「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 .... 489 490 次へ＞- The belt reinforcing layer 20 is formed inside a belt edge part 13 of the second belt layer 12 which is a belt layer 10 of the smaller width out of the first belt layer 11 and the second belt layer 12.
また、このベルト補強層２０は、第１ベルト層１１と第２ベルト層１２とのうち幅が狭い方のベルト層１０である第２ベルト層１２のベルトエッジ部１３の内側に形成されている。 - 特許庁 - A separation layer 14 is formed on a silicon substrate 11, on which an SiGe layer 12 as a strain-induced layer and a silicon layer 13 as a strained semiconductor layer are formed, in sequence to building a first base substrate 10.
シリコン基板１１上に分離層１４を形成し、その上に順に歪み誘起層としてＳｉＧｅ層１２、歪み半導体層としてシリコン層１３を形成して第１の基体１０を作成する。 - 特許庁 - This radiation conversion sheet is provided with a support base having at least a first resin layer, a conductive material layer and a second resin layer, and a phosphor layer formed on the surface of the second resin layer.
少なくとも第１の樹脂層、導電性材料層、第２の樹脂層を有する支持基板と、該第２の樹脂層の表面に形成された蛍光体層と、を備えた放射線変換シート。 - 特許庁 - A plurality of pixel electrodes 25 are arranged on the liquid crystal layer 13 side of the second low refractive index layer 32, and an array layer 28 is arranged on the side opposite to the liquid crystal layer 13 side of the first low refractive index layer 31.
複数の画素電極２５は、第２低屈折率層３２の液晶層１３側に配置され、アレイ層２８は、第１低屈折率層３１の液晶層１３と反対側に配置されている。 - 特許庁 - The device has an anode, a photoactive layer, and a cathode, and further, between the anode and the photoactive layer are positioned: a buffer layer; a first hole transport layer; and a second hole transport layer.
このデバイスは、アノード、光活性層、およびカソードを有し、さらにこのアノードと光活性層との間には、 緩衝層、 第１の正孔輸送層、および 第２の正孔輸送層 が配置されている。 - 特許庁 - Hence, a first surface treatment layer 11a, a soldering layer 27a, a second surface treatment layer 21, a metallic base 22, an insulating resin layer 23 and a circuit layer 24 are sequentially laminated on the surface of the cooling unit 11.
即ち、冷却器１１の表面上には、第１表面処理層１１ａ、半田層２７ａ、第２表面処理層２１、金属ベース２２、絶縁樹脂層２３、回路層２４が順に積層されている。 - 特許庁 - An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.
ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁 - The organic EL element 100 is equipped with a hole injection electrode 2, a hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, a first electron transport layer 5, a metal layer 6, a second electron transport layer 7, and an electron injection electrode 8.
有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール輸送層３、発光層４、第一電子輸送層５、金属層６、第二電子輸送層７および電子注入電極８を備える。 - 特許庁 - The same plane right-angle bending waveguide 10 comprises a lower clad layer 12, a core layer 13, a first upper clad layer 14, a metal layer 15, and a second upper clad layer 16 on a substrate 11 in this order.
本発明に係る同一面直角曲げ導波路１０は、基板１１上に、順に下部クラッド層１２、コア層１３、第１上部クラッド層１４、メタル層１５、第２上部クラッド層１６を備える。 - 特許庁 - A first metal compound layer 212 (silicide layer) is formed on a surface of the gate electrode 210, and a second metal compound layer 222 (silicide layer) is formed on a surface of the diffusion layer region 220.
ゲート電極２１０の表面には第１金属化合物層２１２（シリサイド層）が形成されており、拡散層領域２２０の表面には第２金属化合物層２２２（シリサイド層）が形成されている。 - 特許庁 - A filter layer 3 and a buffer layer 4 are successively laminated on a first main face 2 of a semiconductor substrate 1, and island-shaped light- absorbing layer 5 and window layer 6 are laminated on the buffer layer 4.
半導体基板１の第１主面２上に、フィルタ層３及びバッファ層４が順次積層され、さらにバッファ層４の上に島状の光吸収層５及び窓層６が積層されている。 - 特許庁 - The photomask 30 is configured by sequentially forming on a substrate 32 a heat dissipation layer 33, a first protective layer 34, a recording layer 35, a second protective layer 36 and a light transmissive layer 37 in the shape of a laminate.
