「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 71 72 73 74 75 76 77 78 79 .... 489 490 次へ＞- The first substrate 100 has a construction that a device layer 130 is laminated on an insulative substrate 110 through a first conductive layer 120.
第１の基板１００は、絶縁性基板１１０上に第１の導電層１２０を介してデバイス層１３０を積層した構成を有している。 - 特許庁 - The first terminal communicates with a second plane-like metal layer 124-2.
第１端子は第２平面状金属層１２４−２に連絡している。 - 特許庁 - Visible transmittivity of the innermost first protection layer 62 is 20% or lower.
最内の第１保護層６２の可視光透過率を２０％以下とする。 - 特許庁 - The mold release film 100 and 100A include first mold release layers 110 and 110a, a first cushion layer 120 and a second cushion layer 130.
本発明に係る離型フィルム１００，１００Ａは、第一離型層１１０，１１０ａ、第一クッション層１２０および第二クッション層１３０を備える。 - 特許庁 - The thickness of the first layer 11a is formed to be 30 μm to 200 μm.
第１層11ａは厚みが３０μｍ〜２００μｍに形成されている。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel is provided with a first substrate 10, a liquid crystal layer 30 and a second substrate 20 arranged so as to be opposite to the first substrate via the liquid crystal layer.
第１基板１０と、液晶層３０と、液晶層を介して第１基板に対向するように配設された第２基板２０とを備える。 - 特許庁 - The first and second memory strings are provided on a principal surface of a semiconductor layer.
第１、第２メモリストリングは、半導体層の主面上に設けられる。 - 特許庁 - The first barrier layer 141, which is formed on the first surface 111 by an atomic layer deposition method, is made of an inorganic material having water vapor barrier properties.
第１のバリア層１４１は、第１の面１１１に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する無機材料からなる。 - 特許庁 - The first insulation layer 30 is a porous film of an organic material.
第１の絶縁層３０は、有機系材料からなる多孔質膜である。 - 特許庁 - The first film layer is provided between the glass plate and the convex portions, the convex portions being provided in contact with the first film layer.
また本発明は、前記第１のフィルム層は、ガラス板と凸部との間に設けられ、前記凸部は、第１のフィルム層に接して設けられている、印刷版に関する。 - 特許庁 - The first electrode is electrically connected to the first semiconductor layer, and the second electrode is electrically connected to the second semiconductor layer.
前記第一電極は、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極は、前記第二半導体層に電気的に接続される。 - 特許庁 - The layer of refractory metal nitride is then bombarded with a first set of ions.
耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。 - 特許庁 - A wiring layer 20 that constitutes a passive element corresponds to a second region 17 which differs from the first region is insulated by the first insulating layer.
受動素子を構成する配線層20は、記第１の領域と異なる第２の領域17に対応し、第１の絶縁層により絶縁されている。 - 特許庁 - Additionally the printing plate includes a first film layer of more flexibility than the glass plate, the first film layer and the glass plate being laminated.
また本発明は、前記ガラス板よりも可撓性を示す第１のフィルム層をさらに備え、第１のフィルム層とガラス板とは積層されている、印刷版に関する。 - 特許庁 - An integral or separate temperature source or sources 14, 16 may be provided to maintain the first layer 18 at a first temperature and the third layer 22 at a second temperature.
第１の層１８を第１の温度に、第３の層２２を、第２の温度に維持するために、一体又は別個の温度源１４、１６を設けることができる。 - 特許庁 - A memory substrate 11 comprises a substrate 111, a memory cell 112, a peripheral circuit region 113, a first dielectric layer 114, and a first metal layer 115.
メモリ基板１１は、基板１１１と、メモリセル１１２と、周辺回路領域１１３と、第１誘電体層１１４と、第１金属層１１５と、を有する。 - 特許庁 - A first insulating layer 20 is formed on a supporting substrate 10 made of a conductive material, and a circuit wiring 30 is formed on this first insulating layer.
