「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 81 82 83 84 85 86 87 88 89 .... 489 490 次へ＞- A selection ratio K is acquired from the etching amount of the first semiconductor region and the etching amount of the first mask layer.
第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量から選択比Ｋを得る。 - 特許庁 - The first electrodes contact the first semiconductor layer at the regions opposite to the flat portions of the second surface.
第１電極は、第２面のうちの、平坦部分の反対側の領域において第１半導体層と接する。 - 特許庁 - A first mask is formed over the etch layer and the first mask defines a plurality of spaces with widths.
第１のマスクが前記エッチレイヤ上に形成され、前記第１のマスクは、幅を有する複数のスペースを定義する。 - 特許庁 - A second electrode 120 is positioned in a first wiring layer 102 where the plurality of the first electrodes 110 are positioned.
第２電極１２０は複数の第１電極１１０と同一の第１配線層１０２に位置している。 - 特許庁 - A first photomask is used first to form a gate line 1, a gate electrode 1a, and a source line lower-layer part 3a.
まず、第１のフォトマスクを用いて、ゲート線１、ゲート電極１ａ及びソース線下層部３ａを形成する。 - 特許庁 - A light emitting layer 66 is formed between the first electrode 61 and a second electrode 62 facing the first electrode 51.
第１電極６１とこれに対向する第２電極６２との間には発光層６６が形成される。 - 特許庁 - First silicide films 31a and 31b are formed in the upper layer part of the first gate electrodes 15a and 16a.
第１のシリサイド膜３１ａ，３１ｂが第１のゲート電極１５ａ，１６ａの上層部に形成されている。 - 特許庁 - The wiring layer 50 includes each wiring part 54 and each first connecting part 52 connected with the first circuit element 30.
配線層５０は、第１の回路素子３０が接続される第１の接続部５２および配線部５４を含む。 - 特許庁 - Outer layer wear 7 is provided with each neck side end line 800, each first shoulder line 100, right and left sleeves and each first side end line 600.
外層ウエア7は、ネック側端部ライン800、第一の肩ライン100、左右の袖、第一の側端部ライン600を備える。 - 特許庁 - In the method, a first photovoltaic (PV) cell including a negative electrode, a first dye layer, and a positive electrode is formed.
上記方法では、陰極、第１の色素層および陽極を含む第１の光電池（ＰＶ）セルを形成する。 - 特許庁 - The first crystalline damage layer includes a plurality of first voids surrounded by the semiconductor material of the substrate.
第１結晶損傷層は、基板の半導体材料によって取り囲まれた第１の複数のボイドを有する。 - 特許庁 - The method is to comprise a process of manufacturing a first semiconductor layer including a layer where a lattice constant is different from a substrate on the substrate, a process of forming a porous layer on the surface of the first semiconductor layer, and a process of laminating a second semiconductor layer that is the same as the lattice constant of a first semiconductor layer surface, before forming a porous layer on the porous.
本発明は、基板上に基板とは格子定数の異なる層を含んだ第一の半導体層を作製する工程と、該第一の半導体層の表面に多孔質層を形成する工程と、該多孔質上に多孔質化する前の該第一の半導体層表面の格子定数と同じ第二の半導体層を積層する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This device 100 contains a first wiring layer 20, an interlayer insulating layer 30 formed on the first wiring layer 20, a second wiring layer 60 formed on the interlayer insulating layer 30, a plurality of through-holes 40 for connecting the first wiring layer 20 and the second wiring layer 60, and contact layers 50 formed in the plurality of through-holes 40.
半導体装置１００は、第１の配線層２０と；第１の配線層２０の上に形成された層間絶縁層３０と；層間絶縁層３０の上に形成された第２の配線層６０と；第１の配線層２０と第２の配線層６０とを接続するための複数のスルーホール４０と；複数のスルーホール４０内に形成されたコンタクト層５０と；を含んでいる。 - 特許庁 - A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.
ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁 - The transistor comprises a semiconductor substrate of first conductivity type, a collector layer of first conductivity type that is formed on the semiconductor substrate and is lower in impurity concentration than the semiconductor substrate, a base layer of second conductivity type that is formed on the collector layer, and emitter layer of first conductivity type that is formed on the base layer, and a conductivity film covering the sides of the collector layer and the base layer.
第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に形成され、半導体基板より不純物濃度が低い第１導電型のコレクタ層と、コレクタ層の上に形成される第２導電型のベース層と、ベース層の上に形成される第１導電型のエミッタ層と、コレクタ層及びベース層の側面を覆う導電性膜とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The peeling method includes a process for forming a first layer containing a first material on a substrate; a process for forming a second layer containing a second material on the first layer; a process for forming the layer to be peeled on the second layer; and a process for performing heat treatment or the irradiation of laser beams for separating the substrate from the layer to be peeled by using the compressive stress of a second layer.
基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。 - 特許庁 - Between the Ni plated layer 6 and the Au plated layer 7, a first intermediate plated layer 8 having a less noble metal than Au with respect to reference electrode potential is formed in contact with the Au plated layer, and a second intermediate plated layer 9 having a more noble metal than the metal in the first intermediate plated layer with respect to the reference electrode potential is formed in contact with the first intermediate plated layer 8.
Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層８がＡｕめっき層に接して、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層９が第一中間めっき層８に接してそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - The active matrix substrate (100) includes first wiring (124), an insulating layer (130) covering the first wiring (124), a semiconductor layer (140) provided on the insulating layer (130) and overlapped with the first wiring (124), an etching stopper layer (142) provided on the semiconductor layer (140), and second wiring (154) crossing the semiconductor layer (140).
本発明によるアクティブマトリクス基板（１００）は、第１配線（１２４）と、第１配線（１２４）を覆う絶縁層（１３０）と、絶縁層（１３０）上に設けられ、第１配線（１２４）と重なる半導体層（１４０）と、半導体層（１４０）上に設けられたエッチストッパ層（１４２）と、半導体層（１４０）と交差する第２配線（１５４）とを備える。 - 特許庁 - A suspension circuit substrate 1 includes a metal support substrate 12; a first insulating layer 11 disposed on the metal supporting substrate 12 and constituted of an insulating material; a conductive layer 10 disposed on the first insulating layer 11 and constituting a wiring; and a second insulating layer 13, disposed on the first insulating layer 11 and conductor layer 10 and constituted of an insulating material.
サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。 - 特許庁 - In a gas discharge display device having a dielectric layer 17b which covers electrodes arranged in a row on a substrate and extending to the whole area of a display region, the dielectric layer is made as a laminate consisting of a first layer 171 composed of silicon dioxide and a second nitride layer 172 denser and thinner than the first layer, and the first layer is formed by chemical vapor deposition.
基板上に配列された電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層１７ｂを有したガス放電表示デバイスにおいて、誘電体層を二酸化ケイ素からなる第１層１７１とそれより緻密で且つ薄い窒素化合物の第２層１７２との積層体とし、第１層を化学気相成長法によって形成する。 - 特許庁 - An upper layer is composed of a first short-circuiting metal layer 3 with a slit and a first strip line 4 locating one terminal inside the slit of this first short-circuiting metal layer 3, and a middle layer is composed of a flat matching element 5 positioned almost in the center of the middle layer and a ground metal layer 6 positioned around this matching element 5.
上層は、切り込みを入れた第１短絡金属層３とこの第１短絡金属層３の切り込みの内側に一端が配置された第１ストリップ線路４から構成され、中層は、中層の略中央に位置する平板状の整合素子５とこの整合素子５の周囲に位置する接地金属層６から構成されている。 - 特許庁 - In the inkjet recording medium, a refractive index of a first layer provided in an appreciation surface of the metal layer is different from that of a second layer provided on the appreciation surface of the first layer, and a thickness of the first layer (different refractive layer) is a value, which is a quarter integral number of a wavelength range of a visible light ray.
