「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The hologram recording medium is provided with a recording layer on which information is recorded with interference fringes of signal light and reference light, a first reflection film formed on a lower layer side of the recording layer, and a gap layer formed between the recording layer and the first reflection film.
    信号光と参照光との干渉縞によって情報が記録される記録層と、この記録層よりも下層側に形成される第１の反射膜と、上記記録層と上記第１の反射膜との間に対して形成されたギャップ層とを備える。 - 特許庁
  • In the stem section 5, a second air layer forming recess 15 is formed oppositely to the first air layer forming recess 11 and an air layer 16 is formed by the first air layer forming recess 11 and the second air layer forming recess 15 on the underside of the element mounting land 7.
    また、ステム部５は、第１の空気層形成凹部１１に対向して第２の空気層形成凹部１５が形成され、素子実装ランド７の下側には、第１の空気層形成凹部１１と第２の空気層形成凹部１５によって空気層１６が形成される。 - 特許庁
  • A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.
    多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁
  • Then, the second layer is re-displayed so as to be overlapped on the first layer (a step 203) by relatively moving the second layer and the first layer or changing the scale of the map of the second layer in response to a command to change of the movement of the region or the scale of the map.
    領域の移動や地図の縮尺の変更を示すコマンドに応答して、第２のレイヤと第１のレイヤとを相対移動させ、或いは、第２のレイヤの地図の縮尺を変更して、第２のレイヤを第１のレイヤに重ねて再表示する（ステップ２０３）。 - 特許庁
  • Drain wiring of the metal wire 7 of the third layer is arranged so that it may cover an entire region of the semiconductor substrate 1, and source wiring of the metal wires 5, 6 of the first layer and the second layer are arranged so that these may cover an entire region of the metal wires of the first layer and the second layer.
    第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 - 特許庁
  • A first magnetic layer 1 that is magnetized in a film surface vertical direction, a first non-magnetic layer N1, a second magnetic layer 2 that is magnetized in the film surface vertical direction, a second non-magnetic layer N2, and a third magnetic layer N3 that is magnetized in a film surface vertical direction, are laminated in order.
    膜面垂直方向に磁化した第１磁性層１と、第１非磁性層Ｎ１と、膜面垂直方向に磁化した第２磁性層２と、第２非磁性層Ｎ２と、膜面垂直方向に磁化した第３磁性層Ｎ３とを順に積層する。 - 特許庁
  • To provide a method which produces a molded body by vacuum-forming a laminate having a first foam layer, a second foam layer, and a non-foamed layer, and by which peeling is hardly caused between the first foam layer and the second foam layer in the obtained molded body.
    第一の発泡層と第二の発泡層と非発泡層とを有する積層体を真空成形して成形体を製造する方法において、得られる成形体における第一の発泡層と第二の発泡層との剥離がおこりにくい方法を提供する。 - 特許庁
  • An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).
    本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, a second electrode layer 7 which is connected directly to the substrate 1 and a plurality of capacitors having a first insulation layer 8 and a second insulation layer 6 inserted between a first electrode layer 5, the second electrode layer 7 and the silicon substrate 1.
    シリコン基板１と第２の電極層７が直接接続され、第１の電極層５と第２の電極層７及びシリコン基板１との間に、第１の絶縁層８及び第２の絶縁層６が介在した複数個のキャパシタを有する半導体装置。 - 特許庁
  • The plant cultivation support includes a core member 2 containing a fertilizing element, a first gel layer 3 disposed around the core member 2, a second gel layer 4 disposed around the first gel layer 3 and containing seeds, and a rope layer 5 disposed around the second gel layer 4.
    施肥要素を含む芯部材２と、芯部材２の周囲に配置される第一のゲル層３と、第一のゲル層３の周囲に配置され、種子を含む第二のゲル層４と、第二のゲル層４の周囲に配置されたロープ層５と、を有する植物栽培担体とする。 - 特許庁
  • A first recording layer 111 and a second recording layer 133 both of which consists of ferroelectric are laminated with an insulator layer 122 interposed between and hysteresis function regarding polarization moment which is independent mutually in the first record layer and the second record layer is provided.
