「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 72 73 74 75 76 77 78 79 80 .... 489 490 次へ＞- A first layer of an etchable material is formed on an appropriate substrate.
エッチング可能な材料の第１の層は、適当な基板上に形成される。 - 特許庁 - In addition, the first and second connections 25A and 25B are brought into contact with each other at the intermediate section of the first insulating layer 17A in the thickness direction of the layer 17A.
そして、第1の接続部２５Ａと第２の接続部２５Ｂとは、第1の絶縁層１７Ａの厚み方向に於いて、その中間部にてコンタクトしている。 - 特許庁 - A P^+type first diffusion layer 32 is formed in the surface of an N^-type first base layer 12 across the operation region R1 and the terminating region R3.
動作領域Ｒ１から終端領域Ｒ３に亘って、Ｎ^- 型の第１ベース層１２の表面内にＰ^+ 型の第１拡散層３２形成される。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the micropattern of the semiconductor device, a first mask structure is formed in a first region A of a feature layer 310 and a second mask structure is formed in a second region B of the feature layer.
フィーチャー層３１０の第１領域Ａには第１マスク構造物を形成し、第２領域Ｂには第２マスク構造物を形成する。 - 特許庁 - The first collector layer 30 is provided contiguously to the base region 20.
第１コレクタ層３０は、ベース領域２０に隣接して設けられている。 - 特許庁 - At first, a product structure as a portion of an IC layer pattern is selected 151.
まず、ＩＣ層パターンの一部であるプロダクト構造が選択される１５１。 - 特許庁 - A power supply wiring 105 and a pad 103 are arranged on a first wiring layer.
電源配線１０５とパッド１０３とは第１の配線層に配される。 - 特許庁 - The active layer is provided inside an annular pattern of the first electrode.
活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 - 特許庁 - The second terminal communicates with the first planar metal layer 130-2.
第２端子は第１平面状金属層１３０−２に連絡している。 - 特許庁 - The first terminal communicates with the second planar metal layer 130-1.
第１端子は第２平面状金属層１３０−１に連絡している。 - 特許庁 - A first coil conductor 9 is formed on the second insulation layer 7.
第２絶縁層７上には第１のコイル導体９が形成されている。 - 特許庁 - The element D1 contains a first light-emitting layer 13a at a first position A1, and each of the elements D2, D3 contains a second light-emitting layer 13b at a second position A2.
素子Ｄ１は第１の位置Ａ１に第１の発光層１３ａ、素子Ｄ２、Ｄ３は第２の位置Ａ２に第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁 - Each of the elements D2, D3 contains a first light-emitting layer 13a at a first position A1, and the element D1 contains a second light-emitting layer 13b at a second position A2.
素子Ｄ２、Ｄ３は第１の位置Ａ１に第１の発光層１３ａ、素子Ｄ１は第２の位置Ａ２に第２の発光層１３ｂを含む。 - 特許庁 - A second machining line along the first machining line is formed on the second layer.
第１加工ラインに沿う第２加工ラインが第２層上に形成される。 - 特許庁 - A dielectric layer 70 is formed on the first unit sensor 61.
第１単位センサ６１上には、誘電体層７０が形成されている。 - 特許庁 - The second electrode layer 6 is connected to the first electrode layer 4 through the first slot 34 just as connected in series with other adjoining power generation cells 8.
第２電極層６が、隣接する他の発電セル８に直列接続するように、第１溝３４を介して第１電極層４と接続される。 - 特許庁 - A first conductive layer 68a is provided between the grid and the first spacer 30a, and a second conductive layer 68b is provided between the grid and the second spacer 30b.
グリッドと第１スペーサとの間には第１導電層６８ａが設けられ、グリッドと第２スペーサとの間には第２導電層６８ｂが設けられている。 - 特許庁 - A liquid crystal layer is sandwiched in between the first substrate and the second substrate.
第１の基板と第２の基板との間には液晶層が挟持される。 - 特許庁 - A first cladding layer is formed by performing rear surface polishing of the mesa substrate.
メサ基板を裏面研磨を行うことにより第１クラッド層を形成する。 - 特許庁 - A gallium nitride epitaxial layer 15 is disposed on the first surface 13a.
窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - The first laser structure 12 comprises a contact layer 124 at the top thereof and a first ridge 127 including a projected part 123B of an AlGaInP clad layer 123.
第一レーザ構造体１２は、頂部にコンタクト層１２４を備えるとともに、AlGaInPクラッド層１２３の凸部１２３Ｂを備えた第一リッジ部１２７を有する。 - 特許庁 - A gallium-nitride epitaxial layer 15 is provided on the first surface 13a.
窒化ガリウムエピタキシャル層１５は第１の面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - A gallium nitride epitaxial layer 15 is provided on the first surface 13a.
窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁 - A second layer, formed along the first surface includes a silicon oxide.
第１の表面に沿って形成された第２の層は、シリコン酸化物を含む。 - 特許庁 - The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).
第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁 - The implanted dopant has a first dopant profile 305 in the silicon layer.
注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル305を有する。 - 特許庁 - The first Cu compound layer 22 may be formed to contain Cu_2O.
前記第１銅化合物層２２は、Ｃｕ_２Ｏを含んで形成されてもよい。 - 特許庁 - The first electrode layer 11A includes first projections 3A, 3B, and the second electrode layer 11B includes second projections 4A, 4B and 4C.