金属層の鑑賞側の面上に設けられた第一の層の屈折率がこの第一の層の鑑賞側の面上に設けられた第二の層と屈折率が異なっており、且つ第一の層（異屈折率層）の厚さが可視光線の波長範囲の１／４の整数倍の値であることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁 - The thermoplastic resin layer Cs is composed of a first protective layer Cs1 and a second protective layer Cs2 laid sequentially on the support Bs. (1) A thermoplastic resin forming the first protective layer Cs1 has a higher glass transition temperature than a thermoplastic resin forming the second protective layer Cs2, or (2) inorganic particles are contained in the first protective layer Cs1.
該熱可塑性樹脂層Ｃｓは、支持体Ｂｓ上に順次積層された第１保護層Ｃｓ１及び第２保護層Ｃｓ２からなり、（１）第１保護層Ｃｓ１を形成する熱可塑性樹脂の方が、第２保護層Ｃｓ２を形成する熱可塑性樹脂よりもガラス転移温度が高いか、又は（２）第１保護層Ｃｓ１に無機粒子が含有されている。 - 特許庁 - The intermediate transferring medium for inkjet recording having the second ink absorbing layer and the first ink absorbing layer in this order on a substrate is characterized by forming releasably the first ink absorbing layer from the intermediate transferring medium, and providing furthermore a hydrophobic layer on the upper layer of the first ink absorbing layer.
支持体上に第二のインク吸収層、及び第一のインク吸収層をこの順に有するインクジェット記録用中間転写媒体であって、第一のインク吸収層が中間転写媒体から剥離可能に形成され、さらに第一のインク吸収層の上層に疎水性層を設けたことを特徴とするインクジェット記録用中間転写媒体。 - 特許庁 - A manufacturing method of a multilayer film comprises: a step of forming a first layer (CoFeB); a step of forming a second layer (MgO) on the first layer (CoFeB); and a step of transferring crystal information of the second layer (MgO) to the first layer (CoFeB) by irradiating a surface of the second layer (MgO) with GCIB.
実施形態に係わる多層膜の製造方法は、第１の層（ＣｏＦｅＢ）を形成する工程と、第１の層（ＣｏＦｅＢ）上に第２の層（ＭｇＯ）を形成する工程と、第２の層（ＭｇＯ）の表面に対してＧＣＩＢ照射を行うことにより、第２の層（ＭｇＯ）の結晶情報を第１の層（ＣｏＦｅＢ）に転写する工程とを備える。 - 特許庁 - Even in the case where the second conductive layer including the conductive particle and the resin is formed on the first conductive layer, the step of irradiation with the laser beam can increase the portion where the first conductive layer and the second conductive layer are in contact with each other and suppress the poor electrical connection between the first conductive layer and the second conductive layer.
レーザービームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 - 特許庁 - In the sheet S for decorative molding having the first layer 1 formed from the transparent thermoplastic resin and the second layer 2 formed from the polyolefinic resin, the second layer is formed as multilayered constitution of at least two or more layers, no filler is added to the side facing to the first layer, and a filler is added to the other layer not facing to the first layer.
表側から順に、透明な熱可塑性樹脂の第一層１とポリオレフィン系樹脂の第二層２を有する構成の加飾成形用シートＳに対して、その第二層を少なくとも２層以上の多層構成とし、且つそのうちの第一層に面する側は充填剤を無添加とし、第一層に面しない他の層に充填剤を添加する。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes: a conductive substrate 1; a first clad layer 2 of a first conductivity type, comprising a nitride semiconductor and formed on the conductive substrate 1; an active layer 4 formed on the first clad layer 2; and a second clad layer 6 of a second conductivity type formed on the active layer 4, wherein an optical waveguide 7 is formed in the second clad layer 6.
導電性基板１と、導電性基板１上に形成された窒化物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に形成された活性層４と、活性層４上に形成された第２導電型の第２クラッド層６とを備え、第２クラッド層６に光導波路７が形成される。 - 特許庁 - A second insulating layer 46 is provided in an opening part installed so as to penetrate the first electrode layer 42 and the first insulating layer 43, and the second insulating layer 46 is installed with the opening part having such a taper that an opening area becomes gradually smaller as it goes toward the second electrode layer 44 side from the first electrode layer 42 side.
