「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right above the tunnel junction layer 105 is thinner than the thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right below the first electrode 110.
    トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 - 特許庁
  • The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.
    基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁
  • Among these components, the first extraction electrode 43 includes a coating conductive layer 54a provided on a portion of the first transparent conductor, and a first conductive paste layer 55a printed on the coating conductive layer 54a.
    このうち第１取出導電体４３は、第１透明導電体の一部分上に設けられた被覆導電層５４ａと、被覆導電層５４ａ上に印刷された第１導電性ペースト層５５ａと、を含んでいる。 - 特許庁
  • The viewing angle control device includes a first polarizing plate, a first liquid crystal layer, an intervening layer, a second liquid crystal layer and a second polarizing plate, wherein alignment is controlled in a plurality of regions in the respective first and second liquid crystal layers.
    第一の偏光板、第一の液晶層、介在層、第二の液晶層及び第二の偏光板を含み、前記第一の液晶層及び第二の液晶層はそれぞれ複数の領域で配向が制御される、視野角制御装置。 - 特許庁
  • The circuit device includes a first analysis mark pattern 12 which is formed on a first wiring layer disposed above a portion 11 to be analyzed, and a second analysis mark pattern 13 which is formed on a second wiring layer disposed above the first wiring layer.
    解析対象部１１より上方の第１の配線層に形成された第1の解析用目印パターン１２と、第１の配線層より上方の第２の配線層に形成された第２の解析用目印パターン１３とを備える。 - 特許庁
  • The EL element comprises at least a first electrode layer, an insulating layer formed to cover an edge part of the first electrode layer, a liquid repellency part disposed on the upper surface of the insulating layer, a light emitting layer formed like a pattern on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the light emitting layer.
    上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第１電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とするＥＬ素子を提供する。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the semiconductor layer includes: a first precursor layer-fabricating step of fabricating a first precursor layer containing a metal element; a second precursor layer-fabricating step of forming a second precursor layer by coating a chalcogen element-containing organic compound on a surface of the first precursor layer; and a semiconductor layer-fabricating step of fabricating the semiconductor layer including a metal chalcogen compound semiconductor by heating the second precursor layer.
    半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 - 特許庁
  • A spin valve structure 1 is a CPP-GMR sensor having: a free layer 18; a non-magnetic spacer layer 17; and an SyAP layer 16 in which a first ferromagnetic layer 15, a coupling layer 14, and the second ferromagnetic layer 13 are sequentially laminated from a free layer 18 side.
    スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。 - 特許庁
  • In a power MISFET 20, a BOX layer (an oxide film layer) 2 is formed on the surface of a first silicon substrate 1, and an N^+ source layer 7, a P layer 6, an offset layer 5 of low impurity concentration and an N^+ drain layer 8 are provided in this order on the surface of the BOX layer 2.
    パワーＭＩＳＦＥＴ２０は、第１のシリコン基板１の表面上にＢＯＸ層（酸化膜層）２が形成され、このＢＯＸ層２の表面上にＮ^＋ソース層７、Ｐ層６、低不純物濃度オフセット層５、Ｎ^＋ドレイン層８が設けられている。 - 特許庁
  • The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.
    第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁
  • A first dielectric layer 2 as a lower protective layer, a recording layer 3, a second dielectric layer 4 as an upper protective layer, a third dielectric layer 5 and a reflecting and heat releasing layer 6 are formed in this order by sputtering on a polycarbonate substrate 1 with a guide groove.
    案内溝を有するポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法により下部保護層として第１の誘電体層２、記録層３、上部保護層としての第２の誘電体層４、第３の誘電体層５および反射放熱層６をこの順に製膜する。 - 特許庁
  • The organic layer 13 has such a constitution that a positive hole injection layer 13A, a positive hole transport layer 13B, an orange light-emitting layer 13C, a blue light-emitting layer 13D, an electron transport layer 13E, and an electron injection layer 13F are laminated from the first electrode 12 side, in this order.
    有機層１３は、正孔注入層１３Ａ，正孔輸送層１３Ｂ，橙色発光層１３Ｃ，青色発光層１３Ｄ，電子輸送層１３Ｅおよび電子注入層１３Ｆを、第１電極１２の側からこの順に積層した構成を有する。 - 特許庁
  • With the laminate for the battery outer package laminated with an outer layer, an aluminum foil and an inner layer in that order, a first lubricant layer is provided on an outermost surface of the outer layer and a second lubricant layer is provided on the outermost layer of the inner layer.