    ともに強誘電体からなる第１の記録層１１１と第２の記録層１３３を絶縁体層１２２をはさんで積層し、前記第１の記録層と前記第２の記録層において互いに独立な分極モーメントに関するヒステリシス機能を持たせる。 - 特許庁
  • The resistance changing layer 22 has a laminated layer structure composed of a first layer 22A having a diffusion coefficient of the moving atoms of not more than 1.0×10^-21 m^2/s at room temperature on the lower electrode 10 side, and a second layer 22B having a diffusion coefficient different from that of the first layer 22A from the lower electrode 10 side.
    抵抗変化層２２は、下部電極１０側から室温における可動原子の拡散係数が１．０×１０^-21ｍ^2／ｓ以下の第１層２２Ａと第１層２２Ａとは拡散係数の異なる第２層２２Ｂとの積層構造を有する。 - 特許庁
  • The optical recording medium has a recording layer for recording information by utilizing holography, a first substrate, a second substrate, a first gap layer, a second gap layer, and a filter layer, and is characterized in that the standard deviation of the second gap layer is 0.1 to 10 μm.
    ホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、第一の基板と、第二の基板と、第一ギャップ層と、第二ギャップ層と、フィルタ層とを有し、前記第二ギャップ層の厚みの標準偏差が、０．１〜１０μｍであることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁
  • The sheet-like laminate has the first air-permeable sheet-like layer 14, the second layer 18 laminated on the first layer 14 and made of a plurality of short cut sliced wooden pieces 16, and the third layer 20 overlying the second layer 18 and made of flexible short fibers for a non-woven fabric.
    通気性を有したシート状の第１層１４と、第１層１４に重ねられ短くカットした複数のスライス木片１６で作られた第２層１８と、第２層１８に重ねられ不織布用の柔軟な短繊維で作られた第３層２０を有する。 - 特許庁
  • The pixel electrode layer is formed over a structure body which projects into the liquid crystal layer from a surface of a first substrate on a liquid crystal layer side, and the pixel electrode layer is positioned between the first and the second common electrode layers in the liquid crystal layer.
    画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第１の共通電極層と第２の共通電極層との間に配置される。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion device 10 includes a light absorption layer 3, a first buffer layer 4a provided on one side of the light absorption layer 3 and containing zinc, and a second buffer layer 4b provided on one side of the first buffer layer 4a and containing a group III-VI compound.
    光電変換装置１０は、光吸収層３と、光吸収層３の一方側に設けられた亜鉛を含む第１のバッファ層４ａと、第１のバッファ層４ａの一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２のバッファ層４ｂと、を具備する。 - 特許庁
  • The nitride semiconductor light emitting element includes a nitride semiconductor layer, a conductive first oxide layer, and an insulating second oxide layer, and the first oxide layer and second oxide layer are made of oxide materials of the same kind.
    本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体層と、導電性の第１酸化物層と、絶縁性の第２酸化物層とを含み、第１酸化物層および第２酸化物層は、同一種類の酸化物材料からなることを特徴とする。 - 特許庁
  • The design method is provided for the semiconductor integrated circuit including a first wiring layer, a second wiring layer provided on the first wiring layer, and a third wiring layer provided on the second wiring layer.
    本実施形態によれば、半導体集積回路の設計方法は、第１配線層、前記第１配線層上に設けられる第２配線層、及び前記第２配線層上に設けられる第３配線層を有する半導体集積回路の設計方法である。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate constituted by comprising a first layer comprising silicon to which germanium is added, a second layer comprising an oxide adjacent to the first layer and further, a third layer comprising the silicon-germanium mixed crystal adjacent to the second layer, and a manufacturing method of the same are provided.
    半導体基板であって、ゲルマニウムを添加したシリコンからなる第一層と、これに隣接する酸化物からなる第二層と、さらに第二層に隣接するシリコン−ゲルマニウム混晶からなる第三層からなる半導体基板およびその製造方法である。 - 特許庁
  • The pneumatic tire 1 includes a carcass layer, a first belt layer 14, a second belt layer 16, a tread part reinforcement cord layer having first reinforcement cords, and a tire side part reinforcement cord layer 34 having inside reinforcement cords 30s and outside reinforcement cords 32s.