第１の電極層４２と第１の絶縁層４３を貫通するように設けられた開口部内に、第２の絶縁層４６を備えており、この第２の絶縁層４６には、第１の電極層４２側から第２の電極層４４側に向かうにつれて開口面積が徐々に小さくなるようなテーパーを有する開口部が設けられている。 - 特許庁 - A wavelength transformation part 3 has a first layer which is piled on the face of a glass plate 2 for emitting a blue light and transforms the blue light into a green light, a second layer which is piled on the first layer and transforms the green light into a red light, and the third layer which is piled on the first layer or the second layer and composed of a material which absorbs the ultraviolet light.
波長変換部３は、ガラスプレート２の青色光の出射面に堆積され、青色光を緑色光に変換する第１層と、その第１層に堆積され、緑色光を赤色光に変換する第２層と、第１層又は第２層に堆積され、紫外線を吸収する材料から構成した第３層とを有する。 - 特許庁 - The elliptical polarization plate has at least a first polarizer, a first optical anisotropy layer, a second optical anisotropy layer and a third optical anisotropy layer, laminated in this order, wherein the first optical anisotropy layer satisfies the relations [1] to [3], the second optical anisotropy layer satisfies the relations [4] and [5] and the third optical anisotropy layer satisfies the relations [6] to [8].
少なくとも第１の偏光子、第１の光学異方性層、第２の光学異方性層および第３の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板であって、第１の光学異方性層が［１］〜［３］を満たし、第２の光学異方性層が［４］、［５］を満たし、第３の光学異方性層が［６］〜［８］を満たす楕円偏光板。 - 特許庁 - The display part protection panel includes a substrate and an ink layer, wherein the substrate is made of a transparent material and has a first surface where the ink layer is formed, and the ink layer is transparent and formed at least in two colors, and includes a first ink layer and a second ink layer of which a part is overlapped with the first ink layer.
基板及びインク層を含み、前記基板は、透明な材料から製造され、且つ前記インク層が形成された第一表面を含み、前記インク層は、透明であり、少なくとも２つの色から形成され、第一インク層と、一部分が前記第一インク層と重なっている第二インク層と、を含む表示部保護パネルをを提供する。 - 特許庁 - This semiconductor device includes a first layer, a second layer provided on a principal plane of the first layer, a conductive columnar structure which penetrates the principal plane and extends to the first layer and the second layer, and a side section attached to a side wall of the columnar structure in a second layer side of the principal plane.
第１層と、前記第１層の主面の上に設けられた第２層と、前記主面を貫通し、前記第１層と前記第２層とに延在する導電性の柱状構造体と、前記主面の前記第２層の側において前記柱状構造体の側壁に付設された側部と、を備えたことを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method for a layer pattern comprises a step (a) forming a first layer located on a substrate and a second layer located on the first layer thereby forming a region partitioned by the first layer and the second layer on the substrate, and a step (b) discharging a liquid material from the discharge part of a discharge device to the above region.
層パターン製造方法は、基板上に位置する第１の層と前記第１の層上に位置する第２の層とを形成することで、前記第１の層と前記第２の層とによって区画された領域を前記基板上に形成するステップ（ａ）と、吐出装置の吐出部から前記領域に液状の材料を吐出するステップ（ｂ）と、を含む。 - 特許庁 - The capacitor portion includes: a first electrode layer formed on a substrate; a dielectric film 4 formed on the first electrode layer; an insulating layer 6 which is in contact with a surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 and forms an opening 6a: and a second electrode layer 5 in contact with the dielectric film 4 and the insulating layer 6 in the opening 6a.