導電性材料からなる支持基板（１０）上に第１の絶縁層（２０）が形成され、この第１の絶縁層上に回路配線（３０）が形成される。 - 特許庁 - First, a unit laminated body 10 in which an internal electrode 4 is located between a first ceramic layer 3 and a second ceramic layer 6 is formed on a support body 2.
まず、第１のセラミック層３と第２のセラミック層６との間に内部電極４を位置させた単位積層体１０を支持体２上に形成する。 - 特許庁 - When light wave-guided into a first electrode is fully reflected from an interface between the first electrode and a buffer layer, evanescent light is produced on the side of the buffer layer.
第１電極内を導波する光が、第１電極とバッファ層の界面で全反射した場合、バッファ層側にエバネッセント光が生じる。 - 特許庁 - A metal foil is stuck to the plane of a core layer or a first built-up layer, and onto a first conductive pattern on the plane through anisotropic conductive adhesive.
コア層若しくは第１ビルドアップ層の平面と平面上の第１導電パターン上に異方導電接着剤を介して金属泊を貼り付ける。 - 特許庁 - The first information recording layer 3 is irradiated with light from below the first substrate 1 and the second information recording layer 5 from above the second substrate 4.
第１情報記録層３は第１の基板１の下から、第２情報記録層５は、第２の基板４の上から光を照射して読み出す。 - 特許庁 - The method of manufacturing the web includes selection of a first material for the first layer of the material and selection of a second material for the second layer of the material.
ウエブを製造する方法は、材料の第１層に第１材料を選択することと、材料の第二層に第２材料を選択することとを含む。 - 特許庁 - The buried layers are selectively provided in the first-conductive-type base layer.
埋め込み層は、第１導電形ベース層中に選択的に設けられた。 - 特許庁 - Among these cloth layers, the loops of the first cloth layer bite each other and accept a pintle.
その布層のうち第一布層のループは噛み合い、ピントルを受け入れる。 - 特許庁 - Chlorine 31 remaining on the surface of the first layer nitride film 21 reacts on the anneal gas 32 to produce reaction products 33 which leave the first layer nitride film 21.
１層目窒化膜２１の表面に残存する塩素３１とアニールガス３２とが反応し、反応生成物３３となり１層目窒化膜２１から離脱する。 - 特許庁 - An alignment is preferably provided, when the first color filter layer 7A is formed.
アライメントマークは最初のカラーフィルター層７Ａの形成の際に設けるとよい。 - 特許庁 - A first plate and a sacrificial layer are formed in this order on a substrate, with at least two apertures formed in the first plate and the sacrificial layer.
第１のプレートと犠牲層がその順に基体の上に形成され、少なくとも２つの開口部が第１のプレート及び犠牲層中に形成される。 - 特許庁 - The protective layer 4 is provided on the filling layer 3 with inclusion of a second aperture 4a larger than the first aperture 21a at the upper part of the first aperture 21a.
保護層４は、充填層３上に設けられ、第１開口部２１ａの上方に、第１開口部２１ａより大きい第２開口部４ａを有する。 - 特許庁 - A MOS power transistor is formed in an epitaxial layer of a first conductivity type.
ＭＯＳパワートランジスタは第１導電型のエピタキシャル層に形成される。 - 特許庁 - The first n-type semiconductor layer 13 is formed on a substrate 11.
第１のｎ型半導体層１３は基板１１上に設けられている。 - 特許庁 - Rough regions on the first layer share boundaries with the smooth regions of the first layer in a lateral direction and surround them in the lateral direction respectively.
第１の層の表面の凹凸領域が第１の層の表面の各々の平滑領域と横方向で境界を接し、かつそれを横方向で取り囲む。 - 特許庁 - A first protection layer formed by printing an overprint varnish and ultraviolet-curing is formed on an entire surface of the base material layer including the first transfer printing part 84.
該第１印写部８４を含む基材層の全面にはオーバープリントニスを印刷し、紫外線硬化してなる第１保護層が形成されている。 - 特許庁 - A second lens array 13 which crosses the first lens array 12 almost at right angles is formed on the interface between the first lens layer 14 and second lens layer 15.