フォトマスク３０は、基板３２上に放熱層３３、第１保護層３４、記録層３５、第２保護層３６、及び光透過層３７を順次積層状に形成することによって構成されている。 - 特許庁 - An n-type clad layer 12 (a first conductivity type semiconductor layer), an active layer 14, a p-type clad layer 16 (a second conductivity type semiconductor layer) are stacked in this order on a GaAs substrate 10 (semiconductor substrate).
ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型クラッド層１２（第１導電型半導体層）、活性層１４、ｐ型クラッド層１６（第２導電型半導体層）を順番に積層する。 - 特許庁 - Lattice constant of the multiplication layer 103 in lattice relaxation state is different from those of the first semiconductor layer 102, the field control layer 104, the light absorption layer 105, and the second semiconductor layer 106.
増倍層１０３の格子緩和状態の格子定数は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４，光吸収層１０５，および第２半導体層１０６とは異なるものとする。 - 特許庁 - This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.
抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁 - This multipiece solid golf ball 10 is constituted by covering a solid core 12 having an inner layer 16, an intermediate layer 18 composed of a first layer 18a and a second layer 18b and an outer layer 20 with a cover 14.
内層１６、第１層１８ａおよび第２層１８ｂからなる中間層１８、および外層２０を有するソリッドコア１２をカバー１４で被覆してマルチピースソリッドゴルフボール１０を構成する。 - 特許庁 - A first set of breakdown voltage structure counted from the side of an n-type contact layer 130 is constituted with a double-layer semiconductor layer formed of non-doped semiconductor layer 141, and doped semiconductor layer 142.
なお、この無添加半導体層１４１と添加半導体層１４２の２層の半導体層によって、ｎ形コンタクト層１３０の側から数えて１組目の本発明の耐電圧構造が構成される。 - 特許庁 - The n-type DBR layer 12 is formed by alternately laminating an n-type InP layer 12a (first semiconductor layer) with low refractive index and an n-type InGaAs layer 12b (semiconductor layer) with high refractive index.
ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。 - 特許庁 - (b): The process in which a reinforcing layer 24 (34) is arranged on the coating liquid layer formed in the process (a), then the first catalyst layer 22 (the second catalyst layer 32) is formed by drying the coating liquid layer.
（ｂ）工程（ａ）で形成された塗工液層の上に、補強層２４（３４）を配置した後、前記塗工液層を乾燥させて第１の触媒層２２（第２の触媒層３４）を形成する工程。 - 特許庁 - At first, an effective layer is formed on a substrate, a gate insulating layer having a center area, a shield area and an extension area defined on the surface is formed on the effective layer, and a gate layer is formed on the gate insulating layer.
まず基板上に有効層を形成し、有効層上に、表面上にセンターエリア、遮蔽エリア、延伸エリアが定義されたゲート絶縁層を形成し、そのゲート絶縁層上にゲート層を形成する。 - 特許庁 - The heavy corrosion-proof coated steel material has a first primer layer 2, a clay film layer 3, a second primer layer 4 and a resin layer 5 composed of a polyurethane or an olefinic resin layer which are successively laminated on a steel material 1.
鋼材１上に、第１プライマー層２、粘土膜層３、第２プライマー層４、及び、ポリウレタン樹脂層またはポリオレフィン樹脂層からなる樹脂層５を順次積層した重防食被覆鋼材。 - 特許庁 - A mold surface layer 2 is constituted of three layers, and the thermal expansion coefficient of a second layer 10 as an intermediate layer is set smaller than the thermal expansion coefficient of a first layer 5 and larger than the thermal expansion coefficient of a third layer 15.
型表層２を３層で構成し、中間の第２層１０の熱膨張率を、第１層５の熱膨張率より小さく且つ第３層１５の熱膨張率より大きく設定した。 - 特許庁 - The multi-sensor touchpad C sequentially includes a protective layer 20, a first trace layer 21, an insulation layer 22, a multi-sensor layer 23, a space dot layer 24, a conductive film 25 and a substrate 26.
本発明はマルチセンサタッチパッドＣを提供するものであり、順番に、保護層２０、第１のトレース層２１、絶縁層２２、マルチセンサ層２３、スペースドット層２４、導電膜２５および基板２６が設けられる。 - 特許庁 - After a separation layer 29 made of an inorganic insulating material is formed from an upper shield layer 27 through a space T2 to a first metal layer 28, a resist layer 70 is deposited on the separation layer 29.
