「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 79 80 81 82 83 84 85 86 87 .... 489 490 次へ＞- A first insulating layer 2 is grown on a silicon substrate 1 and a second insulating layer 3 is deposited thereon.
シリコン基板１の上に第１の絶縁層２を成長させ、その上に第２の絶縁層３を堆積する。 - 特許庁 - A second resin material layer 13 is applied to the display region 'a' surrounded by the first resin material layer 11.
第１樹脂材料層１１で囲まれた表示領域ａに第２樹脂材料層１３を塗布する。 - 特許庁 - The belt 30 has a first layer 64a and a second layer 64b which overlap each other in the radial direction.
ベルト３０は、それぞれが半径方向において重なり合う第一層６４ａ及び第二層６４ｂを備える。 - 特許庁 - In the upper DBR layer 13, a first upper DBR layer 19, an inclined layer 20 having an inclined surface 20A, a planarization layer 21, and a second upper DBR layer are laminated from the side of the cavity layer 12 in this order.
上部ＤＢＲ層１３は、第１上部ＤＢＲ層１９、傾斜面２０Ａを有する傾斜層２０、平坦化層２１および第２上部ＤＢＲ層をキャビティ層１２側からこの順に積層されたものである。 - 特許庁 - Further, the first organic light emitting layer and the second organic light emitting layer of the organic light emitting diode includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer which are sequentially deposited on the transparent positive electrode.
さらに、有機発光ダイオードの第一有機発光層および第二有機発光層は、透明陽極に順次堆積した正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とを含むものとすることができる。 - 特許庁 - A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.
このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。 - 特許庁 - Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.
まず、シリコン基板３０の表面に、裏面素子構造として、少なくともｐ^+コレクタ層１となる第１エピタキシャル層、ｎ^+バッファ層２となる第２エピタキシャル層、およびｎ^-ドリフト層３となる第３エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁 - The first eddy current suppressing layer 15 is a magnetic layer having higher resistivity than the main magnetic pole layer 10, and the magnetic flux control layer 14 is a magnetic layer having higher saturation magnetic flux density than the eddy current suppressing layer 15.
第１の渦電流抑制層１５は、主磁極層１０よりも高い比抵抗をもつ磁性層であり、磁束制御層１４は第１の渦電流抑制層１５よりも高い飽和磁束密度を持つ磁性層である。 - 特許庁 - The outside plate decorating film 1 comprises a guard film 2 of a first layer, a photosetting clear layer 3 of a second layer, a laminated structure of an adhesive colored layer 4 of a third layer so that the clear layer is a semicured state.
第１層にガードフィルム２、第２層に光硬化クリア層３、第３層に接着着色層４の積層構造を有し、前記光硬化クリア層は半硬化状態であることを特徴とする外板加飾フィルム１を構成する。 - 特許庁 - A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.
発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁 - A free magnetic layer 6 is laminated in the order of an enhancement layer 12, a first soft magnetic layer 13, a nonmagnetic metal layer 14 and a second soft magnetic layer 15 from the bottom on an insulation barrier layer 5 composed of Mg-Ti-O or Ti-O.
フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏ、あるいは、Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁 - On a nonmagnetic substrate 1, a soft magnetic backing layer 2, an undercoat layer 3, a first magnetic recording layer 5, a nonmagnetic separation layer 6, a second magnetic recording layer 7, a protection film 8 and a liquid lubricant layer 9 are laminated in this order.
非磁性基体１上に、軟磁性裏打ち層２と下地層３と第１の磁気記録層５と非磁性分離層６と第２の磁気記録層７と保護膜８と液体潤滑材層９とを順次積層して構成されている。 - 特許庁 - Preferably, the double-coated adhesive tape has a five-layer structure in which the first adhesive layer, the resin layer without air bubbles, the non-woven fabric layer, the resin layer without air bubbles, and the second adhesive layer are laminated in this order.
好ましくは、上記両面粘着テープが、上記第一粘着層、上記気泡を有さない樹脂層、上記不織布層、上記気泡を有さない樹脂層及び上記第二粘着層の順で積層された５層構造である。 - 特許庁 - A flip-flop is constituted of two gate-to-gate electrode layers situated in the first-layer conductive layer, two drain-to-drain connection layers situated in the second-layer conductive layer and two drain-to-gate connection layers situated in the third-layer conductive layer.