    外層、アルミニウム箔、内層の順に積層された電池外装用積層体において、前記外層の最表層に第１滑性層を備え、前記内層の最表層に第２滑性層を備えたことを特徴とする電池外装用積層体。 - 特許庁
  • In the optical recording medium comprising at least a resin substrate, a recording layer containing an organic dye and a reflective layer, the reflective layer has a first reflective layer and a second reflective layer in this order from the side close to the recording layer, the second reflective layer has a lower thermal conductivity than the first reflective layer, and the first reflective layer is thicker than the second reflective layer.
    本発明は、少なくとも樹脂基板、有機色素を含む記録層、及び反射層を有する光記録媒体であって、前記反射層が、前記記録層に近い側から第一反射層と第二反射層とをこの順で有し、前記第二反射層の熱伝導度が前記第一反射層の熱伝導度よりも低く、かつ、前記第一反射層の膜厚が前記第二反射層の膜厚よりも厚いことを特徴とする光記録媒体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
  • The first part faces a bottom-end part 4A of the p-type base layer across a first part of a gate insulating film.
    第１の部分は、ゲート絶縁膜の第１の部分を介してｐ形ベース層の底端部４Ａに対向する。 - 特許庁
  • The first phosphor solution is cured to form a first fluorescent layer 130 by performing a curing process.
    硬化工程を行って第１の蛍光体溶液を硬化させて第１の蛍光層１３０を形成する。 - 特許庁
  • The first doped region is disposed vertically between the first crystalline damage layer and the top surface of the substrate.
    第１ドープ領域は、第１結晶損傷層と基板の上表面との垂直方向の間に配置される。 - 特許庁
  • First, a substrate film 30, a first film, a releasable film and a second film are formed in this order on a recording gap layer 9.
    まず、記録ギャップ層９の上に、下地膜３０、第１の膜、剥離膜、第２の膜が順に形成される。 - 特許庁
  • The first contact and second contact are electrically connected at a height equal to or above an upper surface of the first insulating layer.
    第１コンタクトと第２コンタクトとは第１絶縁層の上面以上の高さにおいて電気的に接続する。 - 特許庁
  • The first insulator layer is provided between at least part of the first and second post parts and the semiconductor laminate.
    第１絶縁層は第１、第２柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。 - 特許庁
  • The first well is formed in a first conductivity type region formed in the surface layer region of the top face of the step section.
    第１ウェルは、ステップ部の上面の表層領域に形成された第１導電型の領域である。 - 特許庁
  • A first reflector layer (112, 152, 210) is operable to reflect a signal at substantially the first frequency.
    第１の反射層（１１２、１５２、２１０）は信号を略第１の周波数で反射するように作用し得る。 - 特許庁
  • The first terminal electrode 1 includes a resistance layer 4, having larger resistivity than those of the first internal electrodes 21 and 22.
    第１の端子電極１は、第１の内部電極２１、２２より抵抗率が大きい抵抗層４を含む。 - 特許庁
  • The frame inner surface, which is located on the side of a first room A with respect to the rebate groove 2, is covered with a first surface layer material 5.
    戸じゃくり溝２より第１の部屋Ａ側に位置した枠内面に第１表層材５を被着する。 - 特許庁
  • The first inductor 200 is disposed on one surface of the first insulating layer 100, and formed of a spiral conductive pattern.
    第１インダクタ２００は、第１絶縁層１００の一面に位置しており、渦巻状の導電パターンからなる。 - 特許庁
  • The first doped region is disposed vertically between the first crystalline damage layer and the top surface of the substrate.
    第１ドープ領域は、第１結晶損傷層と基板の上表面との垂直方向の間に配置される。 - 特許庁
  • The first crystalline damage layer has a first plurality of voids surrounded by the semiconductor material of the substrate.
    第１結晶損傷層は、基板の半導体材料によって取り囲まれた第１の複数のボイドを有する。 - 特許庁
  • A first conductivity first well is formed in the area of one part of the surface layer for a semiconductor substrate.
    半導体基板の表層部のうち一部の領域に第１導電型の第１のウェルが形成されている。 - 特許庁
  • The auxiliary electrode portions are electrically conducted with the first electrode layer and extend in a second direction perpendicular to the first direction.
    補助電極部は、第１電極層と導通し、第１方向と直交する第２方向に延在する。 - 特許庁
  • The liquid crystal-polymer composite film is installed on one side of the first alignment layer, and a first lens is formed.
    液晶及び高分子複合フィルムを第１配向層の片側に設置するとともに、第１レンズを形成する。 - 特許庁
  • The multi-layer film structure includes two first regions 110 and a second region 120 sandwiched between those first regions.