キャパシタ部が、基板上に形成された第１電極層と、第１電極層上に形成された誘電体膜４と、誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面に接し、開口６ａを形成している絶縁層６と、開口６ａ内で誘電体膜４及び絶縁層６に接する第２電極層５とを有する。 - 特許庁 - This magnetic recording medium includes a structure obtained by magnetically coupling, in a counterparallel state, the first magnetic layer and the second magnetic layer across a nonmagnetic bond layer formed therebetween, in which the exchange bond magnetic field Hex of the first magnetic layer is set greater than the coercive force Hc 1 of the first magnetic layer and the coercive force Hc 2 of the second magnetic layer, respectively.
第１磁性層と、第２磁性層とが非磁性結合層を間に介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体であって、前記第１磁性層の交換結合磁界Ｈｅｘ1は、当該第１磁性層の保磁力Ｈｃ1及び第２磁性層の保磁力Ｈｃ2のそれぞれよりも大きく設定されている。 - 特許庁 - A liquid crystal layer 105 is interposed between a first substrate 101 and a second substrate 102, a first scattering layer 108 and a second scattering layer 109 which have light scattering properties different from each other are disposed on the side opposite to the liquid crystal layer 105 of the first substrate 101 and a reflection layer 103 is formed on the liquid crystal layer side of the second substrate 102.
第１基板１０１と第２基板１０２との間に液晶層１０５が挟持され、前記第１基板１０１の前記液晶層１０５と異なる側に光拡散性の異なる第１散乱層１０８と第２散乱層１０９が配置され、前記第２基板１０２の前記液晶層側の面に反射層１０３が形成されている。 - 特許庁 - The heat developable photographic film comprises a film supporting layer (42), a first image forming layer (43) disposed on one face of the layer (42) and processable in a first temperature range and a second image forming layer disposed on the layer (43) or on the other face of the layer (42) and processable in a higher second temperature range than the first temperature range.
感熱現像型写真フィルムを、フィルム支持層(42)と、該フィルム支持層(42)の一方面に設けた、第１温度範囲で処理しうる第１像形成層(43)と、該第１像形成層(43)の上方、または、前記フィルム支持層(42)の他方面に設けた、前記第１温度範囲よりは高い第２温度範囲で処理しうる第２像形成層とで構成する。 - 特許庁 - A semiconductor device, nMOS SGT220, is constituted from a first n^+ type silicon layer 113, a first gate electrode 236 containing metal, and a second n^+ type silicon layer 157, which are collaterally arranged on a first columnar silicon layer 232 vertically arranged on a first planar silicon layer 234.
本発明の半導体装置は、ｎＭＯＳ ＳＧＴ２２０であり、第１の平面状シリコン層上２３４に垂直に配置された第１の柱状シリコン層２３２表面に並んで配置された、第１のｎ^＋型シリコン層１１３と、金属を含む第１のゲート電極２３６と、第２のｎ^＋型シリコン層１５７とから構成される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a first main electrode, a first semiconductor layer, a first-conductive-type base layer, a second-conductive-type base layer, a second semiconductor layer of a first conductive type, buried layers of a second conductive type, buried electrodes, gate insulating films, gate electrodes, and a second main electrode.
実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、第１の半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、第１導電形の第２の半導体層と、第２導電形の埋め込み層と、埋め込み電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第２の主電極とを備えた。 - 特許庁 - A first electrode 21, a first oxide layer 22 formed on the first electrode 21 and which stores information by utilizing two resistive states, a current control layer 23 including a second oxide material formed on the first oxide layer, and a second electrode 24 formed on the current control layer 23 are provided.
第１電極２１と、第１電極２１上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層２２と、第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層２３と、電流制御層２３上に形成される第２電極２４と、を備える。 - 特許庁 - The field effect transistor includes: a first semiconductor layer 19; a gate electrode 24 formed by means of a Schottky junction with the first semiconductor layer 19 on the first semiconductor layer 19; and ohmic electrodes 22, 23 formed on both sides of the gate electrode 24 on the first semiconductor layer 19.