上部シールド層２７上から間隔Ｔ２内及び第１金属層２８上にかけて無機絶縁材料からなる分離層２９を成膜した後、前記分離層２９上にレジスト層７０を塗布する。 - 特許庁 - The electron transport layer is produced, by laminating a layer (first electron transport layer 14d-1), containing a dibenzoimidazole derivative of general formula (1) and a layer (second electron transport layer 14d-2) containing a benzimidazole derivative.
この電子輸送層は、下記一般式（１）のジベンゾイミダゾール誘導体を含む層（第１電子輸送層１４ｄ-1）と、ベンゾイミダゾール誘導体を含む層（第2電子輸送層１４ｄ-2）とを積層してなる。 - 特許庁 - A buffer layer 52, a lower electrode layer 53, a first infrared ray absorbing layer 54a, a second infrared ray absorbing layer 54b, and an upper electrode layer 55, are formed on a GaAs semiconductor substrate 51.
ＧａＡｓ半導体基板５１の上に、バッファ層５２、下部電極層５３、第１の赤外線吸収層５４ａ、第２の赤外線吸収層５４ｂ及び上部電極層５５を形成する。 - 特許庁 - The carbon layer 7 is formed with a resin carbon paste, and the conductor layer is composed of a first conductor layer 6 formed on the carbon layer and a second conductor layer 5 formed thereon.
カーボン層７は樹脂カーボンペーストによって形成され、導電体層は、カーボン層の上に形成された第１の導電体層６と、その上に形成された第２の導電体層５とからなる。 - 特許庁 - This thin-film capacitor has a dielectric layer between a first electrode layer and a second electrode layer, and the dielectric layer has a Ta oxide film layer containing C.
第１の電極層と第２の電極層の間に誘電体層が形成されてなる薄膜キャパシタであって、前記誘電体層は、Ｃを含むＴａ酸化膜層を有することを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first conductive drain layer 11, an epitaxial layer 12 formed on the drain layer 11, and a second conductive base layer 13 formed on the surface of the epitaxial layer 12.
この半導体装置は、第１導電型のドレイン層１１と、ドレイン１１層上に形成されるエピタキシャル層１２と、その表面に形成された第２導電型のベース層１３とを備えている。 - 特許庁 - Near the boundary to the hole transport layer 16, the first mixing layer 20 shows the same composition as the hole transport layer 16, and the composition varies gradually nearer the light emitting layer 22 as approaching the light emitting layer 22.
第一混合層２０において、ホール輸送層１６との境界付近ではホール輸送層１６と同等の組成を示し、発光層２２に近づくに従い発光層２２の組成へ漸次変化する。 - 特許庁 - An n-type InGaAs optical absorption layer 12 and an n-type InP layer 13 (a first conductive type semiconductor layer) which works as a window layer and a doubling layer are sequentially laminated on an n-type InP substrate 11.
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２と、窓層及び倍増層であるｎ型ＩｎＰ層１３（第１導電型半導体層）とが順番に積層されている。 - 特許庁 - This long periodic grating optical fiber 2 is composed of a core layer 10, a first clad layer 12 for clad mode propagation covering the core layer 10, and a second clad layer 13 that covers the first clad layer 12 and that keeps, inside the first clad layer 12, the optical signal of the clad mode propagated through the first clad layer 12.
下記の構成要素を備えたことを特徴とする長周期グレーティング用光ファイバ２であって、この長周期グレーティング用光ファイバ２は、コア層１０と、このコア層１０を被覆するクラッドモード伝播用の第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層１２を被覆し、第１のクラッド層１２を介して伝播されるクラッドモードの光信号を第１のクラッド層１２内に閉じ込める第２のクラッド層１３とを備えている。 - 特許庁 - An organic light emitting device is provided with: a first electrode; a hole injection layer formed on the first electrode; an inorganic layer formed on the hole injection layer; a hole transport layer formed on the inorganic layer; a light-emitting layer formed on the hole transport layer; and a second electrode formed on the light-emitting layer.