    本発明に係る空気入りタイヤ１は、カーカス層、第１ベルト層１４、第２ベルト層１６を備え、第１補強コードを有するトレッド部補強コード層と、内側補強コード３０ｓ、外側補強コード３２ｓを有するタイヤサイド部補強コード層３４とを備える。 - 特許庁
  • The photocatalyst sheet 1 is composed of a base material 2, the first fluoroplastic layer 3 applied to the base material 2, the second fluoroplastic layer 4 applied on the first fluoroplastic layer 3 and the third fluoroplastic layer 5 containing a photocatalyst applied on the second fluoroplastic layer 4.
    基材２と、基材２上に被覆される第１のフッ素樹脂層３と、第１のフッ素樹脂層３上に被覆される第２のフッ素樹脂層４と、第２のフッ素樹脂層４上に被覆される光触媒を含有させた第３のフッ素樹脂層５と、からなる。 - 特許庁
  • The processing release paper for synthetic leather production comprises a first thermoplastic resin layer, a second thermoplastic resin layer and a substrate layer; wherein the above three layers are laminated in this order and the first thermoplastic resin layer and/or the second thermoplastic resin layer contain(s) a matting agent.
    第一熱可塑性樹脂層と、第二熱可塑性樹脂層と基材層とがこの順に積層され、前記第一熱可塑性樹脂層および／または第二熱可塑性樹脂層は、マット剤を含有することを特徴とする、合成皮革製造用工程剥離紙である。 - 特許庁
  • A first electrode 31 is conducted to the first intermediate conductive layer 541 through a conductive hole HC1 of a second insulating layer L2, and a second electrode 32 is conducted to the second intermediate conductive layer 542 through a conductive hole HC2 of the second insulating layer L2 and a third insulating layer L3.
    第１電極３１は、第２絶縁層Ｌ2の導通孔ＨC1を介して第１中間導電層５４１に導通し、第２電極３２は、第２絶縁層Ｌ2と第３絶縁層Ｌ3との導通孔ＨC2を介して第２中間導電層５４２に導通する。 - 特許庁
  • In the vicinity of the connection hole, in which the second and third conductive layers are connected, the third conductive layer is not overlapped on the second conductive layer via the first insulating layer, and an end of the third conductive layer is not formed on the first insulating layer.
    第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁
  • The suitcase 1 is formed of shells 2 composed of a laminated body 10 which has a first polycarbonate layer 11, an ink layer 12 formed by printing by gravure printing and provided on the first polycarbonate layer 11, and a second polycarbonate layer 13 formed on the ink layer 12.
    スーツケース１は、第１のポリカーボネイト層１１と、第１のポリカーボネイト層１１上にグラビア印刷等で印刷形成されたインク層１２と、インク層１２上に形成された第２のポリカーボネイト層１３とを有する積層体１０でシェル２が形成されている。 - 特許庁
  • The micro-resonator structure is fitted between the light reflecting and transmitting layer and the first electrode layer, and the membrane thickness between the light reflecting transmitting layer and the first electrode layer is adjusted so as to intensify the light emitted from the organic layer.
    前記光反射透過層と前記第１電極層との間に微小共振器構造を有し、前記光反射透過層と前記第１電極層との間の膜厚が、前記有機層から発光する光を強めるように調整されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • The double-sided adhesive tape 10 includes a first adhesive layer 12 in contact with the shaft 6, a second adhesive layer 14 in contact with the grip 8 and a fibrous layer 16 provided between the first adhesive layer 12 and the second adhesive layer 14.
    両面粘着テープ１０は、上記シャフト６に接する第一粘着層１２と、上記グリップ８に接する第二粘着層１４と、上記第一粘着層１２と上記第二粘着層１４との間に設けられている繊維層１６とを有している。 - 特許庁
  • This photovoltaic cell is equipped with a base layer 14, a primary window layer 12 containing a first type (N-type) doping substance and arranged on the layer 14, and a secondary window layer 11 containing a first type (N-type) doping substance and arranged on the layer 12.