電界効果トランジスタは、第１の半導体層１９と、第１の半導体層１９の上に第１の半導体層１９とショットキー接合して形成されたゲート電極２４と、第１の半導体層１９の上におけるゲート電極２４の両側方に形成されたオーミック電極２２、２３とを備えている。 - 特許庁 - The excitation electrode (21) is provided with an underlayer (25) formed on a surface of the piezoelectric piece; a first gold (Au) layer (26), formed on a surface of the under layer by using a first film formation method; and a second gold layer (27) formed on a surface of the first gold layer by using a second film formation method different from the first film formation method.
その励振電極（２１）は、圧電片の表面に形成された下地層（２５）と、下地層の表面に第１成膜方法を使って形成される第１金（Ａｕ）層（２６）と、第１金層の表面に第１成膜方法とは異なる第２成膜方法を使って形成される第２金層（２７）と、を備える。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device comprises: a step (a) of forming a first insulating layer 104 containing silicon oxide on a semiconductor substrate 101; a step (b) of forming a first metal layer 105 on the first insulating layer 104; and a step (c) of forming a gate electrode 108 on the first metal layer 105.
半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、シリコン酸化物を含む第１絶縁層１０４を形成する工程（ａ）と、第１絶縁層１０４上に第１金属層１０５を形成する工程（ｂ）と、第１金属層１０５上にゲート電極１０８を形成する工程（ｃ）とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 comprises a plurality of first power wirings 11 (12) formed in a first wiring layer M1, a plurality of second power wiring portions 21 (22) formed in a first wiring layer M4, and a plurality of vias 31 (32) for connecting the first layer M1 to the second layer M4.
本発明に係る半導体装置１は、第１配線層Ｍ１中に形成された複数の第１電源配線１１（１２）と、第２配線層Ｍ４中に形成された複数の第２電源配線２１（２２）と、第１配線層Ｍ１と第２配線層Ｍ４を接続する複数のビア３１（３２）とを備える。 - 特許庁 - A power semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of the first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; a fourth semiconductor layer 4 of the second conductivity type; a first main electrode 5; and a second main electrode 6.
本発明の実施形態の電力用半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層１と、第１導電形の第２の半導体層２と、第２導電形の第３の半導体層３と、第２導電形の第４の半導体層４と、第１の主電極５と、第２の主電極６と、を備える。 - 特許庁 - A first conductive layer containing aluminum as a major component is formed on a substrate, a second conductive layer is formed including a material different from the relevant first conductive layer on the first conductive layer, and the first and second conductive layers are patterned to form gate electrodes.
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、前記第１の導電層上に当該第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - A first opening 41 provided in a first insulating layer 31 formed on a first wiring layer 21 and a second opening 42 provided in a second insulating layer 32 formed on the first insulating layer 31 have each such a shape as to be surrounded by a peripheral edge not having a sharp angle in an interior angle of a circle or the like.
第一の配線層２１上に形成された第一の絶縁層３１に設けた第一の開口部４１と、第一の絶縁層３１上に形成された第二の絶縁層３２に設けた第二の開口部４２とは、共に円形等の内角部に鋭角部を有さない周縁で囲まれた形状に構成されている。 - 特許庁 - A second signal wire 2 includes the portions 2A, 2C distributed in the first layer whose total length is equal to that of the portions 1A, 1C distributed in the first layer of the first signal wire 1 and the portion 2B distributed in the second layer whose total length is equal to that of the portion 1B distributed in the second layer of the first signal wire 1.
第２の信号配線２は、第１の信号配線１の第１の層に配された部分１Ａ，１Ｃと合計の長さが等しい第１の層に配された部分２Ａ，２Ｃと、第１の信号配線１の第２の層に配された部分１Ｂと合計の長さが等しい第２の層に配された部分２Ｂとを含んでいる。 - 特許庁 - A wavelength conversion element may include a non-linear crystal having a first surface, a first film bonded to the first surface and having at least one layer, and a first prism bonded to the first film.
波長変換装置は、第１面を備える非線形結晶と、前記第１面に接合し、少なくとも１つの層を含む第１膜と、前記第１膜に接合する第１プリズムと、を備えてもよい。 - 特許庁
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