「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 76 77 78 79 80 81 82 83 84 .... 489 490 次へ＞- An indium composition of the first semiconductor layer 9a is smaller than an indium composition of the second semiconductor layer 11a.
第１の半導体層９ａのインジウム組成は、第２の半導体層１１ａのインジウム組成より小さい。 - 特許庁 - A second insulating layer 42 is formed on the first insulating layer 41 to cover the wiring pattern W1.
第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成される。 - 特許庁 - The first electrode is provided on a region of the second principal surface of the semiconductor layer, which has the light-emitting layer.
第１の電極は、半導体層の第２の主面における発光層を有する領域に設けられた。 - 特許庁 - A first layer 24 is formed of Ni or an alloy containing Ni on the top surface of the semiconductor layer 14.
半導体層１４の上面にＮｉ又はＮｉを含む合金で形成される第１層２４を形成する。 - 特許庁 - The first insulating layer 116 contains a silicon oxide, and the dielectric layer 120a may contain silicon nitride.
第１絶縁層１１６は、シリコン酸化物を含み、誘電体層１２０ａは、シリコン窒化物を含んでもよい。 - 特許庁 - The composition ratio of aluminum in a second AlGaN layer 6 is larger than that in a first AlGaN layer 5.
第２のＡｌＧａＮ層６のＡｌの組成比は、第１のＡｌＧａＮ層５のＡｌの組成比よりも大きい。 - 特許庁 - Then, a first electrode 2, an organic layer including a luminous layer 3, and a second electrode 4 are laminated in this order.
そしてその上に第一電極２、発光層３を含む有機層、第二電極４をこの順に積層する。 - 特許庁 - Similarly to the first insulating resin layer 4, the second insulating resin layer 5 is also formed by, for example, injection molding.
第２絶縁樹脂層５も第１絶縁樹脂層４と同様に例えば、射出成型により形成される。 - 特許庁 - The first emitter layer is formed as thin as about 7-15 nm, while the second emitter layer 6 is formed sufficiently thick.
第１エミッタ層５は７〜１５ｎｍ程度に薄く形成し、第２エミッタ層６は十分の膜厚に形成する。 - 特許庁 - Even after applying the second ink receiving layer, pores present in the first ink receiving layer are not necessarily blocked.
第２のインク受容層塗工後も、第１のインク受容層が有する細孔が全て塞がれるということはない。 - 特許庁 - Electrodes 33, 34 of the light-emitting device 32 are in contact with the first conductive layer 14 and the second conductive layer 24.
発光素子３２の電極３３，３４は、第１導電層１４および第２導電層２４に接している。 - 特許庁 - A first adhesive layer 6 has conductivity, and a second adhesive layer 8 is also one that has conductivity.
第１接着剤層６は導電性を有し、第２接着剤層８も導電性を有するものとなっている。 - 特許庁 - The thickness d1 of the first dielectric layer 12 is made to be ≤85% of a thickness d3 of the third dielectric layer 16.
第１誘電体層１２の厚さｄ１を第３誘電体層１６厚さｄ３の８５％以下にする。 - 特許庁 - The second layer 3A is made of e.g., gold (Au), and the first layer 3B is made of e.g., titanium (Ti).
第２の層３Ａは例えば金（Ａｕ）で形成され、第１の層３Ｂは例えばチタン（Ｔｉ）で形成される。 - 特許庁 - Exposed portions of the first substrate 11 and the photosensitive resin layer 12 are coated with an insulating layer 14.
第１の基板１１および感光性樹脂層１２の露出する部分には、絶縁層１４が被覆される。 - 特許庁 - The first layer is formed on an amorphous layer, contains aluminum nitride and has a compressive strain or a tensile strain.
前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。 - 特許庁 - A gas layer or a vacuum layer is formed between the first transparent plate 11 and the second transparent plate 12.
第１透明板１１と第２透明板１２との間には気体層もしくは真空層が形成される。 - 特許庁 - The intermediate layer (first coated film layer) may contain a surface-active agent and/or a hydrophilic agent.
更に、中間層（第１塗膜層）が界面活性剤及び／又は親水剤を含有するものであってもよい。 - 特許庁 - The laminate 16 has a first electrode 17, an insulating layer 18, an organic layer 20, and a second electrode 21.
積層体１６は、第一電極１７と、絶縁層１８と、有機層２０と、第二電極２１とを有する。 - 特許庁 - Also, the first layer thin film is preferably constructed with a metal oxide layer such as Al2O3 or Ta2O5.
また、この第１層目の薄膜は、Ａｌ_2Ｏ_3、Ｔａ_2Ｏ_5等の金属酸化物層で構成されることが好ましい。 - 特許庁 - A contact opening part for connection to a first layer wiring metal layer in an Si wafer is formed in step 11.
ステップ１１でＳｉウェハへの第１層目配線金属層との接続のためのコンタクト開口部を形成する。 - 特許庁 - In a shoulder part 22, the thicknesses of the first rubber layer 16A and the second rubber layer 16B are approximately the same.
ショルダー部２２においては、第１ゴム層１６Ａの厚さと第２ゴム層１６Ｂの厚さとは略同一である。 - 特許庁 - The first layer is formed of an ionic conductor or a dielectric material, while the second layer is formed of an electronic dielectric material.
第１層はイオン導電体又は誘電体で形成され、第２層は電子誘電体で形成されている。 - 特許庁 - The p-type doping density of the first semiconductor layer 109 is substantially uniform with respect to the direction of the layer.