    ベース層と、第１の型（Ｎ型）のドーピング物質を含み、ベース層14上に配置されている１次ウィンドウ層12と、第１の型（Ｎ型）のドーピング物質を含み、１次ウィンドウ層12上に配置されている２次ウィンドウ層11とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
  • 1... The first layer (the ester-base urethane foam removed of the cellar films), 1a... the profiling of the first layer, 2... the second layer (the ester-base urethane foam with the cellular films), 3... the third layer (the ester-base polyurethane foam removed of the cellar films), 4... the fourth layer (the hot pressed ester-base polyurethane foam removed of the cellar films).
    １‥第１層（セル膜を除去したエステル系ウレタンフォーム）、１ａ‥第１層のプロファイル加工、２‥第２層（セル膜付きエステル系ウレタンフォーム）、３‥第３層（セル膜を除去したエステル系ウレタンフォーム）、４‥第４層（セル膜を除去し熱プレスしたエステル系ウレタンフォーム）。 - 特許庁
  • An image sensor 5 includes: a semiconductor layer 100 having a first surface 1 and a second surface 2; a wiring layer 200 provided on the first surface 1 of the semiconductor layer 100; and a light-transmitting layer 300 provided on the second surface 2 of the semiconductor layer 100.
    イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。 - 特許庁
  • The layered structure is made of a first hard magnetic substance alloy layer; a soft magnetic alloy layer formed on the first hard magnetic substance alloy layer; and a second hard magnetic substance alloy layer, formed on the soft magnetic alloy layer constituting a interchangeable spring magnet.
    この積層構造は、第１のハード磁性体合金層、この第１のハード磁性体合金層上に形成されたソフト磁性合金層及びこのソフト磁性合金層上に形成された第２のハード磁性体合金層から成り、交換スプリング磁石を構成する。 - 特許庁
  • An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.
    光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁
  • The laminated fillm 5 has a transparent substrate film 1, a first colored layer 2 having a colored region 2a and a colorless region 2b, a decorative metal layer 3 for decorating the first colored layer 2, and a protective layer 4 for protecting the decorative metal layer 3.
    積層フィルム５は、透明な基材フィルム１と、着色領域２ａ及び無色領域２ｂを有する第１の着色層２と、第１の着色層２を加飾するための金属加飾層３と、金属加飾層３を保護するための保護層４とを備える。 - 特許庁
  • This manufacturing method of a membrane-catalyst layer assembly comprises: a step for forming a first catalyst layer 2C1 on at least either of principal surfaces of the polymer electrolyte membrane 1 by spraying catalyst layer-forming ink thereto; and a step for forming a second catalyst layer 2C2 on the first catalyst layer 2C1 by transcription.
    高分子電解質膜１の少なくともいずれかの主面に、触媒層形成インクを噴霧して第１の触媒層２Ｃ１を形成するステップと、第１の触媒層２Ｃ１の上に転写により、第２の触媒層２Ｃ２を形成するステップと、を有する。 - 特許庁
  • A multilayer film A containing a first antiferromagnetic layer 12 and the fixed magnetic layer 13 is annealed in a first magnetic field while the multilayer film A is not laminated on a vertical bias layer 18 (second antiferromagnetic layer) to fix the magnetization direction of the fixed magnetic layer in a specific direction.
    第１反強磁性層１２及び固定磁性層１３を含む多層膜Ａを縦バイアス層１８（第２反強磁性層）を積層しない状態で、第１の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。 - 特許庁
  • Since there are many parts where particles constituting the first reaction layer 12 and polymer constituting the electrolyte layer 14 contact in the third mixture layer 13, hydrogen ions ionized in the first reaction layer 12 easily flow in the electrolyte layer 14.
    第３の混合層１３では、第１の反応層１２を構成する粒子と電解質層１４を構成する重合体が接触している個所が多く存在するので、第１の反応層１２でイオン化した水素イオンが電解質層１４に流れ易くなっている。 - 特許庁
  • A thermally crosslinked positive photosensitive material layer (first positive photosensitive material layer) and a second positive photosensitive material layer are formed on a substrate and then the second positive photosensitive material layer is patterned followed by patterning of the first positive photosensitive material layer.