フリップフロップは、第１層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第２層導電層に位置する二つのドレイン-ドレイン接続層、第３層導電層に位置する二つのドレイン-ゲート接続層により構成される。 - 特許庁 - Here, the magnetization fixed layer 63 in the first MR element has a synthetic structure including a pinned layer 631, a bonding layer 632, and a pinned layer 633 in an antiferromagnetic coupling with the pinned layer 631 in order from the intervention layer 62 side.
ここで、第１のＭＲ素子における磁化固着層６３は、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。 - 特許庁 - Then, a second dielectric layer 22 is formed on the surface of the first dielectric layer 21 including the hardened light-sensitive mask layer, and the remaining mask material layer and the second dielectric layer 22 formed on this layer are removed.
その後、第１の誘電体層２１の、硬化した感光性マスク層を含む面に第２の誘電体層２２を形成し、続いて残存しているマスク材料層とこの上に形成された第２の誘電体層２２とを共に除去する。 - 特許庁 - Consequently, it is possible to prevent the sense current from being shunted to a ferromagnetic material layer 35c1, a nonmagnetic intermediate layer 35b, a first fixed magnetic layer 35a in the fixed magnetic layer 35, an antiferromagnetic layer 34, and a seed layer 33.
従って、固定磁性層３５の強磁性材料層３５ｃ１、非磁性中間層３５ｂ、第１固定磁性層３５ａ、反強磁性層３４、及びシード層３３にセンス電流が分流することを防ぐことができる。 - 特許庁 - In this manner, Mg concentration is larger as a result of the comparison of the Mg concentration and H_2 concentration contained in the p-type GaN layer (second layer) sandwiched between the n-type GaN layer (first layer) and the n-type GaN layer (third layer).
このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 - 特許庁 - After at least one layer is formed on a pad 12 so that an outermost layer becomes a first brazing material layer 28, a metallic layer 32 and a second brazing material layer 36 are successively formed on the brazing material layer 28.
パッド１２上に最表層が第１のろう材層２８となるように少なくとも一層を形成し、第１のろう材層上２８に金属層３２を形成し、金属層３２上に第２のろう材層３６を形成する。 - 特許庁 - The container body 3 is obtained by thermoforming a multi-layered sheet of a six-layered structure, and includes a first base layer 11, an adhesive layer 12, a gas barrier layer 13, an adhesive layer 14, a second base layer 15, and the innermost layer 16.
容器本体３は６層構造の多層シートを熱成形して得られたものであり、第１の基材層１１と、接着層１２と、ガスバリア層１３と、接着層１４と、第２の基材層１５と、最内層１６とを有している。 - 特許庁 - A first dielectric layer 102, a second dielectric layer 103, a third dielectric layer 104, a lower reflecting layer 105, a fourth dielectric layer 106, a recording layer 107, a fifth dielectric layer 108 and an upper reflecting layer 109 are successively laminated on a substrate 101 to have a constitution with heightened reflectivity toward incident light by a multilayered film from the first dielectric layer 102 to the third dielectric layer 104.
基板１０１上に、第１誘電体層１０２、第２誘電体層１０３、第３誘電体層１０４、下部反射層１０５、第４誘電体層１０６、記録層１０７、第５誘電体層１０８、上部反射層１０９を順に積層し、第１誘電体層１０２から第３誘電体層１０４までの多層膜による入射光に対する反射率を高めた構成とする。 - 特許庁 - This thin-film transistor 10 is composed by including: a first stress layer 12 formed on the substrate 11, and adding stress to a layer located on the upper side to generate strain; the semiconductor layer 14 formed on the first stress layer; and a first gate electrode 15 formed through a first insulation film on the semiconductor layer.
基板１１上に形成され、上方に位置する層に対して応力を付加し、歪みを生ぜしめる第１の応力層１２と、前記第１の応力層上に形成された半導体層１４と、前記半導体層上において第１の絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極１５とを具えるようにして薄膜トランジスタ１０を構成する。 - 特許庁 - The printed circuit board 40 is formed of one resin layer 41 having first and second principal surfaces 41a and 41b, a first electrode layer 42 provided on the first principal surface 41a, a second electrode layer 43 provided on the second principal surface 41b, and a connection electrode which connects the first electrode layer 42 and the second electrode layer 43.