    多層膜構造は、2つの第一の領域110と、これら第一の領域で挟まれる第二の領域120を含む。 - 特許庁
  • A first electrode layer 17 forms Schottky junctions in the first region 15a and the third region 15c.
    第１の電極層１７は第１の領域１５ａおよび第３の領域１５ｃにショットキ接合を成す。 - 特許庁
  • A first interlayer insulation film 2 is formed in a silicon substrate 1, wherein a first wiring layer 3 is buried.
    シリコン基板１に第１の層間絶縁膜２を形成しこれに第１の配線層３を埋め込み形成する。 - 特許庁
  • A first nitride semiconductor layer 16 is formed by ELOG growth using a first protective film 14.
    第１窒化物半導体層１６は、第１保護膜１４を用いてＥＬＯＧ成長によって形成されている。 - 特許庁
  • A first clad layer 5 is provided on the first area 3a and the second area 3b of the GaAs substrate 3.
    第１のクラッド層５は、ＧａＡｓ基板３の第１および第２の領域３ａ、３ｂ上に設けられている。 - 特許庁
  • A side wall layer for reducing width of intervals defined by the first mask is formed on the first mask.
    第１のマスクによって定められる間隔の幅を低減させる側壁層が、第１のマスクの上に形成される。 - 特許庁
  • A resin coating is applied to the first side face 21A of a first collar 21 and cured to form a coating layer 8A.
    第一鍔部２１の第一側面２１Ａに樹脂のコーティング・硬化を行い、被覆層８Ａを形成する。 - 特許庁
  • A first layer 13 is formed, by injecting a first polymerizable composition into a hollow tube 30 and polymerizing the composition.
    中空管３０の中に、第１の重合成化合物を注入し、重合させて第１層１３を形成する。 - 特許庁
  • The electric field relaxing region 8 is arranged in the first drift layer 2 so as to be adjacent to the first well region 4a.
    電界緩和領域８は、第１ウェル領域４ａに隣接するように第１ドリフト層２に配置される。 - 特許庁
  • The first display layer 41 is driven based on image data to display a first image according to the image data.
    第１表示層４１は、画像データに基づいて駆動されて、画像データに応じた第１画像が表示される。 - 特許庁
  • A portion of the first covering sheet 4 has air permeability and the first covering material 4 is positioned at the side of the heat-generating composition layer.
    第１の被覆シート４は、その一部に通気性を有しかつ前記の層の側に配置されている。 - 特許庁
  • Further, the first main surface 11A of the first metal layer 11 is formed as a smooth surface where little irregularities exist.
    また、第１金属層１１の第１主面１１Ａは、凹凸の極めて少ない平滑面に形成されている。 - 特許庁
  • The hollow part below the first semiconductor layer is filled with a first conductive film 19 formed of a conductive material.
    第１の半導体層の下の空洞内を、導電材料からなる第１の導電膜１９で埋め込む。 - 特許庁
  • The first mirror layer 110 reflects at least a portion of the light produced by the first active organic material.
    第１ミラー層（１１０）は第１活性有機物質によって発生される光の少なくとも一部を反射する。 - 特許庁
  • A predetermined fill is applied up to the same height as the first layer at the back of the first wall face material on the rear side.
    次に裏側の第一壁面材の背後に第１層目と同じ高さまで所定の盛土を行う。 - 特許庁
  • The N-type organic composite layer includes a first polymer and a plurality of conductive particles mixed with the first polymer.
    前記Ｎ型有機複合層は、第一ポリマー及び該第一ポリマーに混合される複数の導電粒子を含む。 - 特許庁
  • The viewing-angle-adjustable device comprises a first substrate, a first electrode, a liquid crystal layer, a second electrode and a second substrate.
    視角調整デバイスは、第1の基板、第1の電極、液晶層、第2の電極、および第2の基板を備える。 - 特許庁
  • After forming a first insulation layer 5 on first wiring 3, an etching-resistant film 6 is formed thereon.
    第１の配線３の上に第１の絶縁層５を形成した後に、その上に耐エッチング膜６を形成する。 - 特許庁
  • A sacrificial layer (314) is formed over the sacrificial first gate, the source and drain, the first region, and the second region.
    犠牲第１ゲート、ソース／ドレイン、第１の領域、および第２の領域の真上に犠牲層（３１４）が形成される。 - 特許庁
  • A first electrode pattern layer 12a composed of a second paint is formed on the surface of the first green sheet 10a.
    第１グリーンシート１０ａの表面に第２塗料から成る第１電極パターン層１２ａを形成する。 - 特許庁
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