第１電極と、前記第１電極の上部に形成された正孔注入層と、前記正孔注入層の上部に形成された無機物層と、前記無機物層の上部に形成された正孔輸送層と、前記正孔輸送層の上部に形成された発光層と、前記発光層の上部に形成された第２電極と、を備える有機発光素子である。 - 特許庁 - A first conductive layer 431 is provided on the top of the middle both-side conductive structure layer, a second conductive layer 432 is provided on the bottom of the middle both-side conductive structure layer, the first conductive layer and the upper conductive layer form a digital resistance type touch panel structure, and the second conductive layer and the lower conductive layer constitute an analog resistance type touch panel structure.
そのうち、該中間両面導電構造層の上面に第１導電層４３１が設けられ、該中間両面導電構造層の底面に第２導電層４３２が設けられ、該第１導電層と該上導電層がデジタル抵抗式タッチパネル構造を形成し、該第２導電層と該下導電層がアナログ抵抗式タッチパネル構造を構成する。 - 特許庁 - The organic light-emitting element includes: a substrate; a first electrode layer regularly patterned on the substrate; a low-refraction conductive layer arranged on the first electrode layer and including a conductive material with a refractive index smaller than that of an organic layer; the organic layer arranged on the low-refraction conductive layer; and a second electrode layer formed on the organic layer.
基板と、基板上に規則的にパターニングされた第１電極層と、前記第１電極層上に配置され、有機層よりも屈折率が小さい導電性物質を含む低屈折導電層と、前記低屈折導電層上に配置される有機層と、前記有機層上に形成される第２電極層と、を備える有機発光素子。 - 特許庁 - The hologram decal is manufactured by forming the hologram in the hologram layer 11, applying a layered structure including the pressure sensitive adhesive layer 13 and a removable coating layer 17 on the first surface of the hologram layer 11 with the pressure sensitive adhesive layer 13 in contact with the first surface of the hologram layer 11, and then forming the urethane coating layer 15 on the second surface of the hologram layer 11.
このホログラムデカルは、ホログラム層11にホログラムを形成し、ホログラム層11の第１の表面に圧力感応接着剤層13および剥離可能な被覆層17を含む積層構造を圧力感応接着剤層13がホログラム層11の第１の表面に接するように取付け、ホログラム層11の第２の表面にウレタン被覆層15を形成して製造される。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element includes a substrate 10, a first cladding layer 12 provided on the substrate 10, a multiquantum well layer 14 provided on the first cladding layer 12, a second cladding layer 16 provided on the multiquantum well layer 14, and a frost-processed layer 30 provided on the second cladding layer 16 and formed of an AlInGaP layer.
基板１０と、基板１０上に配置された第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に配置された多重量子井戸層１４と、多重量子井戸層１４上に配置された第２クラッド層１６と、第２クラッド層１６上に配置され、ＡｌＩｎＧａＰ層で形成されたフロスト処理層３０とを備える半導体発光素子。 - 特許庁 - The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.
第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁 - In the liquid crystal device whose liquid crystal layer is constituted of the smectic liquid crystal, an alignment layer 40 (60) is provided with a first alignment layer 41 positioned on the side opposite to the liquid crystal layer 50 and a second alignment layer 42 formed on the first alignment layer 41 and positioned on the liquid crystal layer 50 side of the alignment layer 40 (60).
スメクティック液晶にて液晶層を構成した液晶装置において、配向膜４０（６０）は、液晶層５０側とは反対側に位置する第１配向膜層４１と、該第１配向膜層４１上に形成され配向膜４０（６０）の液晶層５０側に位置する第２配向膜層４２とを具備して構成されている。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting diode includes a substrate and an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a p-type electrode having a first metal layer formed on the p-type semiconductor layer and a second metal layer formed on the first metal layer and reflecting light generated by the active layer, which are formed on the substrate in this order.
基板、この基板上に順次に設けられたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型半導体層上に形成される第１金属層とこの第１金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第２金属層とを備えるｐ型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。 - 特許庁 - A first reflection layer 11 and a first shading layer 12 are laminated in order at the first region 1 among planes of an observer 7 side of a supporting body 8, a second decoration layer 14 on which patterns composing a design shape including a first decoration layer 13 and characters are formed are laminated in order in the second region 2, and a first diffusion layer 31 is laminated in the third region 3.
支持体８の観察者７側の面のうち、第１の領域１には第１の反射層１１、第１の遮光層１２が順に積層され、第２の領域２には第１の加飾層１３と文字を含む意匠形状を構成するパターンが形成された第２の加飾層１４が順に積層され、第３の領域３には第１の拡散層３１が積層されている。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: forming a plurality of first conductive layers over a substrate, forming a first insulating layer to fill the gaps of the plurality of the first conductive layers, forming a second insulating layer over the first insulating layer and the plurality of the first conductive layers, and forming a semiconductor region and a second conductive layer over the second insulating layer.