プリント配線基板４０は、第１及び第２の主面４１ａ、４１ｂを有する一つの樹脂層４１と、第１の主面４１ａの上に設けられた第１の電極層４２と、第２の主面４１ｂの上に設けられた第２の電極層４３と、第１の電極層４２と第２の電極層４３とを接続する接続電極とからなる。 - 特許庁 - On the exposed surfaces of the transistor elements a first inter-layer film 107 is provided, a first Al layer 108 formed thereon is divided in orthogonal directions and parallel directions to the gates of the transistor elements into a plurality of portions on the first inter-layer film 107, and a second inter-layer film 109 is provided on the first Al layer 108.
トランジスタ素子の露出面上には、第１の層間膜１０７が設けられ、この第１の層間膜１０７上に第１のアルミニウム層１０８はトランジスタ素子のゲートに対し、直交方向及び平行方向に分割して複数が設けられ、この第１のアルミニウム層１０８上には第２の層間膜１０９が設けられる。 - 特許庁 - The multilayered structure is the one which has a substrate layer, which is formed by laminating, onto at least one face of the substrate layer, a first layer consisting of a first material comprising a first inorganic layered compound and, adjacently to the first layer, a second layer consisting of a second material comprising a second inorganic layered compound and a second resin, and which satisfies the following conditions (1)-(3).
基材層を有し、該基材層の少なくとも一方に第１の無機層状化合物を含む第１の材料からなる第１の層、および該第１の層と隣接して、第２の無機層状化合物および第２の樹脂を含む第２の材料からなる第２の層が積層されてなり、以下の条件（１）〜（３）を満たす多層構造体。 - 特許庁 - A method for forming a light emitting diode includes steps of: forming a first stack; forming a second reaction layer on the first stack; forming a second stack; forming a first reaction layer on the second stack; and holding together the first reaction layer and the second reaction layer by means of a transparent adhesive layer.
本発明の発光ダイオードを形成する方法は、第１のスタックを形成する段階と、第１のスタック上に第２の反応層を形成する段階と、第２のスタックを形成する段階と、第２のスタック上に第１の反応層を形成する段階と、透明接着層によって第１の反応層と第２の反応層を共に保持する段階を含む。 - 特許庁 - The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.
本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁 - A device is provided with a first irradiation means 1 irradiating an insulation layer formed on a metallic layer of a substrate 7 with a first laser beam and a second irradiation means 2 irradiating a residual layer left on the metallic layer by the first laser beam emitted by the first irradiation means 1 with a second laser beam whose optical axis is matched with the first laser beam.
基板７の金属層上に形成された絶縁層に第１レーザ光を照射する第１照射手段１と、第１照射手段１によって照射した第１レーザ光によって金属層上に残った残渣層に第１レーザ光と光軸が一致する第２レーザ光を照射する第２照射手段２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The capacitor device is provided with: a pair of conductive layers 214 and 224 which face each other; a first dielectric layer 226 which is formed on a surface of the first conductive layer 224 and has a first dielectric constant; and a second dielectric layer 230 which has a second dielectric constant and is sandwiched between the first conductive layers 214 and 224 through the first dielectric layer 226.
互いに向かい合う一対の第１の導電層２１４，２２４と、第１の導電層２２４の表面上に形成され、第１の誘電率を有する、第１の誘電層２２６と、第２の誘電率を有し、第１の誘電層２２６を介して第１の導電層２１４，２２４の間に挟まれた第２の誘電層２３０と、を備える。 - 特許庁 - The magnetoresistive element comprises: a first ferromagnetic tunnel junction element where a first fixed layer, a first tunnel insulating film and a first free layer are laminated; and a second ferromagnetic tunnel junction element where a second fixed layer, a second tunnel insulating film and a second free layer are laminated, the second ferromagnetic tunnel junction element being connected to the first ferromagnetic tunnel junction element in series.
磁気抵抗素子は、第１固定層、第１トンネル絶縁膜および第１自由層が積層される第１強磁性トンネル接合素子と、第２固定層、第２トンネル絶縁膜および第２自由層が積層され、第１強磁性トンネル接合素子に直列に接続される第２強磁性トンネル接合素子とを有している。 - 特許庁 - This organic light emitting diode includes a first transparent positive electrode and a second transparent positive electrode, a first organic light emitting layer and a second organic light emitting layer formed between the first transparent positive electrode and the second transparent positive electrode, and a first electrode formed between the first organic light emitting layer and the second organic light emitting layer.
