「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The second electrode includes a conductor layer covered by a material layer, and is arranged approximately parallel with the first electrode.
    第２の電極は、材料層で覆われた導体層を含み、第１の電極とほぼ平行に配設されている。 - 特許庁
  • The LED chip comprises a substrate 110, a semiconductor layer 120, a minute rough layer 130, a first electrode 140, and a second electrode 150.
    本発明のLEDチップは、基板110と、半導体層120と、微細粗化層130と、第1電極140と、第2電極150とを備える。 - 特許庁
  • In a tread part 21, the thickness d1 of the first rubber layer 16A is larger than that of the second rubber layer 16B.
    トレッド部２１においては、第１ゴム層１６Ａの厚さｄ１は、第２ゴム層１６Ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁
  • The thickness d1 of the first layer 11 is preferably formed thicker than the thickness d2 of the second layer 12.
    第一層１１の厚みｄ１は第二層１２の厚みｄ２よりも厚く形成されているのが好ましい。 - 特許庁
  • The first resin layer 1a carries dynamic durability and flexibility, and the second resin layer 1b carries gas barrier property.
    第１の樹脂層１ａで動的耐久性と柔軟性を担い、第２の樹脂層１ｂでガスバリア性を担う。 - 特許庁
  • The stacked structure has a recess reaching the first semiconductor layer from a surface at the second semiconductor layer side.
    積層構造体は、第２半導体層側の表面から第１半導体層に到達する凹部を有する。 - 特許庁
  • The first oxide film covers the side surfaces of at least one of the upper electrode layer and the lower electrode layer.
    第１の酸化膜は、上部電極及び下部電極の少なくとも一方の電極層の側壁を覆う。 - 特許庁
  • A device 10 has a first photodiode 20 provided in a silicon semiconductor layer 16 on an insulating layer 14.
    デバイス１０には絶縁層１４上のシリコン半導体層１６に第１のフォトダイオード２０が設けられている。 - 特許庁
  • The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.
    第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁
  • A first resin layer 27 and a metal layer 40 are laminated and formed in this order on a semiconductor substrate 24.
    半導体基材２４に、第１樹脂層２７および金属層４０をこの順番で積層して形成する。 - 特許庁
  • The laminate 11 of the electrolyte half layer 2a and the first electrode layer 3 is peeled from the substrate 10 for manufacture.
    電解質半層２ａと第１の電極層３の積層体１１を製造用基板１０から剥がす。 - 特許庁
  • The lower surface of the second semiconductor layer is connected with an upper surface of the first semiconductor layer and forms a junction.
    第２の半導体層の下面は、第１の半導体層の上面に結合されて接合を形成する。 - 特許庁
  • A vibration type gyro scope comprises a vibrator 1 provided with a first vibration layer 3 and a second vibration layer 2.
    振動型ジャイロスコープが、第一の振動層３および第二の振動層２を備える振動子１を備える。 - 特許庁
  • An insulating resin layer R which covers a wiring layer 7 consisting of Cu and a metal post 8 is also formed in a first trench.
    Ｃｕより成る配線層７、メタルポスト８を被覆する絶縁樹脂層Ｒを第１の溝にも形成する。 - 特許庁
  • A buried semiconductor region 19 includes a first conductivity type buried layer and a second conductivity type buried layer.
    埋め込み半導体領域１９は、第１導電型埋め込み層および第２導電型埋め込み層を含む。 - 特許庁
  • The interposed layer 3 is formed between the aluminum material 1 and the first conductive layer 2 and contains aluminum carbide.
    介在層３は、アルミニウム材１と第１導電層２との間に形成され、アルミニウムの炭化物を含む。 - 特許庁
  • Likewise, this is provided with a second electrode 4 for catching the first diamond layer 1 and the second diamond layer 2.
    同様に、第１のダイヤモンド層１と第２のダイヤモンド層２を挟むように第２の電極４が設けられている。 - 特許庁
  • In this case, the first electrolyte layer has a water repellency higher than that of the second electrolyte layer.
    ここで、第１の電解質層は、第２の電解質層よりも高い撥水性を有することを特徴とする。 - 特許庁
  • A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.
    Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element comprises a structure, a first electrode layer, an electrode layer, and an inorganic film.
    実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。 - 特許庁
  • The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.
    コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁
  • A second catalyst layer 40 is formed on a first gas diffusion layer 30 for diffusing fuel gas.
    また、燃料ガスを拡散するための第１のガス拡散層３０上に第２の触媒層４０を形成する。 - 特許庁
  • The second catalyst layer 5 covers the circumference of the first catalyst layer 4 in a manner wrapping the same.
    第２触媒層５は、第１触媒層４を包含するように第１触媒層４の周囲を覆っている。 - 特許庁
  • A first electron supply layer 4 which is relatively thin is formed on an electron traveling layer 3 to manufacture the HEMT.
    HEMTを製造するために、電子走行層３の上に比較的薄い第１の電子供給層４を形成する。 - 特許庁
  • The second metal gate electrode layer 109 consists of the same metal composition as the first metal gate electrode layer 106.
    第２金属ゲート電極層１０９は、第１金属ゲート電極層１０６と同じ金属組成からなる。 - 特許庁
  • A first microstrip line 20 is constituted of a ground layer 220g, a dielectric layer 210 and a strip conductor 230.
    第１のマイクロストリップ線路２０は、グランド層２２０ｇ、誘電体層２１０及びストリップ導体２３０から成る。 - 特許庁
  • The second dielectric layer is provided on the flexible and rigid circuit boards, and covers a part of the first circuit layer.