第一の電極層１１Ａが第一の突出部３Ａ、３Ｂを備えており、第二の電極層１１Ｂが第二の突出部４Ａ、４Ｂ、４Ｃを備えている。 - 特許庁 - A first electrode 7 is disposed between a first substrate 3 and a liquid crystal layer 6 and a second electrode 8 is disposed between a second substrate 4 and the liquid crystal layer 6.
第１電極７が、第１基板３と液晶層６との間に配置され、第２電極８が、第２基板４と液晶層６との間に配置される。 - 特許庁 - Firstly, a first active layer 30a is grown on a semiconductor substrate 10.
先ず、半導体基板１０上に第１活性層３０ａを成長する。 - 特許庁 - The first and second surface layers comprise a polyethylene terephthalate resin layer.
第一表面層及び第二表面層は、ポリエチレンテレフタレート樹脂層である。 - 特許庁 - The semiconductor layer 14A and the first protective film 15 in a region facing the first wiring layer are removed, and other regions are processed by etching.
第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。 - 特許庁 - The first reflective layer 36 and transparent electrode 36 form an electrode pair.
第１反射層３２と透明電極３６とは電極対を形成する。 - 特許庁 - The wiring layer 3 includes a first part 3A and a second part 3B existing at positions different from each other on the first surface 2a of the insulation layer 2.
配線層３は、絶縁層２の第１の面２ａ上の互いに異なる位置に存在する第１の部分３Ａと第２の部分３Ｂを含んでいる。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a first wiring layer 30 and a plurality of dummy wiring layers 32, which are arranged at the same level as the first wiring layer 30.
半導体装置は、第１の配線層３０と、第１の配線層３０と同じレベルに設けられた、複数のダミー配線層３２とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor substrate layer having a first portion and a second portion is used, and the second portion of this semiconductor substrate layer has a thickness thinner than that of the first portion.
第１部分と第２部分とを有する半導体基板層が使用され、この半導体基板層の第２部分は、第１部分よりも厚さが薄い。 - 特許庁 - The same pattern is formed by lithography in the first polymer or first polymer composition layer and in the second polymer or second polymer composition layer.
続いてリソグラフィーにより第１のポリマー或いは第１のポリマー組成物層及び第２のポリマー或いは第２のポリマー組成物層に同じパターンを形成する。 - 特許庁 - Next, a first current collection layer is formed, on the first board, with a substance constituting catalyst used in the reaction layer in a spewing device 20f.
次に、第１の基板に、吐出装置２０ｆにおいて、反応層において用いられる触媒を構成する物質で第１の集電層を形成する。 - 特許庁 - A first information layer 2 is formed on a substrate 1 and an ultraviolet curing type adhesive sheet 11 is stuck onto the the first information signal layer 2.
基板１上に第１の情報信号層２を形成し、第１の情報信号層２上に紫外線硬化型粘着シート１１を貼り合わせる。 - 特許庁 - In a semiconductor light-emitting element 10, a semiconductor layer 11 has a first surface and a second surface opposite to the first surface and has a multilayer structure including an active layer.
半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。 - 特許庁 - Moreover, the core is constituted independently from both of the first magnetic core which consists of both of the above first layer group, and the second magnetic core which consists of the above second layer group.
また、上記第１の層群から成る第１の鉄心と、上記第２の層群から成る第２の鉄心との両方を備えた構成とする。 - 特許庁 - A second metal coating layer formed of a second metal different from silver and the first metal is formed on the outside surface of the first metal coating layer.
そして、銀および第１の金属と異なる第２の金属からなる第２金属被覆層を第１金属被覆層の外表面に形成する。 - 特許庁 - The first multi-layer structure has an ionizer or an electronic type ion detector.
第１の多層構造はイオナイザまたは電子式イオン検出器を有する。 - 特許庁 - The thickness of a first nickel plating layer 31 is 1.5-2.5 μm.
１回目にかけられるニッケルメッキ層３１の厚さを１．５〜２．５μｍとした。 - 特許庁 - A laser is injected onto the semiconductor layer to form a first doped pattern.
前記半導体層にレーザーを加えて第１ドーピングパターンが形成される。 - 特許庁 - The drain wiring has a first drain electrode part, formed on the first active layer and a second drain electrode part, formed on the second active layer.
ドレイン配線は、第１アクティブ層上に形成された第１ドレイン電極部及び第２アクティブ層上に形成された第２ドレイン電極部を有する。 - 特許庁 - A first antiparallel coupled bias stabilization tab 42 includes a first ferromagnetic bias layer 410 which is disposed over a ruthenium layer 408 and has an end 41.
第１の反平行結合バイアス安定化タブ４２２は、ルテニウム層４０８上に配置され、端部４１２を有する第１の強磁性バイアス層４１０を含む。 - 特許庁 - A gate pad is disposed on the first dielectric layer adjacent the mesa.
ゲートパッドはメサ部に隣接する第一の誘電体層上に配置される。 - 特許庁 - A first nitride semiconductor layer with C surface as a growth surface is formed on a substrate, and a concavoconvex is formed on a surface of the first nitride semiconductor layer.
基板上にＣ面を成長面とする第１の窒化物半導体層を形成し、前記第１の窒化物半導体表面に凹凸を形成する。 - 特許庁 - The second semiconductor layer is formed of a semiconductor alloy, having a composition graded in a direction substantially perpendicular to the first surface of the first semiconductor layer.
第２半導体層は、第１半導体層の第１の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有する半導体合金から形成される。 - 特許庁
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