本願発明は、第一透明陽極および第二透明陽極と、第一透明陽極と第二透明陽極との間に形成される第一有機発光層および第二有機発光層と第一有機発光層と第二有機発光層との間に形成される第一電極とを含むことを特徴とする有機発光ダイオードとした。 - 特許庁 - The first gate electrode 115a has a first metal electrode 107a formed on the first gate insulator film 106a, a first interface layer 110a formed on the first metal electrode 107a and a first silicon electrode 111a formed on the first interface layer 110a.
第１のゲート電極１１５ａは、第１のゲート絶縁膜１０６ａの上に形成された第１の金属電極１０７ａと、該第１の金属電極１０７ａの上に形成された第１の界面層１１０ａと、該第１の界面層１１０ａの上に形成された第１のシリコン電極１１１ａとを有している。 - 特許庁 - The flexible printed circuit film has a first conductive film, a support insulator having first and second contact holes that supports the first conductive film, a first protective layer covering the first conductive film, while the first conductive film is inserted between the supporting insulator and the first protective layer.
本発明の可撓性印刷回路フィルムは、第１導電膜と、前記第１導電膜を支持し、第１及び第２接触孔を有する支持体と、前記第１導電膜を覆う第１保護層とを有し、前記第１導電膜は、前記支持体と前記第１保護層との間に挿入されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.
ＳｉＮから成る誘電体層２上に、再生層３、ＳｉＮから成る非磁性層４、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層５を形成した光磁気記録媒体１０において、再生層３は、Ｇｄ層である第１の層３１と、ＧｄＦｅＣｏから成る第２の層３２と、Ｇｄ層である第３の層３３とから構成される。 - 特許庁 - A first pyrotechnic material in a dry state is packed in a receiving chamber 16 in advance to form a first layer 17 on a bridge wire 14, and then a second pyrotechnic slurry material is packed on the first layer 17 to form a second layer 18.
収容室16内に乾燥状態の第１火工材料を先に充填して、ブリッジワイヤ14上に第１層17を形成した後、第１層17の上にスラリー状の第２火工材料を充填して第２層１８を形成する。 - 特許庁 - The present method (100) includes, a step of depositing a first layer of thick-film dielectric on the substrate (102), followed by a step of air-drying of the first layer to allow solvents to escape, thereby increasing the porosity of the first layer (104).
本方法（１００）は、基板上に第１の厚膜誘電体層を付着するステップ（１０２）と、続いて第１の層を空気乾燥して溶剤を脱気し、それによって第１の層の多孔性を増すステップ（１０４）と、を含む。 - 特許庁 - Here, the first electrode 5 installed in the reaction room 1 and the second electrode 7 comprise a base material, the first layer formed on the surface of the base material, and the second layer located outside the first layer.
ここで、前記反応室１の内部に設置されている第１電極５と、第２電極７は、母材と、前記母材の表面に形成されている第１層と、前記第１層の外側に位置する第２層とを含む構造を有している。 - 特許庁 - An electric interconnection unit 33 is extended from one side of the first conductive material layer 30 toward the center of the first conductive material layer 30 and is terminated at an end part 34 positioned at the center of the first conductive material layer 30.
電気相互接続部３３は第１導電材料層３０の一方側から第１導電材料層３０の中心に向かって延在し、第１導電材料層３０の中心に位置する端部３４を終端としている。 - 特許庁 - In the surface of a support 4 on the light source 19 side, a first reflection layer 7 and a first light shielding layer are stacked in order in the first area, and a light transmitting colored layer 9 is stacked in the second area 2 and the third area 3.
支持体４の光源１９側の面のうち、第１の領域には、第１の反射層７、第１の遮光層が順に積層され、第２の領域２、第３の領域３には、光透過性着色層９が積層される。 - 特許庁 - On a substrate 2, first and second substrate-side electrodes 3a, 3b formed by separating a substrate-side electrode 3 by a first open groove 3c, the first photoelectric conversion layer 4, the intermediate layer 5, and the second photoelectric conversion layer 6 are formed.