第一半導体層１０９のｐ型のドーピング濃度は層方向に関して実質的に均一である。 - 特許庁 - Carrier concentration C2 of the second InP layer 15 is higher than the carrier concentration C1 of the first InP layer 13.
第２のＩｎＰ層１５のキャリア濃度Ｃ２は第１のＩｎＰ層１３のキャリア濃度Ｃ１より大きい。 - 特許庁 - An epoxy positive type photosensitive resin is applied on the first layer 10 to form a second layer 11.
次に、第１の層１０上に、再度エポキシ系のポジ型の感光性樹脂で第２の層１１を形成する。 - 特許庁 - A portion, formed on the upper surface of the first semiconductor layer 20 of the second semiconductor layer 30, is removed by etching.
第２半導体層３０のうち第１半導体層２０の上面に形成された部分をエッチング除去する。 - 特許庁 - Then, the first conductive layer is formed so as to fill the deep trench (the gap is generated inside the layer simultaneously).
そして深トレンチを充填するように第１の伝導層を形成する（層内に隙間が同時に生成される）。 - 特許庁 - A first conductivity ion is poured into a part for forming a well-contact layer 4 to form the well-contact layer 4.
ウェルコンタクト層４を形成する部分に、第１導電型のイオンを注入し、ウェルコンタクト層４を形成する。 - 特許庁 - Multiple columnar bodies 3' each having the first layer 13 and the second layer 14 are formed by removing the resist 11.
レジスト１１を除去して、第１の層１３及記第２の層１４を有する柱状体３’を多数形成する。 - 特許庁 - A second layer of a second conductivity type is formed in a recessed part of the mesa structure of the first layer by a liquid-phase growing method.
第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。 - 特許庁 - The second insulation layer 22 stacking on the surface of the first insulation layer 21 is made of a resin material.
加えて、第１絶縁層２１の表面に積み重ねられる第２絶縁層２２は樹脂材料からなる。 - 特許庁 - A second overcoat layer 15b made of translucent silica having sealing property is formed on the upper surface of the first overcoat layer.
この上面にシール性と光透過性を有する酸化珪素よりなる第２オーバーコート層１５ｂを形成する。 - 特許庁 - A first Au layer 51 and a second Au layer are formed on the surfaces of the pads 11 and 12 and the alignment mark.
パッド１１，１２及びアライメントマークの表面に、直接第一Ａｕ層５１及び第二Ａｕ層を形成する。 - 特許庁 - The optical amplifier includes a second conductive type lower buried layer and a first conductive type or semi-insulative upper buried layer.
第２導電型の下部埋込層と、第１導電型または半絶縁性の上部埋込層とを含む。 - 特許庁 - The second layer is a diffusion layer which is in contact with the surface area at the first surface side of the silicon substrate.
第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。 - 特許庁 - It may further comprises a third metal layer 13 patterned on the same plane as the first metal layer.
又、第一のメタル層と同一平面上にパターン形成された第三のメタル層１３を有することもある。 - 特許庁 - The second interface layer does not exist in the first interface layer, and includes an additional element different from Si, O, and N.
第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。 - 特許庁 - The first layer 1 to the fifth layer 5 have optical film thicknesses satisfying conditional expressions (1) to (5).
さらに、第１層１から第５層５は、条件式（１）〜（５）をそれぞれ満足するような光学膜厚を有している。 - 特許庁 - A steel pipe 10 is protected in a multi-layered manner by a first layer 16 and a second layer 18 having different corrosion prevention actions.
鋼管１０を防食作用の異なる第一層１６と第二層１８により重層的に保護する。 - 特許庁 - In the light-sensitive laminate, the second photosensitive layer and the first photosensitive layer are stacked in this order on a substrate.
感光性積層体は、基体上に、上記第二感光層、上記第一感光層の順序で積層する。 - 特許庁 - Then, a first sacrificial layer 39 and a second sacrificial layer 40 are formed so as to cover the sensor area 10.
次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。 - 特許庁 - The metal film 261 is continuously extended to connect the first silicide layer 262 and the second silicide layer 263.
金属膜２６１は、第１シリサイド層２６２と第２シリサイド層２６３とを接続するように連続して延びている。 - 特許庁 - An edge portion of the copper layer 37 on the first iron layer 38 side is beveled at an inner wall of the open hole 35.
また、貫通孔３５の内壁における銅層３７の第１鉄層３８側の端部が面取りされている。 - 特許庁 - Then NO_2 is supplied to a sample to form a second surface layer 5 on the first surface layer 2 (Fig.1(d)).
試料にＮＯ_２を供給し、第１の表面層２上に第２の表面層５を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁 - The first insulating layer 18 contains a termination material that terminates a dangling bond the semiconductor layer 4 has.
第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。 - 特許庁 - The wiring board comprises a base 11 formed of ceramic, and a first conductor layer 12a and a second conductor layer 12b.
セラミックスからなる基体１１と、第１の導体層１２ａおよび第２の導体層１２ｂを有している。 - 特許庁 - Thereby, recording order of the first layer 50 and the second layer 52 can be arbitrarily set.
判別結果に応じて切り替えるため、第１層５０と第２層５２の記録順序は任意に設定できる。 - 特許庁 - The conductor layer 6 is provided on the first cover insulating layer 4 so as to cover the wide width portions 31-33.
導体層６は、幅広部３１〜３３の上方を覆うように第１のカバー絶縁層４上に設けられる。 - 特許庁 - Tracks are formed on the second recording layers of the first layer and the second layer, and a plurality of sectors are provided along the tracks.
１層目と２層目の記録層上にはトラックが形成され、該トラックに沿って複数のセクタが設けられる。 - 特許庁
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