁区制御層３Ａ及び第２の磁区制御層３Ｂのパターンは上層部５Ｂで決定され、第１の電極４Ａ及び第２の電極４Ｂのパターンは下層部５Ａで決定されている。 - 特許庁 - An orientation substrate 5A for film formation comprises: a first metal layer 1 which has no orientation and non-magnetic property; and a second metal layer 2 bonded to the first metal layer 1 and having aggregate structure in which at least a surface layer is oriented.
膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁 - The optical information recording medium 10a includes a first thin film layer 40a including a recording film 42a, a first resin layer 50a, a second thin film layer 60a including a recording film 62a and a second resin layer 70a sequentially on a substrate 20a.
光情報記録媒体１０ａは、基板２０ａ上に、記録膜４２ａを含む第１薄膜層４０ａ、第１樹脂層５０ａ、記録膜６２ａを含む第２薄膜層６０ａ、第２樹脂層７０ａを順に備えている。 - 特許庁 - For instance, when a first lithium nitride layer and a second lithium nitride layer are laminated and formed on a collector, the first lithium nitride layer is to contain lithium in a lower concentration than the second lithium nitride layer.
例えば、集電体上に第１のリチウム窒化物層と第２のリチウム窒化物層が積層されて形成されている場合には、第１のリチウム窒化物層は、第２のリチウム窒化物層よりもリチウムが低濃度で含まれるようにする。 - 特許庁 - Etching is started with the upper surface of the second resin layer 24, and is continued until a protruding part of the first resin layer 22 is exposed from the second resin layer 24 and the upper part of the spacer 18 of the wiring is exposed from the first resin layer 22.
エッチングを、第２の樹脂層２４の上面に対して開始し、第２の樹脂層２４から第１の樹脂層２２の凸部が露出し、配線のスペーサ１８上の部分が第１の樹脂層２２から露出するまで行う。 - 特許庁 - Then, in accordance with an opening pattern of a stencil mask to be manufactured, a through hole corresponding to the opening pattern is formed by etching the second silicon oxide layer 2, second silicon layer 4, first silicon oxide layer 6, and first silicon layer 10 in order.
次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。 - 特許庁 - A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15.
第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。 - 特許庁 - On the interface of the first metal layer M1 and a p-type contact layer 105b, nickel composing the first metal layer M1 bonds strongly to unnecessary matters such as dirt adhering to the contact layer 105b or its surface.
この時、この第１金属層Ｍ１とｐ型コンタクト層１０５ｂとの界面では、この第１金属層Ｍ１を構成するニッケルがｐ型コンタクト層１０５ｂやその表面に付着している汚れなどの不要物と強く結び付く。 - 特許庁 - A printing head to be used preferably in this imaging system comprises a first electrode layer, a second electrode layer, and a partition structure including a semiconductor disposed between the first electrode layer and the second electrode layer.
本発明による、画像形成システムで使用するのに適したプリントヘッドは、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層の間に配置されている、半導体を含む隔離構造体と、を備えている。 - 特許庁 - When the first catalyst layer is arranged on the electrolyte membrane side than the second catalyst layer, an ionomer of the first catalyst layer makes oxygen solubility lower and surface area smaller than those of an ionomer of the second catalyst layer.
ここで、第１触媒層を、第２触媒層よりも、電解質膜側に配置される触媒層とすると、第１触媒層のアイオノマは、第２触媒層のアイオノマに比べて、酸素溶解度が低くかつ表面積が小さいものとする。 - 特許庁 - The p-type superlattice cap layer 20 is constituted by laminating a first gallium nitride (GaN) layer 20a and a second aluminum gallium nitride (AlGaN) layer 20b formed on the first layer 20a by a four-period amount.
ｐ型超格子キャップ層２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１層２０ａと該第１層２０ａの上に形成された窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる第２層２０ｂとが４周期分積層されて構成されている。 - 特許庁 - The photoelectric conversion part S comprises a first conductive type semiconductor layer 104 and a semiconductor layer forming a photoelectric conversion layer, and the first conductive type semiconductor layer 104 is utilized for the common electrode.
また、前記光電変換部は第一の導電型の半導体層と、光電変換層を形成する半導体層とを有し、前記共通電極に前記第一の導電型の半導体層を利用することを特徴とする。 - 特許庁 - The p type super lattice cap layer 20 is comprised of four-cycle-laminate of a first layer 20a which is a GaN and a second layer 20b which is an AlGaN formed on the first layer 20a.
ｐ型超格子キャップ層２０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる第１層２０ａと該第１層２０ａの上に形成された窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる第２層２０ｂとが４周期分積層されて構成されている。 - 特許庁 - In an (i) layer of a pin junction, quantum wave interference layers Q1-Q4, made by stacking a first layer W and a second layer B having a broader band width than the first layer W at a multiple cycle and carrier confinement layers C1-C3, are formed.
ｐｉｎ接合のｉ層において、第１層Ｗと第１層Ｗよりもバンド幅の広いバンドを有する第２層Ｂとを多重周期で積層した量子波干渉層Ｑ_1〜Ｑ_4とキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3を設けた。 - 特許庁 - The first semiconductor layer 14 has a crystal structure that is different from that of the second semiconductor layer 13, and the forbidden band width Eg_1 of the first semiconductor layer 14 and the forbidden band width Eg_2 of the second semiconductor layer 13 satisfy the relation Eg_1<Eg_2.
