「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • This pressure sensitive sensor 120 is equipped with: the first substrate 5 equipped with the first electrode layer 7a formed on the surface; and the second substrate 6 arranged in the laminated state on the first substrate 5, and equipped with the second electrode layer 7b provided on a facing position to the first electrode layer 7a of the first substrate 5 on the surface.
    感圧センサ１２０は、表面に形成された第１電極層７ａを備えた第１基材５と、前記第１基材５に積層配置され、表面の前記第１基材５の第１電極層７ａに対向する位置に設けられた第２電極層７ｂを備える第２基材６とを備える。 - 特許庁
  • The liquid crystal device is provided with a first substrate having a first surface, a second substrate having a second surface, a liquid crystal layer arranged between the first and second surfaces, a polarizing layer arranged between the first surface and the liquid crystal layer, and a light source for emitting light allowed to be made on a third surface of the first substrate.
    液晶装置は、第１面を有する第１基板と、第２面を有する第２基板と、第１面と第２面との間に配置される液晶層と、第１面と液晶層との間に配置される偏光層と、第１基板の第３面に入射させるための光を射出する光源とを備える。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes a first semiconductor layer 10 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 20 of a second conductivity type, a third semiconductor layer 30 of the first conductivity type, a first electrode 15, a first insulating layers 40, a second electrode 50, an insulating film 51, and a third electrode 60.
    第１導電型の第１の半導体層１０と、第２導電型の第２の半導体層２０と、第１導電型の第３の半導体層３０と、第１の電極１５と、第１の絶縁層４０と、第２の電極５０と、絶縁膜５１と、第３の電極６０と、を備えた半導体装置が提供される。 - 特許庁
  • A plurality of dangling vias (40) are included within a specified area of the first layer.
    複数のダングリングビア（４０）は、第１層の特定の領域内に含まれる。 - 特許庁
  • The first filter layer may comprise a plurality of metallic fiber filters 2.
    前記第１のフィルタ層は複数の前記金属繊維フィルタ２であってもよい。 - 特許庁
  • The substrate includes the base body, a via conductor 12, and a first plating layer 14.
    基板は、基体、ビア導体１２および第１のメッキ層１４を有している。 - 特許庁
  • The second well 14 contains a first-conductivity second impurity diffusing layer 26.
    第２ウエル１４は、第１導電型の第２不純物拡散層２６を含む。 - 特許庁
  • When the first polishing stopper layer 69 is exposed, the etching treatment is finished.
    第１研磨ストッパ層６９が露出した時点でエッチング処理を終了する。 - 特許庁
  • The refractive index of the first layer 3 is within a range of 1.50-1.60.
    前記第一の層３の屈折率が１．５０以上１．６０以下の範囲である。 - 特許庁
  • Successively, a first insulating layer is formed by BPSG and a contact hole is formed.
    続いて、ＢＰＳＧにより第１絶縁層を形成し、コンタクトホールを形成する。 - 特許庁
  • The sector 9 has an adhesive layer 16 over the entire surface of a first surface.
    セクタ９は、第一の面の全面に亘って接着剤層１６を有する。 - 特許庁
  • A coating layer is formed on a wafer composed of a first area and a second area.
    第一領域と第二領域とからなるウェハ上にコート層を形成する。 - 特許庁
  • The second conductive layer is formed on the first surface of the second substrate 21.
    第２の導電層は、第２の基板２１の第１の表面に形成される。 - 特許庁
  • First, a substrate having at least one dielectric layer is provided.
    まず、少なくとも一つの誘電層が形成されている基板が提供される。 - 特許庁
  • A first insulating layer 17A is formed on the whole surface of the circuit board.
    回路基板の表面全域には第1の絶縁層１７Ａが形成される。 - 特許庁
  • METHOD OF CONNECTING WIRING LAYER BETWEEN FIRST AND SECOND WIRING SUBSTRATES
    第一配線基材と第二配線基材間における配線層の接続方法 - 特許庁
  • First to third hard mask layers 5, 6, 7 are deposited on a base layer B1.
    下地層Ｂ１上に、第１乃至第３のハードマスク層５，６，７を堆積する。 - 特許庁
  • The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer.
    第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。 - 特許庁
  • A first metal film is formed on the substrate including the above part of the conductive layer.
    次に、導電層上を含む基板上に第１の金属膜を形成する。 - 特許庁
  • Then the first lower-layer wiring 2 is subjected to appearance inspection and electric conduction inspection.
    次に、第１の下層配線２の外観検査または導通検査を行なう。 - 特許庁
  • Numerous first staple fibers 21 are substantially uniformly mixed in the lower layer 12B.
    下部層１２Ｂには、無数の第１の短繊維２１を略均等に混入する。 - 特許庁
  • The first gas diffusion layer has an upper region and a primary flow lower region.