基板２上に、基板側電極３を第１開溝部３ｃで分離した第１基板側電極３ａと第２基板側電極３ｂ、第１光電変換層４、中間層５、第２光電変換層６を形成する。 - 特許庁 - In a first layer reduction processing circuit 110, input image data Vin are input by one line units, a first layer reduction processing is applied to the input image data Vin, and first layer reduction processing data D1 are calculated.
第１層ダウン処理回路１１０は、図１に示すように、入力画像データＶｉｎが１ライン単位で入力され、入力画像データＶｉｎに対して第１層ダウン処理を行い、第１層ダウン処理データＤ１を算出する。 - 特許庁 - The second electrode 20 includes a conductive layer 20b, and first wiring 21 and second wiring 22 electrically connected to the conductive layer 20b and extending in a first direction parallel to the first principal plane and having conductivity higher than that of the conductive layer.
第２電極は、導電層２０ｂと、導電層に電気的に接続され、第１主面に対して平行な第１方向に延在し、導電層よりも導電率が高い第１配線２１及び第２配線２２と、を有する。 - 特許庁 - The first high-concentration diffusion layer 109 is separated from the gate electrode 106 in the planar view, and the first low concentration diffusion layer 103 is formed closer to the gate electrode than the first high-concentration diffusion layer 109 in the planar view.
第１高濃度拡散層１０９は、平面視でゲート電極１０６から離間しており、第１低濃度拡散層１０３は、平面視において第１高濃度拡散層１０９よりもゲート電極の近くまで形成されている。 - 特許庁 - A first extension layer 106 comprising a sequence of substantially interdigital extension strips is formed on the first dielectric layer 104, where each extension strip is deposited on a strip, having opposite polarity in the first layer 102.
第１の誘電体層104の上部に、ほぼ交互に組み込まれた拡張ストリップの列からなる第１の拡張層106が形成され、拡張ストリップのそれぞれが、反対の極性を有する第１の層のストリップ上に堆積される。 - 特許庁 - A first capacitor part 11 having a first dielectric layer 2 and a second capacitor part 12 having a second dielectric layer 2', are integrated via a third dielectric layer 9 therebetween, that is thicker than those of the first and the second dielectric layers 2 and 2'.
第１誘電体層２を有する第１コンデンサ部１１と、第２誘電体層２’を有する第２コンデンサ部１２とを、間に第１、第２誘電体層２、２’の厚みより厚い第３誘電体層９を介して一体化する。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 includes a first semiconductor layer 31, a second semiconductor layer 32, a two-dimensional carrier gas layer 33, a first main electrode 41, a second main electrode 42, a first gate electrode 51, and a second gate electrode 52.
半導体装置１は、第１の半導体層３１と、第２の半導体層３２と、二次元キャリアガス層３３と、第１の主電極４１と、第２の主電極４２と、第１のゲート電極５１と、第２のゲート電極５２とを備える。 - 特許庁 - In this case, sputtering film deposition is performed first under a pressure of 5 to 15 Pa to deposit a first layer, and sputtering film deposition is then performed under a pressure of 0.5 to 5 Pa to deposit a second layer on the first layer.
この際、まず初めに、５乃至１５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層を形成し、次いで、０．５乃至５Ｐａの圧力下でスパッタ成膜を行うことにより第１の層上に第２の層を形成する。 - 特許庁 - A first information recording pit layer 13-1 formed on the front surface of a transparent first optical disk substrate 13 is formed and the front surface of this first information recording pit layer 13-1 is covered by a high reflection film layer 16.
透明な第１の光ディスク基板１３の表面に形成された第１の情報記録ピット層１３−１が形成され、この第１の情報記録ピット層１３−１の表面は高反射膜層１６により被覆されている。 - 特許庁 - The light-emitting part includes: a semiconductor laminate 10 including a first semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second semiconductor layer; and first and second electrodes 14 and 15 that are connected to the first and second semiconductor layers on a second primary surface 10a side.
発光部は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を含む半導体積層体１０と、第２主面１０ａの側で第１、第２半導体層に接続された第１、第２電極１４、１５と、を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of the electronic device characterized by forming a first layer, forming a TiN film on the first layer, and etching part of the first layer by wet etching by using the TiN film as a mask.
また、第１の層を形成し、前記第１の層の上にＴｉＮ膜を形成し、前記ＴｉＮ膜をマスクとして、ウェットエッチングにより前記第１の層の一部をエッチングすることを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 - 特許庁
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