第１の半導体層１４と第２の半導体層１３の結晶構造が異なり、第１の半導体層１４の禁制帯幅Ｅｇ_1と第２の半導体層１３の禁制帯幅Ｅｇ_2とが、Ｅｇ_1＜Ｅｇ_2の関係を満たす。 - 特許庁 - The alignment substrate for film formation 5A is composed of a non-magnetic first metal layer 1 without orientation, and a second metal layer 2 stuck on the first metal layer 1 of which, at least surface layer has an oriented aggregation structure.
膜形成用配向基板５Ａは、無配向で非磁性の第１の金属層１と、その第１の金属層１に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層２とを備えている。 - 特許庁 - A first layer formed of an alumina quality sintered body and a second layer formed of cemented carbide or cermet are integrally joined, and the ratio of a thickness of the first layer to a thickness of this second layer is set to 0.03-0.50.
アルミナ質焼結体で形成された第１の層と、超硬合金あるいはサーメットで形成された第２の層とを一体に接合し、この第２の層の厚みに対する第１の層の厚みの比を、０．０３から０．５０とした。 - 特許庁 - The optical waveguide 10 includes: a first cladding layer 15; a first waveguide core 20 formed on the first cladding layer 15; and a second cladding layer 35 formed to cover the first waveguide core 20, wherein the first waveguide core 20 includes a first long period grating 30 formed in at least one sidewall 24 of the first waveguide core 20.
第一のクラッド層１５と、前記第一のクラッド層１５上に形成された第一の導波路コア２０と、前記第一の導波路コア２０を覆うように形成された第二のクラッド層３５と、を備え、前記第一の導波路コア２０は、該第一の導波路コア２０の少なくとも一つの側壁２４に形成された第一の長周期グレーティング３０を有する光導波路１０を提供する。 - 特許庁 - A plasma processing method includes a step of performing first plasma processing for a first layer A1 adsorbed on a substrate W under a first pressure P1 and a step of performing second plasma processing for a second layer A2 adsorbed on the first layer L1 for which the first plasma processing was performed under a second pressure P2 lower than the first pressure P2.
本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 - 特許庁 - Also, a first core waveguide 43 with a metallic film 50 placed on is covered by a first clad layer film 44, since the metallic film 50 on the first core waveguide 43 is removed by etching after the first clad layer film 44 is removed and flattened by a CMP method to form a first clad layer 51, the first core waveguide 43 is never damaged.
また、第１コア導波路４３の上に金属膜５０を付けたまま第１クラッド層用膜４４で覆い、ＣＭＰ法により第１クラッド層用膜４４を除去、平坦化して第１クラッド層５１を形成した後で第１コア導波路４３上の金属膜５０をエッチングにより除去するので、第１コア導波路４３にダメージを与えることがない。 - 特許庁 - A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.
基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁 - A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).
ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁 - A first split bushing 12 is provided with: a first inner conductor 16; a first solid insulator 20 having a receiving port 18 provided around the first inner conductor; and a first shielding layer provided around the first solid insulator 20.
第１の分割ブッシング１２は、第１の内部導体１６と、その周囲に設けられた受容口１８を有する第１の固体絶縁体２０と、第１の固体絶縁体２０の周囲に設けられた第１の遮蔽層とを備えている。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a liquid crystal layer, a first polarizing plate disposed on a first surface of the liquid crystal layer and having a first axis of polarization and a second polarizing plate disposed on a second surface of the liquid crystal layer and having a second axis of polarization perpendicularly intersecting the first axis of polarization and a first polarization degree.
液晶表示装置であって、液晶層と、該液晶層の第１の面に配置されるとともに、第１の偏光軸を有する第１偏光板と、該液晶層の第２の面に配置されるとともに、該第１の偏光軸と直交する第２の偏光軸と第１の偏光度を有する第２偏光板とを含んでいる。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a control gate electrode, having a first layer made of polycrystalline silicon, the first layer is formed by etching back a first film of polycrystalline silicon containing impurity to reduce the thickness of the film, and the first layer holds an impurity activity ratio in the first film.
多結晶シリコンからなる第１の層を有する制御ゲート電極を備え、前記第１の層は、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第１の膜をエッチバックしてその膜厚を減らしたものであって、前記第１の膜の不純物活性化率を保持していることを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁 - The film capacitor 10 includes a first dielectric layer 14 of a first dielectricity arranged on a first electrode 12, and a second dielectric layer 16 of a second dielectricity arranged on the first dielectric layer 14, with the second dielectricity being larger than the first dielectricity by at least 50%.
フィルムコンデンサ１０は、第１の電極１２上に配置された第１の誘電率を有する第１の誘電体層１４と、第１の誘電体層１４上に配置された第２の誘電率を有する第２の誘電体層１６とを含み、第２の誘電率は、第１の誘電率よりも少なくとも５０％大きい。 - 特許庁 - After a first wire 5 and a second wire 6 are wound in parallel at a first layer position, the first wire 5 coming into contact with a portion wound on a winding core 3 is made to run onto a middle of the first wire 5 and the second wire 6 wound in parallel in the first layer to form a second layer.
第１線材５と第２線材６を第１層目の位置に並列に巻回した後、コア巻芯部３に巻回されている部分と接している第１線材５を、第１層目に並列に巻回されている第１線材５と第２線材６の中間に乗り上げさせて第２層目を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