第１のレンズ層１４と第２のレンズ層１５の界面に、第１のレンズ列１２とほぼ直交する第２のレンズ列１３が形成されている。 - 特許庁 - The planarization polishing treatment is first applied to the surface of the second polishing stopper layer 71.
第２研磨ストッパ層７１の表面から平坦化研磨処理を施す。 - 特許庁 - A first resist layer 21 is formed on the conductor layer 11 of an insulating base material 1, a series of patterning processing is performed to form a first opening part 31.
絶縁基材１の導体層１１上に第１レジスト層２１を形成し、一連のパターニング処理を行って第１開口部３１を形成する。 - 特許庁 - An anode 8 made of ITO is formed on the first insulating layer 6.
第一絶縁層６の上には、ＩＴＯによる陽極８が形成される。 - 特許庁 - Then, the embedded wiring 7 is formed in the first inter-layer insulation film 2.
次に、第一の層間絶縁膜２に埋め込み配線７を形成する。 - 特許庁 - The masking layer is removed and the conductive nitride layer is subjected to a patterning process to form a first gate electrode 23 having a first work function value.
マスキング層（２０）を除去し、導電性窒化物層（２４）にパターニングを行い、第１仕事関数値を有する第１ゲート電極（２３）を形成する。 - 特許庁 - A first electrode consisting of a foundation layer 111a, a reflection layer 111b and a transparent electrode 111c is formed on a surface of a first substrate 110.
第１基板１１０の表面上には、下地層１１１ａ、反射層１１１ｂ及び透明電極１１１ｃからなる第１電極が形成される。 - 特許庁 - In the first process, a cover layer is formed by electrodeposition.
第一工程においては、電着塗装により、被膜層の形成がおこなわれる。 - 特許庁 - The connection positions 2a, 2b between the portions 2A, 2C distributed in the first layer and the portion 2B distributed in the second layer are different from that of the first signal wire 1.
第１の層に配された部分２Ａ，２Ｃと第２の層に配された部分２Ｂとの接続位置２ａ，２ｂが第１の信号配線１と異なる。 - 特許庁 - A first insulating layer 41 is formed on a suspension body 10, and wiring patterns W1, W2 for writing are formed on the first insulating layer 41.
サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成される。 - 特許庁 - A first electrode terminal 45 is connected to the free-side ferromagnetic layer 55.
自由側強磁性層５５には第１電極端子４５が接続される。 - 特許庁 - A layer 20 consisting of a specified substance is formed on a first object 21 and the layer 20 formed on the first object is transferred to a second object 24.
所定の物質からなる層２０を第１物体２１上に形成し、その第１物体上に形成された層２０を、第２物体２４上に転写する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device comprises a first layer, a second layer, light-emitting portion, a first stacked structure, and a second stacked structure.
実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The first layer 20 has an internal face 22 impermeable to air, while the second layer 40 has a first face 44 impermeable to air.
第１の層は空気に対して不透過性を示す内面（２２）を有し、第２の層は空気に対して不透過性を示す第１の面（４４）を有する。 - 特許庁 - The pressure-sensitive adhesive layer 13 and the first area 14A are bonded together by making the exposed pressure-sensitive adhesive layer 13 folded and superposed on the first area 14A, so that the personal information can be protected.
また、露出された粘着剤層１３を第１の領域１４Ａに折り重ねて両者を接着することにより、個人情報を保護する。 - 特許庁 - The first adhesion layer 46 is formed on one side of the heating body 35.
第１接着層４６は発熱体３５の一側に形成されている。 - 特許庁 - The third terminal communicates with the first planar metal layer 130-2.
第３端子は第１平面状金属層１３０−２に連絡している。 - 特許庁 - A first elastic layer 6 is disposed on the upper face of the strain-inducing plate 2.
起歪板２の上面に第１弾性層６が配置されている。 - 特許庁
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