本発明は、基板上に複数の第１の導電層を形成した後、該第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層及び複数の第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に半導体領域及び第２の導電層を形成して半導体装置を作製することを特徴とする。 - 特許庁 - The field effect transistor includes: a first semiconductor layer 14 made of a first group III-V nitride; a second semiconductor layer 15 formed on the first semiconductor layer 14, made of a second group III-V nitride and having a gate recess 16 for exposing the first semiconductor layer 14; and a gate electrode 18 formed on the gate recess 16 in the first semiconductor layer 14.
電界効果トランジスタは、第１のIII−Ｖ族窒化物からなる第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４の上に形成された第２のIII−Ｖ族窒化物からなり、第１の半導体層１４を露出するゲートリセス部１６を有する第２の半導体層１５と、第１の半導体層１４におけるゲートリセス部１６の上に形成されたゲート電極１８とを備えている。 - 特許庁 - The system comprises a first diffused resistance layer 14 exposed into the exhaust gas, and a first electrode 20 covered by the first diffused resistance layer 14, and is equipped with a first cell which generates output according to the gas component ratio on the surface of the first electrode 20.
排気ガス中に露出される第１拡散抵抗層１４と、第１拡散抵抗層１４に覆われた第１電極２０とを備え、第１電極２０の表面におけるガス成分比率に応じた出力を発する第１セルを設ける。 - 特許庁 - The first via conductors 140a is electrically connected with the first internal electrode layer 130a, a part of it is made to project to form the first mounted terminal 150a, and a first coating layer is provided on the first mounted terminal 150a.
第１のビア導体１４０ａは、第１の内部電極層１３０ａと電気的に接続すると共に、その一部を突出させて第１の実装端子１５０ａを形成し、第１の実装端子１５０ａ上に第１の被覆層を備える。 - 特許庁 - An injection-molded part consists of first and second layers respectively comprising resin materials mutually different in physical values and the second layer is parallelly injected only for a definite time during the injection of the first layer to perform molding so as to wrap the second layer in the first layer.
互いに物性値の異なる樹脂材料の第１層と第２層とからなり、第１層の射出中の一定時間のみ第２層を並行して射出することにより前記第２層が前記第１層に包まれて成形されることを特徴とする。 - 特許庁 - A first coating layer 44 covering a part or the whole of a tube body 42 is formed on the outer side of the tube body 42 of the heat transfer tube 41, and a second coating layer 45 covering a part or the whole of the first coating layer 44 is formed on the outer side of the first coating layer 44.
伝熱管４１の管本体４２の外側に，管本体４２の一部又は全部を覆う第一の被覆層４４を設け，その第一の被覆層４４の外側に，第一の被覆層４４の一部又は全部を覆う第二の被覆層４５を設けた。 - 特許庁 - The actuator includes a movable part where a plurality of layers including a first layer, a second layer having a larger thermal expansion coefficient than the first layer, and a third layer having a larger heat conductivity than the first and second layers are layered and which is deformed according to heating.
アクチュエータは、第１層と、該第１層よりも大きな熱膨張率を持つ第２層と、第１および第２層よりも大きな熱伝導率を持つ第３層とを含む複数層が積層されるとともに、加熱に応じて変形する可動部を備える。 - 特許庁 - A first plastic layer 320 provided with at least one second hole 310 is adhered to the transfer layer 220 by removable gel, The second holes 310 correspond to the first holes 210 and part of the first plastic layer 320 is located on the edge of the silver containing buffer layer 120.
少なくとも一つの第二ホール３１０を備える第一プラスチック層３２０は、リムーバブルゲルにより、転写層２２０に接着し、第二ホール３１０は第一ホール２１０に対応し、第一プラスチック層３２０の一部は、含銀バッファ層１２０のエッジ上に配置される。 - 特許庁 - The negative electrode 5 has a first metal layer 6a containing a first metal and a low work-function metal, a second metal layer 6b containing a second metal the same as or different from the first metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.
陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む第１金属層６ａと、第１の金属と同じまたは異なる第２の金属を含む第２金属層６ｂと、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁
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