    第１のガス拡散層は、上部領域と、一次流下部領域とを有する。 - 特許庁
  • In the solid-state imaging element, the first planarize layer 2 served as migration prevention of dye.
    第一平坦化層２が染料のマイグレーション防止を兼ねた層であること。 - 特許庁
  • A plurality of upper-layer capacitors are arranged on the first interlayer insulating film.
    複数の上層キャパシタが、第１の層間絶縁膜の上に配置されている。 - 特許庁
  • The first separation membrane 31 includes a substrate 32 and a separation active layer 33.
    第１分離膜３１は、基材３２と、分離活性層３３とを備えている。 - 特許庁
  • A second ohmic electrode is formed on a second main surface of the first cladding layer.
    第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。 - 特許庁
  • A first crystalline damage layer is defined within the semiconductor material of the substrate.
    第１結晶損傷層は基板の半導体材料の内部に画定される。 - 特許庁
  • The first electrode layer is provided on one surface side of the variable resistance element.
    第１電極層は、可変抵抗素子の一方の面側に設けられている。 - 特許庁
  • In an embodiment, the first barrier layer of the MOM capacitor is formed of tantalum nitride.
    ある実施例では、ＭＯＭコンデンサの第１の障壁層が窒化タンタルである。 - 特許庁
  • A second semiconductor layer 25 is formed to cover a first principal plane 10b.
    第２の半導体層２５を、第１の主面１０ｂを覆うように形成する。 - 特許庁
  • The first conductive layer is disposed on a substrate and has a gate electrode 122.
    第１の導電層は、基板上に配置され、ゲート電極１２２を有する。 - 特許庁
  • The width after curing of the first cut belt layer 24 generally equals to the foot print width.
    第１のカットベルト層２４の硬化後の幅は、フットプリント幅に概ね等しい。 - 特許庁
  • A first electrically insulative non-metallic layer thermally couples the chimney to the electronic component.
    第１電気絶縁非金属層はチムニーを電子部品に熱的に結合する。 - 特許庁
  • A UV resin 5 of a first layer is formed on a substrate 1 by a spin coat method.
    基板１に対して第１層のＵＶレジン５をスピンコートにより形成する。 - 特許庁
  • An active layer 5 is provided on the first conductive semiconductor region 3.
    活性層５は、第１導電型半導体領域３上に設けられている。 - 特許庁
  • First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.
    まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁
  • The system includes first and second wire grids and an open-cell foam layer.
    システムは、第一及び第二ワイヤグリッドと、オープンセル発泡体層と、を備えている。 - 特許庁
  • The first displacement sensor 12 detects the surface position of the preliminary reduction powder layer Z.
    第１変位センサ１２は、予備圧下粉末層Ｚの表面位置を検出する。 - 特許庁
  • The creep shift amount (L1) of the first adhesion layer 41 is 100 μm or less.
    第１の接着層４１のクリープズレ量（Ｌ１）は１００μｍ以下である。 - 特許庁
  • It is desirable that the thickness of the first upper clad layer be lower than the core height.
    第一上部クラッド層の厚さはコア高さよりも低いことが好ましい。 - 特許庁
  • The dielectric multi-layer film filter is formed in one side of surface of the first rod lens.
    第１のロッドレンズの一方の面に誘電体多層膜フィルタを形成する。 - 特許庁
  • The main magnetic pole layer and the second film are polished until the first film is exposed.
    主磁極層及び第２の膜を、第１の膜が露出するまで研磨する。 - 特許庁
  • In this case, the film forming temperature for the first layer thin film 4 is preferably ≤20°C.
    この時、第１層目の薄膜４の成膜温度は、２００℃以下が好ましい。 - 特許庁
  • An optical modulation film 34 is arranged on an upper surface of the first reflection layer 32.
    第１反射層３２の上面には光変調膜３４が設けられる。 - 特許庁
  • The third layer CLa includes a first portion 2 and a second portion 16.
    第３の層ＣＬａは第１の部分２および第２の部分１６を有する。 - 特許庁
  • The release layer 8 comprises first and second release layers 9 and 10.
    離型層８は、第一離型層９と、第二離型層１０とからなる。 - 特許庁
  • The first resistance change layer R111 is made of a carbon-based material.
    第１の抵抗変化層Ｒ１１１は、カーボン系の材料で形成されている。 - 特許庁
  • The seal member 1 is fitted to a first wall panel 2 through the adhesive layer 6.
    このシール部材１を、接着層６を介して第１壁パネル２に取付ける。 - 特許庁
  • The first prism 32 and the second prism 33 are coupled together on both sides of the air layer 35.
    第１プリズム32と第２プリズム33とは空気層35を挟んで結合されている。 - 特許庁
  • An auxiliary capacitance 13 is formed as superposed above the first conductive layer.
    補助容量１３は第一の導電層の上に重ねて形成されている。 - 特許庁
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