    第２誘電層がフレキシブルおよびリジッド回路板上に配置され、かつ第１回路層の一部を被覆する。 - 特許庁
  • A first semiconductor layer 10a and a BOX layer 30a are etched for the formation of trenches 51a, 52a, and 53a.
    第１半導体層１０ａとＢＯＸ層３０ａとがエッチングされて、トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａが形成される。 - 特許庁
  • A first conductive layer constituting the gate electrode and a second conductive layer constituting the scanning line are separate layers.
    ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 - 特許庁
  • A material of a first masking layer 18 for covering a magnetic thin-film layer 16 includes silicon and tantalum.
    磁性薄膜層１６を被覆する第１のマスク層１８の材料を、ケイ素と、タンタルと、を含む材料とした。 - 特許庁
  • Drying process of the electrolyte layer 20 is carried out at a temperature higher than the drying process temperature of the first catalyst layer 10.
    第１触媒層１０の乾燥処理温度よりも高い温度で電解質層２０の乾燥処理を行う。 - 特許庁
  • Both of the first quantum well layer 11 and the second quantum well layer 12 are composed of π conjugate molecules.
    第１の量子井戸層１１及び第２の量子井戸層１２を何れもπ共役系分子により構成する。 - 特許庁
  • The MFR of the first thermoplastic resin layer 10 is smaller than MFR of the second thermoplastic resin layer 20.
    第１の熱可塑性樹脂層１０のＭＦＲは、第２の熱可塑性樹脂層２０のＭＦＲよりも小さい。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 9a is prepared between the second semiconductor layer 11a and the well region 5.
    第１の半導体層９ａは、第２の半導体層１１ａと井戸領域５との間に設けられている。 - 特許庁
  • Features are etched in the layer, and the layer features have a second microscopic dimension which is less than the first microscopic dimension.
    レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 - 特許庁
  • The second conductive layer 4 is formed on the surface of the first conductive layer 2 and contains carbon-containing particles 41.
    第２導電層４は、第１導電層２の表面上に形成され、炭素含有粒子４１を含む。 - 特許庁
  • The recessed portion 12 in the second semiconductor layer 3 is larger than the opening portion 1a in the first semiconductor layer 1.
    第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。 - 特許庁
  • Afterwards, a contrast improvement layer 16 of a given pattern is formed on the surface of the first dielectric layer 14a.
    その後、第１誘電体層１４ａの表面に所定パターンのコントラスト向上層１６を形成する。 - 特許庁
  • The method includes a step for forming an SiGe alloy layer on a surface of a first single crystal Si layer.
    方法が、第１の単結晶Ｓｉ層の表面上にＳｉＧｅ合金層を形成するステップを含む。 - 特許庁
  • The multilayer electric probe, suitable for testing a device to be tested, includes a first strip layer and a second strip layer.
    テスト予定の装置をテストするために適した多層電気プローブは、第１ストリップ層と第２ストリップ層とを含む。 - 特許庁
  • - It lives in Soyu Castle in the size of 8000 yojana in height and width in Getsuman located 21000 yojana in the second-layer below the first-layer.
    -第1層の下の第2層、さらに21000由旬の月鬘（げつまん）という地で、双遊城に住み、縦横8000由旬。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Then, an opening portion 4 where the first insulating layer 1 is exposed is formed at a predetermined position of the third insulating layer 3.
    次に、第３の絶縁層３の所定部位に第１の絶縁層１が露出する開口部４を形成する。 - 特許庁
  • Further, the stiffness Gc1 of the first shoulder cover layer 82 and the stiffness Gc2 of the second shoulder cover layer 83 differ from each other.
    また、第一ショルダーカバー層８２の剛性Ｇｃ１と、第二ショルダーカバー層８３の剛性Ｇｃ２とが相異する。 - 特許庁
  • The conductive vias 263 electrically connect the first wiring layer 25 and the second wiring layer 262.
    上記導電性ビア２６３は、上記第1配線層２５および上記第2配線層２６２を電気接続する。 - 特許庁
  • Here, at least the first active layer 33 and a second active layer 38 are formed with different compositions from each other.
    ここで、少なくとも第１活性層３３と第２活性層３８を、それぞれ組成を異ならせて形成する。 - 特許庁
  • The second layer 103 is developed and the first layer 102 is partly dissolved by the developing solution.
    次に、現像液によって第２の層１０３を現像すると共に第１の層１０２の一部を溶解させる。 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR CONVERTING FIRST APPLICATION LAYER PROTOCOL INTO SECOND APPLICATION LAYER PROTOCOL IN COMMUNICATIONS NETWORK
    通信ネットワークにおいて第１のアプリケーション層プロトコルを第２のアプリケーション層プロトコルに変換する方法及びシステム - 特許庁
  • The lower layer 2 has a first adhesive layer 32 being peelably stuck to a part of a body, at its lower face.
    下層２は、その下面に、身体の一部に引き剥がし可能に接着し得る第１粘着層３２を備える。 - 特許庁
  • An MR film 30 is located in a space between the first shield layer 28 and the second shield layer 41.
    ＭＲ膜３０は第１のシールド層２８と第２のシールド層４１との間の間隔内に配置されている。 - 特許庁
  • A first insulating layer 2 is grown on a silicon substrate 1 and a second insulating layer 3 is deposited thereon.
    シリコン基板１の上に第１の絶縁層２を成長させ、その上に第２の絶縁層３を堆積する。 - 特許庁
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