    基板上に、熱架橋したポジ型感光性材料層（第１のポジ型感光材料層）と第２のポジ型感光性材料層を形成し、まず、第２のポジ型感光性材料層にパターンを形成した後、第１のポジ型感光性材料層にパターンを形成する。 - 特許庁
  • The first layer 31 and the second layer 33 are made of the same material, and stresses, caused by the difference in the thermal expansion coefficients and degradation in bond strength, are reduced at the interface of the jointing faces of the first layer 31 and the second layer 33 and sealed state of the scintillator layer 32 is maintained.
    第１の保護層31と第２の保護層33とを同じ物質で形成し、第１の保護層31と第２の保護層33との接合面の界面における結合強度の劣化や熱膨張係数差による応力を低減し、シンチレータ層32の密閉状態を維持する。 - 特許庁
  • The first voltage is applied between a diffusion layer and a back gate of a first MOS transistor TE included in the first selection circuit (BL-E).
    第１選択回路（ＢＬ−Ｅ）に含まれる第１ＭＯＳトランジスタＴＥの拡散層とバックゲートとの間には、第１電圧が印加される。 - 特許庁
  • A core first main surface side insulating layer 33 having a first via hole 56 formed thereon is arranged on a core first main surface 12 of the core material 11.
    コア材１１のコア第１主面１２上には、第１ビア穴５６が形成されたコア第１主面側絶縁層３３が配置される。 - 特許庁
  • Then, a first penetrating hole is formed by penetrating the first resin film 17B1 so as to expose the first wiring layer 18A from the bottom.
    そして、第１の樹脂膜１７Ｂ１を貫通して底部から第１の配線層１８Ａを露出させる第１の貫通孔を形成する。 - 特許庁
  • Between the first and the second word lines is secured a first metal wiring region along the row direction, allowing a first metal layer to be wired.
    第１及び第２ワード線の間に行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保され、第１メタル層が配線可能とされる。 - 特許庁
  • In the third step, a first release layer 115a is subjected to a process under a first condition to separate the first substrate from the functional region.
    第３工程では、第１の基板と第１の機能性領域を、第１の分離層１１５ａを第１の条件で処理して分離する。 - 特許庁
  • In the first wiring layer, a power supply feed line of a first potential is disposed in a first wiring direction along a logic cell.
    第１の配線装置において、第１の電位の電源電圧供給線が論理セルに沿って第１の配線方向に配置されている。 - 特許庁
  • The first and second wiring layer insulating films include first and second low dielectric constant films (first low dielectric constant film 4 and third low dielectric constant film 11).
    第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。 - 特許庁
  • The inner layer 14 is formed by injecting a first resin into a first cavity formed by arranging a core in a first die.
    内層１４は、第１金型の内部にコアを配置して形成した第１キャビティ内に第１樹脂を射出することによって形成される。 - 特許庁
  • A first semiconductor region is etched, and an etching amount of the first semiconductor region and an etching amount of a first mask layer are measured.
    第１の半導体領域をエッチングするとともに、第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量を測定する。 - 特許庁
  • The first wiring is formed on an upper wiring layer of a semiconductor substrate, and connects the first terminal of a transistor with the first power source line.
    第１の配線は、半導体基板の上方の配線層に形成され、トランジスタの第１の端子と前記第１の電源線とを接続する。 - 特許庁
  • The first wiring layer includes wiring patterns 21, 22 and a first floating conductor pattern 23, and formed on a first surface of the core substrate.
    第１の配線層は、配線パターン２１，２２および第１のフローティング導体パターン２３を含み、コア基板の第１の面に形成されている。 - 特許庁
  • The fuse link region 16c includes a first silicon film 12c and a first metal silicide layer 15c formed on the first silicon film 12c.
    ヒューズリンク領域１６ｃは、第１のシリコン膜１２ｃと、第１のシリコン膜上に形成された第１の金属シリサイド層１５ｃとを有する。 - 特許庁
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